JP2010040116A - 回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ロードビームと、それに設置される回路付サスペンションと、それに搭載されるスライダとの正確な位置決めを実現することのできる回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２９の上に形成されたベース絶縁層３０の上に、導体パターン３８と、回路付サスペンション基板１をロードビーム２に設置するための位置決め基準となる、第１基準孔２２および第２基準孔２３を含む基準部１７とを、導体層３２から、１枚のフォトマスクを用いるフォト加工によって、同時に形成し、金属支持基板２９に、基板孔４７を、第１基準孔２２および第２基準孔２３を含むように形成し、ベース絶縁層３０に、ベース孔４８を、第１基準孔２２および第２基準孔２３を含むように形成することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【選択図】図３

Description

本発明は、回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法、詳しくは、ハードディスクドライブに好適に用いられる回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法に関する。

従来より、ハードディスクドライブでは、スライダが搭載される回路付サスペンション基板が、ロードビームに設置されている。また、スライダに実装される磁気ヘッドは、磁気ディスクに対して、微小な間隔を隔てながら相対的に走行する。そして、磁気ヘッドの安定した走行を確保するため、ロードビームと、それに設置される回路付サスペンション基板と、さらには、回路付サスペンション基板に搭載されるスライダとの相互の正確な位置決めが必要とされる。

例えば、長手方向に延びるフレキシャと、その上に形成され、導電層およびパッド（電極）を有する配線部とを備えるサスペンションにおいて、フレキシャに形成される第１および第２の位置決め孔に、第１および第２の位置決めピンをそれぞれ挿入することにより、フレキシャを、ロードビームに対して位置決めすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００８−５２７７９号公報

しかし、特許文献１のサスペンションでは、上記した位置決め孔が、パッドの配置とは関係なくフレキシャに形成されている。そのため、パッドに接続される磁気ヘッドと、ロードビームとの相対配置に関する位置精度には、フレキシャに位置決め孔を形成するときの公差と、フレキシャにパッドを形成するときの公差との、２つの公差が含まれる。その結果、磁気ヘッドとロードビームとを精度よく位置決めするには、限界がある。

本発明の目的は、ロードビームと、それに設置される回路付サスペンションと、それに搭載されるスライダとの正確な位置決めを実現することのできる回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に積層される導体層と、前記金属支持基板および前記導体層との間に介在される介在層とを備える回路付サスペンション基板において、前記導体層は、導体パターンと、回路付サスペンション基板をロードビームに設置するための位置決め基準となる基準部とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記基準部は、前記導体層を厚み方向に貫通する基準孔を含むことが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記介在層には、前記介在層を厚み方向に貫通する介在孔が形成され、前記介在孔は、厚み方向に投影したときに、前記基準孔と同一位置に形成されるか、または前記基準孔を含んでおり、前記金属支持基板には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する基板孔が形成され、前記基板孔は、厚み方向に投影したときに、前記基準孔を含んでいることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、金属支持基板の上に形成された介在層の上に、導体パターンと、回路付サスペンション基板をロードビームに設置するための位置決め基準となる基準部とを、導体層から形成する工程を備え、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程では、前記導体パターンと前記基準部とを同時に形成することが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記介在層は、絶縁層であって、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程は、前記絶縁層および前記絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に種膜を形成する工程と、前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記基準部と逆パターンのめっきレジストを形成する工程と、前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体パターンと前記基準部とを積層する工程と、前記めっきレジストを除去する工程と、前記前記導体パターンおよび前記基準部から露出する前記種膜を除去する工程とを備えていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記介在層は、絶縁層であって、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程は、前記絶縁層の上に積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記基準部と同一パターンのエッチングレジストを形成する工程と、前記エッチングレジストから露出する前記導体層をエッチングすることにより、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程と、前記エッチングレジストを除去する工程とを備えていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程において、１枚のフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光することが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記基準部は、前記導体層を厚み方向に貫通する基準孔を含んでおり、前記介在層に、前記介在層を厚み方向に貫通する介在孔を、厚み方向に投影したときに、前記基準孔と同一位置に、または、前記基準孔を含むように形成する工程と、前記金属支持基板に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する基板孔を、厚み方向に投影したときに、前記基準孔を含むように形成する工程とを備えることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の位置決め方法は、上記した回路付サスペンション基板を、前記基準部を位置決め基準として用いて前記ロードビームに位置決めすることを特徴としている。

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法により得られる、本発明の回路付サスペンション基板では、基準部は、導体パターンとともに導体層から同一層として形成されている。
そのため、回路付サスペンション基板をロードビームに設置するための位置決めの基準となる基準部と、スライダに接続される導体パターンとは、優れた精度で相対配置される。

