JP2010102988A - めっき用低温硬化導電性ペースト、およびそれを使用した電気配線 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電粉(A)、塩ビ酢ビ樹脂(B)、ポリエステル樹脂および/またはポリウレタン樹脂(C)、活性メチレン化合物でブロックしたブロックイソシアネート(D)、および有機溶剤(E)を含有し、前記樹脂(C)のガラス転移温度が−50℃以上20℃以下であり、前記樹脂(C)の合計量が前記樹脂(B)100重量部に対して50〜400重量部であり、前記樹脂(B)、前記樹脂(C)成分、および前記ブロックイソシアネート(D)の合計量が前記導電粉(A)100重量部に対して10〜60重量部である、導電性ペースト。この導電性ペーストを絶縁性基材上に形成した電気配線。
【選択図】図5
Description
(1) 導電粉(A)、塩ビ酢ビ樹脂(B)、ポリエステル樹脂および/またはポリウレタン樹脂(C)、活性メチレン化合物でブロックしたブロックイソシアネート(D)、および有機溶剤(E)を含有し、
前記樹脂(C)のガラス転移温度が−50℃以上20℃以下であり、
前記樹脂(C)の合計量が前記樹脂(B)100重量部に対して50〜400重量部であり、
前記樹脂(B)、前記樹脂(C)成分、および前記ブロックイソシアネート(D)の合計量が前記導電粉(A)100重量部に対して10〜60重量部である、
導電性ペースト。
(2) 前記導電性ペースト中の溶解性固形分に80℃、30分間の熱処理を加えた際の溶解性固形分中のゲル分率が40%以上100%以下である(1)に記載の導電性ペースト。
(3) 前記樹脂(B)が、水酸基を含む成分を共重合したものである(1)または(2)に記載の導電性ペースト。
(4) 前記樹脂(B)の酸価が2mgKOH/g以下である(1)〜(3)のいずれかに記載の導電性ペースト。
(5) 導電粉(A)が樹枝状構造である(1)〜(4)のいずれかに記載の導電性ペースト。
(6) (1)〜(5)のいずれかに記載の導電性ペーストからなる塗膜を絶縁性基材上に形成した電気配線。
(7) (6)に記載の電気配線に、さらにめっきを施した電気配線。
(8) (6)または(7)に記載の電気配線を搭載した装置。
(9) (1)〜(5)のいずれかに記載の導電性ペーストを絶縁性基材に印刷および/または塗布し、次いで加熱することにより、絶縁性基材上に電気配線を形成する、電気配線の製造方法。
(1)被めっき物を脱脂液に浸漬して脱脂する。
(2)次に、洗浄水によって洗浄する。
(3)次に、本発明の導電性ペースト中に含まれる導電粉の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(4)次に、洗浄水によって洗浄する。
(5)次に、電解Cuめっき液に浸漬して,被めっき物の導電性ペースト層に電流を付加してCuを析出させる。
(6)次に、洗浄水によって洗浄する。
(7)次に、Cuめっき膜の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(8)次に、洗浄水によって洗浄する。
(9)次に、電解Niめっき液に浸漬してCuめっき層に電流を付加してNiを析出させる。
(10)次に、洗浄水によって洗浄する。
(11)次に、電解Auめっき液に浸漬してNiめっき層に電流を付加してAuを析出させる。
(12)次に洗浄水によって洗浄する。
また、図4に示した無電解めっき工程は、以下(1)乃至(16)の順に行なう。
(1)被めっき物を脱脂液に浸漬して脱脂する。
(2)次に、洗浄水によって洗浄する。
(3)次に、本発明の導電性ペースト中に含まれる導電粉の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(4)次に、洗浄水によって洗浄する。
(5)次に、触媒付与処理液に浸漬して,触媒を付与させる。
(6)次に、洗浄水によって洗浄する。
(7)次に、無電解Cuめっき液に浸漬して,Cuを析出させる。
(8)次に、洗浄水によって洗浄する。
(9)次に、触媒付与処理液に浸漬して,触媒を付与させる。
(10)次に、洗浄水によって洗浄する。
(11)次に、パターン外析出を防止するために,ポストアクチベーター処理液に浸漬してパターン外に付着した触媒を除去する。
(12)次に、洗浄水によって洗浄する。
(13)次に、無電解Niめっき液に浸漬して,Niを析出させる。
(14)次に、洗浄水によって洗浄する。
(15)次に、無電解Auめっき液に浸漬して,Auを析出させる。
