CN117431522A - 清洁装置、清洁腔室及其控制方法、半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种清洁装置。所公开的清洁装置包括箱体(10)、冷凝部(20)、加热器(30)和承载座(40)，箱体(10)具有容置空间(13)，冷凝部(20)和承载座(40)均位于容置空间(13)中，且冷凝部(20)位于承载座(40)的上方；承载座(40)用于承载待清洁物(50)；加热器(30)用于加热被放置于承载座(40)上的待清洁物(50)，以使待清洁物(50)的表面的沉积物升华后凝结在冷凝部(20)上。本申请还公开一种清洁腔室、清洁腔室的控制方法及半导体工艺设备。上述方案能解决相关技术通过人工对沉积在待清洁物上的沉积物进行清洁而存在工艺质量较差、工艺成本较高、工艺效率较低的问题。

Description

清洁装置、清洁腔室及其控制方法、半导体工艺设备

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种清洁装置、清洁腔室及其控制方法、半导体工艺设备。

背景技术

在进行气相沉积工艺时，衬底被放置在托盘上。沉积物在衬底上沉积的同时，也会沉积在托盘上。而沉积在托盘上的沉积物是颗粒污染物的主要来源，进而会影响半导体工艺质量。由此可见，去除沉积在托盘上的沉积物，是实现托盘更好地循环利用而不污染衬底的重要手段。

对于表面沉积有SiC颗粒的托盘，由于SiC颗粒具有较高的化学稳定性及热稳定性，不与酸碱反应，因此无法通过烘烤或化学反应方式将其去除。目前通常采用人工刮除的方式对SiC颗粒进行清理。但是此方法存在以下问题：

1、每次人工刮除后，首次工艺时会造成外延层掉落物增多，严重影响外延层质量。因此一般是在托盘连续使用多次工艺后进行刮除，而不是每次工艺后进行刮除。而在此期间，多次工艺过程中，需要根据使用经验，不断调整工艺菜单，以减小托盘附着的SiC颗粒带来的不良影响。

2、人工刮除后与刮除前，外延掺杂环境存在较大变化，且每次刮除后的效果无法达到一致性，需要重新进行工艺调试，才能找到合适的工艺条件。

3、托盘表面的SiC颗粒附着力很强，人工无法刮除干净。刮除几次后，考虑到对托盘的损伤以及刮除后残余量的增加，托盘将无法使用，必须更换新的托盘。

发明内容

本发明公开一种清洁装置及其控制方法、清洁腔室及半导体工艺设备，以解决相关技术通过人工对沉积在待清洁物上的沉积物进行清洁而存在工艺质量较差、工艺成本较高、工艺效率较低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

第一方面，本申请实施例公开一种清洁装置，所公开的清洁装置包括箱体、冷凝部、加热器和承载座，其中：

所述箱体具有容置空间，所述冷凝部和所述承载座均位于所述容置空间中，且所述冷凝部位于所述承载座的上方；

所述承载座用于承载待清洁物；

所述加热器用于加热被放置于所述承载座上的所述待清洁物，以使所述待清洁物的表面的沉积物升华后凝结在所述冷凝部上。

第二方面，本申请实施例公开一种清洁腔室，所公开的清洁腔室包括腔室本体和第一方面所述的清洁装置，所述清洁装置设于所述腔室本体之内。

第三方面，本申请实施例公开一种清洁腔室的控制方法，所述清洁腔室为第二方面所述的清洁腔室，所述控制方法包括：

对所述腔室本体的内部容置空间进行抽真空处理；

控制所述加热器将所述容置空间加热至第一预设温度并保持预设时间。

第四方面，本申请实施例公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括传输腔室、至少一个清洁腔室和至少一个工艺腔室，所述传输腔室分别与所述清洁腔室和所述工艺腔室配合，所述清洁腔室为第三方面所述的清洁腔室。

本申请实施例公开的清洁装置的工作过程如下：待清洁物从工艺腔室之内移出之后，可以被放置在承载座上，进而使得承载座承载待清洁物，进一步使加热器对位于容置空间内的待清洁物进行加热。附着在待清洁物上的固态的沉积物会在加热器的加热下升华成气态的沉积物，气态的沉积物最终会受冷而冷凝在冷凝部上进而又变成固态的沉积物而附着在冷凝部上，最终实现沉积物从待清洁物被转移到冷凝部上，进而实现对待清洁物的清洁。

由上文所述的工作过程可知，本申请实施例公开的清洁装置通过对位于箱体的容置空间内的待清洁物进行加热，使其上固态的沉积物升华成气态而与待清洁物分离，接着再通过冷凝的方式使得气态的沉积物沉积在冷凝部上的方式，能够实现对待清洁物上的沉积物的清洁。在此种情况下，由于待清洁物能够通过固态与气态之间的转换而被清洁，因此可以被重复利用，不存在人工刮伤的情况发生，进而能够避免新的构件(例如托盘)被过多的消耗，进而有利于降低工艺成本。

与此同时，此种清洁方式无需人工干预清洁过程，从而能够较好地确保对待清洁物清洁的一致性，进而有利于后续进行半导体工艺时的工艺一致性，进而有利于确保工艺质量，也无需频繁地调整工艺菜单及进行工艺调试，进而有利于提高工艺效率。

附图说明

图1是本申请实施例公开的清洁腔室的结构示意图；

图2是本申请实施例公开的承载座的俯视图；

图3是本申请实施例公开的承载座的剖视图，其中，图3中虚线示意的是衬底承载面421；

图4是本申请实施例公开的托盘的俯视图；

图5是本申请实施例公开的托盘的剖视图；

图6是本申请实施例公开的第一驱动机构、第一升降部和支撑板的装配结构示意图；

图7是本申请实施例公开的清洁装置的控制方法的流程图；

图8是本申请实施例公开的清洁腔室的控制方法的流程图；

图9是本申请实施例公开的半导体工艺设备的一种结构示意图；

图10是图9在另一视角下的结构示意图，图10中清洁腔室处于剖视状态；

图11是本申请实施例公开的半导体工艺设备的另一种结构示意图。

附图标记说明：

10-箱体、11-箱本体、111-箱口、112-测温口、12-箱盖、13-容置空间、

20-冷凝部、

30-加热器、31-电磁感应发热体、32-电磁感应线圈、

40-承载座、41-座本体、411-托盘承载面、412-环状凹台、42-支撑凸起、421-衬底承载面、

50-待清洁物、51-避让孔、52-翻边、53-定位槽、

61-第一驱动机构、62-第一升降部、63-隔热件、64-支撑板、

70-衬底、

81-第二升降部、82-第二驱动机构、

90-腔室本体、91-进气孔、92-排气孔、93-内部空间、

01-传输腔室、02-清洁腔室、03-工艺腔室、04-加载腔室。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。

