JP2009295982A - ケミカルフロー方法、及びこれを用いる集積回路素子の製造方法、並びに装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 集積回路素子を製造するための基板が曲がることを減少させる。
【解決手段】 基板のディッピング又はケミカルのフローによって基板の一部分が曲がる場合、基板の一部分が曲がるように基板の一部分に印加される力と逆方向に力が作用するように基板の一部分に収容されたケミカル又は基板の一部分にフローされるケミカルをバスの外部にフローさせる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ケミカルフロー方法、及びこれを用いる集積回路素子の製造方法、並びに装置に関し、洗浄液、エッチング液などのようなケミカルをフローさせる方法、及び半導体素子、平板ディスプレイ素子などのような集積回路素子を製造する方法、並びに装置に関する。

一般に、半導体素子、平板ディスプレイ素子などのような集積回路素子の製造では、洗浄液、エッチング液などのようなケミカルを用いる単位工程を反復的に行う。ここで、単位工程の例としては、洗浄液を用いる洗浄工程、エッチング液を用いるエッチング工程などが挙げられる。そして、言及したケミカルを用いる単位工程ではケミカルを収容するバスを主に用いる。バスを用いる単位工程の遂行ではバスの内部に収容されたケミカルに集積回路素子を製造するための基板をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）させるか、あるいはバスの内部に集積回路素子を製造するための基板を位置させた後、バスの内部にケミカルをフロー（ｆｌｏｗ）させる。ここで、集積回路素子が半導体素子である場合、基板は半導体ウエハーを例として挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合、基板はガラス基板を例として挙げられる。

しかし、言及したバスを使用する単位工程の遂行では前記基板が曲がる状況がよく発生する。特に、大面積のガラス基板のような場合には深刻に曲がる状況が発生する場合もある。これは、単位工程を行う時、バスの内部に位置する基板の模様、バスの内部にフローされるケミカルの方向などに起因する。即ち、基板をディッピングさせるとき、バス底面と平行に基板をディッピングさせるか、あるいはケミカルをフローさせる時、基板の裏面の下から基板の裏面にケミカルをフローさせることにより、基板に浮力、抗力などが印加され、その結果、基板が曲がる状況が発生することである。

このように、バスを用いた単位工程を行うとき、基板が曲がる場合、工程での不良の原因として作用し、又、後続工程のために基板を移送させるとき、基板を感知するセンサーの誤動作で基板の移送に躓くことがある。

本発明の第１目的は、集積回路素子を製造するための基板が曲がることを減少させるためのケミカルフロー方法を提供することにある。

本発明の第２目的は、言及したケミカルフロー方法を適用した集積回路素子の製造方法を提供することにある。

本発明の第３目的は、言及した集積回路素子の製造方法を容易に行うための集積回路素子の製造装置を提供することにある。

前記第１目的を達成するための本発明の一実施例によるケミカルフロー方法は、バスの内部にケミカルをフローさせた後、前記ケミカルのフローによって前記バスの内部に位置した基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分が曲がるように前記基板の一部分に印加される力と逆方向に力が作用するように前記基板の一部分にフローされるケミカルを前
記バスの外部にフローさせる。

前記第２目的を達成するための本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法は、バスの内部にケミカルをフローさせて前記バスの内部にケミカルを収容させる。そして、集積回路素子を製造するための基板が沈むように前記基板を前記バスの内部に収容されたケミカルにディッピングさせた後、前記ケミカルを用いて前記基板を加工処理する。又、前記ケミカルを用いて前記基板を加工処理するとき、前記基板の一部分が曲がる場合、前記バスの内部に収容されたケミカルのうち、前記基板の一部分に収容されたケミカルを前記バスの外部にフローさせる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分は抗力（ｄｒａｇ）や浮力などによって曲がることができる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板は、前記バス底面と平行にディッピングさせることができる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に前記基板の一部分に収容されたケミカルをフローさせることができ、特に、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記基板の一部分に収容されたケミカルをフローさせることができる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法において、前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせることができる。

前記第２目的を達成するための本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法は、集積回路素子を製造するための基板をバスの内部に移送させる。続いて、前記バスの内部に移送された前記基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせた後、前記基板が沈むようにフローさせたケミカルを用いて前記基板を加工処理する。又、前記ケミカルを用いて基板を加工処理する時、前記基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板をバスの内部に移送させる場合、前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることができ、特に、前記バスの側面を通じて前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることができる。又、前記バスの内部に前記基板を移送させるとき、前記バスの内部に設置されるローラーを使用して前記基板を移送させることができ、この場合、前記ローラーは、前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記バスの内部にケミカルをフローさせる場合、前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に前記ケミカルをフローさせることができ、特に、前記ケミカルのうちの一部は、前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされることができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分は、前記基板の中心部分を含むことができ。前記基板の一部分は抗力、浮力などによって曲がることができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせる場合、前記基板の一部分の裏面の下から前記
バスの外部に前記ケミカルをフローさせることができ、特に、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記ケミカルをフローさせることができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせることができる。

