JP2011513959A - オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 - Google Patents

オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011513959A
JP2011513959A JP2010547954A JP2010547954A JP2011513959A JP 2011513959 A JP2011513959 A JP 2011513959A JP 2010547954 A JP2010547954 A JP 2010547954A JP 2010547954 A JP2010547954 A JP 2010547954A JP 2011513959 A JP2011513959 A JP 2011513959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
connection
semiconductor body
partial
connection layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010547954A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011513959A5 (enExample
Inventor
カール エンゲル
パトリック ローデ
ルッツ ヘッペル
マルチン ストラスバーク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2011513959A publication Critical patent/JP2011513959A/ja
Publication of JP2011513959A5 publication Critical patent/JP2011513959A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
JP2010547954A 2008-02-29 2009-02-25 オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 Pending JP2011513959A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008011848A DE102008011848A1 (de) 2008-02-29 2008-02-29 Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
PCT/DE2009/000281 WO2009106069A1 (de) 2008-02-29 2009-02-25 Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014087561A Division JP2014160854A (ja) 2008-02-29 2014-04-21 オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011513959A true JP2011513959A (ja) 2011-04-28
JP2011513959A5 JP2011513959A5 (enExample) 2012-04-05

Family

ID=40791442

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010547954A Pending JP2011513959A (ja) 2008-02-29 2009-02-25 オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
JP2014087561A Pending JP2014160854A (ja) 2008-02-29 2014-04-21 オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014087561A Pending JP2014160854A (ja) 2008-02-29 2014-04-21 オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8823024B2 (enExample)
EP (1) EP2248175B1 (enExample)
JP (2) JP2011513959A (enExample)
KR (1) KR101577846B1 (enExample)
CN (1) CN101960602B (enExample)
DE (1) DE102008011848A1 (enExample)
WO (1) WO2009106069A1 (enExample)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014158020A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
JP2015041762A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 正幸 安部 光半導体装置
JP2015177031A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2015177030A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2017112166A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
JP2018519665A (ja) * 2015-07-16 2018-07-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス装置およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法
JP2023100814A (ja) * 2018-10-11 2023-07-19 廈門市三安光電科技有限公司 発光ダイオードデバイス及びその製作方法