(16)次に、洗浄水によって洗浄する。
樹脂を重クロロホルムに溶解し、ヴァリアン社製核磁気共鳴分析計(NMR)ジェミニ−200を用いて、1H−NMR分析を行い、その積分比より決定した。
試料0.10gをフェノール/テトラクロロエタン(重量比6/4)の混合溶媒25mlに溶かし、ウベローデ粘度管を用いて30℃で測定した。単位はdl/gで示す。
テトラヒドロフランを移動相とするウォーターズ社製ゲルろ過浸透クロマトグラフ(GPC)150cを用い、カラム温度30℃、流量1ml/分にてGPC測定を行った結果から計算して、ポリスチレン換算の測定値を得た。但し、カラムは昭和電工(株)shodex KF−802、804、806を用いた。
示差走査熱量計(DSC)を用いて、20℃/分の昇温速度で測定した。サンプルは試料5mgをアルミニウム押え蓋型容器に入れ、クリンプした。
試料0.2gを精秤して20mlのクロロホルムに溶解した。次いで、0.01Nの水酸化カリウム(エタノール溶液)で滴定して酸価を求めた。指示薬には、フェノールフタレイン溶液を用いた。
樹脂50gを2−ブタノン120gに溶解し、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート50gを加え、80℃で2時間反応させた。次いで、反応液中の残存イソシアネート基濃度を滴定により定量し、消費されたイソシアネートの量が前記樹脂に含有される水酸基量であるとして、水酸基価に換算した。
導電性ペーストの粘度は、ブルックフィールド粘度計HBDV型、回転速度20rpm、25℃で測定した。
導電性ペーストを、厚み100μmのアニール(150℃、2時間)処理PETフィルムからなる絶縁性基材に、乾燥後の膜厚が8〜15μmになるように、幅350mmで長さ450mmのパターン(耐熱性測定用、耐湿性測定用、耐熱衝撃性用)と25mm幅で長さ50mmのパターン(比抵抗測定用)をスクリーン印刷した。これを、ボックスオーブン80℃×30分の条件で乾燥したものをテストピースとした。
8.で作成したテストピースを自作電極に印刷面を電極側にして載せ、事務用クリップで圧着した。次に、銀ペーストの場合、4探針抵抗測定器(横河ヒューレットパッカード(株)製ミリオームメーター4328A型)と電極上部をワニ口クリップ及び銅線を用いて接続し、シート抵抗を測定した。別途、膜厚をデジタル膜厚計で測定し、これらより比抵抗を算出した。比抵抗は次式にて算出し、単位はΩ・cmで表した。
比抵抗(Ω・cm)=シート抵抗(Ω)×膜厚(cm)
8.で作成したテストピースを60℃で500時間熱風オーブン中で熱処理した後、導体の密着性、鉛筆硬度を評価した。
8.で作成したテストピースを60℃、相対湿度95%RHで500時間恒温恒湿器中で熱処理した後、導体の密着性、鉛筆硬度を評価した。
8.で作成したテストピースをヒートショック試験機を用いて−40℃と70℃の環境下にて、各1時間ずつ交互に放置して合計500時間放置後、導体の密着性、鉛筆硬度を評価した。
8.で作成したテストピースを、−40℃で500時間放置後、導体の密着性、鉛筆硬度を評価した。
8.で作成したテストピースを用い、JIS K−5600−5−6:1991に従って、碁盤目セロテープ(登録商標)剥離試験により評価した。但し、格子パターンの各方向のカット数は11個、カット間隔は1mmとした。100/100は剥離がなく密着性が良好なことを示し、0/100は全て剥離してしまったことを表す。
8.で作成したテストピースを厚さ2mmのSUS304板上に置き、JIS K 5600−5−4:1999に従って測定し、剥離の有無で判断した。
導電性ペースト中の溶解性固形分中のゲル分率を以下のようにして求めた。
ペーストをろ紙5種Aを用いてろ過し、ろ過液を用いてポリプロピレンフィルム上に塗膜形成し(乾燥厚8〜10μm)、80℃×30分処理後に剥離し、重量を測定した(重量W1とする)。これをトルエン/2−ブタノン=50/50重量部の溶液に溶解し、不溶分を分離し、重量を測定した(重量W2とする)。溶解性固形分中のゲル分率=W2/W1として計算した。
模擬電解めっき液としてpH1の硫酸水溶液を用い、8.で作成したテストピースを25℃で4時間ディッピングし、ペーストの密着性、鉛筆硬度が初期と変化ないかを測定し、変化の有無で判断した。
模擬無電解めっき液としてpH12.5の水酸化ナトリウム水溶液を用い、8.で作成したテストピースを70℃で2時間ディッピングし、ペーストの密着性、鉛筆硬度が初期と変化ないかを測定し、変化の有無で判断した。