请参考图1至图11，本申请实施例公开一种清洁装置。所公开的清洁装置可应用于半导体工艺设备。所公开的清洁装置用于对待清洁物50进行清洁。待清洁物50的表面具有沉积物。所公开的清洁装置用于去除待清洁物50的表面上的沉积物，以达到清洁的目的。待清洁物50可以是用于承载衬底70的托盘，还可以是半导体工艺设备的工艺腔室之内其它容易沉积沉积物的构件，例如衬体。沉积物可以是碳化硅，当然，在半导体工艺设备进行的沉积工艺不同的情况下，沉积物的种类不同。本申请实施例不限制待清洁物50和沉积物的具体种类。

当然，不局限于托盘，其它的位于工艺腔室之内的构件在沉积工艺完成后也由于沉积有沉积物而成为待清洁物，这些待清洁物也由于需要将沉积物去除而存在相同的问题。

本申请实施例公开的清洁装置可以包括箱体10、冷凝部20、加热器30和承载座40。

箱体10为清洁装置的主要外围构件，用于发挥保温功能。在本申请实施例中，箱体10具有容置空间13。冷凝部20和承载座40均位于容置空间13之内，冷凝部20位于承载座40的上方。

一种可选的方案中，箱体10可以包括箱本体11和箱盖12。箱本体11是箱体10的主体部分，箱本体11具有箱口111。箱盖12用于与箱口111配合。箱盖12具有打开状态和关闭状态，箱盖12在打开状态和关闭状态时与箱口111具有不同的配合。在本申请实施例中，承载座40用于承载待清洁物50。承载座40的至少部分可以设于箱本体11之内。

在箱盖12处于打开状态时，箱盖12的至少部分与箱口111分离，进而使得箱口111外露，最终实现箱体10被打开。本申请实施例不限制箱盖12的打开程度，只要箱盖12处于打开状态下，确保箱口111的外露使得待清洁物50能够被放置在承载座40上或从承载座40上移走不受影响即可。

箱盖12用于盖合箱口111。具体地，在箱盖12处于关闭状态时，箱盖12盖合箱口111，且与箱本体11围成容置空间13。此时，箱口111不外露。冷凝部20位于容置空间13内，承载座40位于容置空间13内，待清洁物50也位于容置空间13内。

一种可选的方案中，箱口111可以位于箱本体11的上部，在此种情况下，箱口111与箱体10的底部相对，箱盖12位于箱本体11的上方。举例而言，箱本体11可以包括底壁和四个侧壁，四个侧壁依次首尾衔接形成筒状结构，底壁封堵在筒状结构的底部端口处，筒状结构的顶部端口作为箱口111。顶部端口高于底部端口。

在另一种可选的方案中，箱口111也可以位于箱本体11的侧方。举例而言，箱本体11可以包括顶壁、底壁和四个侧壁，四个侧壁依次首尾衔接形成筒状结构，底壁封堵在筒状结构的底部端口处，顶壁封堵在筒状结构的顶部端口处。四个侧壁中的一者可以开设有箱口111，箱盖12位于侧壁处，且用于盖合侧壁上的箱口111。

当然，本申请实施例公开的箱体10也可以不包括箱盖12，从而使得容置空间13为一个开放式结构。本申请实施例不作限制箱体10的具体结构。

冷凝部20具有降温功能，冷凝部20位于承载座40的上方。当然，在箱体10包括箱本体11和箱盖12的实施例中，至少在箱盖12处于关闭状态时，冷凝部20位于承载座40的上方。

承载座40用于承载待清洁物50。加热器30具有加热功能。加热器30用于加热放置于承载座40上的待清洁物50，以使沉积在待清洁物50的表面的沉积物升华后凝结在冷凝部20上。也就是说，加热器30加热待清洁物50使得附着在待清洁物50的表面上固态的沉积物在容置空间13内升华成气态的沉积物并脱离待清洁物50，接着气态的沉积物凝结在冷凝部20上，进而重新恢复为固态而附着在冷凝部20，最终将待清洁物50上的沉积物转移至冷凝部20上。

需要说明的是，如上文所述，本申请实施例不限制沉积物的具体种类。沉积物的种类不同，加热器30的加热温度也不相同，只要加热器30能通过加热使得沉积在待清洁物50上的固态的沉积物升华即可，也因此，本申请实施例不限制加热器30的具体加热温度。

本申请实施例公开的清洁装置的工作过程如下：待清洁物50从工艺腔室03之内移出之后，可以被放置在承载座40上，进而使得承载座40承载待清洁物50，进一步使得加热器30对位于容置空间13内的待清洁物50进行加热。附着在待清洁物50上的固态的沉积物会在加热器30的加热下升华成气态的沉积物，气态的沉积物最终会受冷而冷凝在冷凝部20上进而又变成固态的沉积物而附着在冷凝部20上，最终实现沉积物从待清洁物50被转移到冷凝部20上，进而实现对待清洁物50的清洁。

由上文所述的工作过程可知，本申请实施例公开的清洁装置通过对位于容置空间13内的待清洁物50进行加热，使其上固态的沉积物升华成气态而与待清洁物50分离，接着再通过冷凝的方式使得气态的沉积物沉积在冷凝部20上的方式，能够实现对待清洁物50上的沉积物的清洁。在此种情况下，由于待清洁物50能够被清洁，因此可以被重复利用，进而能够避免新的构件(例如托盘)被过多的消耗，进而有利于降低工艺成本。

与此同时，此种清洁方式无需人工干预清洁过程，从而能够较好地确保对待清洁物50清洁的一致性，进而有利于后续进行半导体工艺时的工艺一致性，进而确保工艺质量，也无需频繁地调整工艺菜单及进行工艺调试，进而有利于提高工艺效率。

