JP2017204619A - モジュール、その製造方法および電子機器 - Google Patents

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Ichiro Kataoka
一郎 片岡
蜂巣　高弘
Takahiro Hachisu
高弘 蜂巣
小坂　忠志
Tadashi Kosaka
忠志 小坂
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Abstract

【課題】互いに接続された電子部品及び実装基板を備えるモジュールの信頼性を向上するのに有利な技術を提供する。【解決手段】モジュールは、第１電極を有する電子部品と、第２電極を有する実装基板と、前記第１電極と前記第２電極とを接続するはんだバンプと、前記電子部品と前記実装基板との間に空間を形成するように、前記第１電極および前記第２電極の双方と接触して前記はんだバンプを覆う熱可塑性の樹脂部材と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、モジュール、その製造方法および電子機器に関する。
モジュール（電子装置と称されてもよい。）のなかには、半導体デバイス等を含む電子部品がプリント基板等の実装基板に取り付けられて成るものがある。このようなモジュールでは、例えば、電子部品は底面側に第１電極を備えており、実装基板は上面側に第２電極を備えており、第１電極と第２電極とをはんだバンプによって電気的に互いに接続することにより電子部品と実装基板とが固定される。
特開２００３−１００９４８号公報
特許文献１には、電子部品と実装基板とがはんだバンプにより接続された構造が開示されている。電子部品と実装基板との間の空間において、はんだバンプの基部（電子部品側の一部、及び、実装基板側の一部のそれぞれ）の周辺には樹脂が配されている。ここで、特許文献１によると、該樹脂には熱硬化性樹脂が用いられる。そのため、特許文献１の構造によると、該樹脂の熱硬化時の収縮に起因して各部材に生じうる応力により、モジュールに変形やクラック等を生じさせる可能性があり、このことは、モジュールの信頼性の低下の原因となりうる。よって、このようなモジュールの信頼性の向上に有利な技術が求められる。
本発明の目的は、互いに接続された電子部品及び実装基板を備えるモジュールの信頼性を向上するのに有利な技術を提供することにある。
本発明の一つの側面はモジュールにかかり、前記モジュールは、第１電極を有する電子部品と、第２電極を有する実装基板と、前記第１電極と前記第２電極とを接続するはんだバンプと、前記電子部品と前記実装基板との間に空間を形成するように、前記第１電極および前記第２電極の双方と接触して前記はんだバンプを覆う熱可塑性の樹脂部材と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、互いに接続された電子部品及び実装基板を備えるモジュールの信頼性を向上するのに有利である。
電子部品及び実装基板を備えるモジュールの構造の一例を説明するための図である。 モジュールの製造方法の一例を説明するための図である。 カメラの構成の一例を説明するための図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものに過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係るモジュール１００の構成例を示している。モジュール１００は、電子部品２００と、実装基板３００と、はんだバンプ４００とを備えており、電子部品２００と実装基板３００とがはんだバンプ４００により接続されて成る。電子部品２００は、半導体チップ等がパッケージングされたデバイスであり、電子デバイス、半導体デバイス等と称されてもよい。実装基板３００は、電子部品２００を実装するための回路基板であり、プリント基板（プリント回路基板）を含みうる。モジュール１００は、電子装置と称されてもよい。
より具体的には、電子部品２００は、実装基板３００側の面（図中の底面）に第１電極２５０を有し、実装基板３００は、電子部品２００側の面（図中の上面）に第２電極３１０を有する。はんだバンプ４００は、第１電極２５０と第２電極３１０とを電気的に接続しており、これにより、電子部品２００と実装基板３００とを互いに接続し、固定している。電子部品２００と実装基板３００とは所定距離だけ離れて固定されている。
本実施形態では、電子部品２００はイメージセンサである（即ち、モジュール１００はカメラ用の撮像モジュールである。）。電子部品２００は、平面視（実装基板３００と向かい合う面に対する平面視。即ち、図中の方向Ｄ１での正射影。）において、撮像面を形成する撮像領域Ｒ１と、その周辺領域Ｒ２とを含む。第１電極２５０は、撮像領域Ｒ１および周辺領域Ｒ２のうちの周辺領域Ｒ２に配置されている。