8.で作成したテストピースに、電解めっきを施し、出来上がった回路について、14.の方法で密着性の測定を行い、剥離試験により評価した。同様にしてこの回路を10〜13の環境試験にさらしたものを、14.の方法で密着試験を行い評価した。
8.で作成したテストピースに、無電解めっきを施し、出来上がった回路について、14.の方法で密着性の測定を行い、剥離試験により評価した。同様にしてこの回路を10〜13の環境試験にさらしたものを、14.の方法で密着試験を行い評価した。
公知のポリエステル重合法において、テレフタル酸ジメチルエステル238重量部、イソフタル酸ジメチルエステル238重量部、無水トリメリット酸9.6重量部、エチレングリコール186重量部、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール208重量部、およびテトラブチルチタネ―ト0.17重量部を仕込み、180℃〜230℃で8時間エステル交換反応を実施し、次いでこの反応系を30分かけて5mmHgまで減圧し、この間250℃まで昇温した。さらに0.3mmHg、250℃で重縮合反応を30分間行った。得られたポリエステルの還元粘度は0.61dl/gであった。次にこの反応系に窒素ガスを導入し、ε―カプロラクトン399重量部を仕込み、反応系を均一にした後、220℃で2時間加熱し、共重合ポリエステルを得た。得られたポリエステル樹脂の組成は1H−NMR測定より、テレフタル酸/イソフタル酸/トリメリット酸//エチレングリコール/ネオペンチルグリコール//ε−カプロラクトン=49/49/2//55/45//140(モル比)であった。また、還元粘度1.2dl/g、数平均分子量30,000、酸価0.7mgKOH/g、ガラス転移点温度−18℃であった。ポリエステル樹脂Iの組成と物性を表1に示す。
合成例1と同様にポリエステル樹脂II〜Vを合成した。ポリエステル樹脂II〜Vの組成と物性を表1に示す。
温度計、攪拌機、リービッヒ冷却管を具備した反応容器に、テレフタル酸ジメチルエステル97重量部、イソフタル酸ジメチルエステル97重量部、及びエチレングリコール82重量部、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール92重量部を投入し、触媒としてテトラブトキシチタネート0.1重量部を添加した。常圧下240℃で約4時間反応させ、生成する水を溜去した。次いで245℃で約10分間減圧し、反応を終了した。得られたポリエステルジオール(a)の組成比(モル比)はテレフタル酸/イソフタル酸//エチレングリコール/2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール=50/50//43/57、水酸基価は62mgKOH/gであった。ポリエステルジオールaの組成と物性を表2に示す。
合成例1と同様にポリエステルジオールb、cを合成した。ポリエステルジオールb、cの組成と物性を表2に示す。
メチルエチルケトン(以下MEKと略す)133重量部、トルエン(以下TOLと略す)133重量部に、あらかじめ十分に乾燥したポリエステルポリオール(a)100重量部、ODX−688(脂肪族ポリエステルジオール、数平均分子量2000、大日本インキ化学工業製)150重量部と1,6−へキサンジオール5重量部を添加し、さらに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート75重量部、触媒としてジブチル錫ジラウリレートを0.1部加え、80℃で4時間反応させた。次いでMEK:504重量部で溶液を希釈してポリウレタン樹脂Iを得た。ポリウレタン樹脂Iの組成と物性を表3に示す。
合成例1と同様にポリウレタン樹脂II〜IVを合成した。ポリウレタン樹脂II〜IVの組成と物性を表3に示す。
ユニオンカーバイト製VAGH(塩ビ/酢ビ/ビニルアルコール共重合体、数平均分子量27,000、ガラス転移点温度79℃、酸価0mgKOH/g、水酸基価76KOHmg/g)をそのまま使用した。
日信化学工業製ソルバインTA0(塩ビ/酢ビ/ビニルアルコール共重合体、数平均分子量15,000、ガラス転移温度77℃、酸価0mgKOH/g、水酸基価97.5KOHmg/g)をそのまま使用した。
日信化学工業製ソルバインCN(塩ビ/酢ビ共重合体、数平均分子量42,000、ガラス転移温度75℃、酸価0mgKOH/g、水酸基価0mgKOH/g)をそのまま使用した。
マロン酸ジアルキルエステルでブロックしたヘキサメチレンジイソシアネート系ブロックジイソシアネート(旭化成ケミカルズ社製デュラネートK−6000、数平均分子量1300)をそのまま使用した。