需要说明的是，本申请实施例公开的方案尤为适用于去除沉积物为SiC颗粒或者与SiC颗粒一样具有高的化学稳定性及热稳定性的沉积物，这类沉积物不与酸碱反应，且在沉积物的温度高于阈值温度时升华为气态，在沉积物的温度低于阈值温度时凝结成固态，因此无法通过烘烤或化学反应的方式将其去除。而本申请正是巧妙的利用了该类沉积物在其温度高于阈值温度时升华为气态，在其温度低于阈值温度时凝结成固态的特性，实现了对待清洁物上的该类沉积物的去除。

在本申请实施例中，箱盖12与箱本体11之间的配合方式有多种。在一种可选的方案中，箱盖12与箱本体11之间可以通过合页、柔性件(例如柔性件)等方式实现转动连接，箱盖12通过相对于箱本体11的转动，进而实现在打开状态与关闭状态之间切换。此种结构能够使得箱盖12不易从箱本体11上脱落。当然，在箱盖12处于打开状态时，箱盖12的一部分与箱口111分离，另一部分可以不与箱口111分离。

在其它可选的方案中，箱盖12与箱本体11可拆卸连接，例如，箱盖12与箱本体11可以通过插接的方式实现配合。在箱盖12处于打开状态时，箱盖12与箱本体11分离，箱口111外露，箱盖12的全部部位与箱口111分离。在箱盖12处于关闭状态时，箱盖12与箱本体11插接连接，箱口111被封盖。当然，箱盖12与箱本体11之间还具有其它配合方式，本申请实施例不限制箱盖12与箱本体11之间的具体配合方式。

在本申请实施例中，箱盖12处于关闭状态时与箱本体11围成容置空间13，放置于承载座40上的待清洁物50位于容置空间13之内，进而被加热器30加热。加热器30加热使得固态的沉积物升华后，最终能够冷凝在冷凝部20上。在本申请实施例中，冷凝部20位于容置空间13中。具体地，冷凝部20位于容置空间13内的温度较低的位置处，进而实现气态的沉积物会在温度较低的位置处冷凝而以固态的形式附着在冷凝部20上。当然，可以通过多种方式使得冷凝部20设于容置空间13的温度较低的位置处。例如，可以将冷凝部20设于容置空间13内距加热器30较远的边缘位置处，再例如，可以将冷凝部20与加热器30错位设置，进而使得冷凝部20所处的位置恰好不在加热器30的直接加热的区域内等。当然，本申请实施例不限制冷凝部20的具体设置位置。

需要说明的是，在箱盖12处于关闭状态时，箱盖12与箱本体11围成容置空间13，冷凝部20设于容置空间13内。具体地，冷凝部20可以设于箱盖12的内壁，也可以设于箱本体11的内壁上，本申请实施例不作限制。考虑到箱盖12为活动件，通过相对于箱本体11的活动而实现在打开状态与关闭状态之间切换。冷凝部20可以设于箱盖12上，进而能够随箱盖12活动而更容易运动至露出的位置，最终能够方便操作人员对冷凝部20进行拆装处理。举例而言，在箱盖12转动地设于箱本体11，且冷凝部20设于箱盖12的内壁的情况下，在清洁工艺完成之后，可以驱使箱盖12转动而使得箱盖12的内壁外翻而露出，进而使得冷凝部20露出而方便对其进行拆装。

如上文所述，承载座40的至少部分设于箱本体11之内。在一种可选的方案中，无论箱盖12处于打开状态还是处于关闭状态，承载座40的全部部位均位于箱本体11之内，在此种情况下，可以认为承载座40位于箱本体11的箱口111的下方，并未伸出箱口111之外。此种结构的优势在于，设计者无需担心箱盖12的活动对承载座40产生影响，当然，也无需考虑承载座40对箱盖12的活动产生干涉。

在另一种可选的方案中，在箱盖12处于打开状态下，承载座40的至少部分可穿过箱口111而位于箱本体11之外，也就是说，箱盖12被打开后，承载座40的至少部分可以位于箱本体11之外，在此种情况下，承载座40并未全部位于箱本体11之内，进而方便向其上放置待清洁物50或将待清洁物50从承载座40上移走。

在本申请实施例中，承载座40的结构可以有多种，例如，承载座40可以为平板状结构，也可以为其它非规则结构，本申请实施例不限制承载座40的具体结构。

当然，在待清洁物50为用于承载衬底70的托盘的情况下，在托盘承载衬底70从工艺腔室03内被移出后，需要先通过机械手将衬底70移走，进而单独留下托盘进行后续的清洁工艺。

为了方便衬底70与托盘的分离，在待清洁物50为用于承载衬底70的托盘的情况下，请参考图2至图5，本申请实施例公开一种具体结构的承载座40，所公开的承载座40可以包括座本体41和多个支撑凸起42，托盘开设有多个避让孔51。其中，座本体41是承载座40的主体构件，座本体41具有托盘承载面411。多个支撑凸起42设于托盘承载面411上，多个支撑凸起42的背向托盘承载面411的端面构成衬底承载面421。在承载有衬底70的托盘被放置在承载座40上的情况下，衬底承载面421用于支撑衬底70，多个支撑凸起42穿过托盘的相对应的避让孔51，以使托盘下落而被承载于托盘承载面411上。在具体的放置过程中，机械手可以将承载有衬底70的托盘放置在承载座40上，然后撤走机械手后衬底70被支撑在衬底承载面421上，而托盘则下落到托盘承载面411上，从而自动实现托盘与衬底70的分离，接着衬底70可以被机械手单独转移走，独自留下托盘在承载座40上进行后续的清洁工艺。

需要说明的是，因为对托盘的清洁需要对其加热使其上固态的沉积物升华而与之分离，为了避免沉积在衬底70上的沉积物与衬底70分离，托盘只有先与衬底70分离，然后才能被留在清洁装置的承载座40上以进行后续的清洁工艺。