前記第３目的を達成するための本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置は、その内部にケミカルを収容するバスと、前記バスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部、及び前記バスの内部に収容されたケミカルに集積回路素子を製造するための基板をディッピングさせて前記基板を加工処理する時、前記基板の一部分が曲がる場合、前記バスの内部に収容されたケミカルのうち、前記基板の一部分に収容されたケミカルを前記バスの外部にフローさせるケミカル排出部を含む。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記排出ラインは前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることができる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことができる。

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことができる。

前記第３目的を達成するための本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置は、その内部に集積回路素子を製造するための基板が位置するバスと、前記基板が位置するバスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部、及び前記バスの内部にフローさせるケミカルを用いて前記基板を加工処理するとき、前記基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせるケミカル排出部を含む。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記バスの内部に設置され、前記バスの内部に前記基板を移送させるローラーを更に含むことができ、特に、前記ローラーは前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことができ、このように前記バスの内部にローラーが設置される場合、前記バス側面に開閉可能に設置され、前記バス側面を通じて前記バスの内部に設置された前記ローラーで前記基板を移送させる経路を提供する移送ウィンドーを更に含むことができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル供給部は、前記バスの内部に位置する基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせることができ、この場合、前記ケミカル供給部は前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置される供給ライン及び前記供給ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記供給ラインは、前記バス底面を通じて前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置されることができ、前記供給ラインは前記ケミカルの一部が前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされるように設置されることができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記排出ラインは前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことができる。

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことができる。

本発明では基板のディッピング又はケミカルのフローによって基板の一部分が曲がる場合、基板の一部分に収容されたケミカル又は基板の一部分にフローされるケミカルをバスの外部に排出させる。このように、ケミカルをバスの外部に排出させる場合、ケミカルが排出される部分である基板の一部分の周辺には吸入力が生成され、言及した吸入力をケミカルによって基板の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向に作用するように調整する場合には、基板が曲がる状況を充分減少させることができる。特に、本発明では製造装置の簡単な構造変更だけでもケミカルによって基板が曲がる状況を減少させることができる。

従って、本発明は、バスを使用する集積回路素子の製造のための単位工程での不良を充分に減少させることができ、後続工程のための基板の移送を安定的に行うことができる。従って、本発明は、集積回路素子の製造による信頼度と生産性の向上を期待することができる。

本発明の実施例１による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図。 図１の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図。 図１の集積回路素子の製造装置を使用する他の例に対して説明するための工程図。 本発明の実施例２による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図。 図４の集積回路素子の製造装置の移送ウィンドーを説明するための図。 図４の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図。

以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができること、特定の実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。

第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目
的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、同様に第２構成要素も第１構成要素に称されてもよい。単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。

なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。

[実施例１]
図１は、本発明の実施例１による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図である。

図１を参照すると、集積回路素子の製造装置１００は、バス１１、ケミカル供給部１３、ケミカル排出部１５などを含み、この以外にもケミカル循環部１７、センサー１９、制御部２１などを更に含む。ここで、集積回路素子の例としては、半導体素子、平板ディスプレイ素子などが挙げられる。集積回路素子が半導体素子である場合には、後述する基板１０の例としては半導体ウエハーなどが挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合には、後述する基板１０の例としてはガラス基板などが挙げられる。

具体的に、バス１１は、その内部にケミカルを収容する部材である。バス１１の内部に収容されるケミカルの例としては、洗浄液、エッチング液などが挙げられる。これに、言及した製造装置１００の例としてはバス１１を具備する洗浄装置、エッチング装置などが挙げられる。

ケミカル供給部１３は、バス１１の内部にフローさせる部材として、ケミカル供給部１３を使用してバス１１の内部にケミカルをフローさせることによりバス１１の内部には一定量のケミカルが継続的に収容された状態を維持する。ここで、ケミカル供給部１３は、図面符号２３のように主にバス１１の内部にディッピングされる基板１０の裏面の下から基板１０の裏面にケミカルをフローさせるように設置される。

これにケミカル供給部１３は、基板１０の裏面の下から基板１０の裏面に設置される供給ライン１３ａ及び供給ライン１３ａに連結されるポンプ１３ｂを含む。そして、図示していないが、供給ライン１３ａには開閉動作が可能なバルブが更に設定されてもよい。ここで、ポンプ１３ｂはポンピング動作によってケミカルを円滑にフローさせるために設置される。特に、ケミカル供給部１３を基板１０の裏面の下から基板１０の裏面にケミカルをフローさせるように設置することと説明するが、これに限定されない。即ち、言及したように、バス１１の内部にケミカルのフローが可能な構造を有する場合、ケミカル供給部１３は多様な構造で形成することができる。又、ケミカル供給部１３の個数に限定されない。即ち、個数に関係なくケミカル供給部１３の設置が可能である。又、ケミカル供給部１３は、その設置位置にも限定されない。即ち、ケミカル供給部１３は多様な位置に設置することができる。