マロン酸ジアルキルエステルでブロックしたヘキサメチレンジイソシアネート系ブロックジイソシアネート(旭化成ケミカルズ社製デュラネートMF−K60X、数平均分子量2000)をそのまま使用した。
オキシムでブロックしたヘキサメチレンジイソシアネート系ブロックジイソシアネート(旭化成ケミカルズ社製デュラネートMF−B60X)をそのまま使用した。
樹枝状銀粉(徳力化学研究所製、シルベストE−20、平均粒径9.4μm、タップ密度0.79g/cm3、比表面積1.7m2/g)をそのまま使用した。
フレーク状銀粉(福田金属箔粉工業製、シルコートAgC−A、平均粒径4.7μm、タップ密度3.2g/cm3、比表面積0.82m2/g)をそのまま使用した。
導電粉A(56.0重量部)、ポリエステル樹脂I(8.2重量部)、塩ビ酢ビ樹脂I(3.4重量部)、硬化剤I(4.5重量部)および有機溶剤をチルド三本ロール混練り機に3回通して分散した。得られた銀ペーストを上記8.に記述した方法で印刷、乾燥し、評価した。オーブン80℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱処理条件でも、比抵抗は4.0×10−4Ω・cm、密着性100/100、鉛筆硬度HBと良好な塗膜物性であった。また、めっき性も良好であった。環境負荷を与えた後(耐熱性、耐湿性、耐熱衝撃性、耐寒性)についても初期特性とほぼ同等の塗膜物性を示しており、良好であった。実施例1の配合、ペースト特性及び塗膜物性等を表4に示す。
実施例1と同様に実施例2〜9の銀ペーストを作成し、上記8.に記述した方法で印刷、乾燥し、評価した。実施例2〜9の配合、ペースト特性及び塗膜物性等を表4に示す。いずれの実施例もオーブン80℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱処理条件で良好な塗膜物性を得た。
実施例1と同様にして比較例1〜8の銀ペーストを作成し、上記8.に記述した方法で印刷、乾燥し、評価した。比較例1〜8の配合、ペースト特性及び塗膜物性等を表5に示す。比較例1は、塩ビ酢ビ樹脂を使用せず、硬化剤としてオキシムでブロックしたブロックイソシアネートを使用した例である。比較例2は、フレーク状銀粉を使用し、塩ビ酢ビ樹脂を使用せず、硬化剤としてオキシムでブロックしたブロックイソシアネートを使用した例である。比較例3は、フレーク状銀粉を使用し、硬化剤を使用していない例である。比較例4、5は、それぞれ高Tgポリエステル樹脂、高Tgポリウレタン樹脂を使用した例である。比較例6は、フレーク状銀粉を使用し、導電粉が極端に少ない例である。比較例1〜6においては、いずれの場合も、電解めっき後においては耐湿性に劣る塗膜となり、また無電解めっき後において良好な塗膜物性が得られなかった。比較例7は、実施例1において、硬化剤をオキシムでブロックしたブロックイソシアネートに変更した例であるが、電解めっき後、無電解めっき後ともに環境負荷試験後の密着性に劣る塗膜となった。比較例8は、塩ビ酢ビ樹脂を使用せず、高Tgポリエステル樹脂を使用し、硬化剤としてオキシムでブロックしたブロックイソシアネートを使用した例である。比較例8においても、電解めっき後においては耐湿性に劣る塗膜となり、また無電解めっき後において良好な塗膜物性が得られなかった。
ペーストの配合を表6に記載のように変更し、絶縁性基材を厚さ500μmのポリカーボネート/ABS樹脂基材に変更した以外は実施例1と同様にして、実施例10〜12を実施した。実施例10〜12においては、いずれの実施例もオーブン80℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱処理条件で良好な塗膜物性を得た。実施例10〜12の配合、ペースト特性及び塗膜物性等を表6に示す。
ペーストの配合を表6に記載のように変更し、絶縁性基材を厚さ500μmのポリカーボネート/ABS樹脂基材に変更した以外は実施例1と同様にして、比較例9〜11を実施した。比較例9〜11の配合、ペースト特性及び塗膜物性等を表6に示す。比較例9は、高Tgポリエステル樹脂を使用し、硬化剤を使用していない例である。比較例10は、高Tgポリエステル樹脂を使用した例である。比較例11は、高Tgポリウレタン樹脂を使用した例である。比較例9〜11においては、いずれの場合も、電解めっき後においては耐湿性に劣る塗膜となり、また無電解めっき後において良好な塗膜物性が得られなかった。
