TW202117073A - 用於cvd反應器系統的裝載模組 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種用於處理一或多個基板(19)的裝置，該裝置具有一或多個製程模組(3、3'、3'')，其各具一用於容置基板座(10)的製程室(20)；包含用於抓持基板座(10)之抓持元件(9)的傳送模組(2)；包含多個可冷卻的儲位(5)之儲存模組(21)；裝載與卸載閘(4)，基板座(10)可穿過裝載與卸載閘自外部被送入傳送模組(2)之搬運容積(22)；裝載模組(1)，可在裝載模組中為基板座(10)裝載及卸載一或多個基板(19)。為實現裝置之模組的節省空間的配置，本發明提出：裝載模組(1)、裝載與卸載閘(4)及儲存模組(21)在豎向上疊置。

Description

用於CVD反應器系統的裝載模組
本發明係有關於一種例如用於處理一或多個基板或者其他物體的裝置，該裝置具有一或多個各具一用於容置基板座之製程室的製程模組；包含用於抓持物體例如基板座之抓持元件的傳送模組；包含多個可冷卻或可加熱的儲位特別是基板座儲位之儲存模組；裝載與卸載閘，該等物體中的一個，例如基板座可穿過該裝載與卸載閘自外部被送入該傳送模組之搬運容積；以及裝載模組，可在該裝載模組中準備物體，例如為基板座裝載及卸載該一或多個基板。
此外，本發明亦有關於一種配置，其由以下部分組成：具有多個可冷卻的儲位之儲存模組；裝載與卸載閘，物體，例如基板座可穿過該裝載與卸載閘自外部被送入傳送模組之搬運容積；以及裝載模組，可在該裝載模組中準備該物體，例如為基板座裝載及卸載該一或多個基板。
本發明還有關於一種用處理製程來對此種裝置的CVD反應器的製程室進行裝載及卸載之方法。
EP 1124 252 A1描述過一種用於處理基板之裝置，具有多個製程室、裝載與卸載閘及儲存模組。可用佈置在傳送模組中之抓持元件在此等製程室、裝載與卸載閘與此儲存模組間運輸基板。多個儲存模組及此裝載與卸載閘在豎向上疊置。
US 6192601 B1描述過一種具有多個CVD反應器之裝置，此等CVD反應器環繞搬運容積佈置，且各具指向此等搬運容積之開口。在搬運容積中佈置有抓持元件，其可用來將基板送入CVD反應器之製程室。設有暫存器，可將經塗佈的基板暫存在此等暫存器中。
DE 102013101777 A1描述過一種用於為CVD設備進行裝載及卸載之裝置。可用抓持元件將載有基板之基板座輸入CVD反應器之製程室以及從CVD反應器之製程室輸出。
WO 2011/138315 A1描述過一種用於儲存基板座之庫，其可藉由抓持元件被送入CVD反應器之製程室，其中此庫具有多個疊置的基板座儲位。
CN 102212877 B描述過一種用於搬運基板座之裝置，以將基板座自基板座儲存空間移入CVD反應器之製程室。
CN 207418863 U描述過一種用於保存具有疊置的腔室之基板座的配置，其中設有冷卻元件來冷卻此等腔室及佈置在其中的基板座。
本發明之目的在於，在所需空間方面改良同類型的裝置，且特別是在此種裝置中簡化基板座之搬運。
該目的透過申請專利範圍所給出之發明而達成，其中，附屬項不僅為並列請求項所主張之發明的有益改良方案，亦為該目的之獨創解決方案。
首先且實質上提出：該裝載室在豎向上佈置在該裝載與卸載閘及該儲存模組上方。其與該裝載與卸載閘及儲存模組一起，構成可與傳送模組隔開的統一的整體。本發明還提出：該裝載模組、該裝載與卸載閘及該儲存模組在豎向上疊置。由於該設計方案，該等三個組件，即裝載模組、裝載與卸載閘及儲存模組佔據同一安裝面積。該等模組所佔據的安裝面積相當於三個模組的最大基面面積。在一較佳技術方案中，該裝載模組佈置在最上方。其可建構為手套箱。裝載模組具有支撐元件，可將物體放置在該等支撐元件上。該物體特別是為基板座。基板座特別是由圓盤形的石墨板形成，該石墨板在其頂側可具有用於一或多個基板之儲位。