ケミカル排出部１５は、バス１１の内部に収容されたケミカルをバス１１の外部にフローさせる部材であって、基板１０をバス１１の内部のケミカルにディッピングさせて基板１０を加工処理する時、基板１０の一部分が曲がる場合、基板１０の一部分に収容されたケミカルを外部にフローさせるように設置される。これに、ケミカル排出部１５は、基板１０が曲がる一部分に近接する部分に集中的に設置されることが好ましく、特に、基板１０の一部分の裏面の下からバス１１の外部にケミカルをフローさせるように設置されることがより好ましい。そして、ケミカル排出部１５は、基板１０の一部分の裏面の下からバス１１の外部に設置される排出ライン１５ａ及び排出ライン１５ａに連結されるポンプ１５ｂを含む。特に、排出ライン１５ａは、基板１０の一部分の裏面の下からバス１１の底面を通じてバス１１の外部にケミカルをフローさせるように設置されることが好ましい。又、ポンプ１５ｂは、ポンピング動作を通じて基板１０の一部分の裏面の下からバス１１の外部にケミカルを円滑にフローさせるために設置される。図示していないが、排出ライン１５ａには開閉動作が可能なバルブが更に設置されてもよい。ケミカル排出部１５は、基板１０が曲がる一部分に設置される場合、その設置個数に限定されない。

このように、本発明の実施例１の集積回路素子の製造装置１００は、言及したバス１１、ケミカル供給部１３、ケミカル排出部１５を具備する。これに、以下ではバス１１、ケミカル供給部１３、ケミカル排出部１５を具備する集積回路素子の製造装置１００を使用する方法について説明する。

図２は、図１の集積回路素子の製造装置を使用する一例について説明するための工程図である。

図２を参照すると、バス１１の内部にケミカルを収容させる（Ｓ２０１）。即ち、ケミカル供給部１３を使用してバス１１の内部にケミカルをフローさせてバス１１の内部にケミカルを収容させる。

続いて、集積回路素子を製造するための基板１０をバス１１の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる（Ｓ２０３）。この際、基板１０は、ケミカルに沈むようにディッピングさせる。又、基板１０は、バス１１の底面と平行にディッピングされることができる。そして、ケミカルに基板１０をディッピングさせた状態で基板１０を加工処理する（Ｓ２０５）。ここで、基板１０の加工処理は、ブラシなどのような部材を使用するか、基板１０を振るか、あるいはバス１１の内部のケミカルを継続的にフローさせることにより達成されることができ、これに限定されない。

しかし、基板１０をバス１１の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる場合、基板１０の一部分が曲がる状況が発生する。これは、基板１０の一部分に図面符号２５と同じ方向に抗力、浮力などが作用するためである。この際、言及した抗力、浮力などは単独的に作用することもあり、抗力と浮力の合成力が複合的に作用することもある。これに、ケミカル排出部１５を使用して基板１０の一部分に収容されたケミカルをバス１１の外部にフローさせる（Ｓ２０７）。このように、基板１０の一部分に収容されたケミカルをバス１１の外部に排出させる場合には、基板１０の一部分に図面符号２７と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号２７と同じ方向に生成される吸入力で言及した図面符号２５と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることにより、基板１０のディッピングによって基板１０の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。

このように、本発明の実施例１による集積回路素子の製造装置１００を使用した工程では、バス１１の内部に収容されたケミカルに基板１０をディッピングさせて集積回路素子
の製造による基板１０を加工処理する時、基板１０の一部分が曲がる場合、バス１１の内部の一部分に収容されたケミカルをバス１１の外部にフローさせることにより基板１０の一部分が曲がる状況を減少させることができる。

そして、本発明の実施例１では、基板１０が曲がる部分を中心部分に限定し、これに対応してケミカル排出部１５も基板１０の中心部分の裏面に設置することと限定しているが、基板１０が集中的に曲がる部分を基準としてケミカル排出部１５を設置することと理解することができる。又、ケミカルが基板１０の裏面の下からバス１１の外部にフローされるようにケミカル排出部１５を設置することと限定しているが、基板１０の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向にケミカル排出部１５によって生成される吸入力が作用するように設置することと理解することができる。

又、ケミカル排出部１５を通じてバス１１の外部にフローされることにより損失されるケミカルは、ケミカル供給部１３を通じて継続的に補充することによりバス１１の内部には一定量のケミカルが収容されるように維持されることができる。

又、図１の集積回路素子の製造装置１００は、言及したように、ケミカル循環部１７、センサー１９、制御部２１などを更に含むことができる。

ケミカル循環部１７は、ケミカル排出部１５を通じてバス１１の 外部にフローされるケ
ミカルをバス１１の内部に更にフローさせる部材である。これに、 ケミカル循環部１７
は、ケミカル排出部１５と連結されバス１１の内部にケミカルをフローさせるように設置されるか、またはケミカル排出部１５とケミカル供給部１３の間に連結され、ケミカル供給部１３を通じてバス１１の内部にケミカルをフローさせるように設置されることができる。 このように、 ケミカル循環部１７を使用してケミカルを循環させることによってバス１１の内部に一定量のケミカルが収容されるように維持することができる。これに、ケミカル排出部１５を通じてバス１１の外部にフローされることで、損失されるケミカルの消耗量を減らすことができる。

そして、センサー１９と制御部２１は実施例 1の集積回路素子の製造装置１００の自動化を具現するために設置される部材であって、 センサー１９はディッピングによって基板
１０の一部分が曲がることを感知し、制御部２１は、センサー１９のセンシング信号を入力受けて、センシング信号によってケミカル排出部２１の稼動を制御する。ここで、センサー１９は距離間隔をセンシングする部材などで具備することができ、制御部２１はケミカル排出部１５の稼動命令を判断することができるプログラムが入力されたＩＣチップなどで具備することができる。このように、センサー１９と制御部２１を具備することで、ディッピングによって基板１０の一部分が曲がる場合のみに限定してケミカル排出部１５を稼動させることができる。これに、言及したセンサー１９と制御部２１を具備させることによって、ディッピングによって基板１０の一部分が曲がる状況に対して能動的に対処することができる。

