JP2011054219A - 強誘電体メモリ及びメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源電圧が所定値Vdownを下回った場合には、DDRインタフェースのCKEピンを利用して強誘電体メモリに電源ダウンの通知が行われる。電源ダウンが通知されると、メモリセルからセンスアンプ回路へのデータ読み出しが終了するのを待ってから、センスアンプ回路に保持されているデータをメモリセルへ書き戻す。
【選択図】図2
Description
2 強誘電体メモリ
10 CKEピン
11 CKEバッファ
12 CLKピン
13 CLKバッファ
14 Addressピン
15 アドレスバッファ
16 Commandピン
17 第1制御部
18 第2制御部
20〜23 バンク
30 第3制御部
Claims (5)
- 電源ダウンの通知を受け取り、前記通知に基づいて第1の値から第2の値に変化する第1信号を出力する第1バッファと、
内部クロック信号の生成及び供給を行い、前記第1信号が前記第1の値から前記第2の値へ変化するに伴って、前記内部クロック信号の供給を停止する第2バッファと、
読み出し又は書き込み対象のデータに対応するアドレス信号を受け取って保持し、出力する第3バッファと、
コマンド信号を受け取って出力する第1制御部と、
前記第1制御部から出力される前記コマンド信号がバンクアクティブコマンドの時に第3の値となり、当該コマンド信号がプリチャージコマンドの時と前記第1信号が前記第2の値の時に第4の値となる基幹信号を生成し出力する第2制御部と、
強誘電体キャパシタとセルトランジスタとを含むメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記アドレス信号に対応するメモリセルからビット線対を介してデータを読み出すセンスアンプ回路と、
前記基幹信号が前記第3の値となった時点から所定時間経過した後であり、かつ前記基幹信号が前記第4の値となっている時に、前記データが読み出されたメモリセルへの書き戻しが行われるよう制御する第3制御部と、
を備える強誘電体メモリ。 - 前記第1バッファはノイズを除去するフィルタを有することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ。
- 前記所定時間は、前記センスアンプ回路が前記メモリセルから前記ビット線対を介してデータを読み出すために要する時間以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の強誘電体メモリ。
- 電源ダウンの通知を受け取り、前記通知に基づいて第1の値から第2の値に変化する第1信号を出力する第1バッファと、
コマンド信号を受信して出力すると共に、書き込みコマンドの受信に伴い第3の値から第4の値に変化し、書き込みデータの受信から所定時間経過後に前記第4の値から前記第3の値に変化する第2信号を生成して出力する第1制御部と、
前記第1信号が前記第2の値から前記第1の値へ変化するに伴って第5の値から第6の値へ変化し、前記第1信号が前記第1の値から第2の値へ変化し、かつ前記第2信号が前記第3の値である時に前記第6の値から前記第5の値へ変化する第3信号を生成して出力する遅延部と、
内部クロック信号の生成及び供給を行い、前記第3信号が前記第6の値から前記第5の値へ変化するに伴って、前記内部クロック信号の供給を停止する第2バッファと、
読み出し又は書き込み対象のデータに対応するアドレス信号を受け取って保持し、出力する第3バッファと、
前記第1制御部から出力される前記コマンド信号がバンクアクティブコマンドの時に第7の値となり、当該コマンド信号がプリチャージコマンドの時と前記第3信号が前記第5の値の時に第8の値となる基幹信号を生成し出力する第2制御部と、
強誘電体キャパシタとセルトランジスタとを含むメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記アドレス信号に対応するメモリセルからビット線対を介してデータを読み出すセンスアンプ回路と、
前記基幹信号が前記第7の値となった時点から所定時間経過した後であり、かつ前記基幹信号が前記第8の値となっている時に、前記データが読み出されたメモリセルへの書き戻しが行われるよう制御する第3制御部と、
を備える強誘電体メモリ。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の強誘電体メモリと、
前記コマンド信号を前記第1制御部へ出力し、前記アドレス信号を前記第3バッファへ出力し、電源電圧を検出して当該電源電圧が所定値未満となった場合に前記第1バッファへ電源ダウンを通知するメモリコントローラと、
を備えるメモリシステム。
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