为了方便机械手的撤出，托盘承载面411的边缘可以设有环状凹台412，环状凹台412围绕托盘承载面411设置，且内凹于托盘承载面411，环状凹台412与托盘承载面411形成台阶面，在机械手将托盘放置于托盘承载面411的过程中，环状凹台412能够避让机械手，同时，在机械手将托盘放置于托盘承载面411上之后，机械手可以继续下落，从而实现与托盘的分离，最终机械手可以从环状凹台412内撤出，进而为机械手后续接着专门去转移衬底70做好准备。

在此实施例中，托盘的边缘具有翻边52，翻边52与托盘的其它部位围成定位槽53，定位槽53用于定位衬底70，从而避免衬底70在托盘上窜动。在此种情况下，避让孔51可以开设于定位槽53的底壁上，并贯穿底壁。当然，本申请实施例涉及的托盘还可以采用其它结构，本申请实施例不限制托盘的具体结构。

在本申请实施例中，托盘可以采用石墨材质，石墨材质具有耐高温的优势。当然，托盘还可以采用其它材质，本申请实施例不作限制。在托盘为石墨材质的情况下，托盘的用于支撑衬底的表面可以设有碳化钽层，碳化钽层能够避免石墨颗粒污染衬底70。

如上文所述，在箱盖12处于打开状态时，承载座40的至少部分可穿过箱口111而位于箱本体11之外。具体地，无论是箱盖12处于打开状态，还是箱盖12处于关闭状态，承载座40的至少部分均可穿过箱口111而位于箱本体11之外。只不过，在此种情况下，箱盖12需要设计容纳结构，而使其处于关闭状态时能够容纳至少部分位于箱本体11之外的承载座40。例如，箱盖12可以为壳状结构，进而能够在关闭状态下罩设在承载座40的外露于箱本体11之外的部分上，同时还能够实现与箱本体11的配合。

当然，在一种可选的方案中，承载座40可以活动地设于箱本体11，在箱盖12处于打开状态时，承载座40可相对于箱本体11活动以在第一位置与第二位置之间切换。其中，在承载座40处于第一位置的情况下，承载座40的至少部分从箱口111伸出箱本体11之外。在承载座40处于第二位置的情况下，承载座40从箱口111回缩至箱本体11之内，以用于避让箱盖12。在此种情况下，承载座40能够实现位置切换，在箱盖12处于打开状态时，可以向承载座40上放置待清洁物50以进行后续的清洁工艺或将已完成清洁的待清洁物50从承载座40上转移走，此时承载座40位于第一位置，进而较有利于上述操作的进行。在箱盖12处于关闭状态下，承载座40处于回缩到箱本体11之内的第二位置，从而使得承载座40不易对箱盖12的活动产生干涉，更有利于箱盖12的活动。与此同时，箱盖12也无需设计较为复杂、且体积较大的容纳结构。箱盖12可以简单设计成板状结构即可，如图1所示。

需要说明的是，承载座40可以通过直接与箱本体11滑动接触的方式实现可活动设计，当然，也可以通过间接地与箱本体11滑动配合的方式实现可活动设计，例如，承载座40与箱本体11之间设置有多排滚珠，承载座40活动的过程中，多排滚珠会在承载座40与箱本体11之间滚动。

在本申请实施例中，承载座40可以连接有手动驱动机构，操作人员可以通过操控手动驱动机构来实现承载座40在第一位置与第二位置之间的切换。例如，手动驱动机构可以为手动驱动丝杠，承载座40可以开设有螺纹孔，手动驱动丝杠的手柄位于箱体10之外，手动驱动丝杠的丝杆可以穿过箱体10而与承载座40的螺纹孔螺纹配合，在此种情况下，操作人员手动驱动手柄转动，进而使得丝杆发生转动进而实现承载座40沿着丝杆在第一位置与第二位置之间切换。当然，操作人员可以通过改变手动驱使手柄转动的方向，来调节承载座40的移动方向。

为了方便对承载座40移动的驱动，在其它的实施例中，本申请实施例公开的清洁装置还可以包括第一升降部62，第一升降部62可以与承载座40相连。第一升降部62用于支撑承载座40并带动承载座40进行升降。在箱盖12处于打开状态时，第一升降部62可使承载座40的至少部分穿过箱口111而位于箱本体11之外。在箱盖12处于关闭状态时，第一升降部62可使承载座40位于容置空间13中。具体地，在箱盖12处于打开状态时，第一升降部62带动承载座40在第一位置与第二位置之间切换。第一升降部62可以是上文所述的丝杆，也可以是单纯的通过移动实现升降的杆件，本申请实施例不作限制。当然，在本申请实施例公开的清洁装置包括第一升降部62的情况下，承载座40若为上文图2至图5所示的具体结构，则第一升降部62能够通过升降顶起的方式更容易实现托盘与衬底70的分离。当然，第一升降部62并不必然作为图2至图5所示的具体结构的承载座40成立的前提。

本申请实施例公开的清洁装置还可以包括第一驱动机构61。第一升降部62的一端用于支撑承载座40，第一升降部62的另一端穿过箱本体11的底部并与第一驱动机构61相连。第一驱动机构61用于驱动第一升降部62进行升降。需要说明的是，第一驱动机构61可以是区别于手动驱动机构的电驱动机构或液压驱动机构。第一驱动机构61能够使得驱动操作更加自动化，进而对承载座40的驱动更加自动化。第一驱动机构61可以是直线电机，也可以是驱动第一升降部62转动的普通电机，当然，本申请实施例不限制第一驱动机构61的具体种类。

在一种可选的方案中，第一驱动机构61可以位于箱体10之外。第一驱动机构61位于箱体10之外，从而能够避免后续容置空间13内温度较高而被损坏。需要说明的是，箱本体11的底部朝向箱口111。在具体的工作过程中，第一驱动机构61驱动第一升降部62升降，第一升降部62的升降可带动承载座40升降，进而实现在第一位置与第二位置之间切换。

第一驱动机构61还可以用于驱动第一升降部62绕第一升降部62的中轴线进行旋转，第一升降部62的中轴线与第一升降部62升降的方向相平行。第一升降部62会带动承载座40转动，进而实现承载座40带动待清洁物50转动。在待清洁物50转动的情况下被加热能使其上的沉积物在升华的过程中较为均衡，这有利于提高清洁工艺的一致性，进而提高清洁效果。需要说明的是，第一升降部62的中轴线为第一升降部62的沿其升降方向延伸的中轴线。

