JP2009297814A - 合成石英ガラス基板用研磨剤 - Google Patents
合成石英ガラス基板用研磨剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009297814A JP2009297814A JP2008152924A JP2008152924A JP2009297814A JP 2009297814 A JP2009297814 A JP 2009297814A JP 2008152924 A JP2008152924 A JP 2008152924A JP 2008152924 A JP2008152924 A JP 2008152924A JP 2009297814 A JP2009297814 A JP 2009297814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive
- glass substrate
- polishing
- synthetic quartz
- quartz glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【効果】本発明によれば、IC等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、合成石英ガラス基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥の生成が抑制され、半導体デバイス製造等において歩留まりの向上が期待され、かつ半導体工業の更なる高精細化につながる。
【選択図】なし
Description
(1)コロイド溶液及び酸性アミノ酸を含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
(2)前記コロイド溶液がコロイダルシリカ分散液であり、コロイダルシリカ濃度が20〜50質量%であることを特徴とする(1)記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
(3)前記酸性アミノ酸が、アスパラギン酸又はグルタミン酸であることを特徴とする(1)又は(2)記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
(4)pH9〜10.5である(1)、(2)又は(3)記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
(5)アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、塩基性塩類、アミン類、アンモニアから選ばれる一種又は二種以上によりpHを調整した(4)記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
(6)合成石英ガラス基板が、フォトマスク用合成石英基板であることを特徴とする(1)乃至(5)のいずれかに記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
ここで、本発明で使用されるコロイド溶液は粒径の細かいコロイド粒子を含むことが好ましく、一次粒子径で5〜500nmが好ましく、より好ましくは10〜200nm、特に20〜150nmが好ましい。粒径が小さすぎると、基板表面にコロイド粒子が付着し易いため洗浄性が悪くなる場合があり、大きすぎると研磨した基板の表面粗さが悪くなり、最終精密研磨用の研磨剤として好ましくない場合がある。なお、この粒子径は、動的光散乱法により測定した値である。
即ち、研磨剤中の研磨砥粒が研磨作用による仕事で砥粒表面間縮合を起こしたり、被研磨表面から除去されたガラス分と砥粒の間で縮合を起こしたりして、欠陥の原因となる活性な粒子を生成し、これが研磨作用によって表面上に縮合付着したり、表面上にキズを生成させていると考え、研磨剤中の研磨砥粒の安定性が重要であるとの認識を持った。
スライスされたシリカ合成石英ガラス基板原料(6インチ)をラッピング、粗研磨を行った後、最終精密研磨に導入した。軟質のスエード製研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液((株)フジミインコーポレーテッド製、一次粒子径78nm)にアスパラギン酸(和光純薬工業(株)製)を1.0質量%加え、更にジエタノールアミンを添加することでpHを10.0に調整したものを用いた。研磨荷重は100gfで、取り代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量(約1μm以上)を研磨した。
実施例1において、最終研磨に使用する研磨剤にアスパラギン酸を添加しないで研磨すること以外、全て実施例1と同じ条件で行った。その結果、同様にしてレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行ったところ、欠陥数は平均52個であった。
実施例1のアスパラギン酸をグルタミン酸(和光純薬工業(株)製)に代えた以外は、実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は平均4.8個であった。
実施例1のアスパラギン酸をアスパラギン酸1.0質量%と安息香酸0.5質量%に代えた以外は、実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は平均2.2個であった。
スライスされたシリカ合成石英ガラス基板原料(6インチ)をラッピング、粗研磨を行った後、最終精密研磨に導入した。軟質のスエード製研磨布を用い、研磨剤としてアルコキシシランを加水分解して製造された元々pH7、SiO2濃度40質量%の高純度コロイダルシリカ水分散液(扶桑化学工業(株)製、一次粒子径104nm)にアスパラギン酸を1.0質量%添加したものを用いた(アスパラギン酸を加えることで研磨剤のpHは4.7となった)。研磨荷重は100gfで、取り代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量(約1μm以上)を研磨した。
実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は平均7.8個であった。
スライスされたシリカ合成石英ガラス基板原料(6インチ)をラッピング、粗研磨を行った後、最終精密研磨に導入した。軟質のスエード製研磨布を用い、研磨剤としてアルコキシシランを加水分解して製造された元々pH7、SiO2濃度40質量%の高純度コロイダルシリカ水分散液(扶桑化学工業(株)製、一次粒子径104nm)にアスパラギン酸を1.0質量%添加し、更にジエタノールアミンを添加することでpHを10.0に調整したものを用いた。研磨荷重は100gfで、取り代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量(約1μm以上)を研磨した。
実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は平均2.9個であった。
スライスされたシリカ合成石英ガラス基板原料(6インチ)をラッピング、粗研磨を行った後、最終精密研磨に導入した。軟質のスエード製研磨布を用い、研磨剤としてアルコキシシランを加水分解して製造された元々pH7、SiO2濃度40質量%の高純度コロイダルシリカ水分散液(扶桑化学工業(株)製、一次粒子径104nm)にアスパラギン酸を1.0質量%添加し、更にジエタノールアミンを添加することでpHを10.0に調整したものを用いた。研磨荷重は100gfで、取り代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量(約1μm以上)を研磨した。研磨は研磨布表面が粗れて使えなくなる直前まで連続して行った。
実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は研磨初期に研磨された基板は平均1.9個、研磨末期に研磨された基板は平均6.7個であった。
スライスされたシリカ合成石英ガラス基板原料(6インチ)をラッピング、粗研磨を行った後、最終精密研磨に導入した。軟質のスエード製研磨布を用い、研磨剤としてアルコキシシランを加水分解して製造されたpH7、SiO2濃度40質量%の高純度コロイダルシリカ水分散液(扶桑化学工業(株)製、一次粒子径104nm)にアスパラギン酸を添加しないで用いた。研磨荷重は100gfで、取り代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量(約1μm以上)を研磨した。
その結果、研磨を始めて4バッチ目で研磨剤が若干増粘して研磨しにくくなり、6バッチ目では事実上研磨不能となった。
実施例1と同様にして欠陥検査を行ったところ、欠陥数は研磨初期に研磨された基板は平均10.9個、研磨末期(6バッチ目)に研磨された基板は平均265個であった。
Claims (6)
- コロイド溶液及び酸性アミノ酸を含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
- 前記コロイド溶液がコロイダルシリカ分散液であり、コロイダルシリカ濃度が20〜50質量%であることを特徴とする請求項1記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
- 前記酸性アミノ酸が、アスパラギン酸又はグルタミン酸であることを特徴とする請求項1又は2記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
- pH9〜10.5である請求項1、2又は3記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
- アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、塩基性塩類、アミン類、アンモニアから選ばれる一種又は二種以上によりpHを調整した請求項4記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
- 合成石英ガラス基板が、フォトマスク用合成石英基板であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の合成石英ガラス基板用研磨剤。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008152924A JP5369506B2 (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
US12/678,058 US20100243950A1 (en) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
