JP2005093974A - 薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料とその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005093974A JP2005093974A JP2003415259A JP2003415259A JP2005093974A JP 2005093974 A JP2005093974 A JP 2005093974A JP 2003415259 A JP2003415259 A JP 2003415259A JP 2003415259 A JP2003415259 A JP 2003415259A JP 2005093974 A JP2005093974 A JP 2005093974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- active layer
- group
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 claims description 10
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 2
- ABFQGXBZQWZNKI-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethanol Chemical compound COC(C)(O)OC ABFQGXBZQWZNKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 ドーパントをドープしたII−VI族化合物で組成され、該ドーパントはアルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属(Transitional Metal)からなる群より選択され、該ドーパントが該材料中で占めるモルパーセントは0.1%から30%とされる。本発明の化合物半導体材料で製造した薄膜トランジスタ素子も併せて提示する。
【選択図】 図7
Description
請求項2の発明は、請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、II−VI族化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、CdSe、CdS、HgS、MnS、SnS、PbS、CoS、NiS、或いはCdTeとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項3の発明は、請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、アルカリ土金属はMg、Ca、Sr、或いはBaとされ、遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、或いはAuとされ、III A族元素は、B、Al、Ga、In、或いはTlとされ、IV A族元素はSi、Ge、Sn、或いはPbとされ、VA族元素はN、P、As、Sb、或いはBiとされ、VIA族元素は、S、Se、Te、或いはPoとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項4の発明は、請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、化合物半導体材料は溶液工程でその材料の前駆体が形成され、該溶液工程は、化学浴堆積法(Chemical Bath Deposition)、光化学堆積法(Photochemical Deposition)、或いはゾルゲル法(Sol−gel process)とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項5の発明は、請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタ素子活性層のパターン化に、インクジェット印刷、ナノインプリント、マイクロコンタクトプリント、或いはスピンコーティング−リソグラフィー法が利用されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項6の発明は、請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタがゲート、ドレイン、誘電層、及び基板を具えたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項7の発明は、請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタがゲート、ソース、或いはドレインの材料が、金属、導電酸化物、或いは導電高分子とされたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項8の発明は、請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、誘電層の誘電率は3より大きいことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項9の発明は、請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、誘電層の材料が、無機材料、高分子材料、或いは高誘電率(high K)材料より選択されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項10の発明は、請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、基板がシリコンウエハー、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、或いはフレキシブル基板とされたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料としている。
請求項11の発明は、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、
(a)化合物半導体材料の前躯体溶液を提供する工程、
(b)該前躯体溶液を薄膜トランジスタ素子においてパターン化し、活性層を形成する工程、
(c)該薄膜トランジスタ素子の活性層の該前躯体溶液を加熱し、該前躯体溶液中の溶剤を揮発させてドーパントをドープしたII−VI族化合物組成物を生成する工程、
以上の工程からなり、該ドーパントを、アルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属からなる群より選択し、且つ該ドーパントの材料中に占めるモルパーセントを0.1%から30%とすることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法としている。
請求項12の発明は、請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、II−VI族化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、CdSe、CdS、HgS、MnS、SnS、PbS、CoS、NiS、或いはCdTeとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法としている。
請求項13の発明は、請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、アルカリ土金属はMg、Ca、Sr、或いはBaとされ、遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、或いはAuとされ、III A族元素は、B、Al、Ga、In、或いはTlとされ、IV A族元素はSi、Ge、Sn、或いはPbとされ、VA族元素はN、P、As、Sb、或いはBiとされ、VIA族元素は、S、Se、Te、或いはPoとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法としている。
請求項14の発明は、請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、化合物半導体材料は溶液工程でその材料の前駆体が形成され、該溶液工程は、化学浴堆積法(Chemical Bath Deposition)、光化学堆積法(Photochemical Deposition)、或いはゾルゲル法(Sol−gel
process)とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法としている。
請求項15の発明は、請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、薄膜トランジスタ素子活性層のパターン化に、インクジェット印刷、ナノインプリント、マイクロコンタクトプリント、或いはスピンコーティング−リソグラフィー法が利用されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法としている。
溶液工程中、酸化物であり且つII−VI族化合物(例えばZnO)であればほぼジメトキシエタノール(2−Methoxy−ethanol)或いはその他のアルコール類を溶剤として使用できる。使用する溶剤は、溶質の溶剤中での溶解度、薄膜の成膜性、溶剤の除去が容易であるか否か、グレイン(grain)成長に有利であるか否かにより選択される。
本実施例は、本発明の化合物半導体材料でボトムゲート薄膜トランジスタを製造するフローであり、図5のAからDに示されるとおりである。まず、図5のAに示されるように、ガラス基板5を提供し、並びにその上に第1電極層をスパッタで形成してゲート電極1となし、この層はインジウム錫酸化物、Cr、Al、Mo、Au、Pt、Ag等の導体とされうる。その後、リソグラフィー工程とエッチング工程でゲートのパターンを画定する。さらに図5のBに示されるように、絶縁層2をパターンを具えたゲート電極1の上方に堆積させる。該絶縁層2は、酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNx)、或いはPZTとされうる。この堆積の方式に制限はなく、PVD或いはCVdとされうる。図5のCに示されるように、続いて、スパッタ方式で第2電極層3を形成する。この電極層は、インジウム錫酸化物、Cr、Al、Mo、Au、Pt、Ag等の金属となし得て、並びにリソグラフィー工程とエッチング工程で該第2金属層3をパターン化してソースとドレインの電極となす。最後に、図5のDに示されるように、溶液工程、例えば化学浴堆積法、光化学堆積法、或いはゾルゲル法を利用し、薄膜トランジスタの活性層4材料の前躯体溶液を製造し、この溶液を用いてインクジェット印刷法、ナノインプリント法、マイクロコンタクトプリント法、或いはスピンコーティング−リソグラフィー法により、パターン化した活性層4を形成し、加熱により、アルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属をII−VI族化合物にドープした材料の活性層4を完成する。
4 活性層 5 ガラス基板
Claims (15)