在进一步的技术方案中，本申请实施例公开的清洁装置还可以包括隔热件63，隔热件63设于承载座40与第一升降部62的第二端部之间，第一升降部62的第二端部通过隔热件63与承载座40相连。在此种情况下，被加热器30加热的待清洁物50不会由于承载座40与第一升降部62的直接连接而失温过快，进而能够确保对待清洁物50的加热效果。

隔热件63的材料通常为导热系数较低的高分子材料，其硬度不高，基于此，为了提高支撑效果，本申请实施例公开的清洁装置还可以包括支撑板64，支撑板64固定在第一升降部62的第二端部，隔热件63可以通过粘接、卡接、铆接、螺纹件连接等方式固定在支撑板64上，承载座40可以通过粘接、卡接、铆接、螺纹件连接等方式固定在隔热件63上，在此种情况下，承载有待清洁物50的承载座40实质上能够较好地被支撑在支撑板64上。支撑板64可以是金属板，也可以为硬度较高的高分子材料，本申请实施例不限制支撑板64的具体材质。

在本申请实施例中，加热器30的种类可以有多种，只要能够实现对托盘实施加热即可。本申请实施例不限制加热器30的具体结构及种类。一种可选的方案中，加热器30的至少部分设于箱体10之内，加热器30的位于箱体10之内的部分可以围成导向空间。承载座40与导向空间导向配合，进而能在导向空间的导向作用下在第一位置与第二位置之间切换。在此种情况下，加热器30不但能够发挥加热功能，还能够围成导向空间从而具备引导承载座40精准移动的功能，达到一物两用的效果。

当然，为了约束承载座40的移动来提高其移动精度，在其它的实施例中，箱体10的部分结构(例如箱本体11)可以围成导向空间，承载座40与导向空间导向配合。在此种情况下，箱体10除了用于与箱盖12配合来围成容置空间13之外，还用于围成导向空间，同样能够达到一物两用的效果。需要说明的是，导向空间发挥在承载座40升降的方向导向的功能。具体地，导向空间的延伸方向与第一升降部62的升降方向平行。

如上文所述，加热器30的种类可以有多种，本申请实施例公开一种具体结构的加热器30，所公开的加热器30可以包括电磁感应发热体31和电磁感应线圈32，电磁感应线圈32环绕设置在箱体10之外，电磁感应发热体31设于箱体10之内。在箱盖12处于关闭状态时，电磁感应线圈32通电并产生交变电磁场，电磁感应发热体31在交变电磁场内发热，从而实现对待清洁物50的加热。此种结构的加热器30的一部分位于箱体10之内，能够充分利用箱体10内部的空间进行设置，避免占用过多的额外空间。与此同时，电磁感应发热体31位于箱体10之内，电磁感应发热体31发出的热会较好地汇集在箱体10之内，进而能够集中对待清洁物50进行加热，这有利于实现对待清洁物50的高效加热。

另外，电磁感应线圈32绕设在箱体10之外，能够以箱体10为基础进行布设，这能够使得电磁感应线圈32的安装较为容易。

当然，在加热器30的位于箱本体11之内的部分围成导向空间的情况下，电磁感应发热体31用于围成导向空间。一种可选的方案中，电磁感应发热体31可以为石墨筒，在此种情况下，石墨筒的筒腔则可以认为是导向空间。

本申请实施例中的加热器30可以完全设于箱体10之内，也可以完全位于箱体10之外，当然也可以一部分(如上文所述的电磁感应发热体31)设于箱体10之内，另一部分(如上文所述的电磁感应线圈32)设于箱体10之外，只要不影响对待清洁物50的表面的沉积物的升华加热即可，本申请实施例不限制加热器30的具体设置位置。

在本申请实施例中，箱盖12的至少部分位于箱本体11的上方，冷凝部20设于箱盖12的面向箱本体11的一侧，即设于箱盖12的内壁上。在具体的加热升华过程中，待清洁物50上固态的沉积物受热而升华成气态后，较容易在容置空间13内升起。而将箱盖12的至少部分布设在箱本体11的上方，并将冷凝部20设于箱盖12的内壁，有利于气态的沉积物在升华后上升的过程中碰到冷凝部20，进而有利于在冷凝部20上凝华成固态的沉积物。

本申请实施例公开的清洁装置还可以包括第二升降部81和第二驱动机构82，第二升降部81的一端与第二驱动机构82相连，第二升降部81的另一端与箱盖12相连。第二驱动机构82用于驱动第二升降部81进行升降，以使箱盖12在打开状态和关闭状态之间切换。

在具体的工作过程中，第二驱动机构82与第二升降部81相连，进而驱动第二升降部81的升降，达到间接驱动箱盖12与箱本体11分离或盖合连接的目的，进而实现对箱盖12的状态的调整。当然，第二驱动机构82的种类及结构可以有多种，本申请实施例不限制第二驱动机构82的具体种类。第二驱动机构82也可以是电机。第二升降部81可以是第二升降杆。

如上文所述，箱体10发挥保温功能。在本申请实施例中，箱本体11和箱盖12均可以采用隔热材料制成，例如，箱本体11和箱盖12均采用保温毡材料制成，当然，本申请实施例不限制箱体10的具体种类。

为了获取容置空间13内的温度以便较好地控温，在本申请实施例中，箱体10可以开设有测温口112。可选地，箱本体11或箱盖12上可以开设有测温口112，测温器件可以通过测温口112来检测容置空间13内的温度。测温器件可以是红外测温器件，也可以为其它种类的测温器件，本申请实施例不作限制。可选地，测温口112还可以发挥安装功能，测温器件可以安装于测温口112中。

在本申请实施例中，冷凝部20可以为板状结构件，也可以为其它形状的结构件，冷凝部20可以是耐高温的石墨材质，本申请实施例不限制冷凝部20的形状及材质。

承载座40、电磁感应发热体31、第一升降部62和第二升降部81可以为石墨材质，也可以为其它的耐高温材质，本申请实施例不作限制。腔室本体90可以是不锈钢材质，也可以是其它材质，本申请实施例不作限制，腔室本体90内可以设有循环冷却介质通道，循环冷却介质通道内填充有冷却介质(例如冷却水)，以便调整腔室本体90的内部空间93的温度。