該一或多個基板可具有圓盤形形狀。儲位可為基板座之表面的凹槽。基板座之底側可被結構化處理以改進熱輸運。但基板座亦可具有不同於圓形的基本輪廓，例如為多邊形。基板座亦可具有扇形的形狀，使得多個基板座互補成一圓形。在採用此種基板座設計時，可同時在一製程室中應用多個基板座。緊接在裝載模組下方可佈置有裝載與卸載閘。但緊接在裝載模組下方亦可佈置有儲存模組。但儲存模組亦可佈置在裝載與卸載閘下方。此外，儲存模組可具有多個基板座儲位。但裝載與卸載閘亦可佈置在兩個基板座儲位之間。裝載與卸載閘具有指向裝置外部的開口，該開口可由閘門封閉。可將基板座自外部穿過該開口送入較佳具有超純氣體氛圍之系統。為此，裝載與卸載閘之容積可用超純氣體沖洗，視情況亦可被抽真空。該超純氣體視情況可被加熱，使其具有高於室溫之溫度。裝載與卸載閘具有朝向搬運容積且同樣可由閘門封閉之開口。裝載與卸載閘可透過以下方式執行其閘門功能，即，不將該二閘門同時打開。一或多個基板座儲位各具一朝搬運容積敞開的腔室。該開口毋須由閘門封閉，但可用氣幕封閉。但亦可藉由閘門將該開口封閉。儲存模組具有調溫裝置，例如冷卻裝置，包含供經冷卻的冷卻劑穿過之冷卻劑通道或冷卻劑管道。調溫裝置係佈置成使其可用來為佈置在基板座儲位上之基板座降溫。但亦可用建構為熱源之調溫裝置為基板座輸送熱量。儲存模組特別是具有多個基板座儲位，其中每個基板座儲位皆具一冷卻元件，其可用來為佈置在基板座儲位之腔室中的基板降溫。具有搬運容積之傳送模組較佳佈置在該裝置之中心點上。傳送模組之基本輪廓可為多邊形之基本輪廓。傳送模組之基本輪廓的一或多個多邊形鄰接有一或多個製程模組。製程模組各由一CVD反應器形成。但製程模組亦可為儲存器模組或清潔模組或乾燥模組，可在該製程模組中清潔或乾燥物體，例如基板座或製程室之頂板。傳送模組之基本輪廓的另一多邊形鄰接有由儲存模組、裝載與卸載閘及裝載模組構成的配置。該配置形成一出於維護需要而與傳送模組隔開的空間單元。在傳送模組之搬運容積內部佈置有抓持元件。抓持元件為適於抓持基板座之抓持頭、一或多個可相對彼此偏轉的臂部以及可偏轉地固定在該等臂部中的一個上的中心軸所形成的配置。抓持元件可具有一或多個抓持頭。抓持元件可指一示教工具(Teach-Tool)。可用抓持器運輸製造半導體層時所應用的且特別是CVD反應器中所應用的基板座、頂板或其他物體。抓持元件亦可具有感測器。由抓持頭及臂部構成的配置特別是可在豎向上沿中心軸位移。中心軸可為一軸體。但中心軸亦可為一儲存裝置，可水平位移的滑塊設在該儲存裝置上，臂部中的一個支承在該滑塊上。亦可設有多個疊置的單獨驅動的滑塊。該等滑塊亦可建構為伸縮件。抓持頭可佈置在多個相互鉸接的臂部上。但作為相互鉸接的臂部的替代，抓持元件亦可具有可伸縮的臂部或可線性移動的頭部。特別是可將抓持頭呈十字工作台狀地支承在平面或空間內。抓持臂特別是具有相互套接的臂元件，使得臂部能夠線性地延長或縮短。透過抓持元件之豎向位移，抓持頭可卡入裝載與卸載閘、裝載模組及儲位(例如基板座儲位)之在豎向上疊置的開口，以便穿過該等開口運輸基板座。抓持元件可受電子控制裝置的控制。為此，特別是設有電伺服驅動器，其可用來實施抓持頭的豎向位移或水平位移。一或多個CVD反應器分別具有可由閘門封閉的開口，可藉由抓持元件將基板穿過該等開口送入CVD反應器之製程室。前述閘門特別是同樣可受電伺服驅動器操縱以封閉和打開開口。作為電伺服驅動器的替代，亦可應用氣動或液壓驅動器。