本実施形態では、電子部品２００は、詳細は後述するが、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ‐ＣＳＰ（Ｗｅｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ））の構造を有する。具体的には、電子部品２００は、構造体２１０と、ガラス基板２２０と、接着部材２３０とを更に有する。構造体２１０は、半導体基板２１１および配線構造２１２を含み、それらのうちの半導体基板２１１が実装基板３００側に配されている。
半導体基板２１１は、例えばシリコン等で構成された基板である。半導体基板２１１は、撮像領域Ｒ１において、光電変換素子および該光電変換素子で生じた電荷に応じた信号を出力するためのトランジスタを各々が含む複数の画素（不図示）を有する。また、半導体基板２１１は、周辺領域Ｒ２において、該複数の画素から信号を読み出すための周辺回路（不図示）を更に有する。
配線構造２１２は、絶縁部材２１３と、導電部材２１４と、コンタクトプラグ２１５とを有する。絶縁部材２１３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）等の絶縁材料で構成され得、典型的には複数の絶縁層が積層されて成る。導電部材２１４は、絶縁部材２１３に内包され、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で構成されうる。コンタクトプラグ２１５は、例えばチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属で構成され得、半導体基板２１１上の素子と導電部材２１４とを電気的に接続する。ここでは配線層の数が１の単層配線構造を配線構造２１２として例示したが、配線構造２１２は配線層の数が２以上の多層配線構造でもよい。
構造体２１０は、第１電極２５０に接続された貫通電極２１６であって半導体基板２１１の底面（実装基板３００側の面）から配線構造２１２に内包された導電部材２１４まで半導体基板２１１を貫通するように延在する貫通電極２１６を更に有する。半導体基板２１１と貫通電極２１６とは、それらの間に配された絶縁膜（不図示）により電気的に分離される。なお、貫通電極は、シリコン貫通電極（ＴＳＶ（Ｔｈｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ））とも称されうる。
電子部品２００は、構造体２１０の底面側（実装基板３００側）に配された絶縁層２４０及び保護層２６０を更に有する。絶縁層２４０及び保護層２６０のそれぞれは、第１電極２５０が配された開口を有する。絶縁層２４０は、本実施形態では酸化シリコン等の絶縁材料で構成され得、半導体基板２１１の底面側において半導体基板２１１と第１電極２５０とを電気的に分離する。保護層２６０は、本実施形態では絶縁性の樹脂等で構成され得、電子部品２００の底面側を保護する。
ガラス基板２２０は、ガラス等の透光性材料で構成された板材である。ガラス基板２２０は、対向基板に相当し、構造体２１０に対して実装基板３００側とは反対側に配される。即ち、構造体２１０との関係では、ガラス基板２２０は光の入射側に配される。
接着部材２３０は、平面視において周辺領域Ｒ２と重なるように配され、構造体２１０とガラス基板２２０との間に第２の空間ＳＰ２を形成しながら構造体２１０とガラス基板２２０とを接着する。なお、構造体２１０では構造体２１０とガラス基板２２０とが所定の結合部材によって結合されていればよく、他の実施形態では、接着部材２３０の代わりに、例えば、接着性を有しない部材と接着シートとが併用されてもよい。
配線構造２１２の上面（空間ＳＰ２側の面）には、上述の複数の画素に対応する複数のマイクロレンズ（不図示）が形成されており、各マイクロレンズは入射光を集光して対応画素に導く。
はんだバンプ４００は、接着部材２３０同様に、平面視において周辺領域Ｒ２と重なる位置に配されている。この構造によると、熱膨張率の差等に起因して各部材間に生じうる応力のモジュール１００に対する影響が低減されうる。特に、電子部品２００のうち、はんだバンプ４００により実装基板３００に接続された部分およびその近傍で生じうる応力による影響が低減されうる。
ここで、モジュール１００は、はんだバンプ４００を覆う樹脂部材５００を更に備えている。樹脂部材５００は、電子部品２００と実装基板３００との間に空間ＳＰ１を形成しながらはんだバンプ４００を覆うように配されており、樹脂膜、被膜等と表現されてもよい。この構造によると、電子部品２００と実装基板３００との間（即ち、空間ＳＰ１）を接着用の樹脂等で充填した場合に比べて、各部材間に生じうる応力のモジュール１００に対する影響が低減されうる。
樹脂部材５００は、第１電極２５０および第２電極３１０の双方と接触して電子部品２００と実装基板３００とを互いに固定している。他の表現では、樹脂部材５００は、はんだバンプ４００を覆いながら第１電極２５０側から第２電極３１０側までそれらの双方に接触するように延在しており、はんだバンプ４００による電子部品２００と実装基板３００との固定を補強している。また、第２電極３１０は、空間ＳＰ１において露出しておらず、はんだバンプ４００と接触している部分以外の部分では樹脂部材５００により覆われている。これにより、第２電極３１０とはんだバンプ４００とは、より強固に固定される。