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8941141B2 (en) * 2006-10-17 2015-01-27 Epistar Corporation Light-emitting device
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
DE102008062933B4 (de) 2008-12-23 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Projektionsvorrichtung
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
JP5506313B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009060749B4 (de) * 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101106151B1 (ko) 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101039999B1 (ko) * 2010-02-08 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102010013494A1 (de) 2010-03-31 2011-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
DE102010023342A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Leuchtmittel insbesondere mit solch einer Leuchtdiodenanordnung
DE102010025320B4 (de) 2010-06-28 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101692410B1 (ko) * 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI495156B (zh) * 2010-07-30 2015-08-01 Epistar Corp 半導體發光元件及其製造方法
TWI557934B (zh) * 2010-09-06 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 半導體光電元件
DE102010045784B4 (de) 2010-09-17 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010046792A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010048159B4 (de) * 2010-10-11 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
DE102011012924A1 (de) 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
DE102011015821B4 (de) 2011-04-01 2023-04-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102011016302A1 (de) 2011-04-07 2012-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN102751431A (zh) * 2011-04-18 2012-10-24 北京地调科技发展有限公司 Led芯片及其制备方法
CN105762166B (zh) * 2011-04-25 2018-11-20 晶元光电股份有限公司 发光二极管阵列
US8492182B2 (en) 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
KR20180055922A (ko) 2011-05-25 2018-05-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
JP5662277B2 (ja) * 2011-08-08 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光モジュール
US9299742B2 (en) 2011-08-15 2016-03-29 Micron Technology, Inc. High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods
KR101830719B1 (ko) * 2011-09-01 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN102324458A (zh) * 2011-09-29 2012-01-18 南昌黄绿照明有限公司 具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012105176B4 (de) 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8816383B2 (en) * 2012-07-06 2014-08-26 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
DE102012106364B4 (de) * 2012-07-16 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012106953A1 (de) * 2012-07-30 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN111223973B (zh) * 2012-09-07 2023-08-22 首尔伟傲世有限公司 发光二极管阵列
DE102012108763B4 (de) * 2012-09-18 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip und lichtquelle mit dem optoelektronischen halbleiterchip
DE102012108883A1 (de) * 2012-09-20 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
KR101565122B1 (ko) * 2012-11-05 2015-11-02 일진엘이디(주) 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자
DE102012110775A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102013100470A1 (de) * 2013-01-17 2014-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102013100818B4 (de) * 2013-01-28 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013101367A1 (de) 2013-02-12 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip
DE102013102667A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
DE102013103409A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Modul
DE102013212294A1 (de) * 2013-06-26 2014-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102053408B1 (ko) * 2013-07-11 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2015054029A1 (en) * 2013-10-09 2015-04-16 Cree, Inc. High voltage monolithic led chip
DE102013111496A1 (de) * 2013-10-18 2015-04-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102014100773A1 (de) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR102212666B1 (ko) * 2014-06-27 2021-02-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI625868B (zh) 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
DE102014112562A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
TWI568026B (zh) * 2014-11-04 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 發光裝置
KR102237148B1 (ko) * 2014-11-07 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 제조방법
FR3031238B1 (fr) * 2014-12-30 2016-12-30 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
CN107223285B (zh) * 2015-02-13 2020-01-03 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
DE102015104144A1 (de) * 2015-03-19 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE102015105509A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
JP6160726B2 (ja) * 2015-04-27 2017-07-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6260640B2 (ja) * 2015-05-22 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 発光素子
DE102015111721A1 (de) * 2015-07-20 2017-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE102015118041A1 (de) * 2015-10-22 2017-04-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
DE102015119353B4 (de) * 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102016111113A1 (de) * 2016-06-17 2017-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102016114571A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament mit einem träger
DE102017100716A1 (de) 2017-01-16 2018-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102017125105A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102017126446A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102018125281A1 (de) * 2018-10-12 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102019103638A1 (de) * 2019-02-13 2020-08-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102019107030A1 (de) 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
DE102019126506A1 (de) 2019-10-01 2021-04-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
DE102021102332A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips
CN113257966B (zh) * 2021-04-13 2022-05-31 深圳市思坦科技有限公司 Led芯片结构、其制备方法以及显示模组
DE102021123996A1 (de) 2021-09-16 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektornisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335010A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2006073815A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2007116097A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Sony Corp 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
US20070131958A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Single chip with multi-LED
JP2007324581A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JP3447527B2 (ja) * 1996-09-09 2003-09-16 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
CN1964093B (zh) 1997-01-09 2012-06-27 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
EP2169733B1 (de) 1997-09-29 2017-07-19 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiterlichtquelle
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
JP4960665B2 (ja) 2006-08-11 2012-06-27 キヤノン株式会社 発光素子アレイ及び画像形成装置
US6635902B1 (en) * 2002-05-24 2003-10-21 Para Light Electronics Co., Ltd. Serial connection structure of light emitting diode chip
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US6958494B2 (en) * 2003-08-14 2005-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diodes with current spreading layer
JP4474892B2 (ja) 2003-10-14 2010-06-09 日亜化学工業株式会社 フリップチップ型ｌｅｄ
TWI317180B (en) 2004-02-20 2009-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
TWI254469B (en) 2004-04-14 2006-05-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminous diode chip
DE102005016592A1 (de) 2004-04-14 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US20060113548A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Ching-Chung Chen Light emitting diode
CN101073155B (zh) 2004-12-06 2010-09-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 作为小型颜色可变光源的单片led
DE112005002889B4 (de) 2004-12-14 2015-07-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
TWI291246B (en) * 2005-10-20 2007-12-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
TW200739952A (en) 2005-12-22 2007-10-16 Rohm Co Ltd Light emitting device and illumination instrument
US7994514B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
DE102006055884B4 (de) 2006-09-29 2023-03-16 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR20090119862A (ko) 2007-01-22 2009-11-20 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 고장 내성 발광기, 고장 내성 발광기를 포함하는 시스템 및 고장 내성 발광기를 제조하는 방법
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007019775B4 (de) 2007-04-26 2024-11-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
KR101571577B1 (ko) 2008-02-29 2015-11-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 모놀리식 광전자 반도체 본체 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335010A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2006073815A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2007116097A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Sony Corp 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
US20070131958A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Single chip with multi-LED
JP2007324581A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014158020A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
US9356193B2 (en) 2013-02-15 2016-05-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP2015041762A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 正幸 安部 光半導体装置
JP2015177031A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2015177030A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2018519665A (ja) * 2015-07-16 2018-07-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス装置およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法
US10854783B2 (en) 2015-07-16 2020-12-01 Osram Oled Gmbh Optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic arrangement
US11527678B2 (en) 2015-07-16 2022-12-13 Osram Oled Gmbh Optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic arrangement
US12324282B2 (en) 2015-07-16 2025-06-03 Osram Oled Gmbh Optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic arrangement
JP2017112166A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
JP2023100814A (ja) * 2018-10-11 2023-07-19 廈門市三安光電科技有限公司 発光ダイオードデバイス及びその製作方法
JP7633305B2 (ja) 2018-10-11 2025-02-19 泉州三安半導体科技有限公司 発光ダイオードデバイス及びその製作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014160854A (ja) 2014-09-04
US8823024B2 (en) 2014-09-02
CN101960602A (zh) 2011-01-26
DE102008011848A1 (de) 2009-09-03
KR20100126733A (ko) 2010-12-02
EP2248175A1 (de) 2010-11-10
KR101577846B1 (ko) 2015-12-15
EP2248175B1 (de) 2017-03-29
CN101960602B (zh) 2012-09-26
WO2009106069A1 (de) 2009-09-03
US20120086026A1 (en) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011513959A (ja) オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
JP5992662B2 (ja) モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
JP5193048B2 (ja) 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子
US7704771B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array
JP5801359B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体ボディ
CN101859758B (zh) 高电压低电流面发射led
US6547249B2 (en) Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
CN104025296B (zh) 光电子半导体芯片
US9620680B2 (en) Optoelectronic semiconductor body
JP2004128502A (ja) トンネル接合を含む発光装置
CN101740600A (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
US11784210B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR102190859B1 (ko) 발광 디바이스를 위한 p형 층을 형성하는 방법
CN105489722A (zh) 发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法
JP2019046971A (ja) 発光装置の製造方法
JP2018534781A (ja) 紫外線発光素子及び発光素子パッケージ
US9705036B2 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20170027450A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지
KR20160147304A (ko) 발광소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130430

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130726

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131224