JP2011008846A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダミーセルアレイ201をメモリセルアレイ101内に配置し、中間バッファ300を入出力回路400の間に配置することにより、ビット幅の大きなメモリにおいても面積増大効果を最小限に抑えつつ、入出力回路400の制御信号を高速かつ高周波で動作させることを可能にする。
【選択図】図3
Description
101 メモリセルアレイ
102、202 コンタクト抵抗
200 ダミーセル
201 ダミーセルアレイ
300 中間バッファ
400 入出力回路
500 制御回路
600 ロウデコーダ
701 ゲート
702 拡散領域
703 コンタクト
800 基板コンタクト
900 センスアンプ
Claims (11)
- データを記憶するメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルからのデータを出力する機能、又は前記メモリセルにデータを入力する機能の少なくともいずれか1つの機能を有する第1の回路と、
前記メモリセルからのデータを出力する機能、又は前記メモリセルにデータを入力する機能の少なくともいずれか1つの機能を有する第2の回路とを備え、
前記メモリセルアレイ内には前記データを記憶するメモリセル以外のダミーセルが前記メモリセルのビット線方向と平行に少なくとも1列配置され、
前記第1の回路と前記第2の回路との間であって、前記ダミーセルをビット線方向に延伸した領域に、前記第1の回路又は前記第2の回路への制御信号をバッファリングするバッファ回路が配置されたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルが前記メモリセルアレイの基板コンタクトを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルが前記メモリセルの少なくとも一部と同じ形状を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1又は3に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセル内のゲート及び拡散層が前記メモリセルと同一の形状を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルは第1のビット線を備え、前記第1のビット線は前記メモリセルが有するビット線をプリチャージするプリチャージトランジスタと同一の構造を有するプリチャージトランジスタに接続することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルは第1のビット線を備え、前記第1のビット線を所定の電位に設定することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルは第1のビット線と第2のビット線とを備え、前記第1のビット線を第1の電位に、前記第2のビット線を第2の電位にそれぞれ設定することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4、5、6、7のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルが1つ以上のビット線を有し、前記1つ以上のビット線と接続される1つ以上のトランジスタのうち、前記1つ以上のビット線と接続された前記トランジスタが前記メモリセルを活性化するワード線と接続されていないことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4、5、6、7、8のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルは第1のビット線を備え、前記第1のビット線は前記メモリセルのビット線とは異なる経路を介して外部と接続することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4、5のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルが前記メモリセルの冗長救済セルであることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、3、4、5、8のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセルから読み出したデータにより前記メモリセルからのデータを出力するための増幅回路を起動することを特徴とする半導体記憶装置。
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