このように、 本発明の実施例１の集積回路素子の製造装置１００は、言及したバス１１
、ケミカル供給部１３、ケミカル排出部１５、そしてケミカル循環部１７、センサー１９、制御部２１などを含む。これに、以下では、バス１１、ケミカル供給部１３、ケミカル排出部１５、ケミカル循環部１７、センサー１９、制御部２１を具備する集積回路素子の製造装置１００を使用する方法について説明する。

図３は、図１の集積回路素子の製造装置を使用する他の例について説明するための工程図である。

図３を参照すれば、バス１１の内部にケミカルを収容させる（Ｓ３０１）。即ち、ケミカル供給部１３を使用してバス１１の内部にケミカルをフローさせて、バス１１の内部にケミカルを収容させる。

そして、集積回路素子を製造するための基板１０をバス１１の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる（Ｓ３０３）。この際、基板１０は、ケミカルに沈むようにディッピングさせる。 基板１０は、バス１１の底面と平行にディッピングされることができる
。そして、ケミカルに基板１０をディッピングさせた状態で基板１０を加工処理する（Ｓ３０５）。特に、図３の段階Ｓ３０５の場合にも図２の段階Ｓ２０５と同様にブラシなどのような部材を使用するか、基板１０を振るか、またはバス１１の内部のケミカルを継続的にフローさせることによって基板１０の加工処理を達成することができる。

続いて、センサー１９を使用してディッピングによって曲がる基板１０の一部分があるかをセンシングする（Ｓ３０７及びＳ３０９）。そして、基板１０の一部分が曲がることとセンシングされる場合、センサー１９は、制御部２１にセンシング信号を出力して、センシング信号を入力受けた制御部２１は、ケミカル排出部１５に稼動命令を指示する。これに、ケミカル排出部１５を使用して基板１０の一部分に収容されたケミカルをバス１１の外部にフローさせる（Ｓ３１１）。このように、基板１０の一部分に収容されたケミカルをバス１１の外部に排出させる場合には、基板１０の一部分に図面符号２７と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号２７と同じ方向に生成される吸入力で言及した図面符号２５と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることによって、基板１０のディッピングによって基板１０の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。

そして、ケミカル循環部１７を使用してバス１１の外部にフローされるケミカルをバス１１の内部に更にフローさせる（Ｓ３１３）。 このように、ケミカル循環部１７を使用し
てケミカルをバス１１の 内部に更にフローさせることによって、バス１１の内部には一
定量のケミカルが継続的に維持され、特に、ケミカルの消耗量を格段に減らすことができる。

また、センサー１９と制御部２１を具備する場合、ケミカル排出部１５を多数の部分に設置させることによって、ケミカルによって基板１０が曲がる状況により能動的に対処することができる。即ち、基板１０が曲がる一部分を正確にセンシングして、これを通じて多数の部分に設置されたケミカル排出部１５のうち、基板１０の一部分に位置するケミカル排出部１５を通じてケミカルをバス１１の外部にフローさせることによって達成されることができる。

そして、本発明の実施例１のようにバス１１の内部に収容されたケミカルに基板１０をディッピングさせる製造方法の場合には、集積回路素子のうち、半導体素子により積極的に適用することができる。

このように、本発明の実施例１での装置及び方法を利用する場合、ケミカルを利用した単位工程でケミカルによって基板１０が曲がる状況を充分に減少させることができる。したがって、基板１０の曲がりによって発生する不良を減少させることによって、単位工程での信頼度向上を図ることができ、のみならず、後続工程を基板１０の移送を安定的に遂行することで、集積回路素子の製造による生産性向上を図ることができる。

[実施例２]
図４は、本発明の実施例２による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図である。

図４を参照すれば、集積回路素子の製造装置４００は、バス４１、ケミカル供給部４３、ケミカル排出部４５などを含み、以外にもローラー６３、後述する移送ウィンドー６５ａ、６５ｂ、ケミカル循環部４７、センサー４９、制御部５１などを更に含む。そして、言及した実施例１と同様に実施例２の場合にも、集積回路素子の例としては、半導体素子、平板ディスプレイ素子などが挙げられる。又、集積回路素子が半導体素子である場合には、基板４０の例としては半導体ウエハーなどが挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合には、基板４０の例としてはガラス基板などが挙げられる。

具体的に、バス４１は、その内部に集積回路素子を製造するための基板４０が位置し、ケミカル供給部４３からフローされるケミカルを収容する部材である。そして、ケミカル供給部４３は、言及したように、基板４０が位置するバス４１の内部にケミカルをフローさせる部材である。特に、実施例２での製造装置４００は、バス４１の内部に基板４０を位置させた後、バス４１の内部にケミカルをフローさせる構成を有する。即ち、バス４１の内部には、ケミカルが収容されていないか、バス４１の内部に位置する基板４０が充分に沈まない程度にケミカルが収容されていることとして、バス４１の内部に基板４０を位置させた後、ケミカル供給部４３を使用してバス４１の内部に位置する基板４０が充分に沈むようにバス４１の内部にケミカルをフローさせる構成を有する。

