JP2010531059A - 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ - Google Patents
酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010531059A JP2010531059A JP2010513114A JP2010513114A JP2010531059A JP 2010531059 A JP2010531059 A JP 2010531059A JP 2010513114 A JP2010513114 A JP 2010513114A JP 2010513114 A JP2010513114 A JP 2010513114A JP 2010531059 A JP2010531059 A JP 2010531059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- oxide semiconductor
- thin film
- film transistor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052735 hafnium Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 229910052804 chromium Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxygen anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲートと、ゲートに対応する位置に形成され、Zn原子と、Hf及びCr原子のうちの少なくとも一つを含む物質からなる酸化物半導体を含んで形成されたチャンネルと、ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層と、チャンネルの各々の側部に接触して形成されたソース及びドレインと、を備える。本発明によれば、酸化物半導体を利用してLCD、OLEDなど平板ディスプレイの駆動トランジスタ、メモリ素子の周辺回路構成のためのトランジスタなどの多様な電子素子を製造することができる。
【選択図】図1
Description
本発明において、前記酸化物半導体は、Zn酸化物にHf又はCrが加えられた物質でありうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にHf又はCrが加えられた物質でありうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、Hf:In:Znのat%比が0.5〜10:1〜20:0.5〜40の範囲でありうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、Hf:In:Znのat%比が1:9〜19:4.8〜14の範囲でありうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、非晶質相領域及び結晶質相領域を含みうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、非晶質相領域、非晶質相と結晶質相との混在領域、及び結晶質相領域が順次に形成されたものでありうる。
本発明において、前記非晶質相領域は、10〜50nmの範囲の厚さに形成されたものでありうる。
本発明において、前記非晶質相領域は、20〜30nmの範囲の厚さに形成されたものでありうる。
本発明において、前記酸化物半導体は、I族元素、II族元素、III族元素、IV族元素、又はLn系元素を更に含みうる。
本実施形態では、シリコン表面にシリコン酸化物が100nm形成された基板を設ける。基板の表面の一部領域にMo(Molybdenum)で200nm厚のゲートを形成した後、基板及びゲートの上部に200nm厚のシリコン窒化物を塗布してゲート電極層を形成する。そして、ゲートに対応するゲート電極層上に酸化物半導体を塗布してチャンネルを形成する。チャンネル形成の具体的な工程を説明すれば、次の通りである。ターゲットには、99.99%のInZnOターゲット(In:Zn=1:1at%)及び99.9%のHfターゲットを使用した。これらのターゲットをスパッタのチャンバ内に装着した。常温でAr及びO2ガスをAr:O2=95sccm:5sccmで供給して全体ガス圧力を5mTorrに維持し、InZnOのターゲットに150wattの電力を印加し、Hfターゲットに20wattの電力を印加してコ−スパッタリングを実施した。これにより、約70nm厚のInZnOにHfが含まれた酸化物半導体薄膜を塗布してチャンネルを形成した。ここで、InZnOターゲットの代わりに、ZnOターゲットを使用することも可能である。そして、チャンネルの両側にソース及びドレインでTi/Pt(10/100nm)二重層を形成させた。次いで、150°C及び300°Cで1時間熱処理工程を実施した。
12 酸化層
13 ゲート
13a 伝導性物質
14 ゲート絶縁層
15 チャンネル
16a ソース
16b ドレイン
Claims (38)
- 酸化物半導体であって、
Zn及びHfを含むことを特徴とする酸化物半導体。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にHfが加えられた物質であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にHfが加えられた物質であることを特徴とする請求項1に記載の半導体酸化物。
- 前記酸化物半導体は、Hf:In:Znのat%比が0.5〜10:1〜20:0.5〜40の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、Hf:In:Znのat%比が1:9〜19:4.8〜14の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域及び結晶質相領域を含む構造であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域、非晶質相と結晶質相との混在領域、及び結晶質相領域を含む構造であることを特徴とする請求項6に記載の酸化物半導体。
- 前記非晶質相領域は、10〜50nmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項7に記載の酸化物半導体。
- 前記非晶質相領域は、20〜30nmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項7に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、I族元素、II族元素、III族元素、IV族元素、及びLn系元素の一群から選択された少なくとも1つの元素を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の酸化物半導体
- 酸化物薄膜トランジスタであって、
ゲートと、
前記ゲートに対応する位置に形成され、Zn及びHfを含む酸化物半導体を含んで形成されたチャンネルと、
前記ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層と、
前記チャンネルの各々の側部に接触して形成されたソース及びドレインと、を備えることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にHfが加えられた物質であることを特徴とする請求項11に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にHfが加えられた物質であることを特徴とする請求項11に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記チャンネルは、Hf:In:Znのat%比が0.5〜10:1〜20:0.5〜40の範囲であることを特徴とする請求項13に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Hf:In:Znのat%比が1:7〜19:4.8〜14の範囲であることを特徴とする請求項13に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記チャンネルは、非晶質相領域及び結晶質相領域を含む構造であることを特徴とする請求項11に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記チャンネルは、非晶質相領域、非晶質相と結晶質相との混在領域、及び結晶質相領域を含む構造であることを特徴とする請求項11に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記非晶質相領域は、10〜50nmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項16に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記非晶質相領域は、20〜30nmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項16に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記チャンネルは、I族元素、II族元素、III族元素、IV族元素、及びLn系元素の一群から選択された少なくとも1つの元素を更に含むことを特徴とする請求項11に記載の酸化物薄膜トランジスタ
- 酸化物半導体であって、
Zn及びCrを含むことを特徴とする酸化物半導体。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にCrが加えられた物質であることを特徴とする請求項21に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にCrが加えられた物質であることを特徴とする請求項21に記載の半導体酸化物。
- 前記酸化物半導体は、I族元素、II族元素、III族元素、IV族元素、及びLn系元素の一群から選択された少なくとも1つの元素を更に含むことを特徴とする請求項21に記載の酸化物半導体
- 酸化物薄膜トランジスタであって、
ゲートと、
前記ゲートに対応する位置に形成され、Zn及びCrを含む酸化物半導体を含んで形成されたチャンネルと、
前記ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層と、
前記チャンネルの各々の側部に接触して形成されたソース及びドレインと、を備えることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にCrが加えられた物質であることを特徴とする請求項25に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にCrが加えられた物質であることを特徴とする請求項25に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記チャンネルは、I族元素、II族元素、III族元素、IV族元素、及びLn系元素の一群から選択された少なくとも1つの元素を更に含むことを特徴とする請求項25に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 酸化物半導体であって、