そして、本発明の回路付サスペンション基板の位置決め方法において、本発明の回路付サスペンション基板を、基準部を位置決め基準としてロードビームに位置決めするとともに、スライダを導体パターンに接続すれば、ロードビームと、回路付サスペンション基板と、スライダとを、優れた位置精度で相互に相対配置させることができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の一部切欠平面図であり、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の基準部の拡大平面図であり、図３は、図２に示す第１基準部のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図４〜図６は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であり、図７は、回路付サスペンション基板を後述するロードビームに設置する方法を説明するための側面図である。

なお、図１および図２において、後述する導体パターン３８および基準部１７の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３０、種膜３１、カバー絶縁層３３および補強層３４は省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ロードビーム２（図７参照）に設置されてハードディスク（図示しない）に実装される。また、この回路付サスペンション基板１には、磁気ヘッド４（図７参照）が実装されたスライダ３（図７参照）が搭載される。

回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平面視略平帯状に形成されている。金属支持基板２９（後述）が、この回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
回路付サスペンション基板１は、本体部７と、本体部７の先端側（長手方向一端側）に形成される延出部８と、本体部７および延出部８との間に形成される除去部９とを一体的に備えている。

本体部７は、長手方向に延びる平面視略平帯状に形成されている。
延出部８は、先端側に本体部７と間隔を隔てて形成され、その幅（長手方向に直交する幅方向長さ）が、本体部７の先端部の幅よりやや広い、平面視略矩形状に形成されている。
除去部９は、本体部７の先端および延出部８の後端の間を架設するように、それらの間に介在されている。また、除去部９は、その幅が、本体部７の先端部および延出部８の後端部の幅よりも狭い、平面視略矩形状に形成されている。これによって、回路付サスペンション基板１のロードビーム２への設置後に、本体部７と延出部８とを分離するための、除去部９の除去が容易となる。

また、この回路付サスペンション基板１には、磁気ヘッド４（図７参照）とリード・ライト基板などの外部基板（図示せず）とを接続するための導体パターン３８が形成されている。
導体パターン３８は、本体部７に形成されており、磁気ヘッド４の端子（図示せず）に接続するためのヘッド側端子１０と、リード・ライト基板などの外部基板の端子（図示せず）に接続するための外部側端子１１と、ヘッド側端子１０および外部側端子１１を接続するための複数の配線５とを一体的に備えている。

ヘッド側端子１０は、本体部７の先端部に配置され、各配線５の先端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。
また、ヘッド側端子１０が設けられる本体部７の先端部は、ジンバル１３とされている。なお、ジンバル１３には、ヘッド側端子１０を長手方向に挟むスリット１４が形成されている。

スリット１４は、平面視略Ｕ字形状に形成され、それらの開口側が対向するように、ヘッド側端子１０を先後方向に挟んで配置されている。
外部側端子１１は、本体部７の後端部に配置され、各配線５の後端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。
配線５は、本体部７の長手方向に沿って複数（例えば、４本）設けられ、本体部７の幅方向において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。詳しくは、配線５は、第１配線５ａ、第２配線５ｂ、第３配線５ｃおよび第４配線５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次並列配置されている。

より具体的には、第１配線５ａおよび第２配線５ｂ（第１の１対の配線５ｅ）は、幅方向一方側に配置され、第３配線５ｃおよび第４配線５ｄ（第２の１対の配線５ｆ）は、幅方向他方側に配置されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板２９と、金属支持基板２９の上に形成される介在層としての絶縁層であるベース絶縁層３０と、ベース絶縁層３０の上に形成される導体パターン３８と、ベース絶縁層３０の上に、導体パターン３８を被覆するように形成されるカバー絶縁層３３を備えている。

金属支持基板２９は、金属箔や金属薄板から形成されており、上記したように回路付サスペンション１の外形形状をなすように形成されている。
ベース絶縁層３０は、本体部７および延出部８における金属支持基板２９の表面のほぼ全面に形成されている。
導体パターン３８は、図１に示すように、ヘッド側端子１０、外部側端子１１および配線５からなる配線回路パターンとして、導体層３２（後述）から形成されている。

カバー絶縁層３３は、図３に示すように、本体部７において、ベース絶縁層３０の表面に形成されている。また、カバー絶縁層３３は、配線５を被覆し、かつ、ヘッド側端子１０および外部側端子１１を露出するパターンとして形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１には、図１に示すように、回路付サスペンション１をロードビーム２に設置するための位置決め基準となる基準部１７が設けられている。

基準部１７は、第１基準部１８および第２基準部１９を備え、導体層３２（後述）から形成されている。
第１基準部１８は、本体部７の長手方向中央および幅方向中央に形成され、ヘッド側端子１０と外部側端子１１との間であって、第１の１対の配線５ｅ（第２配線５ｂ）と第２の１対の配線５ｆ（第３配線５ｃ）との間に、それらと間隔を隔てて配置されている。

