TWI390653B - 磊晶製程系統及其製程方法 - Google Patents

Description

磊晶製程系統及其製程方法

本發明係有關於一種晶圓製程系統，特別是提供一種磊晶系統及其製程方法來降低營運費用、增加產能及生產效率。

在積體電路及化合物半導體的製程中，通常運用製程系統以處理半導體晶圓。製程系統包括一反應腔室以完成沈積、磊晶(epitaxy)及蝕刻等作業。

習知的磊晶製程系統包括具有一置放室(loadlock)的一手套箱(glove box)與一反應腔室設置於此手套箱內。當一個製程程序開始時，操作人員須先以人工方式將放滿晶圓的晶舟(wafer boat)經由置放室放入手套箱內。接著，操作人員透過手套箱將晶圓撿起並放到設置於反應腔室內的一不可移動的固定式承載盤(susceptor)上。之後，關上反應腔室之上蓋以開始磊晶製程。磊晶製程的反應溫度在攝氏1000度以上，通常需要6小時左右才能得到想要的磊晶厚度。當磊晶製程結束，晶圓不會被立即移出反應腔室，需耗費大量氮氣循環吹淨反應腔室且等到反應腔室內之溫度降低至攝氏150度後，才開啟上蓋進行人工取放晶圓之作業。

然而，上述步驟耗費太多時間、能源與氮氣。本發明提供一佔地最小、可移動承載盤、與反應腔室分離的冷卻設備及自動化操作的磊晶製造系統和製程方法來改善上述缺點。

為了解決上述問題，本發明目的之一係提供一種晶圓製程系統及其製程方法，其係包括一反應腔室、可傳送載有晶圓之承載盤之一傳輸裝置、可提供快速降溫功能的一冷卻裝置以及當做置放室功能之一體積最小化的多層匣機構。

體積最小化的多層匣機構內可容置複數個可移動的承載盤，其中每一個承載盤具有至少可置放一晶圓於其上。傳輸裝置係用以在反應腔室、冷卻裝置與多層匣機構之間傳送載有晶圓之承載盤。與反應腔室分離的冷卻裝置是設計來將處理過的晶圓自預設的高溫快速降至可進行次一製程的溫度。因為此一冷卻裝置，可節省晶圓在反應腔室的冷卻時間、縮短晶圓移出系統時間、節省反應腔室為下一批次反應之升溫時間，從而縮短了每一批次的操作時間，增加了生產效率。

本發明一實施例之磊晶製程系統，將反應腔室與冷卻裝置移置手套箱外，僅經由腔室門閥與手套箱相連，以加強維修之便利性及減少使用氮氣的空間。

本發明又一實施例增加磊晶製程生產力之系統，此磊晶製程系統包括一多層匣機構，一傳輸裝置，複數個反應腔室以串聯形式或叢聚形式環繞設置於傳輸裝置左右，以及一快速冷卻裝置。此系統設計以下列優點來增加磊晶生產力：最小佔地面積，自動操作，將手套箱最小化來降低氮氣用量，快速降溫以節省操作時間，反應腔室與冷卻裝置移置手套箱外以方便維護。

本發明再一實施例係提供半自動之磊晶製程方法。本發明之磊晶製程方法除需操作員以人工方式將晶圓自晶舟置放入多層匣機構中之承載盤上外，其餘磊晶製程均可經由中央電腦自行操作與監控。

以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

本發明主要提供一種磊晶製程系統及其製程方法，其係包括一反應腔室、可傳送載有晶圓之承載盤之一傳輸裝置、可提供快速降溫功能的一冷卻裝置以及當做置放室功能之一體積最小化多層匣機構。所述之實施例僅為說明及敘述之目的，非用以限定本發明之範圍。

本發明第一實施例為可移動承載盤。參考第1A圖，承載盤120之上可以置放至少一片晶圓W，不同於習知技術的承載盤固定於反應腔室中不能移動，本發明之承載盤120可以在多層匣機構110(晶圓置放處)、反應腔室140(磊晶反應進行處)以及冷卻裝置150之間依磊晶製程需要移動。於本發明中當論及移動承載盤120時，係指移動承載盤120與其上置放之至少一片晶圓W。