MYPI2010001060A MY155533A (en) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
KR1020107006926A KR101548756B1 (ko) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | 합성 석영 유리 기판용 연마제 |
EP09762368.0A EP2289667B1 (en) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
CN200980100696A CN101821058A (zh) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | 合成石英玻璃基板用抛光剂 |
PCT/JP2009/059676 WO2009150938A1 (ja) | 2008-06-11 | 2009-05-27 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
TW098119423A TWI557195B (zh) | 2008-06-11 | 2009-06-10 | Synthetic quartz glass substrate with abrasive |
US14/511,065 US9919962B2 (en) | 2008-06-11 | 2014-10-09 | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008152924A JP5369506B2 (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009297814A true JP2009297814A (ja) | 2009-12-24 |
JP5369506B2 JP5369506B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=41545246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008152924A Active JP5369506B2 (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5369506B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013107153A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の製造方法 |
KR20140130420A (ko) | 2012-03-30 | 2014-11-10 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2014210912A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-13 | 信越化学工業株式会社 | コロイダルシリカ研磨材及びこれを用いた合成石英ガラス基板の製造方法 |
US9494851B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-11-15 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
US9581895B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
KR20180039709A (ko) * | 2015-08-12 | 2018-04-18 | 바스프 에스이 | 코발트 함유 기판의 연마를 위한 화학 기계 연마 (cmp) 조성물의 용도 |
KR20190037108A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 선택적 질화물 제거를 위한 수성의 음이온 작용성 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
KR20190037106A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 질화물 제거에 선택적인 수성의 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
JP2021141105A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | Atシリカ株式会社 | コロイダルシリカスラリー |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6440267A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-10 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of precisely polished glass |
JPH11277450A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨体 |
JP2006130638A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Kao Corp | 容器入り研磨材粒子分散液 |
JP2006520530A (ja) * | 2003-02-03 | 2006-09-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ケイ素含有誘電体の研磨方法 |
WO2006123562A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 研磨用組成物の製造方法 |
JP2007063372A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2007088226A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | カーボン配線用研磨液、及び、研磨方法 |
JP2007208219A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの研磨方法 |
WO2008004534A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Liquide de polissage pour le polissage mécano-chimique |
JP2008063372A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Lion Corp | 浴室用液体洗浄剤組成物および浴室用液体洗浄剤製品 |
JP2008074990A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨スラリー及び方法 |
JP2008094982A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Kao Corp | メモリーハードディスク基板用研磨液組成物 |
-
2008
- 2008-06-11 JP JP2008152924A patent/JP5369506B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6440267A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-10 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of precisely polished glass |
JPH11277450A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨体 |
JP2006520530A (ja) * | 2003-02-03 | 2006-09-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ケイ素含有誘電体の研磨方法 |
JP2006130638A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Kao Corp | 容器入り研磨材粒子分散液 |
WO2006123562A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 研磨用組成物の製造方法 |
JP2007063372A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2007088226A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | カーボン配線用研磨液、及び、研磨方法 |
JP2007208219A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの研磨方法 |
WO2008004534A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Liquide de polissage pour le polissage mécano-chimique |
JP2008063372A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Lion Corp | 浴室用液体洗浄剤組成物および浴室用液体洗浄剤製品 |
JP2008074990A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨スラリー及び方法 |
JP2008094982A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Kao Corp | メモリーハードディスク基板用研磨液組成物 |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI574779B (zh) * | 2011-11-18 | 2017-03-21 | 信越化學工業股份有限公司 | 合成石英玻璃基板用研磨劑及合成石英玻璃基板之製造方法 |
JP2013107153A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の製造方法 |
US10295900B2 (en) | 2012-03-28 | 2019-05-21 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
US10001699B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-06-19 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
KR20170137961A (ko) | 2012-03-28 | 2017-12-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9494851B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-11-15 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
US10620527B2 (en) | 2012-03-30 | 2020-04-14 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
US10429728B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-10-01 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
KR20160084508A (ko) | 2012-03-30 | 2016-07-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9897909B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-02-20 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
US9348217B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-05-24 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
KR20140130420A (ko) | 2012-03-30 | 2014-11-10 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20200003947A (ko) | 2012-03-30 | 2020-01-10 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 투과형 마스크 블랭크, 투과형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20170118981A (ko) | 2012-12-28 | 2017-10-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 다층 반사막 부착 기판의 제조방법, 그리고 반도체 장치의 제조방법 |
US10025176B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-07-17 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
US9581895B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
JP2014210912A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-13 | 信越化学工業株式会社 | コロイダルシリカ研磨材及びこれを用いた合成石英ガラス基板の製造方法 |
KR20180039709A (ko) * | 2015-08-12 | 2018-04-18 | 바스프 에스이 | 코발트 함유 기판의 연마를 위한 화학 기계 연마 (cmp) 조성물의 용도 |
KR102641590B1 (ko) * | 2015-08-12 | 2024-02-27 | 바스프 에스이 | 코발트 함유 기판의 연마를 위한 화학 기계 연마 (cmp) 조성물의 용도 |
JP2019070114A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-05-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨における選択的窒化物除去のための水性アニオン性官能性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
JP2019065274A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨における選択的窒化物除去のための水性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
KR20190037106A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 질화물 제거에 선택적인 수성의 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
JP7231365B2 (ja) | 2017-09-28 | 2023-03-01 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨における選択的窒化物除去のための水性アニオン性官能性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
JP7231364B2 (ja) | 2017-09-28 | 2023-03-01 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨における選択的窒化物除去のための水性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
KR20190037108A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 선택적 질화물 제거를 위한 수성의 음이온 작용성 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
KR102649771B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2024-03-19 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 선택적 질화물 제거를 위한 수성의 음이온 작용성 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
KR102654509B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2024-04-03 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 시 질화물 제거에 선택적인 수성의 실리카 슬러리 및 아민 카복실산 조성물, 및 이의 사용 방법 |
JP2021141105A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | Atシリカ株式会社 | コロイダルシリカスラリー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5369506B2 (ja) | 2013-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5369506B2 (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤 | |
US9919962B2 (en) | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate | |
JP5251861B2 (ja) | 合成石英ガラス基板の製造方法 | |
JPH11116942A (ja) | 研磨用組成物 | |
TWI495714B (zh) | 合成石英玻璃基板用研磨劑及使用該研磨劑之合成石英玻璃基板的製造方法 | |
WO2013176122A1 (ja) | ウェーハ用研磨液組成物 | |
WO2014089907A1 (zh) | 一种化学机械抛光液的应用 | |
CN102939643A (zh) | 用于抛光大体积硅的组合物及方法 | |
JP5673506B2 (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の製造方法 | |
JPWO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP5407188B2 (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤 | |
JP5071678B2 (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤 | |
JP5407555B2 (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤 | |
US20150202731A1 (en) | Method of preparing synthetic quartz glass substrate | |
JP5373250B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物の製造方法 | |
CN113861848B (zh) | 一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法 | |
KR100643632B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 | |
JP2014122358A (ja) | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びこれを用いた合成石英ガラス基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120502 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121003 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5369506 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |