JP2009295971A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009295971A5 JP2009295971A5 JP2009110344A JP2009110344A JP2009295971A5 JP 2009295971 A5 JP2009295971 A5 JP 2009295971A5 JP 2009110344 A JP2009110344 A JP 2009110344A JP 2009110344 A JP2009110344 A JP 2009110344A JP 2009295971 A5 JP2009295971 A5 JP 2009295971A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- opening
- insulating film
- semiconductor
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (8)
- 第1の半導体領域上及び第2の半導体領域上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上のフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上のコントロールゲートと、を有し、
前記第1の半導体領域は、第1の領域と、第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域との間に位置する第3の領域と、を有し、
前記第2の半導体領域は、第4の領域と、前記第4の領域の周辺に位置する第5の領域と、を有し、
前記フローティングゲートは、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記フローティングゲートは、前記第4の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートは、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートは、前記第4の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートと、前記第5の領域と、が電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記コントロールゲート上に第3の絶縁膜を有し、
前記第3の絶縁膜上に接続配線を有し、
前記第1乃至第3の絶縁膜に第1の開口を有し、
前記第3の絶縁膜に第2の開口を有し、
前記接続配線は、前記第1の開口を介して前記第5の領域と電気的に接続されており、
前記接続配線は、前記第2の開口を介して前記コントロールゲートと電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記第5の領域は、領域Aと、領域Bと、前記領域Aと前記領域Bとの間に位置する領域Cと、を有し、
前記第1乃至第3の絶縁膜に第3の開口を有し、
前記第1の開口は、前記領域Aと重なるように配置され、
前記第2の開口は、前記領域Cと重なるように配置され、
前記第3の開口は、前記領域Bと重なるように配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記コントロールゲートは、第1の配線に電気的に接続されており、
前記第2の半導体領域は、前記第1の配線と前記第1の半導体領域との間に位置することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の領域は、第2の配線と電気的に接続されており、
前記第2の領域は、第3の配線と電気的に接続されており、
前記第2の半導体領域は、前記第2の配線と前記第3の配線の間に位置することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の半導体領域上及び前記第2の半導体領域上、且つ、前記第1の絶縁膜下に第4の絶縁膜を有し、
前記第4の絶縁膜は、第4の開口を有し、
前記第4の開口は、前記第3の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の半導体領域上及び前記第2の半導体領域上、且つ、前記第1の絶縁膜下に第4の絶縁膜を有し、
前記第4の絶縁膜は、第5の開口を有し、
前記第5の開口は、前記第4の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の半導体領域上及び前記第2の半導体領域上、且つ、前記第1の絶縁膜下に第4の絶縁膜を有し、
前記第4の絶縁膜は、第4の開口と、第5の開口と、を有し、
前記第4の開口は、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記第5の開口は、前記第4の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009110344A JP5479773B2 (ja) | 2008-05-09 | 2009-04-30 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008123583 | 2008-05-09 | ||
JP2008123583 | 2008-05-09 | ||
JP2009110344A JP5479773B2 (ja) | 2008-05-09 | 2009-04-30 | 電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009295971A JP2009295971A (ja) | 2009-12-17 |
JP2009295971A5 true JP2009295971A5 (ja) | 2012-04-19 |
JP5479773B2 JP5479773B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=41264670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009110344A Expired - Fee Related JP5479773B2 (ja) | 2008-05-09 | 2009-04-30 | 電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8193574B2 (ja) |
JP (1) | JP5479773B2 (ja) |
KR (1) | KR101508492B1 (ja) |
CN (1) | CN102017129B (ja) |
TW (1) | TWI482269B (ja) |
WO (1) | WO2009136615A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8198666B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a nonvolatile memory element having first, second and third insulating films |
US9082652B2 (en) | 2010-03-23 | 2015-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, active matrix substrate, and display device |
CN102709290B (zh) * | 2012-05-22 | 2016-08-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 存储器及其形成方法 |
US9117525B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
KR20140081412A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN103199116B (zh) * | 2013-03-29 | 2016-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路 |
JP2016039226A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10096718B2 (en) | 2016-06-17 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, electronic device, manufacturing method of transistor |
JP2019220530A (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3136517C2 (de) * | 1980-09-26 | 1985-02-07 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Nichtflüchtige Halbleiter-Speichervorrichtung |
JPH01128472A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Toshiba Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
JPH088315B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1996-01-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2563683B2 (ja) * | 1990-03-08 | 1996-12-11 | 松下電子工業株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP3507761B2 (ja) * | 1990-07-12 | 2004-03-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
JPH06334195A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Nippon Steel Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH07130893A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
TW326553B (en) * | 1996-01-22 | 1998-02-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Semiconductor device and method of fabricating same |
US5886376A (en) * | 1996-07-01 | 1999-03-23 | International Business Machines Corporation | EEPROM having coplanar on-insulator FET and control gate |
JP3183326B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | 読出専用半導体記憶装置 |
US7602007B2 (en) * | 1997-04-28 | 2009-10-13 | Yoshihiro Kumazaki | Semiconductor device having controllable transistor threshold voltage |
JPH1187664A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-03-30 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006013534A (ja) | 1997-07-08 | 2006-01-12 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置の製造方法 |
US6005270A (en) * | 1997-11-10 | 1999-12-21 | Sony Corporation | Semiconductor nonvolatile memory device and method of production of same |
TW518637B (en) * | 1999-04-15 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device and electronic equipment |
JP2001135736A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4663094B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2011-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4776801B2 (ja) * | 2001-04-24 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリ回路 |
TW559814B (en) * | 2001-05-31 | 2003-11-01 | Semiconductor Energy Lab | Nonvolatile memory and method of driving the same |
JP4859292B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2012-01-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路装置およびnand型不揮発性半導体装置 |
JP4281331B2 (ja) * | 2002-01-21 | 2009-06-17 | 株式会社デンソー | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004165182A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006339554A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法 |
EP1837900A3 (en) | 2006-03-21 | 2008-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
EP1837917A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP5164404B2 (ja) | 2006-03-21 | 2013-03-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8629490B2 (en) * | 2006-03-31 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor storage device with floating gate electrode and control gate electrode |
JP5483660B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7596024B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile memory |
US8188535B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
-
2009
- 2009-04-24 WO PCT/JP2009/058594 patent/WO2009136615A1/en active Application Filing
- 2009-04-24 KR KR1020107027516A patent/KR101508492B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-24 CN CN200980117627.2A patent/CN102017129B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-30 JP JP2009110344A patent/JP5479773B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-01 US US12/434,390 patent/US8193574B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-05 TW TW098114870A patent/TWI482269B/zh not_active IP Right Cessation