ここで、樹脂部材５００は、熱可塑性の樹脂で構成されている。これにより、電子部品２００と実装基板３００との適切な着脱を熱処理によって実現可能にしている。このことは、実装基板３００への電子部品２００の取り付け（実装）をやり直す場合や、実装基板３００に取り付けられた電子部品２００を他の電子部品と交換する場合に有利である。
樹脂部材５００は、そのガラス転移温度がはんだバンプ４００の融点よりも低くなるように構成されることが好ましい。これにより、詳細は後述とするが、加熱した場合にははんだバンプ４００の融解より先に樹脂部材５００が軟化し、電子部品２００を実装基板３００に取り付ける際に有利である。なお、ガラス転移温度は、一般に、樹脂等の鎖状高分子材料の温度を上昇／下降させたときにその剛性、粘度等の物性が急峻に変化する温度で説明され、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）等によって測定されればよい。
図１には、第１電極２５０および第２電極３１０をそれぞれ２つずつ図示したが、これらの電極の数量は３以上でもよい。即ち、電子部品２００は複数の第１電極２５０を有し得、実装基板３００は複数の第２電極３１０を有し得、及び、モジュール１００は複数のはんだバンプ４００を備えうる。そして、複数のはんだバンプ４００は、複数の第１電極２５０と複数の第２電極３１０とをそれぞれ接続する。この場合、樹脂部材５００は、電子部品２００と実装基板３００との間に空間ＳＰ１を形成しながら複数のはんだバンプ４００の個々を覆い、それに対応する第１電極２５０および第２電極３１０の双方と接触して電子部品２００と実装基板３００とを互いに固定する。このような構成により、はんだバンプ４００による電子部品２００と実装基板３００との固定が、より強固なものとなる。
複数の第１電極２５０の一部は、図１の紙面に対して垂直な方向において並んで配されうる（複数の第２電極３１０および複数のはんだバンプ４００についても同様である。）。ここで、互いに隣り合う２つのはんだバンプ４００をそれぞれ第１のバンプ４００１および第２のバンプ４００２としたとき、第１のバンプ４００１を覆う樹脂部材５００と、第２のバンプ４００２を覆う樹脂部材５００とは、互いに接触していなくてもよい。これにより、はんだバンプ４００の数量が大きくなった場合においても、各部材間に生じうる応力のモジュール１００に対する影響が低減されうる。
以上、本実施形態によると、樹脂部材５００は、電子部品２００と実装基板３００と接続するはんだバンプ４００の個々を、第１電極２５０および第２電極３１０の双方と接触して電子部品２００と実装基板３００とを互いに固定するように、覆っている。この構造によると、モジュール１００における各部材間に生じうる応力のモジュール１００に対する影響が低減されるため、モジュール１００の信頼性の向上に有利である。
上述の効果は、例えば半導体基板２１１の厚さが５０［μｍ］以上２００［μｍ］以下の範囲内において、好適に得られる。より好適には、半導体基板２１１の厚さを５０［μｍ］以上１００［μｍ］以下の範囲内とするとよい。半導体基板２１１の厚さが５０［μｍ］未満の範囲では、半導体基板２１１そのものの強度を確保することが難しくなり、また、該厚さが２００［μｍ］より大きい範囲では、半導体基板２１１そのものの強度が十分に高いため、上述の効果を享受しにくい。
また、本実施形態によると、樹脂部材５００は、熱可塑性の樹脂で構成されており、熱処理によって電子部品２００を実装基板３００から適切に取り外すことが可能である。また、熱可塑性の樹脂には、はんだバンプ４００、電極２５０及び３１０に対する接着性を有する材料が用いられればよい。例えば、熱可塑性の樹脂は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ノボラック樹脂およびフッ素樹脂のうちの少なくとも１つを含みうる。特に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびフッ素樹脂は、耐熱性が比較的高いため（例えば、はんだバンプ４００を加熱した際に変形ないし分解しにくいため）、好適に用いられうる。
また、はんだバンプ４００には、融点が１６０〜２３０［℃］程度の金属が用いられるとよい。例えば、はんだバンプ４００の材料は、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニッケル（Ｎｉ）若しくはコバルト（Ｃｏ）、又は、これらの一部若しくは全部の合金を含みうる。例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｎｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ系合金等が好適に用いられうる。