第１基準部１８は、図２に示すように、平面視略円環形状に形成されている。詳しくは、第１基準部１８は、平面視において、径方向長さが周方向にわたって略同一の円形枠形状に形成されている。
また、第１基準部１８は、その内周面で、第１基準部１８を厚み方向に貫通する基準孔としての第１基準孔２２を区画している。

また、第１基準部１８の下に形成されるベース絶縁層３０には、図３に示すように、第１基準孔２２より大径の介在孔としてのベース孔４８が形成されている。
ベース孔４８は、第１基準孔２２と厚み方向に連通しており、第１基準孔２２とほぼ同軸の、平面視略円形状に形成されている。
また、ベース孔４８は、ベース絶縁層３０の上側半分部分に形成され、第１基準孔２２よりも大径の上部孔５０と、ベース絶縁層３０の下側半分部分に形成され、上部孔５０よりも大径の下部孔４９とから形成されている。これによって、ベース絶縁層３０には、底面視において、下部孔４９の周面から、上部孔５０の周面に向かって張り出す張出部２６が、略円環形状に形成されている。

第１基準部１８は、具体的には、張出部２６の上面に配置されている外周部２５と、張出部２６の内周面から内側へ突出する内周部２４とを一体的に備えており、内周部２４が、外周部２５に対して、下方へ１段下がるように配置されている。
また、ベース孔４８の下に形成される金属支持基板２９には、下部孔４９と同軸同径の基板孔４７が形成されている。

基板孔４７は、ベース孔４８と厚み方向に連通している。また、基板孔４７は、底面視（厚み方向に投影した場合）において、第１基準孔２２を含んでいる。
なお、第１基準部１８には、種膜３１および補強層３４が形成されている。
種膜３１は、外周部２５において、第１基準部１８とベース絶縁層３０とが対向している部分では、それらの間に介在されている。また、種膜３１は、内周部２４において、第１基準部１８の下面に形成されている。

補強層３４は、第１基準部１８の表面および種膜３１の表面（外周部２５の種膜３１の表面を除く。）に形成されている。
第２基準部１９は、図１および図２に示すように、延出部８の長手方向中央および幅方向中央に形成されている。
第２基準部１９は、長手方向にやや長い平面視略環形状に形成されている。詳しくは、第２基準部１９は、平面視において、幅方向長さが長手方向にわたって略同一の長孔枠形状に形成されている。

また、第２基準部１９は、その内周面で、第２基準部１９を厚み方向に貫通する基準孔としての第２基準孔２３を区画している。
また、第２基準部１９の下には、図３に示すように、第１基準部１８の下のベース孔４８および基板孔４７と同様に、ベース絶縁層３０が開口されるベース孔４８と、金属支持基板２９が開口される基板孔４７とが形成されている。また、第２基準部１９には、種膜３１および補強層３４が、第１基準部１８と同様にして形成されている。

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図４〜図６を参照して、説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板２９を用意する。
金属支持基板２９を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２９の厚みは、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。

次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３０を、金属支持基板２９の上に形成する。ベース絶縁層３０は、ベース凹部１６を有するパターンで形成する。ベース凹部１６は、張出部２６となる部分より内側に区画される。
ベース絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

例えば、感光性ポリイミドを用いて、ベース絶縁層３０を形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、金属支持基板２９の表面に均一に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、このベース皮膜を、図示しない階調露光フォトマスクを介して露光する。階調露光フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分をパターンで備えており、ベース絶縁層３０（ベース凹部１６を形成する部分を除く。）を形成する部分には光全透過部分を、ベース凹部１６を形成する部分には光半透過部分を、ベース絶縁層３０を形成しない部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置する。その後、ベース皮膜を現像し、必要により硬化させることにより、ベース凹部１６を有するベース絶縁層３０を形成する。また、ベース絶縁層３０を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を金属支持基板２９の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化後、エッチングなどによりベース凹部１６を形成することもできる。

ベース絶縁層３０の厚みは、ベース凹部１６で、例えば、１〜８μｍ、好ましくは、１〜４μｍであり、その他の部分で、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、ベース凹部１６の寸法は、その最大内径が、例えば、８０〜３５００μｍ、好ましくは、１００〜２５００μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、種膜３１と、導体パターン３８および基準部１７（第１基準部１８および第２基準部１９）とを、アディティブ法により順次形成する。

種膜３１は、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３０およびベース絶縁層３０から露出する金属支持基板２９の上に形成する。
種膜３１を形成する材料としては、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などの金属材料が用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。また、種膜３１は、複数の層から形成することもできる。

種膜３１は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成される。好ましくは、スパッタリングにより形成される。
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングが用いられ、これによりクロム薄膜を積層する。