耐熱温度が低い樹脂としてPC/ABS樹脂を使用して成形した筐体に、本発明の導電性ペーストを図2に示すパッド印刷工程でアンテナパターンとして印刷し、80℃で30分間熱硬化して、その上に図3に示す電解めっき工程で図5に示すめっき構成の導電層を形成した。電解めっき工程は、以下(1)乃至(12)の順に行なう。
(1)被めっき物を脱脂液に浸漬して脱脂する。
(2)次に、洗浄水によって洗浄する。
(3)次に、本発明の導電性ペースト中に含まれる導電粉の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(4)次に、洗浄水によって洗浄する。
(5)次に、電解Cuめっき液に浸漬して,被めっき物の導電性ペースト層に電流を付加してCuを析出させる。
(6)次に、洗浄水によって洗浄する。
(7)次に、Cuめっき膜の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(8)次に、洗浄水によって洗浄する。
(9)次に、電解Niめっき液に浸漬してCuめっき層に電流を付加してNiを析出させる。
(10)次に、洗浄水によって洗浄する。
(11)次に、電解Auめっき液に浸漬してNiめっき層に電流を付加してAuを析出させる。
(12)次に洗浄水によって洗浄する。
耐熱温度が低い樹脂としてPC/ABS樹脂を使用して成形した筐体に、本発明の導電性ペーストを図2に示すパッド印刷工程でアンテナパターンとして印刷し、80℃で30分間熱硬化して、その上に図4に示す無電解めっき工程で図5に示すめっき構成の導電層を形成した。無電解めっき工程は、以下(1)乃至(16)の順に行なう。
(1)被めっき物を脱脂液に浸漬して脱脂する。
(2)次に、洗浄水によって洗浄する。
(3)次に、本発明の導電性ペースト中に含まれる導電粉の酸化膜を除去するために酸活性処理液に浸漬する。
(4)次に、洗浄水によって洗浄する。
(5)次に、触媒付与処理液に浸漬して,触媒を付与させる。
(6)次に、洗浄水によって洗浄する。
(7)次に、無電解Cuめっき液に浸漬して,Cuを析出させる。
(8)次に、洗浄水によって洗浄する。
(9)次に、触媒付与処理液に浸漬して,触媒を付与させる。
(10)次に、洗浄水によって洗浄する。
(11)次に、パターン外析出を防止するために,ポストアクチベーター処理液に浸漬してパターン外に付着した触媒を除去する。
(12)次に、洗浄水によって洗浄する。
(13)次に、無電解Niめっき液に浸漬して,Niを析出させる。
(14)次に、洗浄水によって洗浄する。
(15)次に、無電解Auめっき液に浸漬して,Auを析出させる。
(16)次に、洗浄水によって洗浄する。
Claims (9)
- 導電粉(A)、塩ビ酢ビ樹脂(B)、ポリエステル樹脂および/またはポリウレタン樹脂(C)、活性メチレン化合物でブロックしたブロックイソシアネート(D)、および有機溶剤(E)を含有し、
前記樹脂(C)のガラス転移温度が−50℃以上20℃以下であり、
前記樹脂(C)の合計量が前記樹脂(B)100重量部に対して50〜400重量部であり、
前記樹脂(B)、前記樹脂(C)成分、および前記ブロックイソシアネート(D)の合計量が前記導電粉(A)100重量部に対して10〜60重量部である、
導電性ペースト。 - 前記導電性ペースト中の溶解性固形分に80℃、30分間の熱処理を加えた際の溶解性固形分中のゲル分率が40%以上100%以下である請求項1記載の導電性ペースト。
- 前記樹脂(B)が、水酸基を含む成分を共重合したものである請求項1または2に記載の導電性ペースト。
- 前記樹脂(B)の酸価が2mgKOH/g以下である請求項1〜3のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 導電粉(A)が樹枝状構造である請求項1〜4のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の導電性ペーストからなる塗膜を絶縁性基材上に形成した電気配線。
- 請求項6に記載の電気配線に、さらにめっきを施した電気配線。
- 請求項6または7に記載の電気配線を搭載した装置。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の導電性ペーストを絶縁性基材に印刷および/または塗布し、次いで加熱することにより、絶縁性基材上に電気配線を形成する、電気配線の製造方法。
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