なお、本実施形態では、電子部品２００として、いわゆる表面照射型の固体撮像装置の構造を例示したが、他の実施形態では、半導体基板２１１と配線構造２１２との位置の関係は逆でもよい（いわゆる裏面照射型の場合についても同様である。）。また、本実施形態の構造は他の電子部品に適用されてもよく、即ち、他の実施形態では、ジャイロセンサ等の各種センサ、ＳＡＷ（表面弾性波）デバイス、その他のＭＥＭＳが電子部品２００として用いられてもよい。この場合、上述の撮像領域Ｒ１と周辺領域Ｒ２とは、それぞれ、電極が配されていない第１領域と電極が配された第２領域とに区別されてもよい。また、本実施形態ではＷＬ‐ＣＳＰの構造を例示したが、本実施形態の構造は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等、いわゆるバンプアレイを用いた実装方式の他のパッケージ構造にも適用可能である。
以下、図２（Ａ）〜２（Ｌ）を参照しながら、モジュール１００の製造方法の例を述べる。以下の各工程は、公知の半導体製造技術を用いて製造することが可能である。なお、以下では説明を容易にするため省略するが、各工程の間では、熱処理、洗浄処理等の処理が必要に応じて為されればよい。
図２（Ａ）の工程では、半導体基板２１１及び配線構造２１２を含む構造体２１０が形成されたウエハＷＦを準備する。図中において矢印Ｌで示された破線は、後のダイシング工程でのダイシング面に対応する。
図２（Ｂ）の工程では、構造体２１０とガラス基板２２０との間に空間ＳＰ２を形成するように、構造体２１０の上に接着部材２３０を介してガラス基板２２０を固定する。接着部材２３０には、例えば厚さ３０［μｍ］程度の感光性ドライフィルムが用いられうる。接着部材２３０は、例えば、ラミネート加工、フォトリソグラフィ法等を用いて、構造体２１０上の所望の領域に形成され、その後、その上にガラス基板２２０が圧着される。
図２（Ｃ）の工程では、半導体基板２１１の裏面側を研磨して半導体基板２１１を薄くし、その厚さを１００［μｍ］程度にする。研磨は、バックグラインド、化学機械研磨（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ））等によって為されればよい。
図２（Ｄ）の工程では、半導体基板２１１の裏面側に、導電部材２１４に電気的に接続された貫通電極２１６を形成する。この工程は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ））等によって半導体基板２１１の裏面側に貫通孔を形成した後、堆積法等によって該貫通孔に金属部材を形成することにより為されればよい。
図２（Ｅ）の工程では、貫通電極２１６が形成された半導体基板２１１の裏面側に絶縁層２４０を形成する。この工程は、化学気相成長（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））法によって為されればよい。本実施形態では、絶縁層２４０には酸化シリコンを用いた。
図２（Ｆ）の工程では、半導体基板２１１の裏面側に形成された絶縁層２４０に、貫通電極２１６が露出するように開口ＯＰ１を形成する。この工程は、ドライエッチング等によって為されればよい。
図２（Ｇ）の工程では、貫通電極２１６に電気的に接続された第１電極２５０を開口ＯＰ１に形成する。この工程は、例えば、絶縁層２４０及び開口ＯＰ１を覆うようにチタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等のシードメタルを形成し、その上に、銅（Ｃｕ）で構成された金属部材を形成した後、該シードメタル及び該金属部材をパターニングすることによって為されればよい。
図２（Ｈ）の工程では、絶縁層２４０の底面側に、第１電極２５０を露出させる開口ＯＰ２を有する保護膜２６０を形成する。この工程は、感光性および絶縁性を有する樹脂材料を絶縁層２４０の底面側に塗布した後、露光処理および現像処理を行うことによって為されればよい。
図２（Ｉ）の工程では、第１電極２５０の露出面にフラックスを塗布した後、開口ＯＰ２内の該露出面にボール状のはんだバンプ４０１を形成する。はんだバンプ４０１は、前述のはんだバンプ４００に対応し、後の工程において第２電極３１０と接続される。本実施形態では、はんだバンプ４０１には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金（融点２２０［℃］程度）を用いた。なお、平面視において、はんだバンプ４０１の直径は開口ＯＰ２の幅より小さい。
図２（Ｊ）の工程では、洗浄処理によりフラックスを除去した後に、はんだバンプ４０１の側面を覆いながら第１電極２５０に接触するように（開口ＯＰ２を埋めるように）、熱可塑性の樹脂部材５０１を形成する。即ち、樹脂部材５０１は、はんだバンプ４０１の頂部を露出するように形成される。樹脂部材５０１は、前述の樹脂部材５００に対応し、後の工程において第２電極３１０と接触する。本実施形態では、樹脂部材５０１には、アクリル樹脂（ガラス転移温度１００［℃］程度）を用いた。