種膜３１の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
次いで、図４（ｄ）に示すように、種膜３１の上にフォトレジスト４２を積層する。
フォトレジスト４２は、例えば、ドライフィルムレジストを、種膜３１の表面に積層する。

次いで、図５（ｅ）に示すように、フォトレジスト４２を、フォトマスク４３を介して露光し、その後、図５（ｆ）に示すように、現像することにより、導体パターン３８および基準部１７の逆パターンでめっきレジスト４４を形成する。
フォトマスク４３には、図５（ｅ）に示すように、導体パターン３８を形成するためのパターンと、基準部１７を形成するためのパターンとが、１枚のフォトマスクに一体的に形成されている。具体的には、フォトマスク４３は、光を透過しない遮光部分４６と、光を透過する光透過部分４５とを上記パターンで備えており、ネガ画像でパターンニングする場合には、導体パターン３８および基準部１７を形成する部分には、遮光部分４６が対向し、導体パターン３８および基準部１７を形成しない部分には、光透過部分４５が対向するように、フォトマスク４３を配置して、露光する。

その後、図５（ｆ）に示すように、遮光部分４６が対向していた未露光部分、すなわち、導体パターン３８および基準部１７を形成する部分を、現像により除去する。現像は、例えば、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。
これによって、めっきレジスト４２が、種膜３１の表面に、導体パターン３８および基準部１７の逆パターンで形成される。

なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち導体パターン３８および基準部１７を形成する部分に、フォトマスク４３の光透過部分４５を対向させて露光した後、現像する。
次いで、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト４４から露出する種膜３１の上に、導体層３２を積層する。

導体層３２を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金（例えば、銅合金）などの金属が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。
導体層３２は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、積層する。
導体層３２の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。

次いで、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト４４を、例えば、エッチング、剥離などによって、除去し、続いて、導体層３２から露出する種膜３１を、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
これにより、導体層３２からなる、導体パターン３８および基準部１７が同時に形成される。

基準部１７（第１基準部１８および第２基準部１９）の最大内径（基準孔（第１基準孔２２および第２基準孔２３）の最大内径）は、後述するピン（第１ピン２７および第２ピン２８）の外径より、例えば、１〜２０μｍ大きく形成され、具体的には、例えば、５０〜３０００μｍ、好ましくは、１００〜２０００μｍである。また、基準部１７（第１基準部１８および第２基準部１９）の最大外径は、例えば、８０〜５０００μｍ、好ましくは、１５０〜２６００μｍである。

また、各配線５の幅は、例えば、１０〜１５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。各配線５間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１５０μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｉ）に示すように、カバー絶縁層３３を、ベース絶縁層３０の上に上記したパターンで形成する。

カバー絶縁層３３を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３０の絶縁材料と同様のものが用いられる。
例えば、感光性ポリイミドを用いて、カバー絶縁層３３を形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、導体パターン３８および基準部１７を含むベース絶縁層３０の表面に均一に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥してカバー皮膜を形成する。次いで、このカバー皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光した後、現像し、次いで、これを、例えば、３００℃以上で加熱して硬化（イミド化）することにより、カバー絶縁層３３を上記したパターンで形成する。

カバー絶縁層３３の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。
次いで、図６（ｊ）に示すように、金属支持基板２９を開口して基板孔４７およびスリット１４を形成する。金属支持基板２９を開口するには、例えば、化学エッチングなどのウエットエッチングが用いられる。ウエットエッチングに用いられるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液などの公知のエッチング液が用いられる。また、ウエットエッチングでは、金属支持基板２９において基板孔４７およびスリット１４に対応する部分以外を、エッチングレジストで被覆した後、金属支持基板２９をエッチングする。

基板孔４７の内径は、例えば、８０〜４０００μｍ、好ましくは、１４０〜２６００μｍである。
次いで、図６（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３０を開口して、ベース孔４８を形成する。ベース絶縁層３０を開口するには、例えば、金属支持基板２９をエッチングレジスト（マスク）として用いるプラズマエッチングなどのドライエッチングなどが用いられる。ベース絶縁層３０の開口では、基板孔４７と底面視において同一位置におけるベース絶縁層３０の厚み方向下側半分部分を、ベース凹部１６が除去されるまで、エッチングする。

これにより、下部孔４９および上部孔５０からなるベース孔４８を形成することができる。
また、張出部２６の長さ（上部孔５０の周面と下部孔４９の周面との間隔）Ｌ１は、図３が参照されるように、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
また、張出部２６から突出する内周部２４の長さ（第１基準孔２２の周面と、上部孔５０の周面との間隔）Ｌ２は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。また、第１基準孔２２の周面と、基板孔４７の周面との間隔Ｌ３は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍである。