言及したケミカル供給部４３は、基板４０が位置するバス４１の内部にケミカルをフローさせる部材であって、図面符号５３のようにバス４１の内部に位置する基板４０の裏面の下から基板４０の裏面にケミカルをフローさせるように設置される。これに、ケミカル供給部４３は、基板４０の裏面の下から基板４０の裏面に設置される供給ライン４３ａ及び供給ライン４３ａに連結されるポンプ４３ｂを含む。特に、供給ライン４３ａの場合には、バス４１の底面を通じてバス４１の内部に位置する基板４０の裏面の下から基板４０の裏面にケミカルをフローさせるように設置されることができる。また、供給ライン４３ａは、ケミカルの一部が基板４０の外郭から基板４０の中心にフローされるように設置されることができる。この場合、供給ライン４３ａをバス４１の外郭に位置するように設置することで、ケミカルの一部が基板４０の外郭から基板４０の中心にフローされるようにすることができる。このように、供給ライン４３ａが基板４０の外郭の裏面の下から基板４０の中心の裏面にケミカルをフローさせるように設置することは、円滑なケミカルのフローを通じて工程效率を向上させるためである。又、ポンプ４３ｂは、ポンピング動作によってケミカルを円滑にフローさせるために設置され、図示していないが、供給ライン４３ａには、開閉動作が可能なバルブが設置されてもよい。そして、実施例２の場合にも、ケミカル供給部４３の設置構造を言及したように説明しているが、これに限定されない。即ち、言及したように、工程效率が高いことを基準としてケミカル供給部４３を設置することと理解することができる。 又、ケミカル供給部４３はその個数に限定されない。

ケミカル排出部４５は、バス４１の内部にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせる部材であって、基板４０をバス４１の内部に位置させた後、加工処理する時、基板４０の一部分が曲がる場合、基板４０の一部分にフローされるケミカルを外部にフローさせるように設置される。これに、ケミカル排出部４５は、基板４０が曲がる一部分に近接する部分に集中的に設置されるのが望ましく、特に、基板４０の一部分の裏面の下からバス４１の外部にケミカルをフローさせるように設置されるのがより望ましい。

そして、ケミカル排出部４５は、基板４０の一部分の裏面の下からバス４１の外部に設置される排出ライン４５ａ及び排出ライン４５ａに連結されるポンプ４５ｂを含む。特に、排出ライン４５ａは、基板４０の一部分の裏面の下からバス４１の底面を通じてバス４１の外部にケミカルをフローさせるように設置されるのが望ましい。 また、ポンプ４５ｂ
は、ポンピング動作を通じて基板４０の一部分の裏面の下からバス４１の外部にケミカル
を円滑にフローさせるために設置される。そして、図示していないが、排出ライン４５ａには開閉動作が可能なバルブが更に設置されてもよい。また、ケミカル排出部４５は、基板４０が曲がる一部分に設置される場合、その設置個数に限定されない。

このように、本発明の実施例２の集積回路素子の製造装置４００の場合にも、実施例１の製造装置１００と同様に、バス４１、ケミカル供給部４３、ケミカル排出部４５を具備する。

従って、言及したバス４１、ケミカル供給部４３、ケミカル排出部４５を具備する製造装置４００を使用した製造では、まず、バス４１の内部に基板４０を位置させる。この際、バス４１の内部には、言及したように、ケミカルが収容されていないか、バス４１の内部に位置する基板４０が充分に沈まれない程度にケミカルが収容されている。又、基板４０はバス４１の底面と平行に移送が行われる。 そして、バス４１の内部に位置させた基板
４０が充分に沈む程度にケミカルをフローさせることによって、基板４０の加工処理を遂行する。特に、ケミカル供給部４３によるケミカルは、基板４０の裏面の下から基板４０の裏面にフローされる。又、ケミカル供給部４３によるケミカルは、その一部が基板４０の外郭から基板４０の中心にフローされる。即ち、言及したケミカル供給部４３を使用する場合には、基板４０の裏面の外郭の下から基板４０の裏面の中心にケミカルがフローされる。

これに、ケミカルのフローによって、図面符号５５と同じ方向に浮力、抗力、これらの合成力などが印加され、その結果、基板４０の一部分が曲がる状況が発生する。特に、言及したように、ケミカルが基板４０の裏面の外郭の下から基板４０の裏面の中心にフローされる場合には、基板４０の中心部分に浮力、抗力、これらの合成力などが印加され、その結果、基板４０の中心部分が曲がる状況が発生する。従って、ケミカル排出部４５を使用して、基板４０の一部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせる。この際、言及したように、基板４０の中心部分が曲がる場合には、ケミカル排出部４５は基板の中心部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせる。このように、ケミカル排出部４５を使用して基板４０の一部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせる場合には、図面符号５７と同じ方向に基板４１の一部分に吸入力が生成される。即ち、ケミカル供給部４３を使用したケミカルのフローによって基板４０に印加される浮力、抗力、これらの合成力などに逆方向に吸入力が生成される。これに、図面符号５７と同じ方向に生成される吸入力で図面符号２５と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることによって基板４０の加工処理のためのケミカルのフローによって基板４０の一部分が曲がる状況を十分に減少させることができる。