參考第1A圖，第1A圖所示為根據本發明磊晶製程系統一實施例之示意圖。如圖所示，本發明一實施例之磊晶製程系統100包括一多層匣機構110，其具有最小化之體積，多層匣機構110係用以容置複數個承載盤120，其中每一個承載盤120具有至少一晶圓W設置於其上。一傳輸裝置130係包括一線性導軌系統與/或設置於線性導軌系統上之一機器手臂以傳送承載盤120及晶圓W，每次係傳送一片承載盤120。一反應腔室140以進行磊晶製程，一冷卻裝置150以快速冷卻承載盤120及晶圓W。

本發明之基本實施例為：操作人員可在大氣環境中將晶舟上的晶圓拾取放至工作區域中的承載盤120上後，承載盤120及晶圓W以傳輸裝置130自多層匣機構110中取出並傳送至一反應腔室140內，晶圓W可在反應腔室140內之一轉子(rotor)(圖中未示)上進行磊晶反應。反應腔室140具有一腔室門閥142，且腔室門閥142在傳輸裝置130將承載盤120傳送入或是移出反應腔室140時開啟。在磊晶反應完成後，晶圓W會留在反應腔室140內以氮氣循環吹淨降溫。當反應腔室溫度降至某設定溫度(例如攝氏500度)或磊晶鍍層不會被溫差效應(thermal shock)損害時，傳輸裝置130將承載盤120移出反應腔室140，傳送至一冷卻裝置150進一步的快速冷卻。當晶圓W溫度降至另一設定溫度(例如攝氏150度)後，傳輸裝置130將承載盤120送回多層匣機構110。其中當反應完成之承載盤移出反應腔室至冷卻裝置之後，中央電腦(未顯示)即指揮傳輸裝置130自多層匣機構110內傳送另一載有未反應晶圓之承載盤120至仍處於高溫之反應腔室140內，開始進行下一批次之升溫步驟。因為反應腔室140仍處於高溫狀態(攝氏500度左右)，使得下一批次之製程反應時間可以縮減，總體產能因反應時間及冷卻時間的減少而得以提高。

繼續上述說明，於一實施例中，傳輸裝置130、冷卻裝置150與反應腔室140係設置於一稱為手套箱之密閉空間內，手套箱內係以一惰性氣體，通常為氮氣，不斷循環吹淨(cycle purge)以維持手套箱內的氧氣濃度於PPM等級。於此系統中多層匣機構110為具有傳統置放室功能的一密閉空間，且具有兩匣門閥；其中一匣門閥，如匣門閥112，係面向一外部大氣環境；另一匣門閥，例如匣門閥114，係面向密閉的手套箱，且多層匣機構110內亦全時間以氮氣循環吹淨。多層匣機構110具有至少一個承載盤儲放層，每一儲放層可儲放一片承載盤。多層匣機構110能具有雙向取盤裝置，並具備固定或旋轉之功能。不同於傳統磊晶製程需要操作人員透過手套箱傳送晶圓控制製程，本發明除需操作人員在大氣環境中將晶舟上的晶圓拾取放至工作區域中的承載盤120上外，其餘步驟例如以氮氣吹掃多層匣機構110，由傳輸裝置130傳送承載盤120至反應腔室140內進行磊晶製程反應，將承載盤120傳送至冷卻裝置150進行快速冷卻，以及將承載盤120送回多層匣機構110等程序，均可自動化操作並由中央電腦系統(未顯示)所監控。

本發明中反應腔室之氣體分佈裝置係採用趙澎生等人揭露於“氣體分佈裝置及其應用”美國專利申請號12/035689申請日2/22/2008的方法。於其實施例中，反應腔室具有可獨立且均勻分佈之至少二種氣體的氣體分佈裝置，以及一設置於反應腔室內的流體冷卻路徑。於上述專利文獻中趙澎生等人同時揭露利用由高熱導性、低熱質量和高密度材質所組成的薄板承載盤，使製程設備中溫度可快速上升下降與方便自動化作業。

請參考第1B圖，本發明於又一實施例中，可將反應腔室140設置於密閉空間(手套箱)之外。如圖所示，傳輸裝置130、冷卻裝置150以及腔室門閥142係設置於密閉空間之內。與第1A圖比較，需要以氮氣循環吹淨的空間顯著變小。當反應腔室140需要維護時，操作人員可以在大氣環境下進行反應腔室140的維修與確認。