次いで、この方法では、図６（ｌ）に示すように、補強層３４を、種膜３１および基準部１７の表面に形成する。補強層３４は、例えば、ニッケル、金などの金属材料、例えば、ベース絶縁層３０と同様の絶縁材料などから形成される。
補強層３４は、金属材料から形成される場合には、例えば、電解めっきまたは無電解めっきなどにより形成する。また、補強層３４は、絶縁材料から形成される場合には、例えば、電着などにより形成する。電着であれば、均一な厚みの補強層３４を形成することができる。

このようにして形成される補強層３４の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜０．５μｍである。
その後、エッチングなどにより外形加工することにより、本体部７、延出部８および除去部９を備える回路付サスペンション１を得る。
次に、得られた回路付サスペンション基板１を、基準部１７を位置決め基準として用いてロードビーム２に位置決めするとともに、スライダ３を導体パターン３８に接続する方法について、図７を参照して説明する。

ロードビーム２は、先後方向に延びる略平板形状に形成されており、その先後方向途中には、厚み方向を貫通する第１貫通孔４０が形成され、その先側には、厚み方向を貫通する第２貫通孔４１が形成されている。
そして、第１貫通孔４０に第１ピン２７が挿入され、第２貫通孔４１に第２ピン２８が挿入されたロードビーム２において、第１ピン２７を、回路付サスペンション基板１の第１基準孔２２に挿入するとともに、第２ピン２８を、第２基準孔２３に挿入する。

このとき、第２基準孔２３が長手方向にやや長い長孔として形成されていることから、延出部８は、第２ピン２８に対して幅方向の移動が規制される一方で、第２ピン２８に対して第２基準孔２３に対応して長手方向に遊動できる。
一方、第１基準孔２２が円孔として形成されていることから、本体部７は、第１ピン２７に対して長手方向および幅方向の移動が規制される。そして、延出部８が本体部７と一体的に形成されていることから、延出部８も、第１ピン２７に対して長手方向の移動が規制される。

これにより、延出部８のロードビーム２に対する幅方向および長手方向の位置決めと、本体部７のロードビーム２に対する幅方向および長手方向の位置決めが同時にされる。
また、回路付サスペンション基板１のジンバル１３にスライダ３を搭載する。スライダ３には、磁気ヘッド４が実装されており、磁気ヘッド４の端子に、ヘッド側端子１０（図１参照）を接続する。

その後、除去部９を、切断などによって除去することにより、本体部７と延出部８とを分離して、延出部８を除去する。その後、スライダ３、回路付サスペンション基板１およびロードビーム２をハードディスクドライブに実装する。
そして、この回路付サスペンション基板１では、基準部１７は、導体パターン３８とともに導体層３２から同時に同一層として形成されている。

そのため、回路付サスペンション基板１をロードビーム２に設置するための位置決めの基準となる基準部１７と、スライダ３に接続される導体パターン３８（ヘッド側端子１０）とは、優れた精度で相対配置されている。
とりわけ、上記の方法では、導体パターン３８（ヘッド側端子１０）を形成するためのパターンと、基準部１７を形成するためのパターンとが一体的に形成されている１枚のフォトマスク４３（図５（ｅ）参照）を用いて、１回の露光によりめっきレジスト４４をパターンで形成して、その後、基準部１７と導体パターン３８とをめっきレジスト４４のパターンに従って同時に形成している。そのため、ヘッド側端子１０と基準部１７とを精密に相対配置させることができる。

そのため、上記した回路付サスペンション基板１の位置決め方法によれば、回路付サスペンション基板１を、基準部１７の第１基準孔２２および第２基準孔２３を位置決め基準としてロードビーム２に位置決めするとともに、スライダ３の磁気ヘッド４の端子をヘッド側端子１０に接続することにより、ロードビーム２と、回路付サスペンション基板１と、磁気ヘッド４とを、優れた位置精度で相互に相対配置させることができる。

また、この回路付サスペンション１の基準部１７には、基準部１７を貫通する第１基準孔２２および第２基準孔２３がそれぞれ形成されているので、第１ピン２７および第２ピン２８をこれらに挿入するのみで、容易に位置決めすることができる。
さらにまた、ベース孔４８および基板孔４７が、第１基準孔２２および第２基準孔２３より大径にそれぞれ形成されているため、第１ピン２７および第２ピン２８の挿入では、それらの外周面が、ベース孔４８や基板孔４７の内周面に当接することなく、第１基準孔２２および第２基準孔２３の内周面のみと当接することができる。そのため、第１ピン２７および第２ピン２８の第１基準孔２２および第２基準孔２３への挿入によって、回路付サスペンション基板１をより一層正確に位置決めすることができる。

また、上記した方法では、ベース絶縁層３０にベース凹部１６を形成し、その後のベース孔４８の形成において、ベース凹部１６、つまり、ベース絶縁層３０の厚み方向下側部分のみをエッチングすればよいので、エッチング時間を短縮でき、生産性を向上させることができる。
図８は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の第１基準部における幅方向に沿う断面図であり、図９〜図１１は、図８に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図である。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上記した説明では、ベース絶縁層３０に、ベース凹部１６を形成したが、例えば、図８〜図１１に示すように、ベース絶縁層３０を、ベース凹部１６を形成することなく平坦状に形成することもできる。
図８において、第１基準部１８は、同一厚みの平面視略円環形状に形成されている。また、第１基準部１８の外周部２５は、ベース絶縁層３０におけるベース孔４８の内周端部の上面に配置され、第１基準部１８の内周部２４は、ベース絶縁層３０におけるベース孔４８の内周端部から内側に突出するように配置されている。

また、ベース孔４８は、第１基準孔２２より大径に形成され、また、基板孔４７と同径に形成されている。また、ベース孔４８の周面は、基板孔４７の周面と厚み方向において面一に形成されている。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図９〜図１１を参照して、説明する。

まず、図９（ａ）に示すように、金属支持基板２９、ベース絶縁層３０および導体層３２が順次積層された３層基材３５を用意する。
より具体的には、３層基材３５は、金属支持基板２９の上にベース絶縁層３０が積層され、ベース絶縁層３０の上に導体層３２が形成されている。金属支持基板２９を形成する金属材料と、ベース絶縁層３０を形成する絶縁材料と、導体層３２を形成する導体材料とは、上記と同様である。また、金属支持基板２９、ベース絶縁層３０および導体層３２の厚みも、上記と同様である。

次いで、図９（ｂ）〜図１０（ｆ）に示すように、導体パターン３８および基準部１７をサブトラクディブ法により形成する。
サブトラクディブ法では、まず、図９（ｂ）に示すように、導体層３２（ベース絶縁層３０の上面全面に積層される導体層３２）の上にフォトレジスト４２を積層する。フォトレジスト４２は、上記と同様の方法により積層する。

次いで、図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト４２を、１枚のフォトマスク４３を介して露光し、その後、図９（ｄ）に示すように、フォトレジスト４２を現像する。
詳しくは、導体層３２における導体パターン３８および基準部１７を形成する部分に、１枚のフォトマスク４３の光透過部分４５を対向させて露光した後、現像する。
これによって、エッチングレジスト３９が、導体層３２の表面に、導体パターン３８および基準部１７と同一パターンで形成される。

次いで、図１０（ｅ）に示すように、エッチングレジスト３９から露出する導体層３２をエッチングする。導体層３２のエッチングとしては、例えば、エッチング液による化学エッチングなどが用いられる。
これにより、導体層３２からなる、導体パターン３８および基準部１７が同時に形成される。

次いで、図１０（ｆ）に示すように、エッチングレジスト３９を、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
次いで、図１０（ｇ）に示すように、カバー絶縁層３３を、ベース絶縁層３０の上に形成する。カバー絶縁層３３の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図１１（ｈ）に示すように、金属支持基板２９を開口して基板孔４７およびスリット１４を形成する。

次いで、この方法では、図１１（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３０を開口して、ベース孔４８を形成する。ベース絶縁層３０の開口では、基板孔４７と平面視において同一位置におけるベース絶縁層３０の厚み方向の全部を、エッチングする。また、ベース絶縁層３０のエッチングでは、金属支持基板２９が、ベース孔４８以外の部分のベース絶縁層３０のエッチングを防止するエッチングレジストとなる。

次いで、この方法では、図１１（ｊ）に示すように、補強層３４を、基準部１７の表面に形成する。
その後、エッチングなどにより外形加工することにより、本体部７、延出部８および除去部９を備える回路付サスペンション１を得る。
そして、上記した方法では、導体パターン３８および基準部１７を、３層基材３５を用いるサブトラクディブ法により形成するので、導体層３２および種膜３１を形成するための工程数の低減を図ることができる。

上記した図９〜図１１の説明では、図８に示す導体パターン３８および基準部１７を、サブトラクディブ法により形成したが、例えば、上記したアディティブ法により形成することもできる。
図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の第１基準部における幅方向に沿う断面図であり、図１３は、図１２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図である。

図１２において、ベース絶縁層３０は、本体部７において、導体パターン３８に対応する部分のみに形成されている。
第１基準部１８は、介在層としての種膜３１の上面に形成されている。
詳しくは、第１基準部１８の外周部２５は、金属支持基板２９における基板孔４７の内周端部の上に種膜３１を介して配置されている。また、第１基準部１８の内周部２４は、金属支持基板２９における基板孔４７の内周端部から内側へ突出するように配置されており、その下面が種膜３１に被覆されている。

また、種膜３１は、その内周面で、種膜３１を厚み方向に貫通する介在孔としての種膜孔２１を区画している。種膜孔２１は、底面視（厚み方向において投影したとき）において、第１基準孔２２と同一位置に形成されている。
また、種膜３１を形成する材料としては、後述するエッチング工程（図１３（ｄ）参照）のエッチング液に応じて適宜選択され、例えば、エッチング液に耐性を有する材料（例えば、クロムなど）が選択される。

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図１３を参照して、説明する。
まず、この方法では、図１３（ａ）に示すように、金属支持基板２９を用意し、次いで、ベース絶縁層３０を、上記した導体パターン３８に対応するパターンで、金属支持基板２９の上に形成する。

次いで、この方法では、図１３（ｂ）に示すように、アディティブ法により、種膜３１を、ベース絶縁層３０および金属支持基板２９の上に形成し、ベース絶縁層３０の上の種膜３１の上に導体パターン３８を形成し、金属支持基板２９の上の種膜３１の上に基準部１７を形成する。
次いで、この方法では、図１３（ｃ）に示すように、カバー絶縁層３３を、ベース絶縁層３０の上に形成する。

次いで、この方法では、図１３（ｄ）に示すように、金属支持基板２９を開口して基板孔４７およびスリット１４を形成する。金属支持基板２９を開口するためのウエットエッチングでは、種膜３１が、基準部１７のエッチングを防止するエッチングレジストとなる。
その後、この方法では、図１３（ｅ）に示すように、補強層３４を、種膜３１および基準部１７の表面に形成する。

その後、エッチングなどにより外形加工することにより、本体部７、延出部８および除去部９を備える回路付サスペンション１を得る。
そして、この方法では、基準部１７の下に、ベース絶縁層３０が形成されていないので、ベース絶縁層３０にベース孔４８を形成する工程を省略することができる。
また、この回路付サスペンション１では、第１基準孔２２は、底面視において、種膜孔２１と同一位置に形成されているので、第１基準部１８の内周部２４の下面を十分に保護することができる。

また、上記した説明では、第１基準部１８を、平面視略円環形状に形成し、第２基準部１９を、平面視長孔枠形状に形成したが、例えば、図示しないが、第１基準部１８および第２基準部１９を互いに逆の形状で形成することができる。さらに、第１基準部１８および第２基準部１９の両方を、平面視略円環形状または平面視長孔枠形状に形成することもできる。

好ましくは、第１基準部１８および第２基準部１９の少なくとも一方を、平面視略円環形状に形成する。これにより、ピンに対して、回路付サスペンション基板１の長手方向における位置決めを確実にすることができる。
図１４は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の第１基準部の拡大平面図である。

また、基準部１７の形状は、上記した形状以外の適宜の形状に形成することもできる。
基準部１７を、平面視において、例えば、図１４（ａ）に示すように、先側が三角形状で、後側がＵ字形状となる形状、例えば、図１４（ｂ）に示すように、先側が細くなる楕円形状（頂点が先側に配置される卵形状）、例えば、図１４（ｃ）に示すように、三角形状（頂点が先側に配置される正三角形状）、例えば、図１４（ｄ）に示すように、矩形状（例えば、正方形状）に形成することもできる。

なお、基準部１７を、内接円を有する、平面視三角形状（図１４（ｃ）参照）や平面視正方形状（図１４（ｄ）参照）に形成すれば、かかる基準部１７に、円柱状のピン（第１ピン２７および第２ピン２８）を挿入して、正確に位置決めすることができる。
好ましくは、２つの基準部１７のうち、一方を、円環形状で、他方を、長孔枠形状に形成する。

また、上記した説明では、基準部１７を、２つ設けたが、その数は、特に限定されず、例えば、１つ、あるいは、３つ以上設けることもできる。基準部を１つ設ける場合には、好ましくは、延出部８に設ける。延出部８は、ヘッド側端子１０に近いため、スライダ３を精度よく実装することができる。
さらには、上記した説明では、基準部１７を、周方向に連続するように形成したが、例えば、図１４（ｅ）に示すように、周方向に不連続となるように形成することもできる。

図１４（ｅ）において、基準部１７を、幅方向一方側に配置される第１半円弧部３６と、幅方向他方側に第２半円弧部３７とに分離された形状に形成することもできる。
また、上記した説明では、基準部１７を、金属支持基板２の表面（上面）側に設けたが、例えば、金属支持基板２の両面（上面および下面）に設けることもができる。
さらには、図示しないが、導体パターン３８の配線５が、厚み方向において、２層に分離されて、これら厚み方向に対向配置される場合、つまり、下側の配線５の上に、第２絶縁層が設けられ、その第２ベース絶縁層の上に、上側の配線５が設けられている場合には、ヘッド側端子１０と同一層の導体層３２から、基準部１７を形成する。これにより、ヘッド側端子１０と基準部１７とを精密に相対配置させることができる。

本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の一部切欠平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の基準部の拡大平面図である。 図２に示す第１基準部のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、種膜を形成する工程、（ｄ）は、種膜の上にフォトレジストを積層する工程を示す。 図４に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ｅ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程、（ｆ）は、フォトレジストを現像して、めっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストから露出する種膜の上に、導体層を積層する工程、（ｈ）は、めっきレジストおよび種膜を除去する工程を示す。 図５に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって（ｉ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｊ）は、金属支持基板を開口して、基板孔を形成する工程、（ｋ）は、ベース絶縁層を開口して、ベース孔を形成する工程、（ｍ）は、補強層を形成する工程を示す。 回路付サスペンション基板をロードビームに設置する方法を説明するための側面図である。 本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の第１基準部における幅方向に沿う断面図である。 図８に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ａ）は、３層基材を用意する工程、（ｂ）は、フォトレジストを導体層の上に形成する工程、（ｃ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程、（ｄ）は、フォトレジストを現像して、エッチングレジストを形成する工程を示す。 図９に続いて、図８に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ｅ）は、エッチングレジストから露出する導体層をエッチングする工程、（ｆ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｇ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図１０に続いて、図８に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ｈ）は、金属支持基板を開口して、基板孔を形成する工程、（ｉ）は、ベース絶縁層を開口して、ベース孔を形成する工程、（ｊ）は、補強層を形成する工程を示す。 本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の第１基準部における幅方向に沿う断面図である。 図１２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｂ）は、導体パターンおよび基準部を形成する工程、（ｃ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、金属支持基板を開口して、基板孔を形成する工程、（ｅ）は、補強層を形成する工程を示す。 本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の基準部の拡大平面図を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ ロードビーム
１７ 基準部
２１ 種膜孔
２２ 第１基準孔
２３ 第２基準孔
２９ 金属支持基板
３０ ベース絶縁層
３１ 種膜
３２ 導体層
３８ 導体パターン
３９ エッチングレジスト
４２ フォトレジスト
４３ フォトマスク
４４ めっきレジスト
４７ 基板孔
４８ ベース孔

Claims (9)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に積層される導体層と、
   前記金属支持基板および前記導体層との間に介在される介在層とを備える回路付サスペンション基板において、
   前記導体層は、導体パターンと、回路付サスペンション基板をロードビームに設置するための位置決め基準となる基準部とを備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
2. 前記基準部は、前記導体層を厚み方向に貫通する基準孔を含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
3. 前記介在層には、前記介在層を厚み方向に貫通する介在孔が形成され、
   前記介在孔は、厚み方向に投影したときに、前記基準孔と同一位置に形成されるか、または前記基準孔を含んでおり、
   前記金属支持基板には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する基板孔が形成され、
   前記基板孔は、厚み方向に投影したときに、前記基準孔を含んでいることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
4. 金属支持基板の上に形成された介在層の上に、導体パターンと、回路付サスペンション基板をロードビームに設置するための位置決め基準となる基準部とを、導体層から形成する工程を備え、
   前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程では、前記導体パターンと前記基準部とを同時に形成することを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
5. 前記介在層は、絶縁層であって、
   前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程は、
   前記絶縁層および前記絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に種膜を形成する工程と、
   前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、
   前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記基準部と逆パターンのめっきレジストを形成する工程と、
   前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体パターンと前記基準部とを積層する工程と、
   前記めっきレジストを除去する工程と、
   前記前記導体パターンおよび前記基準部から露出する前記種膜を除去する工程と
   を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
6. 前記介在層は、絶縁層であって、
   前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程は、
   前記絶縁層の上に積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、
   前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記基準部と同一パターンのエッチングレジストを形成する工程と、
   前記エッチングレジストから露出する前記導体層をエッチングすることにより、前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程と、
   前記エッチングレジストを除去する工程と
   を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
7. 前記導体パターンと前記基準部とを形成する工程において、１枚のフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光することを特徴とする、請求項５または６に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
8. 前記基準部は、前記導体層を厚み方向に貫通する基準孔を含んでおり、
   前記介在層に、前記介在層を厚み方向に貫通する介在孔を、厚み方向に投影したときに、前記基準孔と同一位置に、または、前記基準孔を含むように形成する工程と、
   前記金属支持基板に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する基板孔を、厚み方向に投影したときに、前記基準孔を含むように形成する工程と
   を備えることを特徴とする、請求項４〜７のいずれかに記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
9. 請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板を、前記基準部を位置決め基準として用いて前記ロードビームに位置決めすることを特徴とする、回路付サスペンション基板の位置決め方法。

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