藉由本發明之可用來對CVD反應器之製程室進行裝載及卸載，或者用來在CVD反應器中之一或多個中實施另一處理製程例如基板處理製程之方法，可在取出基板前將自製程室取出的基板座冷卻，或者在處理前或處理後將基板座加熱。在裝載模組中，為基板座裝配一個基板或多個基板。此點可手動或自動實施。在第一個情形下，裝載室可建構為手套箱。在第二個情形下，在裝載室中可設有自動裝配機。用抓持元件將裝配有至少一個基板的基板座自裝載模組之開口輸入搬運容積。自裝載模組取出的基板座要麼可暫存在基板座儲位上，要麼可被直接送入CVD反應器之製程室，在該處對基板座所容置的基板進行處理。若首先將基板座暫存在基板座儲位上，隨後可藉由抓持元件將該基板座送入製程室，在該處對該或該等基板進行處理。在此過程中，可將一或多個層沉積在該或該等基板上。該製程較佳為MOCVD製程，其中用第III及第V主族之起始材料將III-V層沉積在基板上。其較佳指GaN層，或其他具有Ga、Al、In以及P、N或As之層。製程模組中所實施的製程亦可指清潔過程、儲存過程或調溫過程。該製程亦可指「指紋過程」，其中自反應室收集確定的資料以將物理的設備行為數字化。該處理製程較佳在特別是超過500℃、超過700℃或超過1000℃的較高的第一溫度下實施。在該處理製程後，可在製程室中對基板座實施冷卻。特別是僅將基板座冷卻至較高的第二溫度，該溫度較佳＞500℃。在這個較高的第二溫度下，用抓持元件將基板座自製程室取出。為此，在搬運容積中以及在與其鄰接的容積中存在惰性氣體氛圍，例如H2 或N2 。將在較高的第二溫度下自CVD反應器取出的基板座首先送往基板座儲位，在該處藉由冷卻元件為其降溫，直至基板座達到例如不超過100℃的冷卻溫度。隨後，藉由抓持元件將以此方式冷卻的基板座送往裝載模組，可在該處將經塗佈的基板自基板座取出。在多個CVD反應器的多個製程室中，可實施相同的製程步驟。但亦可在多個CVD反應器中實施互不相同的製程步驟。可每次僅將裝配有一或多個基板的基板座送入一個製程室。隨後，在不同的CVD反應器中，在相同或不同的製程中，一定程度上相互並行地對多個基板座之基板進行處理。
用本發明之裝置及本發明之方法不僅可運輸基板座。同樣可運輸氣體入口構件之其他組成部分，例如頂板或蓋部。因此，上文的闡述不僅酌情適用於基板座，還適用於MOCVD反應器之其他組成部分或者被依次或同時送入製程室之多個基板座，在該處對基板座所承載的基板進行熱處理。特別是對環件、基板載具、製程室之壁部組成部分或諸如此類進行運輸。作為CVD反應器之替代，亦可設有用來清潔物體的其他反應器。為此，可將發揮腐蝕作用的清潔氣體饋入製程室。用本發明之裝置處理的部件不僅可為基板座、頂板或CVD反應器之其他組成部分。其亦可指不直接屬於CVD反應器之組成部分，例如示教工具，或用於在維護工作中以特定的間隔收集資料之便攜式感測器。
在前述例子中，該等開口朝儲位特別是基板儲位敞開。但該等開口亦可由閘門封閉。此外，開口可配設有氣幕，從而形成橫向於物體之運輸方向的氣流。在此情形下，儲位之腔室透過氣幕與搬運容積隔絕。
圖2示出本發明之實施例的基本輪廓。傳送模組2具有矩形的基本輪廓。其以一矩形邊緣鄰接裝載模組1，以另一矩形邊緣鄰接製程模組3，該製程模組為CVD反應器。可選地，裝載模組1的其他矩形邊緣可鄰接圖2中以虛線示出其他製程模組3'、3''。這些製程模組3'、3''亦可為CVD反應器。除此種CVD反應器外，還可將其他用於處理或儲存基板座、頂板或諸如此類之模組連接該裝置，從而清潔、乾燥或儲存物體。
圖1示意性地示出與傳送模組2之搬運容積22連接的裝載模組1，該裝載模組佈置在裝載與卸載閘4上方，其中裝載與卸載閘4佈置在儲存模組21上方。裝載模組1具有支撐元件8，可將例如由石墨或包覆石墨製成之圓盤形基板座10放置在該等支撐元件上。可將基板19放在基板座10上。為此，基板座10之頂側具有未示出的儲槽用來各容置一基板19。
裝載模組1之裝載室18可構建為手套箱，如此便能將基板19手動地放入儲槽。設有開口11'，其可由閘門11封閉。抓持元件9之抓持頭可穿過該等開口11'進入裝載室18，以接收該處的基板座10。
裝載與卸載閘4具有可由閘門13封閉的朝外的開口13'以及可由閘門12封閉的朝向搬運容積22的開口12'。可藉由裝載與卸載閘4將基板座10自外部送入搬運容積22，或自搬運容積22送往外部。裝載與卸載閘4可藉由未示出的沖洗氣體裝置以惰性氣體沖洗。
