JP2011238897A5 - - Google Patents

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本発明の第１側面に係る検出装置は、基板と、前記基板の上方に配置されており、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記基板の上方に配置されており、前記スイッチ素子の前記第１の電極と電気的に接合する導電線と、前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に成膜されて配置された変換素子であって、２つの電極と、それらの間に配置された半導体層とを有し、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する、変換素子と、を含む検出装置であって、前記変換素子の前記一方の電極は、前記スイッチ素子の前記第１の電極又は前記導電線との間に空間を介して前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に配置されていることを特徴とする。
本発明の第３側面に係る検出装置の製造方法は、基板の上方に配置された、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記第１の電極と接合する導電線と、を覆う膜を形成する第１工程と、前記膜の上方且つ前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に、２つの電極と、その間にある半導体層とを有する変換素子であって、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する変換素子を形成する第２工程と、前記膜の少なくとも一部を除去することにより、前記変換素子の前記一方の電極と前記スイッチ素子の前記第１の電極との間又は前記変換素子の前記一方の電極と前記導電線との間の少なくとも一方に空間を形成する第３工程と、を有することを特徴とする。

Claims (11)

  1. 基板と、
    前記基板の上方に配置されており、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、
    前記基板の上方に配置されており、前記スイッチ素子の前記第１の電極と電気的に接合する導電線と、
    前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に成膜されて配置された変換素子であって、２つの電極と、それらの間に配置された半導体層とを有し、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する、変換素子と、
    を含む検出装置であって、
    前記変換素子の前記一方の電極は、前記スイッチ素子の前記第１の電極又は前記導電線との間に空間を介して前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に配置されていることを特徴とする検出装置。
  2. 前記空間は、前記導電線及び前記スイッチ素子を覆う膜を除去することにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
  3. 前記膜は層間絶縁膜であることを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
  4. 前記空間と前記導電線との間に配置された第１の保護膜と、
    前記変換素子の前記一方の電極と前記空間との間に配置された第２の保護膜と、
    前記光電変換素子の上面及び側面を覆うように配置された第３の保護膜と、
    を更に含み、
    前記第２の保護膜と前記第３の保護膜とは前記変換素子の側面において接していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出装置。
  5. 前記空間と前記導電線との間に配置された第１の保護膜を更に含み、
    前記変換素子の前記一方の電極と前記空間とが接しており、前記変換素子の前記一方の電極がＩＴＯで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出装置。
  6. 前記変換素子はＰＩＮ型又はＭＩＳ型の光電変換素子を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検出装置。
  7. 前記光電変換素子の上方に配置されたシンチレータを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
  8. 前記スイッチ素子はトランジスタであり、前記スイッチ素子の前記第１の電極は制御電極であり、前記導電線は制御線であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検出装置。
  9. 前記スイッチ素子はトランジスタであり、前記スイッチ素子の前記第１の電極は前記トランジスタの主電極の一方であり、前記導電線は信号線であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検出装置。
  10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検出装置と、
    前記検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と、
    を備えることを特徴とする検出システム。
  11. 検出装置の製造方法であって、
    基板の上方に配置された、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記第１の電極と接合する導電線と、を覆う膜を形成する第１工程と、
    前記膜の上方且つ前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に、２つの電極と、それらの間にある半導体層とを有する変換素子であって、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する変換素子を形成する第２工程と、
    前記膜の少なくとも一部を除去することにより、前記変換素子の前記一方の電極と前記スイッチ素子の前記第１の電極との間又は前記変換素子の前記一方の電極と前記導電線との間の少なくとも一方に空間を形成する第３工程と、
    を有することを特徴とする製造方法。
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