第2圖顯示承載盤120坐於冷卻裝置150上之縱截面結構。此設計為方便傳輸裝置130傳送、放置及提取承載盤120，如圖所示，承載盤120具有ㄇ字外型含有一平板部122，可讓至少一晶圓W設置於此平板部122上；一環狀凸緣124，其係自平板部122之周緣延伸出用以與傳輸裝置130之可分離的接觸面；一環繞支撐牆126，設置於平板部122之下，環繞支撐牆126之內側面127係向外傾斜成一斜面，這斜面使得平板部122與環繞支撐牆126之內側面127產生一鈍角，從而得以安置承載盤120於冷卻裝置150上。此外，冷卻裝置150上緣與反應腔室140內之轉子亦具有可與承載盤120之環繞支撐牆126之內側127相配合之斜面，使得承載盤120可以容易被置入與取出。其他持住承載盤的實施例如，如果操作空間容許，傳輸裝置130可以利用承載盤120之環狀凸緣124，夾住承載盤120之平板部122的側邊然後向上提取。

冷卻裝置150可運用下列方法之一或數種之組合來進行快速冷卻，降低承載盤與晶圓的溫度。方法包括上方氣體噴灑對流冷卻法(upper gas sparging cooling method)、下方流體對流冷卻法(lower fluid pipe conduction cooling method)或超導介質接觸冷卻法(superconductor medium contact cooling method)。因為承載盤係由高熱導性、低熱質量和高密度材質的薄板所製成，所以其冷卻速率可以經由冷卻裝置150調節它的上方氣體噴灑量、下方冷卻劑流速、或是超導介質效率來控制。與傳統的氮氣循環吹淨降溫法比較，本實施例可大量減少降溫過程中氮氣之消耗。於再一實施例中，冷卻裝置150內亦可含有一轉子(rotor)152，藉由轉子152的帶動可讓承載盤與晶圓冷卻速度更快。

請參考第3A圖，於又一實施例中，揭露一改良的磊晶製程系統。本磊晶製程系統200可設置複數個反應腔室240，其中多層匣機構210、承載盤220、傳輸裝置230與冷卻裝置250之結構與功能均與前述實施例相同。系統結構敘述如下，一座大型的手套箱中含有下列物件：複數個反應腔室240環繞設置於傳輸裝置230兩側，每一反應腔室240具有一腔室門閥242；一傳輸裝置230用以傳送承載盤220及晶圓W自多層匣機構210至反應腔室240及冷卻裝置250；以及，一冷卻裝置250用以依序冷卻承載盤220與其上之已反應的晶圓W。還有一多層匣機構210透過匣門閥214與大型的手套箱連接。本系統設計是利用達成所需磊晶厚度須反應6小時的事實，從而以中央電腦(未顯示)調配各承載盤220與晶圓W送入與移出各反應腔室240的時間，送至冷卻裝置250快速冷卻的時間以及製程完畢送回多層匣機構210的時間。第3B圖是另一線形(in-line type)排列的實施例，但為了節省氮氣用量及方便維護的理由，將反應腔室240與冷卻裝置250移置大型的手套箱外，僅以匣門閥242與大型的手套箱連接。於又一實施例中，如第4圖所示，磊晶製程系統300之反應腔室亦可呈叢聚形式(cluster type)排列，所有的反應腔室340、冷卻裝置350與多層匣機構310均置放於大型的手套箱之外。請看第4圖，各反應腔室340以腔室門閥342與手套箱連絡；冷卻裝置350以門閥352與手套箱連絡；多層匣機構310以匣門閥314與手套箱連絡。此叢聚形式系統300全時間使用氮氣循環吹淨，因為此系統的佔地面積是最小的，所以本設計的氮氣使用量也是最少的。