在裝載模組1下方，以及在實施例中同樣在裝載與卸載閘4下方，設有各用於一基板座之多個儲位5的配置。該配置係指具有多個基板座儲位5之儲存模組21，該等基板座儲位在實施例中以相同的方式設計。每個基板座儲位5皆具一朝搬運容積22敞開之腔室7，在該腔室中設有支撐元件8，可將基板座10放置在該等支撐元件上，且該腔室具有調溫元件6，用來對腔室7或佈置在腔室7中的基板座10進行調溫。調溫元件可為用來冷卻基板座之冷卻元件。但其亦可為用來加熱基板座10，特別是將其烘乾之加熱元件。
可用抓持元件9將自基板座儲位5或裝載室18取出之基板架穿過可由閘門14封閉的開口14'送入製程模組3、3'、3''內部。在該處將基板座10放置在支撐元件17上，該支撐元件可圍繞豎軸旋轉，從而使得基板座10可在處理基板期間旋轉。基板座10上方設有製程室20，該製程室在朝上方向上受製程室頂部16限制。製程室頂部16可為圖中未示出的建構為蓮蓬頭的氣體入口構件15之蓋板。同樣可用抓持元件抓住這個蓋板來更換蓋板。可將蓋板暫存在儲位5中的一個上，並穿過裝載與卸載閘4朝外輸送。
可將製程氣體穿過圖中繪示為中心進氣元件之氣體入口構件15送入製程室20。藉由佈置在基板座10下方的加熱裝置將基板座10或其承載的基板19加熱至超過500℃的製程溫度。在處理製程結束後，首先將基板座10冷卻至某個溫度，該溫度可能超過500℃。但該溫度低於製程溫度。製程溫度可低於600℃。但亦可將基板座冷卻至400℃至600℃的溫度。在該較高的溫度下，閘門14打開。用抓持元件9將基板座10自製程室20取出並送往基板座儲位5，在該處藉由冷卻元件6為該基板座降溫，直至該基板座10達到冷卻溫度，該溫度可低於100℃，可在該溫度下自裝載室18中之基板座取出基板19。但冷卻溫度亦可低於70℃或低於50℃。
裝載室18可具有其他未示出的開口，特別是閘口，可穿過該等開口將基板自較佳以惰性氣體沖洗過的裝載室18朝外取出。亦可將未經處理的基板穿過該等開口送入裝載室18。
出於維護需要，特別是可將圖1左側繪示的由裝載模組1、裝載與卸載閘4以及儲存模組21構成的整體統一地與傳送模組2隔開。該整體的組成部分固定地相連，但亦可相互隔開。出於維護需要，同樣可將一或多個製程模組3、3'、3''自傳送模組2移除。
藉由本發明之裝置，可依次將多個分別配設有多個基板之基板座10在一或多個製程模組3、3'、3''進行處理。為此，可依次為基板座裝載基板，隨後，直接將基板座各送入CVD反應器3、3'、3''之一製程室20，或首先將其暫存在基板座儲位5上。為此，基板座儲位5之數目特別是至少與連接傳送模組2之製程模組3、3'、3''的數目相同。
在一未示出的實施例中，基板座10具有中心槽或單獨一個用於儲存大尺寸基板之儲存點。基板可具有300 mm或以上的直徑，且在基板座10之整個表面上延伸。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之改良方案，其中，此等特徵組合中的兩項、數項或其全部亦可相互組合，即：
一種裝置，其特徵在於：該裝載模組1、該裝載與卸載閘4及該儲存模組21在豎向上疊置。
一種裝置，其特徵在於：該抓持元件9可在水平面內及在豎向上位移，且特別是為多個鉸接在一起的臂部23、23'之配置，其中之一臂部23'以可在水平面內旋轉的方式固定在軸線24上，且可在豎向上沿軸線24位移。
一種裝置，其特徵在於：該等儲位5對應於調溫元件，例如冷卻元件6或加熱元件，其可用來將佈置在儲位5上的物體10冷卻或加熱。
一種裝置，其特徵在於：該等儲位5具有腔室7，該等腔室朝該搬運容積22敞開，或可藉由氣幕與搬運容積22隔開。
一種裝置，其特徵在於：該傳送模組2具有多邊形的基本輪廓，且在一多邊形邊緣上佈置有裝載模組1、與裝載模組連接的儲存模組21以及裝載與卸載閘4，且在至少另一多邊形邊緣上佈置有製程模組3、3'、3''，其中該製程模組3、3'、3''亦為用於儲存、清潔物體或對其進行調溫的裝置，特別是形式為CVD反應器之組成部分的裝置。