Znと、Hf及びCrのうちの少なくとも1つの物質を含むことを特徴とする酸化物半導体。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にHf及びCrのうちの少なくとも1つの物質が加えられた物質であることを特徴とする請求項29に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にHf及びCrのうちの少なくとも1つの物質が加えられた物質であることを特徴とする請求項29に記載の半導体酸化物。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域及び結晶質相領域を同時に含む構造であることを特徴とする請求項29に記載の酸化物半導体。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域、非晶質相と結晶質相との混在領域、及び結晶質相領域を同時に含む構造であることを特徴とする請求項29に記載の酸化物半導体。
- 酸化物薄膜トランジスタであって、
ゲートと、
前記ゲートに対応する位置に形成され、Znと、Hf及びCrのうちの少なくとも1つの物質を含む酸化物半導体を含んで形成されたチャンネルと、
前記ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層と、
前記チャンネルの各々の側部に接触して形成されたソース及びドレインと、を備えることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体は、Zn酸化物にHf及びCrのうちの少なくとも1つが加えられた物質であることを特徴とする請求項34に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Zn−In複合酸化物にHf及びCrのうちの少なくとも1つが加えられた物質であることを特徴とする請求項34に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域及び結晶質相領域を同時に含む構造であることを特徴とする請求項34に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、非晶質相領域、非晶質相と結晶質相との混在領域、及び結晶質相領域を同時に含む構造であることを特徴とする請求項34に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070060053A KR20080111736A (ko) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR10-2007-0060053 | 2007-06-19 | ||
KR1020070126376A KR101468590B1 (ko) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR10-2007-0126376 | 2007-12-06 | ||
PCT/KR2008/003470 WO2008156311A1 (en) | 2007-06-19 | 2008-06-19 | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010531059A true JP2010531059A (ja) | 2010-09-16 |
JP5526023B2 JP5526023B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=40135528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010513114A Active JP5526023B2 (ja) | 2007-06-19 | 2008-06-19 | 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7935964B2 (ja) |
EP (1) | EP2158609A4 (ja) |
JP (1) | JP5526023B2 (ja) |
CN (1) | CN101681933B (ja) |
WO (1) | WO2008156311A1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012099809A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | フォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサ |
JP2012256814A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256815A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015046642A (ja) * | 2010-12-28 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016201560A (ja) * | 2012-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019110311A (ja) * | 2011-06-08 | 2019-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2020016889A (ja) * | 2009-10-16 | 2020-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20200101150A (ko) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 한양대학교 산학협력단 | 고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2020140214A (ja) * | 2013-07-25 | 2020-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021052191A (ja) * | 2009-09-04 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022115939A (ja) * | 2012-12-25 | 2022-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022153409A (ja) * | 2010-03-31 | 2022-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7478863B2 (ja) | 2010-12-17 | 2024-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100785038B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ZnO계 TFT |
KR101509663B1 (ko) | 2007-02-16 | 2015-04-06 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101681925B (zh) | 2007-06-19 | 2011-11-30 | 三星电子株式会社 | 氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管 |
US7935964B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR101496148B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5361651B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8741702B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP2010123595A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR101671210B1 (ko) | 2009-03-06 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101600051B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2016-03-07 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
WO2010110571A2 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same |
JP5564331B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20100135544A (ko) * | 2009-06-17 | 2010-12-27 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
WO2011010541A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN105448937A (zh) | 2009-09-16 | 2016-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及显示设备 |
KR20170046186A (ko) | 2009-09-16 | 2017-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
KR101914026B1 (ko) | 2009-09-24 | 2018-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
WO2011037050A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101877149B1 (ko) | 2009-10-08 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102108943B1 (ko) | 2009-10-08 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
EP2486593B1 (en) | 2009-10-09 | 2017-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011046003A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101499494B1 (ko) | 2009-10-30 | 2015-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