- 薄膜トランジスタ素子活性層の製造に応用される化合物半導体材料であり、ドーパントをドープしたII−VI族化合物で組成され、該ドーパントは、アルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属で組成された群より選択され、該ドーパントの材料中に占めるモルパーセントは0.1%から30%とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、II−VI族化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、CdSe、CdS、HgS、MnS、SnS、PbS、CoS、NiS、或いはCdTeとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、アルカリ土金属はMg、Ca、Sr、或いはBaとされ、遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、或いはAuとされ、III A族元素は、B、Al、Ga、In、或いはTlとされ、IV A族元素はSi、Ge、Sn、或いはPbとされ、VA族元素はN、P、As、Sb、或いはBiとされ、VIA族元素は、S、Se、Te、或いはPoとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、化合物半導体材料は溶液工程でその材料の前駆体が形成され、該溶液工程は、化学浴堆積法(Chemical Bath Deposition)、光化学堆積法(Photochemical Deposition)、或いはゾルゲル法(Sol−gel process)とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタ素子活性層のパターン化に、インクジェット印刷、ナノインプリント、マイクロコンタクトプリント、或いはスピンコーティング−リソグラフィー法が利用されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項1記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタがゲート、ドレイン、誘電層、及び基板を具えたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、薄膜トランジスタがゲート、ソース、或いはドレインの材料が、金属、導電酸化物、或いは導電高分子とされたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、誘電層の誘電率は3より大きいことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、誘電層の材料が、無機材料、高分子材料、或いは高誘電率(high K)材料より選択されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 請求項6記載の薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料において、基板がシリコンウエハー、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、或いはフレキシブル基板とされたことを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
- 薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、
(a)化合物半導体材料の前躯体溶液を提供する工程、
(b)該前躯体溶液を薄膜トランジスタ素子においてパターン化し、活性層を形成する工程、
(c)該薄膜トランジスタ素子の活性層の該前躯体溶液を加熱し、該前躯体溶液中の溶剤を揮発させてドーパントをドープしたII−VI族化合物組成物を生成する工程、
以上の工程からなり、該ドーパントを、アルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属からなる群より選択し、且つ該ドーパントの材料中に占めるモルパーセントを0.1%から30%とすることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法。 - 請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、II−VI族化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、CdSe、CdS、HgS、MnS、SnS、PbS、CoS、NiS、或いはCdTeとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法。
- 請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、アルカリ土金属はMg、Ca、Sr、或いはBaとされ、遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、或いはAuとされ、III A族元素は、B、Al、Ga、In、或いはTlとされ、IV A族元素はSi、Ge、Sn、或いはPbとされ、VA族元素はN、P、As、Sb、或いはBiとされ、VIA族元素は、S、Se、Te、或いはPoとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法。
- 請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、化合物半導体材料は溶液工程でその材料の前駆体が形成され、該溶液工程は、化学浴堆積法(Chemical Bath Deposition)、光化学堆積法(Photochemical Deposition)、或いはゾルゲル法(Sol−gel process)とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法。
- 請求項11記載の薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法において、薄膜トランジスタ素子活性層のパターン化に、インクジェット印刷、ナノインプリント、マイクロコンタクトプリント、或いはスピンコーティング−リソグラフィー法が利用されることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW092125815A TWI221341B (en) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | Method and material for forming active layer of thin film transistor |
TW092125815 | 2003-09-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093974A true JP2005093974A (ja) | 2005-04-07 |
JP5095068B2 JP5095068B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=34311543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003415259A Expired - Fee Related JP5095068B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-12-12 | 薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20050062134A1 (ja) |
JP (1) | JP5095068B2 (ja) |
TW (1) | TWI221341B (ja) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098637A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Xerox Corp | 薄膜トランジスタ |
WO2008126729A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体素子およびその製造方法、並びに該半導体素子を備える電子デバイス |
JP2008288593A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Xerox Corp | 薄膜トランジスタのための半導体レイヤ |
JP2008547195A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-25 | イーストマン コダック カンパニー | 亜鉛酸化物をベースとした半導体材料を含む薄膜トランジスタ |
JP2009296000A (ja) * | 2004-01-16 | 2009-12-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2010010175A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010016037A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010530634A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ |
JP2010531059A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-16 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ |
JP2011512029A (ja) * | 2008-01-31 | 2011-04-14 | ノースウエスタン ユニバーシティ | 溶液処理型高移動度無機薄膜トランジスタ |
JP2011119751A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011181929A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
WO2012134105A2 (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 서울대학교산학협력단 | 산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
JP2012524993A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | 酸化物半導体 |
KR20130008461A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
US8362478B2 (en) | 2009-04-16 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8421070B2 (en) | 2006-04-17 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
US8492756B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8618543B2 (en) | 2007-04-20 | 2013-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor including selectively crystallized channel layer and method of manufacturing the thin film transistor |
US8629432B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101468594B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR101468590B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2015005756A (ja) * | 2008-12-26 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101519480B1 (ko) | 2008-05-30 | 2015-05-12 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2015144280A (ja) * | 2008-11-07 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101552975B1 (ko) | 2009-01-09 | 2015-09-15 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101112652B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR100797093B1 (ko) | 2006-07-07 | 2008-01-22 | 한국기계연구원 | 나노 소자 구조물 및 이의 제조 방법 |
TWI312580B (en) | 2006-09-04 | 2009-07-21 | Taiwan Tft Lcd Associatio | A thin film transistor, manufacturing method of a active layer thereof and liquid crystal display |
KR100787464B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법 |
US8747630B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-06-10 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Transparent conducting oxides and production thereof |
KR101509663B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2015-04-06 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법 |
KR101344483B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 |
JP5213458B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ |
WO2009116990A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | High quality transparent conducting oxide thin films |
KR101025701B1 (ko) | 2008-09-17 | 2011-03-30 | 연세대학교 산학협력단 | 반도체성 잉크 조성물, 반도체성 산화물 박막, 및 그 제조방법 |
US8389252B2 (en) * | 2008-05-12 | 2013-03-05 | Butamax(Tm) Advanced Biofuels Llc | Yeast strain for production of four carbon alcohols |
KR101496148B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
US7964490B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-06-21 | Intel Corporation | Methods of forming nickel sulfide film on a semiconductor device |
KR102246529B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20170100065A (ko) | 2009-12-04 | 2017-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
CN102117767A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-07-06 | 上海大学 | 基于溶胶式全透明tft有源矩阵制造方法 |
WO2013119550A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Thin film photovoltaic devices with a minimally conductive buffer layer |
US20150270423A1 (en) | 2012-11-19 | 2015-09-24 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Devices and methods featuring the addition of refractory metals to contact interface layers |
US9362429B2 (en) * | 2013-04-30 | 2016-06-07 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Photovoltaic semiconductor materials based on alloys of tin sulfide, and methods of production |
KR102090289B1 (ko) | 2013-05-30 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
CN104538457A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
KR102660292B1 (ko) * | 2016-06-23 | 2024-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 패널 및 그 제조 방법 |
US11107926B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-08-31 | Flosfia Inc. | Oxide semiconductor film and method for producing same |
CN111740092B (zh) * | 2020-07-24 | 2021-08-17 | 广州大学 | 一种异质结构材料及其制备方法和应用 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59204273A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Ise Electronics Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH1090723A (ja) * | 1997-10-06 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH11505377A (ja) * | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP2000150900A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Japan Science & Technology Corp | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2001203364A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-07-27 | Lucent Technol Inc | 薄膜トランジスタ |
JP2002028494A (ja) * | 1997-04-02 | 2002-01-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光触媒担持体およびその製造方法 |
JP2002226282A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 形態転写材の製造方法 |
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP2003181297A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Japan Science & Technology Corp | 薄膜状光触媒、その作製方法、およびその薄膜状光触媒を用いた硫化水素の処理方法と水素の製造方法 |
JP2003241689A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Canon Inc | 有機半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2003258256A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Konica Corp | 有機tft装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4321163A (en) * | 1978-11-21 | 1982-03-23 | Max-Planck-Gesellschaft | Lithium nitride of increased conductivity, method for its preparation, and its use |
US4463268A (en) * | 1981-06-01 | 1984-07-31 | General Electric Company | Varistors with controllable voltage versus time response and method for using the same to provide a rectangular voltage pulse |
US5334864A (en) * | 1987-03-26 | 1994-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for selective formation of II-VI group compound film |
US5699035A (en) * | 1991-12-13 | 1997-12-16 | Symetrix Corporation | ZnO thin-film varistors and method of making the same |
US5798964A (en) * | 1994-08-29 | 1998-08-25 | Toshiba Corporation | FRAM, FRAM card, and card system using the same |
US6028020A (en) * | 1994-12-05 | 2000-02-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single crystal quartz thin film and preparation thereof |
JPH1140365A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP3423896B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2003-07-07 | 科学技術振興事業団 | 半導体デバイス |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
US7189992B2 (en) * | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7569153B2 (en) * | 2002-05-23 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication method of liquid crystal display device |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
US7098525B2 (en) * | 2003-05-08 | 2006-08-29 | 3M Innovative Properties Company | Organic polymers, electronic devices, and methods |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7381586B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Methods for manufacturing thin film transistors that include selectively forming an active channel layer from a solution |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20080164466A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-07-10 | Brian Rioux | Light emitting devices with a zinc oxide thin film structure |
KR20100047828A (ko) * | 2007-06-01 | 2010-05-10 | 노오쓰웨스턴 유니버시티 | 투명한 나노와이어 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US20080296567A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-04 | Irving Lyn M | Method of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials |
US20080299771A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-04 | Irving Lyn M | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US20080303037A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Irving Lyn M | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
-
2003
- 2003-09-18 TW TW092125815A patent/TWI221341B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-09 US US10/730,073 patent/US20050062134A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-12 JP JP2003415259A patent/JP5095068B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-20 US US11/489,469 patent/US7666764B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-28 US US12/149,113 patent/US20080296569A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59204273A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Ise Electronics Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH11505377A (ja) * | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP2002028494A (ja) * | 1997-04-02 | 2002-01-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光触媒担持体およびその製造方法 |
JPH1090723A (ja) * | 1997-10-06 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2000150900A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Japan Science & Technology Corp | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2001203364A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-07-27 | Lucent Technol Inc | 薄膜トランジスタ |
JP2002226282A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 形態転写材の製造方法 |
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP2003181297A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Japan Science & Technology Corp | 薄膜状光触媒、その作製方法、およびその薄膜状光触媒を用いた硫化水素の処理方法と水素の製造方法 |
JP2003241689A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Canon Inc | 有機半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2003258256A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Konica Corp | 有機tft装置及びその製造方法 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8624252B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and el television |
JP2009296000A (ja) * | 2004-01-16 | 2009-12-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2008547195A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-25 | イーストマン コダック カンパニー | 亜鉛酸化物をベースとした半導体材料を含む薄膜トランジスタ |
US10304962B2 (en) | 2005-09-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2011119751A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US9099562B2 (en) | 2005-09-29 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8421070B2 (en) | 2006-04-17 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
US8735882B2 (en) | 2006-04-17 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
JP2008098637A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Xerox Corp | 薄膜トランジスタ |
JPWO2008126729A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2010-07-22 | シャープ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法、並びに該半導体素子を備える電子デバイス |
WO2008126729A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体素子およびその製造方法、並びに該半導体素子を備える電子デバイス |
US8618543B2 (en) | 2007-04-20 | 2013-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor including selectively crystallized channel layer and method of manufacturing the thin film transistor |
JP2008288593A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Xerox Corp | 薄膜トランジスタのための半導体レイヤ |
JP2010531059A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-16 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ |
JP2010530634A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ |
US8450732B2 (en) | 2007-06-19 | 2013-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR101468590B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2011512029A (ja) * | 2008-01-31 | 2011-04-14 | ノースウエスタン ユニバーシティ | 溶液処理型高移動度無機薄膜トランジスタ |
KR101519480B1 (ko) | 2008-05-30 | 2015-05-12 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2010010175A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010016037A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101468594B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2015144280A (ja) * | 2008-11-07 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2015005756A (ja) * | 2008-12-26 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101552975B1 (ko) | 2009-01-09 | 2015-09-15 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
US8884287B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8629432B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8785929B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9040985B2 (en) | 2009-01-23 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8492756B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8853690B2 (en) | 2009-04-16 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor layer |
US8362478B2 (en) | 2009-04-16 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9190528B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012524993A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | 酸化物半導体 |
JP2011181929A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR101192221B1 (ko) | 2011-03-25 | 2012-10-17 | 서울대학교산학협력단 | 산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
WO2012134105A2 (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 서울대학교산학협력단 | 산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
WO2012134105A3 (ko) * | 2011-03-25 | 2013-01-03 | 서울대학교산학협력단 | 산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
US9997514B2 (en) | 2011-06-29 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
KR101900107B1 (ko) | 2011-06-29 | 2018-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
KR20180103797A (ko) * | 2011-06-29 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
KR20130008461A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
KR102023284B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2019-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
KR20190107639A (ko) * | 2011-06-29 | 2019-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
KR102139611B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2020-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
JP2013033944A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 駆動回路、当該駆動回路の作製方法および当該駆動回路を用いた表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060270197A1 (en) | 2006-11-30 |
US20050062134A1 (en) | 2005-03-24 |
TW200512940A (en) | 2005-04-01 |
US7666764B2 (en) | 2010-02-23 |
US20080296569A1 (en) | 2008-12-04 |
JP5095068B2 (ja) | 2012-12-12 |
TWI221341B (en) | 2004-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5095068B2 (ja) | 薄膜トランジスタ素子活性層の製造方法 | |
Shim et al. | TFT channel materials for display applications: From amorphous silicon to transition metal dichalcogenides | |
Bukke et al. | Lanthanum doping in zinc oxide for highly reliable thin-film transistors on flexible substrates by spray pyrolysis | |
TW483002B (en) | Ferroelectric memory with disturb protection | |
KR101482944B1 (ko) | 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 | |
JP5386179B2 (ja) | 半導体デバイス、画像表示装置、薄膜トランジスタの製造方法、及び、薄膜トランジスタ基板 | |
US8796774B2 (en) | Printed non-volatile memory | |
JP5250929B2 (ja) | トランジスタおよびその製造方法 | |
EP1976019B1 (en) | Thin film transistor including titanium oxides as active layer and method of manufacturing the same | |
CN102144004B (zh) | 改性颗粒及包含所述颗粒的分散体 | |
JP2009016844A (ja) | 酸化物半導体並びにこれを有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
KR101850510B1 (ko) | 산화물 반도체의 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
JP2008219008A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
TW200845399A (en) | Non-crystalline oxide semiconductor thin film, process for producing the same, process for producing thin-film transistor, field-effect transistor, light emitting device, display device, and sputtering target | |
TW201110357A (en) | Amorphous oxide semiconductor material, field-effect transistor, and display device | |
Seo et al. | Reliable bottom gate amorphous indium–gallium–zinc oxide thin-film transistors with TiO x passivation layer | |
JP2010165922A (ja) | 電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法 | |
JP6981786B2 (ja) | トランジスタ及び電子機器 | |
US20100176393A1 (en) | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same | |
WO2006103853A1 (ja) | 二酸化チタンを活性層として用いる半導体装置およびその製造方法 | |
KR100976459B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 제조방법 및 그를 구비하는평판표시장치 | |
CN101047130B (zh) | 使用纳米颗粒的顶栅薄膜晶体管及其制造方法 | |
KR20200070703A (ko) | 플라즈마 처리를 이용한 용액 공정 기반의 다층 채널 구조 izo 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP2014056945A (ja) | アモルファス酸化物薄膜及びその製造方法、並びにそれを用いた薄膜トランジスタ | |
JP6741439B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100908 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100913 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101006 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101012 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110405 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5095068 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |