CN101960602B - 光电子半导体本体及其制造方法 - Google Patents

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108292696A (zh) * 2015-11-10 2018-07-17 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8941141B2 (en) * 2006-10-17 2015-01-27 Epistar Corporation Light-emitting device
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
DE102008062933B4 (de) 2008-12-23 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Projektionsvorrichtung
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
JP5506313B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009060749B4 (de) * 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101106151B1 (ko) 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101039999B1 (ko) * 2010-02-08 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102010013494A1 (de) * 2010-03-31 2011-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
DE102010023342A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Leuchtmittel insbesondere mit solch einer Leuchtdiodenanordnung
DE102010025320B4 (de) * 2010-06-28 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101692410B1 (ko) * 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI495156B (zh) * 2010-07-30 2015-08-01 Epistar Corp 半導體發光元件及其製造方法
TWI557934B (zh) * 2010-09-06 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 半導體光電元件
DE102010045784B4 (de) 2010-09-17 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010046792A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010048159B4 (de) 2010-10-11 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
DE102011012924A1 (de) 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
DE102011015821B4 (de) * 2011-04-01 2023-04-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102011016302A1 (de) 2011-04-07 2012-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN102751431A (zh) * 2011-04-18 2012-10-24 北京地调科技发展有限公司 Led芯片及其制备方法
CN105762166B (zh) * 2011-04-25 2018-11-20 晶元光电股份有限公司 发光二极管阵列
US8492182B2 (en) 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
US9373765B2 (en) 2011-05-25 2016-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
JP5662277B2 (ja) * 2011-08-08 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光モジュール
US9299742B2 (en) * 2011-08-15 2016-03-29 Micron Technology, Inc. High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods
KR101830719B1 (ko) * 2011-09-01 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN102324458A (zh) * 2011-09-29 2012-01-18 南昌黄绿照明有限公司 具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012105176B4 (de) 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8816383B2 (en) * 2012-07-06 2014-08-26 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
DE102012106364B4 (de) * 2012-07-16 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012106953A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN104620399B (zh) * 2012-09-07 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列
DE102012108763B4 (de) 2012-09-18 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip und lichtquelle mit dem optoelektronischen halbleiterchip
DE102012108883A1 (de) 2012-09-20 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
KR101565122B1 (ko) * 2012-11-05 2015-11-02 일진엘이디(주) 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자
DE102012110775A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102013100470A1 (de) * 2013-01-17 2014-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102013100818B4 (de) * 2013-01-28 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013101367A1 (de) 2013-02-12 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip
KR102065390B1 (ko) * 2013-02-15 2020-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
DE102013102667A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
DE102013103409A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Modul
DE102013212294A1 (de) * 2013-06-26 2014-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102053408B1 (ko) * 2013-07-11 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2015041762A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 正幸 安部 光半導体装置
WO2015054029A1 (en) * 2013-10-09 2015-04-16 Cree, Inc. High voltage monolithic led chip
DE102013111496A1 (de) * 2013-10-18 2015-04-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102014100773A1 (de) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP2015177031A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2015177030A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 スタンレー電気株式会社 発光装置
KR102212666B1 (ko) 2014-06-27 2021-02-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI625868B (zh) 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
DE102014112562A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
TWI568026B (zh) * 2014-11-04 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 發光裝置
KR102237148B1 (ko) * 2014-11-07 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 제조방법
FR3031238B1 (fr) * 2014-12-30 2016-12-30 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
EP3258507A2 (en) * 2015-02-13 2017-12-20 Seoul Viosys Co., Ltd Light-emitting element and light-emitting diode
DE102015104144A1 (de) * 2015-03-19 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE102015105509A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
JP6160726B2 (ja) * 2015-04-27 2017-07-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6260640B2 (ja) * 2015-05-22 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 発光素子
DE102015111574A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE102015111721A1 (de) * 2015-07-20 2017-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE102015118041A1 (de) * 2015-10-22 2017-04-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
JP6692155B2 (ja) * 2015-12-15 2020-05-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
DE102016111113A1 (de) * 2016-06-17 2017-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102016114571A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament mit einem träger
DE102017100716A1 (de) 2017-01-16 2018-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102017125105A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102017126446A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN109891610A (zh) * 2018-10-11 2019-06-14 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光二极管元件及其制作方法
DE102018125281A1 (de) * 2018-10-12 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102019103638A1 (de) * 2019-02-13 2020-08-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102019107030A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
DE102019126506A1 (de) * 2019-10-01 2021-04-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
DE102021102332A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips
CN113257966B (zh) * 2021-04-13 2022-05-31 深圳市思坦科技有限公司 Led芯片结构、其制备方法以及显示模组
DE102021123996A1 (de) 2021-09-16 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektornisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JP3447527B2 (ja) * 1996-09-09 2003-09-16 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
WO1998031055A1 (en) 1997-01-09 1998-07-16 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
EP2169733B1 (de) 1997-09-29 2017-07-19 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiterlichtquelle
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
JP4960665B2 (ja) 2006-08-11 2012-06-27 キヤノン株式会社 発光素子アレイ及び画像形成装置
JP4151284B2 (ja) * 2001-03-05 2008-09-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子及び発光装置並びにそれらの製造方法
US6635902B1 (en) * 2002-05-24 2003-10-21 Para Light Electronics Co., Ltd. Serial connection structure of light emitting diode chip
TWI249148B (en) 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US6958494B2 (en) 2003-08-14 2005-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diodes with current spreading layer
JP4474892B2 (ja) 2003-10-14 2010-06-09 日亜化学工業株式会社 フリップチップ型led
KR101228428B1 (ko) 2004-02-20 2013-01-31 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자, 다수의 광전 소자를 구비한 장치 및 광전 소자를 제조하기 위한 방법
DE102005016592A1 (de) 2004-04-14 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
TWI254469B (en) 2004-04-14 2006-05-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminous diode chip
JP3904571B2 (ja) * 2004-09-02 2007-04-11 ローム株式会社 半導体発光装置
US20060113548A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Ching-Chung Chen Light emitting diode
JP5616000B2 (ja) 2004-12-06 2014-10-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ コンパクトな色可変光源としてのシングルチップled
WO2006098545A2 (en) 2004-12-14 2006-09-21 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
JP4462249B2 (ja) * 2005-09-22 2010-05-12 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法
TWI291246B (en) * 2005-10-20 2007-12-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
TWI331406B (en) 2005-12-14 2010-10-01 Advanced Optoelectronic Tech Single chip with multi-led
TW200739952A (en) 2005-12-22 2007-10-16 Rohm Co Ltd Light emitting device and illumination instrument
US7994514B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
JP2007324581A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法
DE102006055884B4 (de) * 2006-09-29 2023-03-16 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2010517273A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007019775B4 (de) 2007-04-26 2024-11-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
US8643034B2 (en) 2008-02-29 2014-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Monolithic, optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108292696A (zh) * 2015-11-10 2018-07-17 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101577846B1 (ko) 2015-12-15
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