JP2010531803A - ゆがみ及び反りの少ないSiC基質の製造 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図4
Description
(a)SiC単結晶の成長の初期部分が、SiC単結晶の成長の後期部分よりも低温であるように、SiC単結晶を温度勾配の存在下で種結晶上にSiC単結晶を成長させる物理的蒸気移動(PVT)工程と、
(b)SiC単結晶の後期の成長部分がSiC単結晶の初期の成長部分よりも低温であるように、前記SiC単結晶を焼きなま工程、とを含む。
T2は、T1より10℃から100℃高くし得る。P2は、P1よりも10%から60%低くし得る。
Claims (20)
- (a)温度勾配の存在下でSiC単結晶を種結晶上に成長させる物理的蒸気輸送(PVT)工程であって、SiC単結晶の初期の成長部分が、SiC単結晶の後期の成長部分よりも低温下であるような工程と、
(b)該SiC単結晶を逆の温度勾配の存在下で焼きなます工程であって、該SiC単結晶の後期の成長部分が、SiC単結晶の初期の成長部分よりも低温下であるような工程と
を備えたことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 - 工程(a)が、1900℃から2450℃の間の温度下、1から200torrの間の圧力下、不活性ガスの存在下で、SiC単結晶を成長させることを含む請求項1記載の方法。
- 前記不活性ガスが、アルゴン、又はヘリウム、またはアルゴン+窒素、又はヘリウム+窒素を備える、請求項2記載の方法。
- 工程(a)が、(1)1900℃から2450℃の間の温度T1および1から200torrの間の圧力P1でSiC単結晶を成長させるPVT工程、および(2)(1)のステップに続き、T1よりも高い温度T2、且つP1よりも低い圧力P2の下でSiC単結晶を成長させるPVT工程を含む請求項1記載の方法。
- T2が、T1よりも10℃から100℃高く、P2が、P1よりも10%から60%低い、請求項4記載の方法。
- 工程(b)が、2100℃から2550℃の間の温度下、300から600torrの間の圧力下、不活性ガスの存在下で、SiC単結晶を焼きなましすることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記不活性ガスが、アルゴン、又はヘリウム、またはアルゴン+窒素、又はヘリウム+窒素を備える、請求項6記載の方法。
- 前記SiC単結晶の初期の成長部分がSiC種結晶上に成長し、前記SiC単結晶の後期の成長部分が、前記SiC単結晶の初期の成長部分とは反対に、SiC単結晶の終端又は側部に配されたものである、請求項1記載の方法。
- 工程(a)の前記温度勾配及び工程(b)の逆の温度勾配が、前記SiC単結晶に対して、実質的に同じ温度差を有する、請求項1記載の方法。
- 前記温度差が、10℃から50℃の間である請求項9記載の方法。
- (a)SiCソース材料がるつぼの底部に備えられ、SiC種結晶がるつぼの頂部に備えられた成長るつぼを提供する工程と;
(b)SiCソース材料を第一に昇華温度にし、SiC種結晶を第二にそれより低い温度にするような温度勾配が形成され、
該温度勾配が、SiCソース材料から蒸気が生成してSiC種結晶上で凝縮してSiC単結晶を形成し、
SiC単結晶の成長の際、該温度勾配が、SiC単結晶の初期の成長部分を、SiC単結晶の後期の成長部分よりも低い温度とするように、前記成長るつぼを加熱する工程と、
(c)工程(b)に続き、SiC単結晶の初期の成長部分が、SiC単結晶の後期の成長部分よりも高い温度下となるように、SiC単結晶がSiC単結晶を焼きなますために好ましい温度を有する逆の温度勾配に晒す工程と
を備えたことを特徴とするSiC単結晶の製造方法 - 前記温度勾配が1900℃と2450℃との間の温度を含み、前記逆の温度勾配が2100℃と2550℃との間の温度を含む、請求項11記載の方法。
- 前記温度勾配が、2000℃と2400℃の間の温度を含み、前記逆の温度勾配が2250℃と2450℃との間の温度を含む、請求項12記載の方法。
- 工程(b)が、1と200torrの間の圧力下、第一の不活性ガスの存在下で、SiC単結晶を前記温度勾配に晒す工程を含み、工程(c)が、300と600torrの間の圧力下、第二の不活性ガスの存在下で、SiC単結晶を前記逆の温度勾配に晒す工程を含む、請求項11記載の方法。
- 前記第一不活性ガスが、アルゴン、又はヘリウム、またはアルゴン+窒素、又はヘリウム+窒素を備える、前記第二不活性ガスが、アルゴン、又はヘリウム、またはアルゴン+窒素、又はヘリウム+窒素を備える、請求項14記載の方法。
- 前記SiC単結晶の初期の成長部分がSiC種結晶上に成長し、前記SiC単結晶の後期の成長部分が、前記SiC単結晶の初期の成長部分とは反対に、SiC単結晶の終端又は側部に配されたものである、請求項11記載の方法。
- 工程(b)の前記温度勾配及び工程(c)の逆の温度勾配が、前記SiC単結晶に対して、実質的に同じ温度差を有する、請求項11記載の方法。
- 前記温度差が、10℃から50℃の間である請求項17記載の方法。
- (a)SiC単結晶が成長する際に、温度勾配によって、SiC単結晶の成長の初期部分がSiC単結晶の成長の後期部分よりも低温となるような、T1の最大温度又は最小温度を有する温度勾配の存在下で第一の時間に種結晶上にSiC単結晶を成長させる物理的蒸気移動(PVT)工程と;
(b)、工程(a)にづづき、前記T1よりも高い温度T2の最大温度又は最小温度を変化させ、そして、温度T2で温度勾配の最大温度又は最小温度で第二の時間に種結晶上にSiC単結晶を成長させるPVT工程とを含む、SiC単結晶の製造方法。 - さらに、(c)SiC単結晶の成長の後期部分がSiC単結晶の成長の初期部分よりも低温であるように、前記SiC単結晶を逆の温度勾配中で焼きなます工程を含む、請求項19記載の方法。
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