図２（Ｋ）の工程では、以上のようにして得られたウエハＷＦを矢印Ｌに沿ったラインでダイシングする。このようにして、図１を参照しながら述べたＷＬ‐ＣＳＰ構造の電子部品２００を準備する。
図２（Ｌ）の工程では、実装基板３００を準備する。そして、実装基板３００の第２電極３１０に、はんだペーストを塗布した後、電子部品２００の第１電極２５０と実装基板３００の第２電極３１０との位置を合わせ、図中の矢印の方向に従って、実装基板３００の上に電子部品２００を載置する。
その後、はんだバンプ４０１が第１電極２５０と第２電極３１０との間に位置している状態で、熱処理（温度２３５［℃］以上（最高温度２４５［℃］）で時間３０［ｓｅｃ］程度のリフロー）を行う。これにより、はんだバンプ４０１を成形し、第２電極３１０に接続されたはんだバンプ４００を形成する。このとき、樹脂部材５０１は、加熱に伴って軟化し、実装基板３００側に広がって前述の樹脂部材５００に成形される。その結果、第２電極３１０は、はんだバンプ４００と接触している部分以外の部分では樹脂部材５００によって覆われる。特に、樹脂部材５０１（樹脂部材５００）のガラス転移温度がはんだバンプ４００の融点よりも低いことにより、はんだバンプ４００の融解よりも先に樹脂部材５０１が軟化するため、樹脂部材５０１は、第２電極３１０を適切に覆う樹脂部材５００に成形される。以上のようにして、図１を参照しながら述べたモジュール１００が製造される。
なお、樹脂部材５０１を、図２（Ｊ）の工程のように第１電極２５０側に形成するのではなく、第２電極３１０側に形成することも考えられる。しかしながら、この方法によると、上記熱処理によって軟化した樹脂部材５０１が第２電極３１０を覆ってしまい、第１電極２５０と第２電極３１０とのはんだバンプ４００による電気的接続が適切に実現されない可能性があることに留意されたい。
ここで、比較例として、樹脂部材５００（樹脂部材５０１）の材料に、熱可塑性の樹脂ではなく、熱硬化性の樹脂（ここではエポキシ樹脂）を用いたモジュール（区別のため、モジュール１００ｃとする。）を、上述の製造方法と同様の手順で製造した。即ち、比較例は、主に、図２（Ｊ）の工程において、はんだバンプ４０１の周囲に、エポキシ樹脂で構成された樹脂部材を形成した、という点で本実施形態と異なる。比較例のモジュール１００ｃによると、上記エポキシ樹脂の熱硬化時に生じうる収縮に起因する応力に伴う電子部品２００の変形が確認された。
これに対して本実施形態に係るモジュール１００では、樹脂部材５００（樹脂部材５０１）に熱可塑性の樹脂が用いられているため、熱硬化性の樹脂を用いた場合に比べて、熱硬化時の樹脂の収縮の影響が小さい。よって、本実施形態によると、各部材間に生じうる応力のモジュール１００に対する影響が小さく、モジュール１００の信頼性の向上に有利である。
また、前述のとおり、本実施形態によると、樹脂部材５００は熱可塑性の樹脂で構成されており、熱処理によって電子部品２００を実装基板３００から適切に取り外すことが可能である。よって、本実施形態によると、実装基板３００への電子部品２００の取り付け（実装）をやり直す場合や、実装基板３００に取り付けられた電子部品２００を他の電子部品と交換する場合にも有利である。
図３は、モジュール１００が適用された電子機器の一例であるカメラのシステム構成の例を説明するための図である。モジュール１００が備える電子部品２００は固体撮像装置（固体撮像装置１０とする。）であり、カメラは、固体撮像装置１０の他、例えば、処理部２０、ＣＰＵ３０、操作部４０および光学系５０を具備する。また、カメラは、静止画や動画を表示するための表示部６０、及び、それらのデータを記憶するためのメモリ７０を更に具備しうる。固体撮像装置１０は、光学系５０を通過した光に基づいてデジタル信号からなる画像データを生成する。該画像データは、処理部２０により所定の画像処理が為され、表示部６０やメモリ７０に出力される。また、操作部４０を介して入力された撮影条件が変更された場合には、ＣＰＵ３０により、各ユニットの設定情報が変更され得、又は、各ユニットの制御方法が変更されうる。なお、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。
以上では本発明の好適な態様およびその変形例を示したが、本発明は、これらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でその一部が変更されてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。
１００：モジュール、２００：電子部品、２５０：第１電極、３００：実装基板、３１０：第２電極、４００：はんだバンプ、５００：樹脂部材。

Claims (13)

  1. 第１電極を有する電子部品と、