本申请实施例公开的清洁装置还可以包括第一控制器，第一控制器包括至少一个第一处理器和至少一个第一存储器。至少一个第一存储器中存储有计算机程序。至少一个第一处理器执行计算机程序时，执行如下方法：在待清洁物50放置于承载座40上后，控制承载座40与冷凝部20之间的距离为预设值。在此种情况下，冷凝部20与承载座40之间的距离可调，从而有利于冷凝部20处在距离待清洁物50较为合理的距离范围内来冷凝升华后的沉积物。一种可选的方案中，预设值小于或等于200mm。

基于本申请实施例公开的清洁装置，本申请实施例进一步公开一种清洁装置的控制方法。在所涉及的清洁装置中，承载座40可活动地设于箱本体11，在箱盖12处于打开状态时，承载座40的至少部分在第一升降部62带动下能穿过箱口111而移动到箱本体11之外。具体地，承载座40可相对于箱本体11活动以在第一位置与第二位置之间切换，其中，在承载座40处于在第一位置的情况下，承载座40至少部分从箱口111伸出箱本体11之外。在承载座40处于第二位置的情况下，承载座40从箱口111回缩至箱本体11之内，以用于避让箱盖12。基于此结构的清洁装置，请参考图7，所公开的控制方法可以包括：

S101、控制箱盖12打开，以及控制第一升降部62带动承载座40的至少部分穿过箱口111而移动到箱本体11之外。

S102、将待清洁物50放置于承载座40。

S103、控制第一升降部62带动承载座40移动到箱本体11之内，并控制箱盖12关闭。

S104、在箱盖12关闭后，控制加热器30加热。

相应地，当箱体10包括箱本体11和箱盖12时，至少一个第一处理器执行计算机程序时，执行如下方法：

控制所述箱盖12打开，以及控制第一升降部62带动承载座40的至少部分穿过所述箱口111而移动至箱本体11之外，以将待清洁物50放置于承载座40；

在待清洁物50放置于承载座40之后，控制第一升降部62带动承载座40移动至箱本体11之内，并控制箱盖12关闭，以使承载座40与冷凝部20之间的距离为预设值；

在箱盖12关闭后，控制加热器30加热。

基于本申请实施例公开的清洁装置，本申请实施例进一步公开一种清洁腔室。所公开的清洁腔室包括腔室本体90和上文实施例所述的清洁装置。清洁装置设于腔室本体90之内。具体地，腔室本体90具有内部空间93，清洁装置设于内部空间93中。当然，在加热器30包括电磁感应线圈32的情况下，电磁感应线圈32位于内部空间93中，并环绕箱体10分布。

在具体的工艺过程中，内部空间93可以不通入气体。当然，也可以通入气体。在需要通入气体的实施例中，腔室本体90可以开设有进气孔91和排气孔92。进气孔91和排气孔92均与腔室本体90的内部空间93连通。

在一种可选的方案中，进气孔91可以用于向内部空间93中通入惰性气体(例如氩气)，以发挥保护内部空间93的环境为目的。当然，排气孔92用于将通入到内部空间93中的惰性气体排出。在具体的工艺过程中，惰性气体持续通过进气孔91进入到内部空间93中，内部空间93中的惰性气体持续从排气孔92中排出，从而形成一个动态进出气过程。

在对待清洁物50进行清洁工艺的过程中，箱本体11和箱盖12围成的容置空间13可以为密封空间，进而能够避免升华产生的气态的沉积物向箱体10之外逃逸。当然，容置空间13也可以不是密封空间。

基于此，在另一种可选的技术方案中，进气孔91可以用于向内部空间93内通入反应气体，反应气体能进入到内部空间93中，并接着进入容置空间13中从而加速固态的沉积物的分解，以提高其升华效率。排气孔92可以用于将多余的反应气体排出内部空间93。

需要说明的是，上文提及的惰性气体与反应气体不同，惰性气体无法与沉积物发生反应。另外，反应气体的种类取决于沉积物的种类，只要能够与沉积物发生反应而加速沉积物的升华即可，由于本申请实施例不限制沉积物的具体种类，故相应地，本申请实施例也不限制反应气体的具体种类。

举例而言，在沉积物为碳化硅(即SiC颗粒)的情况下，反应气体可以是氢气。在高温下，硅的饱和蒸汽压更高，硅原子会优先从SiC颗粒中脱附。当反应气体为氢气时，氢气与SiC颗粒中余下的C原子反应，进而可以加速碳原子的移除，最终能够促进SiC颗粒的分解，进而能够提高升华效率。当然，在凝结的过程中，C原子和Si原子可以重新结合而形成固态的沉积物。

当然，在其它的实施例中，可以通过进气孔91向内部空间93中通入惰性气体和反应气体的混合物，从而兼顾保护和与沉积物反应的目的，达到较为综合的技术效果。对此，本申请不作限制。

基于上文所述的清洁腔室，本申请实施例进一步公开一种清洁腔室的控制方法，请参考图8，所公开的控制方法可以包括：

S201、对腔室本体90的内部空间93进行抽真空处理。

本步骤对内部空间93进行抽真空处理，从而尽量为后续提供一个较为干净的环境，避免内部空间93内残留的其它气体对后续步骤产生不良影响。

S203、控制加热器30将容置空间13加热至第一预设温度并保持预设时间。

需要说明的是，第一预设温度就是能够使得沉积物从固态变为气态的温度，也是上文所提及的阈值温度。

基于清洁腔室开设有进气孔91和排气孔92的实施例，在本申请实施例公开的清洁腔室的控制方法中，在所述抽真空处理之后以及在加热器30加热之前，所述的清洁腔室的控制方法还可以包括：

S202、通过进气孔91向内部空间93内通入第一预设流量的反应气体，控制内部空间93的压力为第一预设压力。

在本步骤中，反应气体通过进气孔91进入到内部空间93中，并与内部空间93中的容置空间13内的沉积物反应，从而能够加速沉积物的升华。

在其它的实施例中，在加热结束后，本申请实施例公开的清洁腔室的控制方法还可以包括：

S204、通过进气孔91向内部空间93通入第二预设流量的反应气体，并控制内部空间93的压力为第二预设压力直至内部空间93降温至第二预设温度。

在本步骤中，通过进气孔91向内部空间93通入第二预设流量的反应气体，并控制内部空间93的压力为第二预设压力直至内部空间93降温至第二预设温度。第二预设流量的反应气体用于使得清洁腔室与半导体工艺设备的其它腔室(例如传输腔室)中的气体氛围一致，第二预设压力能够使得清洁腔室与半导体工艺设备的其它腔室中的压力一致。

当然，本申请实施例公开的清洁腔室的控制方法可以进一步同时包括S203和S204，本申请实施例不作限制。

另外，在进一步的技术方案中，第二预设流量可以大于第一预设流量。第二预设压力可以大于第一预设压力。在S204中通入更大流量的反应气体则能够较快地实现换热而降温，控制内部空间93的压力达到更高也有利于快速降温。

如上文所述，待清洁物50可以为用于承载衬底70的托盘，在沉积物为碳化硅的情况下，反应气体可以为氢气。进一步可选地，第一预设流量可以为1sccm～1000sccm，第一预设压力可以为1Pa～1000Pa，第一预设温度可以为1750℃～2150℃，预设时间可以为20min～120min，第二预设流量可以为10slm～100slm，第二预设压力可以为10KPa～50KPa。第二预设温度可以是900℃。

基于本申请实施例公开的清洁腔室，本申请实施例进一步公开一种半导体工艺设备。所公开的半导体工艺设备包括传输腔室01、至少一个清洁腔室02和至少一个工艺腔室03。传输腔室01可以分别与清洁腔室02和工艺腔室03配合，以实现待清洁物50在各腔室之间的传输，清洁腔室02为上文所述的清洁腔室02。

如图9和图10所示，在一种可选的方案中，清洁腔室02可以设于工艺腔室03和传输腔室01之间。在半导体工艺设备工作时，以待清洁物50是托盘为例，托盘承载衬底70进入工艺腔室03进行沉积工艺，在沉积工艺完成后托盘承载衬底70从工艺腔室03进入到清洁腔室02中，机械手将衬底70取走并通过传输腔室01最终传输出，仅剩下托盘留在清洁腔室02内进行清洁工艺。

如图11所示，在另一种可选的方案中，传输腔室01可以分别与工艺腔室03和清洁腔室02连接。在半导体工艺设备工作时，仍然以待清洁物50为托盘为例，托盘承载衬底70进入工艺腔室03进行沉积工艺，在沉积工艺完成后托盘承载衬底70从工艺腔室03进入到传输腔室01，接着再从传输腔室01被输送到清洁腔室02中进行托盘的清洁工艺。

请再次参考图9至图11，本申请实施例公开的半导体工艺设备还可以包括加载腔室04，加载腔室04与传输腔室01相连，衬底70在加载腔室04内加载在机械手上之后能够被输送到传输腔室01中。

在进一步的技术方案中，半导体工艺设备可以包括至少两个托盘，至少两个托盘均可在工艺腔室03与清洁腔室02之间切换。其中，在至少两个托盘中的部分处于工艺腔室03中的情况下，至少两个托盘中的另一部分处于清洁腔室02中。在此种情况下，至少两个托盘中的部分能够承载着衬底70进行沉积工艺(例如化学气相沉积、物理气相沉积等)的同时，至少两个托盘中的另一部分则与衬底70分离后在清洁腔室02内进行清洁工艺。此种结构能够更加提高半导体工艺设备的利用率，进而提高设备产能。

基于此，本申请实施例公开的半导体工艺设备还可以包括第二控制器。第二控制器可以包括至少一个第二处理器和至少一个第二存储器，至少一个第二存储器中存储有计算机程序，至少一个第二处理器执行计算机程序时，执行如下方法：

控制传输腔室01内的机械手驱使每个托盘能在工艺腔室03和清洁腔室02之间切换，并使得至少一个托盘位于所述工艺腔室03中，至少一个托盘在所述清洁腔室02中

如上文所述，清洁腔室02可以与工艺腔室03对接，也可以与传输腔室01对接。在具体的设计过程中，清洁腔室02可能对接多个其它种类的腔室，例如对接多个工艺腔室03。在此种情况下，清洁腔室02可以设有多个对接口，每个对接口可以对接一个其它种类的腔室(例如传输腔室01、工艺腔室03)。一种可选的方案中，为了方便布局，多个对接口在清洁腔室02的外周壁上间隔分布。例如，清洁腔室02可以开设有6个对接口，6个对接口可以在清洁腔室02的外周壁上均匀分布。具体地，对接口开设与腔室本体90上，以连通内部空间93与其它种类的腔室。

本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例的不同，各个实施例的不同的技术特征只要不矛盾，均可以组合形成更具体的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (22)

1.一种清洁装置，其特征在于，包括箱体(10)、冷凝部(20)、加热器(30)和承载座(40)，其中：

所述箱体(10)具有容置空间(13)，所述冷凝部(20)和所述承载座(40)均位于所述容置空间(13)中，且所述冷凝部(20)位于所述承载座(40)的上方；

所述承载座(40)用于承载待清洁物(50)；

所述加热器(30)用于加热被放置于所述承载座(40)上的所述待清洁物(50)，以使所述待清洁物(50)的表面的沉积物升华后凝结在所述冷凝部(20)上。

2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括用于支撑所述承载座(40)并带动所述承载座(40)进行升降的第一升降部(62)。

3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述待清洁物(50)为用于承载衬底(70)的托盘；

所述承载座(40)包括座本体(41)和间隔分布的多个支撑凸起(42)；

所述座本体(41)具有托盘承载面(411)，所述多个支撑凸起(42)设于所述托盘承载面(411)，所述多个支撑凸起(42)的背向所述托盘承载面(411)的端面构成衬底承载面(421)；

所述托盘具有与所述多个支撑凸起(42)相对应的多个避让孔(51)。

4.根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述座本体(41)设有围绕所述托盘承载面(411)，且内凹于所述托盘承载面(411)的环状凹台(412)。

5.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括第一驱动机构(61)；

所述第一升降部(62)的一端用于支撑所述承载座(40)，所述第一升降部(62)的另一端穿过所述箱体(10)的底部并与所述第一驱动机构(61)相连；所述第一驱动机构(61)用于驱动所述第一升降部(62)进行升降。

6.根据权利要求5所述的清洁装置，其特征在于，所述第一驱动机构(61)还用于驱动所述第一升降部(62)绕所述第一升降部(62)的中轴线进行旋转。

7.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括隔热件(63)，所述隔热件(63)设于所述承载座(40)与所述第一升降部(62)之间，所述第一升降部(62)通过所述隔热件(63)与所述承载座(40)相连。

8.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述加热器(30)的至少部分设于所述箱体(10)之内，所述加热器(30)的位于所述箱体(10)之内的部分围成导向空间，所述承载座(40)与所述导向空间导向配合；或者，

所述箱体(10)的部分结构围成导向空间，所述承载座(40)与所述导向空间导向配合。

9.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述箱体(10)包括箱本体(11)和箱盖(12)，所述箱本体(11)具有箱口(111)，所述箱盖(12)用于盖合所述箱口(111)；

在所述箱盖(12)处于打开状态时，所述第一升降部(62)可使所述承载座(40)的至少部分可穿过所述箱口(111)而位于所述箱本体(11)之外；

在所述箱盖(12)处于关闭状态时，所述第一升降部(62)可使所述承载座(40)位于所述容置空间(13)中。

10.根据权利要求9所述的清洁装置，其特征在于，所述箱盖(12)的至少部分位于所述箱本体(11)的上方，所述冷凝部(20)设于所述箱盖(12)面向所述箱本体(11)一侧。

11.根据权利要求10所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括第二升降部(81)和第二驱动机构(82)，所述第二升降部(81)的一端与所述第二驱动机构(82)相连，所述第二升降部(81)的另一端与所述箱盖(12)相连，所述第二驱动机构(82)用于驱动所述第二升降部(81)进行升降，以使所述箱盖(12)在所述打开状态和所述关闭状态之间切换。

12.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述加热器(30)包括电磁感应发热体(31)和电磁感应线圈(32)，所述电磁感应线圈(32)环绕设置在所述箱体(10)之外，所述电磁感应发热体(31)环绕设于所述箱体(10)之内。

13.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述箱体(10)还包括测温口(112)，所述清洁装置还包括测温器件，所述测温器件用于通过所述测温口(112)检测所述容置空间(13)内的温度。

14.根据权利要求2-13任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括第一控制器，其中，所述第一控制器包括至少一个第一处理器和至少一个第一存储器，至少一个所述第一存储器中存储有计算机程序，至少一个所述第一处理器执行所述计算机程序时，执行如下方法：

在所述待清洁物(50)放置于所述承载座(40)上后，控制所述承载座(40)与所述冷凝部(20)之间的距离为预设值。

15.根据权利要求14所述的清洁装置，其特征在于，当箱体(10)包括箱本体(11)和箱盖(12)时，至少一个所述第一处理器执行所述计算机程序时，执行如下方法：

控制所述箱盖(12)打开，以及控制所述第一升降部(62)带动所述承载座(40)的至少部分穿过所述箱本体(11)的箱口(111)而移动至所述箱本体(11)之外，以将所述待清洁物(50)放置于所述承载座(40)；

在所述待清洁物(50)放置于所述承载座(40)之后，控制所述第一升降部(62)带动所述承载座(40)移动至所述箱本体(11)之内，并控制所述箱盖(12)关闭，以使所述承载座(40)与所述冷凝部(20)之间的距离为预设值；

在所述箱盖(12)关闭后，控制所述加热器(30)加热。

16.一种清洁腔室，其特征在于，包括腔室本体(90)和权利要求1至15中任一项所述的清洁装置，所述清洁装置设于所述腔室本体(90)之内。

17.根据权利要求16所述的清洁腔室，其特征在于，所述腔室本体(90)开设有进气孔(91)和排气孔(92)，所述进气孔(91)和所述排气孔(92)均与所腔室本体(90)的内部空间(93)连通。

18.一种清洁腔室的控制方法，其特征在于，所述清洁腔室为权利要求16所述的清洁腔室，所述方法包括：

对所述腔室本体(90)的内部空间(93)进行抽真空处理；

控制所述加热器(30)将所述容置空间(13)加热至第一预设温度并保持预设时间。

19.根据权利要求18所述的控制方法，其特征在于，所述腔室本体(90)开设有进气孔(91)和排气孔(92)，所述进气孔(91)和所述排气孔(92)均与所腔室本体(90)的内部空间(93)连通；其中：

在所述抽真空处理之后以及在所述加热器(30)加热之前，所述控制方法还包括：通过所述进气孔(91)向所述内部空间(93)内通入第一预设流量的反应气体，并控制所述内部空间(93)的压力为第一预设压力；和/或，

在加热结束后，所述控制方法还包括：通过所述进气孔(91)向所述内部空间(93)通入第二预设流量的反应气体，并控制所述内部空间(93)的压力为第二预设压力直至所述内部空间(93)降温至第二预设温度。

20.根据权利要求19所述的控制方法，其特征在于，在所述待清洁物(50)为用于承载衬底(70)的托盘，且沉积物为碳化硅的情况下，所述反应气体为氢气，所述第一预设流量为1sccm～1000sccm，所述第一预设压力为1Pa～1000Pa，所述第一预设温度为1750℃～2150℃，所述预设时间为20min～120min，所述第二预设流量为10slm～100slm，所述第二预设压力为10KPa～50KPa，所述第二预设温度为900℃。

21.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括传输腔室(01)、至少一个清洁腔室(02)和至少一个工艺腔室(03)，所述传输腔室(01)分别与所述清洁腔室(02)和所述工艺腔室(03)配合，所述清洁腔室(02)为权利要求16或17所述的清洁腔室。

22.根据权利要求21所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括第二控制器，所述待清洁物(50)为用于承载衬底(70)的托盘，所述托盘的数量为至少两个；

所述第二控制器包括至少一个第二处理器和至少一个第二存储器，至少一个所述第二存储器中存储有计算机程序，至少一个所述第二处理器执行所述计算机程序时，执行如下方法：

控制所述传输腔室(01)内的机械手驱使每个所述托盘能在所述工艺腔室(03)和所述清洁腔室(02)之间切换，并使得至少一个所述托盘位于所述工艺腔室(03)中，至少一个所述托盘在所述清洁腔室(02)中。