このように、本発明の実施例２による集積回路素子の製造装置２００を使用した工程では、バス４１の内部に基板４０を位置させた後、バス４１の内部にケミカルをフローさせて、集積回路素子の製造による基板４０を加工処理する時、基板４０の一部分が曲がる場合、バス４１の内部の一部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせることにより基板４０の一部分が曲がる状況を減少させることができる。

そして、本発明の実施例２では、基板４０が曲がる部分を中心部分に限定し、これに対応してケミカル排出部４５も基板４０の中心部分の裏面に設置され、基板４０の中心部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせることと限定しているが、基板４０が集中的に曲がる部分を基準としてケミカル排出部４５を設置することと理解することができる。又、ケミカルが基板４０の裏面の下からバス４１の外部にフローされるようにケミカル排出部４５を設置することと限定しているが、基板４０の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向にケミカル排出部４５によって生成される吸入力が作用するように設置することと理解することができる。

又、ケミカル排出部４５を通じてバス４１の外部にフローされることにより、損失されるケミカルはケミカル供給部４３を通じて継続的に補充することができる。

又、言及したローラー６３は、基板４０をバス４１の内部に移送させる部材であって、バス４１の内部に設置される。又、ローラー６３は、上部ローラー６３ａと下部ローラー６３ｂを含み、上部ローラー６３ａは、基板４０の上面の外郭部分に接触するように設置され、下部ローラー６３ｂは、基板４０の裏面と接触するように設置される。この際、上部ローラー６３ａは、基板４０の上面にケミカルを円滑にフローさせるために、基板４０の上面の外郭部分にのみ接触するように設置され、下部ローラー６３ｂは、移送が行われる基板４０が下に垂れることを防止するために基板４０を横切る構造に設置される。

このように、上部ローラー６３ａが基板４０の上面の外郭部位のみを接触するように設置される場合には、ケミカルのフローによる浮力、抗力、これらの合成力などが基板４０の中心部分に集中されることができる。又、ケミカル供給部４３が言及したように、基板４０の裏面の外郭の下から基板４０の裏面の中心にケミカルをフローさせるように設置される場合にも基板４０の中心部分に浮力、抗力、これらの合成力などが集中されることができる。従って、言及したように、ケミカル供給部４３と上部ローラー６３ａが設置される場合には、ケミカル排出部４５は、基板４０の中心部分にフローされるケミカルをバス４１の外部に集中的にフローさせるように設置されることが好ましい。

そして、実施例２の製造装置４００のように、バス４１の内部に基板４０を移送するローラー６３ａを含む場合には、バス４１の側面に基板４０の移送経路を形成すべきである。即ち、ローラー６３が設置され基板４０が移送される経路と同じ高さのバス４１の側面に基板４０の移送経路が具備されるべきである。

これに、実施例２では図５のようにバス４１の側面に開閉可能に移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを設置する。ここで、図面符号６５ａの移送ウィンドーは、バス４１の内部に基板４０を移送する経路を提供する部材であり、図面符号６５ｂの移送ウィンドーはバス４１の外部に基板４０を移送する経路を提供する部材として理解することができる。そして、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂは、シャッター方式などで開閉される部材などで具備されることができる。これに、バス４１の側面に設置した移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを通じてローラー６３によってバス４１の内部に基板４０を移送させるか、バス４１の外部に基板４０を移送させることができる。そして、言及した移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを設置する場合には、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂの開放時、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを通じてバス４１の内部のケミカルがバス４１の外部にフローされることができる。これに、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを通じてバス４１の外部にフローされるケミカルを循環させるための部材が更に形成されることもできる。

又、図２の集積回路素子の製造装置４００の場合にも、図１の集積回路素子の製造装置１００と同様にケミカル循環部４７、センサー４９、制御部５１などを更に含むことができる。そして、実施例２でのケミカル循環部４７、センサー４９、制御部５１は、実施例１でのケミカル循環部１７、センサー１９、制御部２１と同じ構成を有するので、その詳細な説明は省略する。

以下では、言及したバス４１、ケミカル供給部４３、ケミカル排出部４５、ローラー６３、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂ、ケミカル循環部４７、センサー４９、制御部５１を具備する集積回路素子の製造装置４００を使用する方法に対して説明する。

図６は、図４の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図
である。

図６を参照すると、言及した基板４０の移送は、まず、バス４１の一側面に具備した移送ウィンドー６５ａを開放する（Ｓ６０１）。この際、バス４１の内部にケミカルが充分に収容されている場合なら、一側面の移送ウィンドー６５ａを通じてケミカルがバス４１の外部にフローされることができる。又、逆側面の移送ウィンドー６５ｂも開放され工程が完了された基板４０を後続工程のためにバス４１の外部に移送させる。この場合にも言及したように、移送ウィンドー６５ｂを通じてケミカルがバス４１の外部にフローされることができる。そして、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂを通じてバス４１の外部にフローされるケミカルは循環部材（図示せず）を使用して、更にバス４２の内部にフローさせることもできる。続いて、一側面の移送ウィンドー６５ａを通じてバス４１の内部に基板を移送させる。この際、基板４０は、バス４１の内部に設置されるローラー６３によって移送が行われる（Ｓ６０３）。移送ウィンドー６４ａ、６５ｂとローラー６３を使用して、基板４０をバス４１の内部に移送するので、基板４０はバス４１の底面と平行に移送される。

このように、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂの開放とローラー６３を使用した移送によって基板４０がバス４１の内部に移送される。この際、バス４１の内部にはケミカルが収容されていないか、バス４１の内部に位置する基板４０が充分に沈まない程度にケミカルが収容されている。これは、言及したように、移送ウィンドー６５ａ、６５ｂの開放によってバス４１の外部にケミカルがフローされるためである。これに、ケミカル供給部４３を使用して基板４０が位置するバス４１の内部にケミカルをフローさせる（Ｓ６０５）。この際、ケミカルのフローは、基板４０が充分に沈む程度に行われる。

続いて、バスの内部にケミカルをフローさせることにより、基板の加工処理を行う（Ｓ６０７）。ここで、基板の加工処理はケミカルのフロー以外にも基板の継続的な移送、ブラシなどのような部材を使用した工程処理などによって達成されることができる。

続いて、センサー４９を使用してケミカルのフローによって曲がった基板４０の一部分があるかをセンシングする（Ｓ６０９及びＳ６１１）。そして、基板４０の一部分が曲がったこととセンシングされる場合、センサー４９は、制御部５１にセンシング信号を出力し、センシング信号の入力を受ける制御部５１は、ケミカル排出部４５に稼動命令を指示する（Ｓ６１３）。これに、ケミカル排出部４５を使用して基板４０の一部分にフローされるケミカルをバス４１の外部にフローさせる（Ｓ６１５）。このように、基板４０の一部分にフローされるケミカルをバス４１の外部に排出させる場合には、基板４０の一部分に図面符号５７と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号５７と同じ方向に生成される吸入力に言及した図面符号５５と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることにより、基板４０のディッピングによって基板４０の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。

特に、実施例２の場合には、ローラー６３のうち、上部ローラー６３ａによって基板４０の上面の外郭が支持される構成を有する。そして、ケミカル供給部４３は、基板４０の裏面の外郭の下から基板４０の裏面の中心にケミカルをフローさせる構成を有する。これに、基板４０の中心部分が集中的に曲がることができる。このように、基板４０の中心部分が集中的に曲がる場合には、基板４０の中心部分にフローされるケミカルを集中的にバス４１の外部にフローさせることにより、基板４０の中心部分が曲がる状況を減少させることができる。

そして、ケミカル循環部４７を使用してバス４１の外部にフローされるケミカルをバス４１の内部に更にフローさせる（Ｓ６１５）。このように、ケミカル循環部４７を使用し
てケミカルをバス４１の内部に更にフローさせることにより、バス４１の内部には基板４０が充分に沈む程度に一定量のケミカルが継続的に維持され、特に、ケミカルの消耗量を減少させることができる。

又、本発明の実施例２のように、バス４１の内部に位置させた基板１０にケミカルをフローさせる製造方法の場合には、集積回路素子のうち、平板ディスプレイ素子により積極的に適用することができる。

このように、本発明の実施例２での装置及び方法を用いる場合にも、実施例１と同様にケミカルを用いた単位工程でケミカルによって基板４０が曲がる状況を充分に減少させることができる。従って、基板４０の曲がりによって発生する不良を減少させることにより、単位工程での信頼度向上を図ることができ、のみならず後続工程を基板４０の移送を安定的に行うことにより、集積回路素子の製造による生産性向上を図ることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１０…基板、１１…バス、１３…ケミカル供給部、１５…ケミカル排出部、１５ａ…排出ライン、１５ｂ…ポンプ、１７…ケミカル循環部、１９…センサー、２１…制御部、１００…集積回路素子の製造装置。

Claims (36)

1. 基板が底部と平行に配置されたバスの内部に前記基板を沈む程度にケミカルを供給する段階と、
   前記基板に対して前記ケミカルを用いる工程を行い、第１方向に沿って作用する第１力によって前記基板が部分的に屈曲される段階と、
   前記基板の屈曲部周囲のケミカルを前記バスから除去して前記第１方向と対称する第２方向に前記基板の屈曲部に対して印加される第２力によって前記基板を平らにする段階と、を含むケミカルフロー方法。
2. バスの内部にケミカルをフローさせて前記バスの内部にケミカルを収容させる段階と、
   基板を前記バスの内部に収容されたケミカルにディッピングさせる段階と、
   前記基板に対して前記ケミカルを用いる工程を行い、第１方向に沿って作用する第１力によって前記基板が部分的に屈曲される段階と、
   前記基板の屈曲部周囲のケミカルを前記バスから除去して前記第１方向と対称する第２方向に前記基板の屈曲部に対して印加される第２力によって前記基板を平らにする段階と、を含む集積回路素子の製造方法。
3. 前記第１力は、前記基板の上面から上方向に作用する抗力や浮力又はこれらの合成力を含み、前記第２力は前記基板の下面から下方向に作用するけん引力（ｄｒａｇ ｆｏｒｃｅ）を含むことを特徴とする請求項２記載の集積回路素子の製造方法。
4. 前記基板は、前記バス底面と平行にディッピングさせることを特徴とする請求項２記載の集積回路素子の製造方法。
5. 前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記基板の一部分に収容されたケミカルをフローさせることを特徴とする請求項２記載の集積回路素子の製造方法。
6. 前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせる段階を更に含むことを特徴とする請求項２記載の集積回路素子の製造方法。
7. 前記基板は、半導体素子を製造するための半導体ウエハー及び平板表示装置を製造するためのガラス基板を含むことを特徴とする請求項２記載の集積回路素子の製造方法。
8. 集積回路素子を製造するための基板をバスの内部に移送させる段階と、
   前記バスの内部に移送された前記基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせる段階と、
   前記基板に対して前記ケミカルを用いる工程を行い、第１方向に沿って作用する第１力によって前記基板が部分的に屈曲される段階と、
   前記基板の屈曲部の周囲のケミカルを前記バスの外部に除去して前記第１方向と対称する第２方向に前記基板の屈曲部に対して印加される第２力によって前記基板を平らにする段階と、を含む集積回路素子の製造方法。
9. 前記基板をバスの内部に移送させる段階と、
   前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
10. 前記バスの側面を通じて前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることを特徴とする請求項９記載の集積回路素子の製造方法。
11. 前記バスの内部に設置されるローラーを使用して前記基板を移送させることを特徴とする請求項１０記載の集積回路素子の製造方法。
12. 前記ローラーは、前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことを特徴とする請求項１１記載の集積回路素子の製造方法。
13. 前記バスの内部にケミカルをフローさせる段階は、
    前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に前記ケミカルをフローさせることを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
14. 前記ケミカルのうちの一部は、前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされることを特徴とする請求項１３記載の集積回路素子の製造方法。
15. 前記基板の一部分は、前記基板の中心部分を含むことを特徴とする請求項１４記載の集積回路素子の製造方法。
16. 第１力は、前記基板の上面から上方向に作用する抗力や浮力又はこれらの合成力を含み、前記第２力は、前記基板の下面から下方向に作用するけん引力を含むことを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
17. 前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記ケミカルをフローさせることを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
18. 前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせる段階を更に含むことを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
19. 前記基板は、半導体素子を製造するための半導体ウエハー及び平板表示装置を製造するためのガラス基板を含むことを特徴とする請求項８記載の集積回路素子の製造方法。
20. 内部にケミカル及び前記ケミカルに沈んで前記ケミカルを用いる工程が行われる基板が配置され、前記基板は、前記工程によって第１方向に沿って作用する第１力によって部分的に屈曲されるバスと、
    前記バスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部と、
    前記基板の屈曲部の周囲のケミカルを前記バスの外部に除去して前記第１方向と対称する第２方向に前記基板の屈曲部に対して第２力を印加して前記基板を平らにするケミカル排出部と、を含むことを特徴とする集積回路素子の製造装置。
21. 前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項２０記載の集積回路素子の製造装置。
22. 前記排出ラインは、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることを特徴とする請求項２１記載の集積回路素子の製造装置。
23. 前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことを特徴とする請求項２０記載の集積回路素子の製造装置。
24. 前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことを特徴とする請求項２０記載の集積回路素子の製造装置。
25. 側壁に少なくとも一対の移送ゲートを具備し、内部にケミカル及び前記ケミカルに沈んで前記ケミカルを用いる工程が行われる基板が配置され、前記基板は前記工程によって第１方向に沿って作用する第１力によって前記基板が部分的に屈曲されるバスと、
    前記基板が前記移送ゲートを通じて前記バスの底面と平行に移送されるように前記バスの内部で前記移送ゲートと平行に位置する基板移送用ローラーと、
    前記バスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部と、
    前記基板の屈曲部の周囲のケミカルを前記バスの外部に除去して前記第１方向と対称する第２方向に前記基板の屈曲部に対して第２力を印加して前記基板を平らにするケミカル排出部と、を含むことを特徴とする集積回路素子の製造装置。
26. 前記基板の側壁に具備され前記基板が前記移送ゲートを通じて移送されるときに開放され、前記基板が前記バスの内部で加工中であるときは密閉されるゲートウィンドーを更に含むことを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。
27. 前記ローラーは、前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。
28. 前記下部ローラーは、前記基板の裏面を横切るように配置され前記基板が移送される間に垂れることを防止することを特徴とする請求項２７記載の集積回路素子の製造装置。
29. 前記ケミカル供給部は、前記バスの内部に位置する基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせることを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。
30. 前記ケミカル供給部は、前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置される供給ライン及び前記供給ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項２９記載の集積回路素子の製造装置。
31. 前記供給ラインは、前記バス底面を通じて前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置されることを特徴とする請求項３０記載の集積回路素子の製造装置。
32. 前記供給ラインは、前記ケミカルの一部が前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされるように設置されることを特徴とする請求項３１記載の集積回路素子の製造装置。
33. 前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。
34. 前記排出ラインは、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることを特徴とする請求項３３記載の集積回路素子の製造装置。
35. 前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。
36. 前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号
    の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことを特徴とする請求項２５記載の集積回路素子の製造装置。

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