一種配置，其特徵在於：該裝載模組1、該裝載與卸載閘4及該儲存模組21在豎向上疊置。
一種方法，其特徵在於：在該裝載模組1中準備物體10，例如為基板座裝配基板19，用該抓持元件9將該基板座自該裝載模組1之開口11'送入該搬運容積22並穿過該CVD反應器3之開口14'送入該製程室20，並且在該製程室20中所實施的將該基板座10加熱至特別是至少500℃的較高的第一溫度的製程步驟後，在特別是至少500℃的較高的第二溫度下用該抓持元件9將該物體穿過該開口14'自該製程室20取出並放置在儲位5上，在該處藉由冷卻元件6為該物體10降溫，其中在超過特別是最高100℃的冷卻溫度後，藉由抓持元件9將該物體10自該儲位5取出並送入該裝載模組1。
一種方法，其特徵在於：在輸入該CVD反應器3、3'、3''之製程室20前，將用該抓持元件9自該裝載模組1取出之物體10暫存在儲位5上。
一種方法，其特徵在於：在多個CVD反應器3、3'、3''中分別實施相同的或互不相同的處理製程，在該等處理製程中，例如實施熱處理，或者將層，特別是相同的層，或層序列，特別是相同的層序列沉積在一或多個基板19之表面上，其中用該抓持元件9依次將互不相同的物體10直接自該儲存模組21或自該裝載模組1輸入該相應的製程室20，並且在該處理製程之前或之後分別將該等物體輸入儲位5之一腔室7以進行冷卻或加熱。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明(即使不含相關請求項之特徵)，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。每個請求項中所給出的發明可進一步具有前述說明中給出的、特別是以符號標示且/或在符號說明中給出的特徵中之一或數項。本發明亦有關於如下設計形式：前述說明中所述及之個別特徵不實現，特別是對於具體用途而言為非必需的或者可被技術上具有相同功效的其他構件所替代之特徵。
1:裝載模組 2:傳送模組 3:製程模組 3':製程模組 3'':製程模組 4:裝載與卸載閘 5:儲位 6:調溫元件，冷卻元件，加熱元件 7:腔室 8:支撐元件 9:抓持元件 10:基板座 11:閘門 11':開口 12:閘門 12':開口 13:閘門 13':開口 14:閘門 14':開口 15:氣體入口構件 16:製程室頂部 17:支撐元件 18:裝載室 19:基板 20:製程室 21:儲存模組 22:搬運容積 23:臂部 23':臂部 24:臂部
下面結合附圖對本發明之一實施例進行說明。其中： 圖1以用於處理基板之裝置的橫截面的形式示出裝載模組1、傳送模組2及製程模組3，以及 圖2以此種用於處理基板之裝置的縱剖面的形式示出該裝載模組1、該傳送模組2及總共三個製程模組3、3'、3''。
1:裝載模組
2:傳送模組
3:製程模組
4:裝載與卸載閘
5:儲位
6:調溫元件，冷卻元件，加熱元件
7:腔室
8:支撐元件
9:抓持元件
10:基板座
11:閘門
11':開口
12:閘門
13:閘門
14:閘門
14':開口
15:氣體入口構件
16:製程室頂部
17:支撐元件
18:裝載室
19:基板
20:製程室
21:儲存模組
22:搬運容積
23:臂部
23':臂部
24:臂部

Claims (9)

  1. 一種用於處理一或多個平放在基板座(10)上之基板(19)的裝置，該裝置具有包含多個可冷卻或可加熱的儲位(5)之儲存模組(21)，該等儲位用於分別儲存至少一個基板座(10)；具有一或多個用於處理該一或多個基板(19)之製程模組(3、3'、3'')，其各具一用於容置支承在該儲存模組(21)中之基板座(10)中的一個製程室(20)；具有裝載與卸載閘(4)，基板座(10)可穿過該裝載與卸載閘自外部被送入該傳送模組(2)之搬運容積(22)；以及具有裝載模組(1)，其具有裝載室(18)，可在該裝載室中為基板座(10)裝載及卸載該一或多個基板(19)；具有佈置在傳送模組(2)之搬運容積(22)中之抓持元件(9)，該抓持元件被設計成，分別在該儲存模組(21)、該等製程室(20)中的一個、該裝載室(18)或該裝載與卸載閘(4)之間運輸該等基板座(10)中的一個，其特徵在於：該裝載室(18)在豎向上佈置在該裝載與卸載閘(4)及該儲存模組(21)上方，且連同該裝載與卸載閘(4)及該儲存模組(21)一起構成可統一與該傳送模組(2)隔開的整體。
  2. 如請求項1之裝置，其中，該抓持元件(9)可在水平面內及在豎向上位移，以及/或者為多個鉸接在一起的臂部(23、23')之配置，其中之一臂部(23')以可在水平面內旋轉的方式固定在軸線(24)上，且可在豎向上沿該軸線(24)位移。
  3. 如請求項1之裝置，其中，該等儲位(5)對應於調溫元件以及/或者冷卻元件(6)或加熱元件，其可用來將佈置在該等儲位(5)上的物體(10)冷卻或加熱。
  4. 如請求項1之裝置，其中，該等儲位(5)具有腔室(7)，該等腔室朝該搬運容積(22)敞開，或可藉由氣幕與搬運容積(22)隔開。
  5. 如請求項1之裝置，其中，該傳送模組(2)具有多邊形的基本輪廓，且在一多邊形邊緣上佈置有裝載模組(1)、與該裝載模組連接的儲存模組(21)以及裝載與卸載閘(4)，且在至少另一多邊形邊緣上佈置有製程模組(3、3'、3")，其中該製程模組(3、3'、3")亦為用於儲存、清潔物體或對其進行調溫的裝置，以及/或者形式為CVD反應器之組成部分的裝置。
  6. 一種在請求項1之裝置上應用的配置，其由以下部分組成：具有可冷卻或可加熱的儲位(5)之儲存模組(21)；裝載與卸載閘(4)，物體(10)可穿過該裝載與卸載閘自外部被送入傳送模組(2)之搬運容積(22)；以及裝載模組(1)，可在該裝載模組中準備物體(10)，以及/或者可為基板座(10)裝載及卸載一或多個基板(19)，其特徵在於：該裝載模組(1)、該裝載與卸載閘(4)及該儲存模組(21)在豎向上疊置。
  7. 一種對請求項1之裝置的CVD反應器(3)的製程室(20)進行裝載及卸載之方法，其特徵在於：在該裝載模組(1)中準備物體(10)，以及/或者為基板座裝配一或多個基板(19)，用該抓持元件(9)將該基板座自該裝載模組(1)之開口(11')送入該搬運容積(22)並穿過該CVD反應器(3)之開口(14')送入該製程室(20)，並且在該製程室(20)中所實施的將該基板座(10)加熱至特別是至少500℃的較高的第一溫度的製程步驟後，在特別是至少500℃的較高的第二溫度下用該抓持元件(9)將該物體穿過該開口(14')自該製程室(20)取出並放置在儲位(5)上，在該處藉由冷卻元件(6)為該物體(10)降溫，其中在超過特別是最高100℃的冷卻溫度後，藉由該抓持元件(9)將該物體(10)自該儲位(5)取出並送入該裝載模組(1)。
  8. 如請求項7之方法，其中，在輸入該CVD反應器(3、3'、3")之製程室(20)前，將用該抓持元件(9)自該裝載模組(1)取出之物體(10)暫存在儲位(5)上。
  9. 如請求項7之方法，其中，在多個CVD反應器(3、3'、3")中分別實施相同的或互不相同的處理製程，在該等處理製程中，例如實施熱處理，或者將層，特別是相同的層，或層序列，特別是相同的層序列沉積在一或多個基板(19)之表面上，其中用該抓持元件(9)依次將互不相同的物體(10)直接自該儲存模組(21)或自該裝載模組(1)輸入該相應的製程室(20)，並且在該處理製程之前或之後分別將該等物體輸入儲位(5)之一腔室(7)以進行冷卻或加熱。
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