    第２電極を有する実装基板と、
    前記第１電極と前記第２電極とを接続するはんだバンプと、
    前記電子部品と前記実装基板との間に空間を形成するように、前記第１電極および前記第２電極の双方と接触して前記はんだバンプを覆う熱可塑性の樹脂部材と、を備える
    ことを特徴とするモジュール。
  2. 前記樹脂部材のガラス転移温度は、前記はんだバンプの融点よりも低い
    ことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
  3. 前記第２電極は前記空間に露出していない
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のモジュール。
  4. 前記はんだバンプは、第１のはんだバンプであり、
    前記電子部品は、第３電極を更に有しており、
    前記実装基板は、第４電極を更に有しており、
    前記モジュールは、前記第３電極と前記第４電極とを接続する第２のはんだバンプを更に備えており、
    前記空間は、前記第１のはんだバンプと前記第２のはんだバンプとの間に位置する
    ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のモジュール。
  5. 前記樹脂部材は第１の樹脂部材であり、
    前記モジュールは、前記第３電極および前記第４電極の双方と接触して前記第２のはんだバンプを覆う熱可塑性の第２の樹脂部材を更に備え、
    前記第１の樹脂部材と、前記第２の樹脂部材とは、互いに接触していない
    ことを特徴とする請求項４に記載のモジュール。
  6. 前記電子部品は、イメージセンサであり、
    前記電子部品は、前記実装基板と向かい合う面に対する平面視において、撮像面を形成する撮像領域と、その周辺領域とを含んでおり、
    前記第１電極は、前記周辺領域に配置されている
    ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のモジュール。
  7. 前記電子部品は、
    半導体デバイスと、
    前記半導体デバイスに対向するように、前記半導体デバイスに対して前記実装基板の側とは反対側に配された対向基板と、
    前記半導体デバイスと前記対向基板との間に空間を形成するように前記半導体デバイスと前記対向基板とを結合する結合部材と、
    を有しており、
    前記結合部材は、前記平面視において前記第１電極と重なるように配されている
    ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 前記半導体デバイスは、前記第１電極に接続され、前記半導体デバイスの半導体基板を貫通する貫通電極を有する
    ことを特徴とする請求項７に記載のモジュール。
  9. 前記樹脂部材は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ノボラック樹脂およびフッ素樹脂のうちの少なくとも１つを含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のモジュール。
  10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のモジュールと、
    前記モジュールからの信号を処理する処理部と、を具備する
    ことを特徴とする電子機器。
  11. 第１電極を有する電子部品を準備する工程と、
    前記第１電極の上にはんだバンプを形成する工程と、
    熱可塑性の樹脂部材を、前記樹脂部材が前記第１電極に接触し且つ前記はんだバンプを露出させるように形成する工程と、
    第２電極を有する実装基板を準備する工程と、
    前記はんだバンプが前記第１電極と前記第２電極との間に位置している状態で該はんだバンプを加熱することにより、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する工程と、を含み、
    前記加熱において、前記樹脂部材は、前記電子部品と前記プリント基板との間に空間を形成するように、該はんだバンプを覆いながら前記第１電極および前記第２電極の双方と接触する
    ことを特徴とするモジュールの製造方法。
  12. 前記樹脂部材を形成する工程において、前記樹脂部材は前記はんだバンプを覆う
    ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
  13. 前記樹脂部材および前記はんだバンプを加熱して、前記電子部品を前記実装基板から取り外す工程を有する
    ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の製造方法。
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