KR101932407B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101959370B1 (ko) | 2009-11-06 | 2019-03-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101638977B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2016-07-12 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR20230041840A (ko) | 2009-11-13 | 2023-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101520024B1 (ko) | 2009-11-28 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
CN105206514B (zh) | 2009-11-28 | 2018-04-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法 |
KR101329849B1 (ko) | 2009-11-28 | 2013-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011065210A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
CN102648490B (zh) * | 2009-11-30 | 2016-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备 |
KR101623961B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-05-26 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR101943109B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2019-01-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN103746001B (zh) | 2009-12-04 | 2017-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101097322B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
KR101035357B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
WO2011081009A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101878206B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
US9564531B2 (en) * | 2010-03-22 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors |
CN103180318B (zh) | 2010-05-14 | 2017-05-10 | 达那-法伯癌症研究所 | 雄性避孕组合物以及使用方法 |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20120000499A (ko) | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
JP5969745B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2016-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8912536B2 (en) * | 2010-11-19 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors, methods of manufacturing the same and electronic devices including transistors |
TWI562379B (en) | 2010-11-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102637010B1 (ko) | 2010-12-03 | 2024-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
KR102424181B1 (ko) | 2010-12-17 | 2022-07-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
JP5975635B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2012090799A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2012090974A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8994019B2 (en) * | 2011-08-05 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN107068766B (zh) | 2011-09-29 | 2020-12-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
SG11201504615UA (en) | 2011-10-14 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
JP6220526B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5972065B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101483026B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2015-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 기판 및 이의 제조방법, 이를 이용한 액정표시장치용 구동회로 |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
TWI555068B (zh) | 2012-11-08 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法 |
US9153650B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor |
TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
WO2015132697A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN111312733B (zh) * | 2020-04-02 | 2023-06-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093974A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Ind Technol Res Inst | 薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料とその製造方法 |
WO2007040194A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4960718A (en) * | 1985-12-13 | 1990-10-02 | Allied-Signal Inc. | MESFET device having a semiconductor surface barrier layer |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP3124101B2 (ja) * | 1992-01-30 | 2001-01-15 | ローム株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
EP0677593B1 (en) * | 1992-12-15 | 2000-03-22 | Idemitsu Kosan Company Limited | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5548132A (en) * | 1994-10-24 | 1996-08-20 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistor with large grain size DRW offset region and small grain size source and drain and channel regions |
US5532180A (en) * | 1995-06-02 | 1996-07-02 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Method of fabricating a TFT with reduced channel length |
JPH10306367A (ja) | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用ZnO−Ga2O3系焼結体およびその製造方法 |
IL125604A (en) * | 1997-07-30 | 2004-03-28 | Saifun Semiconductors Ltd | Non-volatile electrically erasable and programmble semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge |
JP3884564B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US6338987B1 (en) * | 1998-08-27 | 2002-01-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline silicon layer and method for fabricating thin film transistor |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3423896B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2003-07-07 | 科学技術振興事業団 | 半導体デバイス |