於又一實施例中，本發明一實施例之改良的磊晶製程方法係包括下列步驟。參看第4圖，首先，操作員以人工方式經由門閥316將至少一片未經製程的晶圓W置於複數個可移動承載盤320之上，再將承載盤320設置於一多層匣機構310內，其中每層含有至少一承載盤。其次，關閉門閥316並且以氮氣循環吹淨多層匣機構310將氧氣濃度降至PPM等級。第三步，以一傳輸裝置330將承載盤320自多層匣機構310經門閥314移出，經腔室門閥342傳入反應腔室340內。第四步，當腔室門閥342關閉後，反應腔室340開始將溫度升至某預設溫度(高於攝氏1000度)，在此預設溫度，製程氣體被導入反應腔室340內進行磊晶反應直到達成需求之厚度，處理時間約6小時，然後反應腔室340開始以氮氣循環吹淨方式降溫。第五步，在反應腔室溫度降至一預設溫度(例如攝氏500度)，或取出後之溫度差異不會損傷磊晶鍍層後，利用傳輸裝置330將承載盤320自反應腔室340內取出並傳送至冷卻裝置350。第六步，以冷卻裝置350快速冷卻承載盤320與已反應的晶圓至一預設溫度(例如攝氏150度)。第七步，由傳輸裝置330將冷卻後的承載盤320與已反應晶圓傳送回多層匣機構310內。第八步，以傳輸裝置330自多層匣機構內取出另一未反應之承載盤與晶圓並傳送此承載盤與晶圓至仍處於高溫的反應腔室並開始下一批次的升溫製程。因為每一反應腔室處理磊晶鍍層的時間約6小時，中央電腦(未顯示)可以依預設時距，指揮傳輸裝置330自多層匣機構310內傳送載有未反應晶圓之承載盤320至空置之反應腔室340內，以增加生產效率。第九步，在所有晶圓都處理完畢並傳送回多層匣機構310後，再由作業人員以手動方式取出，送至下一站繼續半導體製程。本改良的磊晶製程方法除需操作員以人工方式將晶圓置放於承載盤及取出外，其餘磊晶製程係全程自動，並可經由中央電腦自行操作與監控。

接續上述，於一實施例中，冷卻裝置用以冷卻承載盤與已反應之晶圓的快速冷卻方法可以為下列方法之一或數種之組合；包括上方氣體噴灑對流冷卻法、下方流體對流冷卻法或超導介質接觸冷卻法。本實施例可大量減少降溫過程中氮氣之消耗。此外，冷卻裝置350內亦可含有轉子(rotor)裝置，藉由轉子的帶動可讓置於冷卻裝置上之承載盤與晶圓冷卻速度更快。

叢聚式磊晶製程系統300之反應腔室數量與冷卻裝置之數量可以依照製程參數來調整增減，考慮的參數包括磊晶反應時間、晶圓自反應腔室取出之溫度、晶圓自冷卻裝置移開之溫度、以及叢聚式系統之產能。此外，每一個反應腔室之功能可以不一樣。當反應腔室增加至一定數量時，可再增加另一組冷卻裝置以提升製程效率。

綜合上述，本發明之磊晶製程系統及其製程方法，其係包括至少一個反應腔室、可傳送承載盤與晶圓之一傳輸裝置、可提供快速降溫功能的一冷卻裝置以及具有置放室功能之一體積最小化的多層匣機構。此外，本發明可具有多於一個反應腔室共同使用一個冷卻裝置以同時提升機器製程效率的功用。冷卻裝置可以依序且各別冷卻來自於每一個反應腔室且反應後仍處於高溫的承載盤與已反應晶圓，使得系統產能得以提高。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

100,200,300．．．磊晶製程系統

110,210,310．．．多層匣機構

112,114,214,216,314,316．．．匣門閥

120,220,320．．．承載盤

122．．．平板部

124．．．環狀凸緣

126．．．環繞支撐牆

127．．．內側面

130,230,330．．．傳輸裝置

140,240,340．．．反應腔室

142,242,342．．．腔室門閥

150,250,350．．．冷卻裝置

152．．．轉子

W．．．晶圓

第1A圖所示為根據本發明磊晶製程系統及其製程方法之一實施例之示意圖。

第1B圖所示為根據本發明磊晶製程系統及其製程方法之一實施例之示意圖。

第2圖所示為根據本發明一實施例之承載盤設置於冷卻裝置上之示意圖。

第3A圖所示為根據本發明磊晶製程系統及其製程方法之一實施例之示意圖。

第3B圖所示為根據本發明磊晶製程系統及其製程方法之一實施例之示意圖。

第4圖所示為根據本發明磊晶製程系統及其製程方法之又一實施例之示意圖。

100．．．磊晶製程系統

110．．．多層匣機構

112．．．匣門閥

114．．．匣門閥

120．．．承載盤

130．．．傳輸裝置

140．．．反應腔室

142．．．腔室門閥

150．．．冷卻裝置

W．．．晶圓

Claims (22)

1. 一種磊晶製程系統，包含：一多層匣機構用以容置複數個承載盤，其中每一個該承載盤具有至少一晶圓設置於其上；一傳輸裝置用以傳送該些承載盤與該些晶圓；一反應腔室具有一腔室門閥，其中當該腔室門閥開啟時，該傳輸裝置自該多層匣機構中取出該承載盤與該些晶圓並將該承載盤與該些晶圓傳送至該反應腔室內，且當該腔室門閥關閉時，該晶圓於該反應腔室中開始進行反應；以及一冷卻裝置用以冷卻該承載盤與設置於該承載盤上之已反應的該些晶圓，該承載盤與已反應的該些晶圓係由該傳輸裝置自該反應腔室內於一高溫下取出，且該承載盤與已反應的該些晶圓係被降溫至一低溫；該承載盤與已反應的該些晶圓被傳送至該冷卻裝置之後，該傳輸裝置係自該多層匣機構內取出另一該承載盤與該些晶圓並將該承載盤與該些晶圓傳送到該反應腔室內，其中該多層匣機構含有兩匣門閥；一該匣門閥係朝向一手套箱；另一該匣門閥係朝向一外部大氣環境；以及該多層匣機構內係通入氮氣循環吹淨。
2. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置、該冷卻裝置與該反應腔室係設置於密閉的該手套箱內且該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。
3. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置設置於密閉的該手套箱內；該反應腔室設置於密閉的該手套箱外且以該腔室門閥與該手套箱連接；該冷卻裝置設置於密閉的該手套箱內或該手套箱外，若該冷卻裝置設置於該手套箱外則其以一門閥與該手套箱連接；以及該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。
4. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置係包含一線性導軌系統與設置於該線性導軌系統上之一機器手臂。
5. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該承載盤具有一ㄇ字外型，該承載盤包含：一平板部，具有至少一該晶圓設置於其上；一環狀凸緣，其係自該平板部之周緣延伸出用以與該傳輸裝置可分離的接觸；及一環繞支撐牆，設置於該平板部之下，其中該環繞支撐牆之內側係向外傾斜形成一斜面，該斜面使得該平板部與該環繞支撐牆之內側形成一鈍角，得以設置該承載盤於該冷卻裝置上。
6. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該冷卻裝置包含使用上方氣體噴灑對流冷卻法、下方流體對流冷卻法或超導介質接觸冷卻法其中之一或數種之組合，以快速冷卻該承載盤與其上之該些晶圓。
7. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該高溫係超過攝氏500度，且該低溫係低於攝氏150度。
8. 如請求項第1項所述之磊晶製程系統，其中該反應腔室接收另一該承載盤與該些晶圓時，該反應腔室仍然處於實質一高溫下。
9. 一種磊晶製程系統，包含：一多層匣機構用以容置複數個承載盤，其中每一個該承載盤具有至少一晶圓設置於其上；一傳輸裝置用以傳送該些承載盤與該些晶圓；複數個反應腔室環繞設置於該傳輸裝置，且每一該些反應腔室具有一腔室門閥，其中該些承載盤係各別由該傳輸裝置自該多層匣機構取出後傳送至該些反應腔室內；且對於每一該些反應腔室而言，當該腔室門閥開啟，該承載盤與該些晶圓係被該傳輸裝置傳送至該反應腔室內，且當該腔室門閥關閉，該反應腔室對該晶圓開始進行反應；以及 一冷卻裝置用以依序冷卻該承載盤與設置於該承載盤上之已反應的該些晶圓，該承載盤與該些晶圓係由該傳輸裝置各別自該些反應腔室內於一高溫下取出，且該承載盤與已反應的該些晶圓係各別被降溫至一低溫；其中冷卻完成之該承載盤與已反應的該些晶圓被該傳輸裝置移出並傳送至該多層匣機構內，當一該承載盤與已反應的該些晶圓被移出該反應腔室後另一該承載盤與該些晶圓由該傳輸裝置自該多層匣機構內取出並移送至任一空的該些反應腔室內，其中該多層匣機構含有兩匣門閥；一該匣門閥係朝向一手套箱；另一該匣門閥係朝向一外部大氣環境；以及該多層匣機構內係通入氮氣循環吹淨。
10. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該些反應腔室係設置為一線形形式(in-line type)或是一叢聚形式(cluster type)。
11. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置、該冷卻裝置與該反應腔室係設置於密閉的該手套箱內且該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。
12. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置設置於密閉的該手套箱內；該反應腔室設置於密閉的該手套箱外且以該腔室門閥與該手套箱連接；該冷卻裝置設置於密閉的該手套箱內或該手套箱外，若該冷卻裝置設置於該手套箱外則其以一門閥與該手套箱連接；以及該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。
13. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該傳輸裝置係包含一線性導軌系統與設置於該線性導軌系統上之一機器手臂。
14. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該承載盤具有一ㄇ字外型，該承載盤包含：一平板部，具有至少一該晶圓設置於其上； 一環狀凸緣，其係自該平板部之周緣延伸出用以與該傳輸裝置可分離的接觸；及一環繞支撐牆，設置於該平板部之下，其中該環繞支撐牆之內側係向外傾斜形成一斜面，該斜面使得該平板部與該環繞支撐牆之內側形成一鈍角，得以設置該承載盤於該冷卻裝置上。
15. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該冷卻裝置包含使用上方氣體噴灑對流冷卻法、下方流體對流冷卻法或超導介質接觸冷卻法其中之一或數種之組合，以快速冷卻該承載盤與其上之該些晶圓。
16. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該高溫係超過攝氏500度，且該低溫係低於攝氏150度。
17. 如請求項第9項所述之磊晶製程系統，其中該反應腔室接收另一該承載盤與該些晶圓時，該反應腔室仍然處於實質一高溫下。
18. 一種磊晶製程方法，包含：提供複數個承載盤，該些承載盤設置於一多層匣機構內，且每一該些承載盤含有至少一晶圓設置於其上，其中該多層匣機構含有兩匣門閥；一該匣門閥係朝向一手套箱；另一該匣門閥係朝向一外部大氣環境；以及該多層匣機構內係通入氮氣循環吹淨；以一傳輸裝置將該承載盤與該些晶圓自該多層匣機構的一該匣門閥傳送至具有一腔室門閥之一反應腔室，當該腔室門閥開啟時，該承載盤與該些晶圓係被該傳輸裝置傳送至該反應腔室內，且當該腔室門閥關閉時，該晶圓於該反應腔室中開始進行反應；利用該傳輸裝置自於一高溫下的該反應腔室內取出該承載盤及已反應的該晶圓並傳送至一冷卻裝置；利用該冷卻裝置冷卻該承載盤與設置於該承載盤上之已反應的該晶圓至一低溫；以及 在以該傳輸裝置傳送該承載盤與已反應之該晶圓至該冷卻裝置之後，該傳輸裝置自該多層匣機構內取出另一該承載盤與該些晶圓並傳送該承載盤與該些晶圓至該反應腔室以進行下一製程。
19. 如請求項第18項所述之磊晶製程方法，其中該冷卻裝置用以冷卻已反應之該晶圓之方法包含使用上方氣體噴灑對流冷卻法、下方流體對流冷卻法或超導介質接觸冷卻法其中之一或數種之組合，以快速冷卻該承載盤與其上之該些晶圓。
20. 如請求項第18項所述之磊晶製程方法，其中該高溫係超過攝氏500度，且該低溫係低於攝氏150度。
21. 如請求項第18項所述之磊晶製程方法，其中該傳輸裝置、該冷卻裝置與該反應腔室係設置於密閉的該手套箱內且該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。
22. 如請求項第18項所述之磊晶製程方法，其中該傳輸裝置設置於密閉的該手套箱內；該反應腔室設置於密閉的該手套箱外且以該腔室門閥與該手套箱連接；該冷卻裝置設置於密閉的該手套箱內或該手套箱外，若該冷卻裝置設置於該手套箱外則其以一門閥與該手套箱連接；以及該手套箱內係通入氮氣循環吹淨。