JP2010232593A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一面に電極パッド15が配された半導体装置の構成基板12を形成する基板形成工程と、前記構成基板12を補強するためのサポート板材21にヴィアホール22を形成するとともに当該ヴィアホール22に導電材23を充填する板材形成工程と、前記構成基板12における前記電極パッド15と前記サポート板材21の前記ヴィアホール22に充填された前記導電材23が電気的に接続するように当該構成基板12と当該サポート板材21とを接合する接合工程と、を含んで半導体装置の製造を行う。
【選択図】図1
Description
しかしながら、SOI基板にサポート板材を張り合わせた構成のイメージセンサでは、そのままではサポート板材側に端子を取り出せない。
サポート板材側への端子取り出しを行わない構成の場合には、センサ実装をワイヤーボンディングによって行うことになる。そのため、ボンディングパッド領域の確保等が必要になるので、外部端子を形成する場合に比べてセンサ小型化等が困難となり、理収悪化や製造コストアップ等を招くおそれがある。
SOI基板にサポート板材を張り合わせた構成であっても、その貼り合わせの後に、サポート板材の側から当該サポート板材への穴開け加工を行えば、当該サポート板材側への端子取り出しを行うことが可能になる。ところが、サポート板材の貼り合わせ後に当該サポート板材への穴開け加工を行うと、当該サポート板材が貼り付けられたSOI基板等に悪影響が及ぶおそれがある。具体的には、加工時に生じ得る熱や汚染物等による悪影響が、SOI基板や当該SOI基板上に形成されるオンチップカラーフィルター(以下、「OCCF」ともいう。)等の光学部品に対して及んでしまうことが考えられる。
先ず、半導体装置の製造方法について説明する。
図1,2は、本発明に係る半導体装置の製造方法の手順の具体例を示す説明図である。図例では、半導体装置として、CMOSイメージセンサを例に挙げて、その製造手順を示している。
構成基板12には、フォトディテクタ13や配線層14等が設けられている。さらに、構成基板12の一面(図中における上面)には、フォトディテクタ13や配線層14等と導通して信号取出しを行うための電極パッド15が設けられている。電極パッド15は、例えば銅(Cu)を用いて5μm厚に形成することが考えられる。また、電極パッド15上には、例えばすず(Sn)による2μm厚のバンプ16が形成されている。
つまり、ここで行う工程では、SOI基板11を用いて、一面に電極パッド15およびバンプ16が配されたCMOSイメージセンサの構成基板12を形成するのである。なお、当該構成基板12の形成プロセスについては、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。
つまり、ここで行う工程では、構成基板12を補強するためのサポート板材21に対して、ヴィアホール22を非貫通で形成するとともに、当該ヴィアホール22に導電材23を充填するのである。なお、このサポート板材21についての形成工程は、上述した構成基板12の形成工程の後に行ってもよいし、当該構成基板12の形成工程に先立って行ってもよいし、あるいは当該構成基板12の形成工程と同時並行的に行ってもよい。
つまり、ここで行う工程では、構成基板12の電極パッド15とサポート板材21の導電材23との電気的接続を確保しつつ、当該構成基板12と当該サポート板材21との接合を行うのである。
このときの構成基板12とサポート板材21との接合は、例えば無残渣フラックスを用いて260℃程度の温度で行うことが考えられる。また、プラズマリフロー炉で酸化膜を除去して接合しても構わない。
また、構成基板12とサポート板材21との接合後は、例えば220℃での加熱により接合部分へCu拡散処理を行って、10μmのIMC(MP≧350℃)を形成することも考えられる。
なお、ここでは、はんだ層24としてSn3Agを用い、IMC成長によってMPをあげた場合を例に挙げているが、例えばAu20SnやSnIn系低温はんだ(例えば175℃程度)も利用可能である。
そして、図2(a)に示すように、そのフォトディテクタ13の露出面側を覆うように、OCCFやオンチップレンズ(以下、「OCL」ともいう。)等の光学部品32を配設する。
さらには、図2(b)に示すように、光学部品の上面側を覆うように、センサ受光側にシールガラス33を配設する。
つまり、上述した接合工程の後は、構成基板12上に各種光学部品を搭載する工程を実行する。なお、各種光学部品の形成プロセスについては、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。
さらには、図2(e)に示すように、導電材23の露出部分にSnBi系低温はんだを塗布し、これにより外部端子35を形成する。
なお、外部端子35の形成は、他の公知技術を用いて行っても構わない。例えば、めっき法だけでなく、アロイ溶接、印刷+リフロー法、リフトオフ等の手法を用いて、外部端子35を形成することが考えられる。
次いで、構成基板12とサポート板材21との間への絶縁樹脂材31の充填を行う際の手法について、詳しく説明する。
図3は、絶縁樹脂材を充填する際に利用する外壁部の一例を示す説明図である。
上述したCMOSイメージセンサの製造過程では、既に説明したように、絶縁樹脂材31の充填工程に先立って、外壁形成工程を実行する。
外壁形成工程では、例えば図3(a)に示すように、絶縁樹脂材31の充填領域を囲いつつ、その一部が当該絶縁樹脂材31の充填のために開口する外壁部41を形成する。この外壁部41の形成材料や形成形状等は、特に限定されるものではない。
また、外壁部41の形成に併せて、例えば図3(b)に示すように、絶縁樹脂材31が充填されるまでの間に補強材として機能する個片固定性補強リブ42を、構成基板12のそれぞれの形成領域に対応して配設することも考えられる。
このような外壁部41を形成したら、その形成後に行う絶縁樹脂材31の充填工程において、当該外壁部41の開口部分から低粘度状態の絶縁樹脂材31を注入する。このとき、当該絶縁樹脂材31の充填領域の外周側は、外壁部41によって囲われている。したがって、開口部分から注入された低粘度状態の絶縁樹脂材31は、構成基板12とサポート板材21との隙間が狭くても、毛細管現象により、重力や上下左右に関係なく、充填領域の隅々まで浸透していくことになる。
このように、構成基板12とサポート板材21との間への絶縁樹脂材31の充填を行う際に、当該絶縁樹脂材31の充填領域を囲う外壁部41を利用すれば、充填領域の隅々まで絶縁樹脂材31が浸透するので、当該絶縁樹脂材31の充填を確実に行い得るようになる。
次に、以上のような製造方法によって製造されるCMOSイメージセンサの構成について、図2(e)を参照しながら説明する。
したがって、接合部材を介在させる構成のCMOSイメージセンサでは、サポート板材21の側への信号取り出しを行う場合であっても、当該サポート板材21へのヴィアホール22の形成および導電材23の充填の影響が、構成基板12の側に及んでしまうことがない。具体的には、ヴィアホール22の形成時や導電材23の充填時等といった加工処理時に生じ得る熱、汚染物、薬品等による悪影響が、構成基板12や当該構成基板12上に搭載される光学部品32に対して及んでしまうことがない。
また、本構成とは異なり、従来技術のように単にサポート板材を樹脂接着剤で張り合わせる製法では、その樹脂接着剤の耐熱性に、処理プロセスが規制されてしまう。ところが、本構成のように、接合部材を介在させた接合を行えば、サポート板材21の接合を含む処理プロセスにおける温度幅を、従来技術による場合に比べて高温側に広げることが可能になる。
その上、接合部材を介在させた接合箇所は、構成基板12およびサポート板材21の面内に点在している。そのため、接合部材や導電材23等の熱膨張係数と構成基板12やサポート板材21等の熱膨張係数とが相違していても、当該サポート板材21の接合後において、構成基板12の基材が大きく変形させることがない。
これらのことから、本構成のCMOSイメージセンサでは、接合部材を介在させて構成基板12とサポート板材21とを接合しているので、従来技術による場合に比べると理収、製造コスト、製造歩留まり、処理プロセスの選択の自由度、信頼性等が向上すると言える。
また、外壁部41に加えて個片固定性補強リブ42を配設した場合には、当該個片固定性補強リブ42によってダイシングでの機械的衝撃に耐え得るようになるので、センサ個片化のためのダイシング加工も問題なく行うことが可能になる。
例えば、本実施形態では、半導体装置としてCMOSイメージセンサを例に挙げて説明したが、いわゆる半導体プロセスを用いて製造される半導体装置であれば、CMOSイメージセンサ以外についても、全く同様に本発明を適用することが可能である。ただし、本実施形態で説明したように、CMOSイメージセンサについては、構成基板12上に熱等の影響を受け易いOCCFやOCL等の光学部品32が配設される。したがって、本発明を適用すれば、当該光学部品32に熱等の影響が及ぶのを排除し得るようになるので、製品の品質や信頼性、製造歩留まり等を高く確保する上で非常に有効である。
また、例えば、本実施形態で挙げた半導体装置の各構成要素の形成材料や形成寸法等は、本発明を実施するに際して行う具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならない。
このように、本発明は、本実施形態で説明した内容に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更することが可能である。
Claims (5)
- 一面に電極パッドが配された半導体装置の構成基板を形成する基板形成工程と、
前記構成基板を補強するためのサポート板材にヴィアホールを形成するとともに当該ヴィアホールに導電材を充填する板材形成工程と、
前記構成基板における前記電極パッドと前記サポート板材の前記ヴィアホールに充填された前記導電材が電気的に接続するように当該構成基板と当該サポート板材とを接合する接合工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記板材形成工程では、前記ヴィアホールを非貫通で形成し、
前記接合工程の後、前記サポート板材の側から当該サポート板材を薄板化して、非貫通の前記ヴィアホールに充填された前記導電材を露出させるヴィア露出工程を行う
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接合工程で接合された前記構成基板と前記サポート板材との隙間に絶縁樹脂材を充填する樹脂材充填工程を含むとともに、
前記樹脂材充填工程に先立ち、前記絶縁樹脂材の充填領域を囲う外壁部を形成する外壁形成工程を実行する
請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、前記構成基板上に光学部品を搭載して構成された撮像装置であり、
前記光学部品は、前記接合工程の後の工程で前記構成基板上に搭載される
請求項1、2または3記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の構成基板と、
前記構成基板の一面に配された電極パッドと、
前記構成基板を補強するためのサポート板材と、
前記サポート板材に形成されたヴィアホールと、
前記ヴィアホールに充填された導電材と、
前記電極パッドと前記導電材との間に介在して前記構成基板と前記サポート板材とを接合する接合部材と
を備える半導体装置。
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