US6998656B2 (en) * | 2003-02-07 | 2006-02-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent double-injection field-effect transistor |
JP3711857B2 (ja) | 2000-10-11 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ |
US6727533B2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-04-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor apparatus having a large-size bus connection |
JP2002320848A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-05 | Honda Motor Co Ltd | 水素貯蔵材 |
TW546840B (en) * | 2001-07-27 | 2003-08-11 | Hitachi Ltd | Non-volatile semiconductor memory device |
KR100941241B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2010-02-10 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 투명 전도막 및 이들의 제조방법 |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US6562491B1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Preparation of composite high-K dielectrics |
EP1443130B1 (en) * | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
US7189992B2 (en) * | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
US6929970B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-08-16 | Agfa-Gevaert | Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
US6858899B2 (en) * | 2002-10-15 | 2005-02-22 | Matrix Semiconductor, Inc. | Thin film transistor with metal oxide layer and method of making same |
KR20050092712A (ko) | 2002-12-18 | 2005-09-22 | 소니 케미카루 가부시키가이샤 | 투명 도전막 및 그 성막 방법 |
JP4222078B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-02-12 | ブラザー工業株式会社 | 記録装置 |
JP4212413B2 (ja) | 2003-05-27 | 2009-01-21 | シャープ株式会社 | 酸化物半導体発光素子 |
JP4108633B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP2005026465A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
US20050017244A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Randy Hoffman | Semiconductor device |
US7071122B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-07-04 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor with etched-back gate dielectric |
US7220635B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device with a metal gate electrode that is formed on an annealed high-k gate dielectric layer |
JP2005223102A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nec Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US7297977B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
EP2246894B2 (en) * | 2004-03-12 | 2018-10-10 | Japan Science and Technology Agency | Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006005116A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Casio Comput Co Ltd | 膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜 |
US20060003485A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Hoffman Randy L | Devices and methods of making the same |
US7378286B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor |
JP4158755B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-10-01 | セイコーエプソン株式会社 | 機能膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法 |
US7382421B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film transistor with a passivation layer |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
RU2402106C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2010-10-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
KR20070085879A (ko) * | 2004-11-10 | 2007-08-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광 장치 |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR100688521B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 고유전율 절연막을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR100667043B1 (ko) | 2005-04-29 | 2007-01-10 | (주) 세라컴 | 산화아연 단결정 박막 제조방법 |
JP2006344849A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
EP1998375A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
US8679587B2 (en) * | 2005-11-29 | 2014-03-25 | State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education action on Behalf of Oregon State University | Solution deposition of inorganic materials and electronic devices made comprising the inorganic materials |
US20070254399A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Industrial Technology Research Institute | Low temperature direct deposited polycrystalline silicon thin film transistor structure and method for manufacturing the same |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR101509663B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2015-04-06 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법 |
CN101681925B (zh) * | 2007-06-19 | 2011-11-30 | 三星电子株式会社 | 氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管 |
US7935964B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR100958006B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2010-05-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR101468594B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
-
2008
- 2008-06-18 US US12/213,327 patent/US7935964B2/en active Active
- 2008-06-19 CN CN2008800209306A patent/CN101681933B/zh active Active
- 2008-06-19 JP JP2010513114A patent/JP5526023B2/ja active Active
- 2008-06-19 EP EP08766431A patent/EP2158609A4/en not_active Ceased
- 2008-06-19 WO PCT/KR2008/003470 patent/WO2008156311A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093974A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Ind Technol Res Inst | 薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料とその製造方法 |
WO2007040194A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6994553B2 (ja) | 2009-09-04 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021052191A (ja) * | 2009-09-04 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11742432B2 (en) | 2009-10-16 | 2023-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP2020016889A (ja) * | 2009-10-16 | 2020-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11302824B2 (en) | 2009-10-16 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP7291275B2 (ja) | 2010-03-31 | 2023-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022153409A (ja) * | 2010-03-31 | 2022-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2012256815A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256814A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101736320B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2017-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 다이오드, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 포토 센서 |
JP2012099809A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | フォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサ |
JP7478863B2 (ja) | 2010-12-17 | 2024-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2015046642A (ja) * | 2010-12-28 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10714625B2 (en) | 2010-12-28 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11430896B2 (en) | 2010-12-28 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9443984B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10889888B2 (en) | 2011-06-08 | 2021-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film |
US11066739B2 (en) | 2011-06-08 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film |
US11959165B2 (en) | 2011-06-08 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor film |
JP2019110311A (ja) * | 2011-06-08 | 2019-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US10158026B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor stacked layers |
US10872981B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor |
KR102330543B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20210145310A (ko) * | 2012-04-13 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2016201560A (ja) * | 2012-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11929437B2 (en) | 2012-04-13 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising various thin-film transistors |
US11355645B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising stacked oxide semiconductor layers |
KR20210059042A (ko) * | 2012-04-13 | 2021-05-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200051065A (ko) * | 2012-04-13 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10559699B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102479944B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102254731B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP7377912B2 (ja) | 2012-12-25 | 2023-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022115939A (ja) * | 2012-12-25 | 2022-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020140214A (ja) * | 2013-07-25 | 2020-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20200101150A (ko) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 한양대학교 산학협력단 | 고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR102180242B1 (ko) * | 2019-02-19 | 2020-11-18 | 한양대학교 산학협력단 | 고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080315200A1 (en) | 2008-12-25 |
CN101681933B (zh) | 2012-05-30 |
JP5526023B2 (ja) | 2014-06-18 |
US7935964B2 (en) | 2011-05-03 |
EP2158609A1 (en) | 2010-03-03 |
EP2158609A4 (en) | 2010-07-14 |
WO2008156311A1 (en) | 2008-12-24 |
CN101681933A (zh) | 2010-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5526023B2 (ja) | 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ | |
KR101468591B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
US8450732B2 (en) | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same | |
KR101468594B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
KR101552975B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
JP6338361B2 (ja) | 半導体物質とそれを含む薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタを含む電子素子 | |
US8378342B2 (en) | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same | |
KR101496150B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
KR20090002841A (ko) | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR101468590B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
KR101600051B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
WO2016035503A1 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
KR101519480B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
KR20080111736A (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5526023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |