JP2009302521A5 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 不純物領域を有する第１の半導体層と、
   第２の半導体層と、
   前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層と重畳するフローティングゲートと、
   前記フローティングゲート上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の半導体層、前記第２の半導体層及び前記フローティングゲートと重畳するコントロールゲートと、
   前記第１の半導体層に設けられた前記不純物領域に電気的に接続された第１の導電膜と、
   前記第２の半導体層に電気的に接続された、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
2. 請求項１において、
   前記不純物領域は、前記コントロールゲートを挟んで前記第１の半導体層の２箇所の領域に離間して設けられており、前記第１の導電膜が前記離間して設けられた前記不純物領域の双方と電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記フローティングゲートの端部は、前記第１の半導体層の上方に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記コントロールゲートは、前記第２の絶縁膜を介して前記フローティングゲートを覆うように設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、ガラス基板上に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の半導体層は、書き込み動作及び消去動作に用いることができる機能を有し、
   前記第２の半導体層は、読み出し動作に用いることができる機能を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   書き込み動作又は消去動作時に、前記第２の導電膜、前記第３の導電膜及び前記コントロールゲートに同一の電位が印加されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記第１の半導体層は、前記第１の導電膜と重なっており、
   前記第２の導電膜は、前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記第２の半導体層と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。