JP2001351891A - 処理装置 - Google Patents
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- JP2001351891A JP2001351891A JP2001105551A JP2001105551A JP2001351891A JP 2001351891 A JP2001351891 A JP 2001351891A JP 2001105551 A JP2001105551 A JP 2001105551A JP 2001105551 A JP2001105551 A JP 2001105551A JP 2001351891 A JP2001351891 A JP 2001351891A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ等の被処理体を浸透して洗浄す
る洗浄液が入る洗浄処理槽の周囲にクリーンエアのダウ
ンフローを形成して常に正常な状態に保つ。 【解決手段】 給気ファン４，ＵＬＰＡフィルタ３によ
り、洗浄処理槽１を包囲する容器２内にクリーンエアＡ
を供給する一方、排気ダクト５からクリーンエアＡを排
気して、容器２内にクリーンエアＡのダウンフローを形
成する。処理液Ｌを排出すべく容器２に廃液管２９を設
け、処理槽１内に処理液Ｌを供給すべく容器２を貫通及
びシールして給液管１４を配管し、処理槽１内から処理
液Ｌを排出すべく容器２を貫通及びシールして排出管１
５を配管する。
る洗浄液が入る洗浄処理槽の周囲にクリーンエアのダウ
ンフローを形成して常に正常な状態に保つ。 【解決手段】 給気ファン４，ＵＬＰＡフィルタ３によ
り、洗浄処理槽１を包囲する容器２内にクリーンエアＡ
を供給する一方、排気ダクト５からクリーンエアＡを排
気して、容器２内にクリーンエアＡのダウンフローを形
成する。処理液Ｌを排出すべく容器２に廃液管２９を設
け、処理槽１内に処理液Ｌを供給すべく容器２を貫通及
びシールして給液管１４を配管し、処理槽１内から処理
液Ｌを排出すべく容器２を貫通及びシールして排出管１
５を配管する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハ等の
被処理体を処理槽で処理する処理装置に係り、特に処理
槽の周囲の雰囲気を常に清浄に維持することができる処
理装置に関するものである。
被処理体を処理槽で処理する処理装置に係り、特に処理
槽の周囲の雰囲気を常に清浄に維持することができる処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの処理例えば洗浄処理で
は、水洗処理、アンモニア処理、フッ酸処理等の種々の
洗浄処理がなされる。これら処理を行う処理装置は、純
水等の処理液を入れる処理槽を有し、処理槽の処理液中
に半導体ウエハを浸漬して洗浄処理している。
は、水洗処理、アンモニア処理、フッ酸処理等の種々の
洗浄処理がなされる。これら処理を行う処理装置は、純
水等の処理液を入れる処理槽を有し、処理槽の処理液中
に半導体ウエハを浸漬して洗浄処理している。
【０００３】この種の処理装置では、処理液の外部への
飛散防止や外部からの微粒子等の侵入防止を目的とし
て、処理槽を容器内に収容しているものがある。この容
器には半導体ウエハを搬入・搬出できるように開閉可能
なシャッター等が設けられている。
飛散防止や外部からの微粒子等の侵入防止を目的とし
て、処理槽を容器内に収容しているものがある。この容
器には半導体ウエハを搬入・搬出できるように開閉可能
なシャッター等が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単に容
器内に処理槽を収容するだけでは、ウエハの搬入・搬出
のためにシャッターを開くと、容器内の雰囲気が外部に
漏れ易く、殊に処理液として薬液を用いた場合には周辺
環境への汚染等が問題となる。また、外部から微粒子等
を含んだ雰囲気が侵入し易く、半導体ウエハへの異物付
着が多くなり、半導体製品の歩留の低下を招くことにな
る。
器内に処理槽を収容するだけでは、ウエハの搬入・搬出
のためにシャッターを開くと、容器内の雰囲気が外部に
漏れ易く、殊に処理液として薬液を用いた場合には周辺
環境への汚染等が問題となる。また、外部から微粒子等
を含んだ雰囲気が侵入し易く、半導体ウエハへの異物付
着が多くなり、半導体製品の歩留の低下を招くことにな
る。
【０００５】この発明は上記の従来技術の問題点を解消
するためになされたもので、処理槽の周囲をクリーンエ
アのダウンフローにより常に清浄に保持できる処理装置
を提供することを目的とする。
するためになされたもので、処理槽の周囲をクリーンエ
アのダウンフローにより常に清浄に保持できる処理装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、半導体ウエハ等の被処理体
を処理槽の処理液中に浸漬して処理する処理装置におい
て、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲
する容器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると
共に、上記処理槽の周囲にクリーンエアのダウンフロー
を形成するクリーンエアの供給手段と、 上記処理槽の
周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上記容器の外部
へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記
容器に設けられる廃液管と、 上記処理槽内に上記処理
液を供給すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべ
く上記容器を貫通及びシールして配管される排出管と、
を備えたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、半導体ウエハ等の被処理体
を処理槽の処理液中に浸漬して処理する処理装置におい
て、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲
する容器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると
共に、上記処理槽の周囲にクリーンエアのダウンフロー
を形成するクリーンエアの供給手段と、 上記処理槽の
周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上記容器の外部
へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記
容器に設けられる廃液管と、 上記処理槽内に上記処理
液を供給すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべ
く上記容器を貫通及びシールして配管される排出管と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、半導体ウエ
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通及びシール
して配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリー
ンエア中に含まれる処理液を上記廃液管に導入する導入
管と、を備えたことを特徴とする。
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通及びシール
して配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリー
ンエア中に含まれる処理液を上記廃液管に導入する導入
管と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】また、請求項３記載の発明は、半導体ウエ
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
の上部外周に形成された受液部から上記処理液を排出す
べく上記容器を貫通及びシールして配管される排液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器
を貫通及びシールして配管される給液管と、 上記容器
外で上記排液管より排出される上記処理液を上記給液管
を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽
内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫通及びシー
ルして配管される排出管と、を備えたことを特徴とす
る。
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
の上部外周に形成された受液部から上記処理液を排出す
べく上記容器を貫通及びシールして配管される排液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器
を貫通及びシールして配管される給液管と、 上記容器
外で上記排液管より排出される上記処理液を上記給液管
を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽
内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫通及びシー
ルして配管される排出管と、を備えたことを特徴とす
る。
【０００９】また、請求項４記載の発明は、請求項１な
いし３のいずれかに記載の処理装置において、 上記容
器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔を形成
すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上
に取り付けられるリングに、上記給液管又は排出管と容
器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体
との間およびリングと給液管又は排出管との間に、それ
ぞれＯリングを設けたことを特徴とする。
いし３のいずれかに記載の処理装置において、 上記容
器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔を形成
すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上
に取り付けられるリングに、上記給液管又は排出管と容
器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体
との間およびリングと給液管又は排出管との間に、それ
ぞれＯリングを設けたことを特徴とする。
【００１０】この発明において、上記被処理体は半導体
ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板なども含まれる。
ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板なども含まれる。
【００１１】また、上記処理槽は処理液を貯留できるも
のであればよいが、半導体ウエハの洗浄処理では処理液
への不純物溶出が少なく、しかも耐薬品性に優れた石英
ガラスが好ましい。
のであればよいが、半導体ウエハの洗浄処理では処理液
への不純物溶出が少なく、しかも耐薬品性に優れた石英
ガラスが好ましい。
【００１２】また、上記給排手段には、例えば容器頂部
よりクリーンエアを供給するためのフィルタや給気ファ
ン、あるいは容器底部よりクリーンエアを排気する排気
ファンなどが用いられる。
よりクリーンエアを供給するためのフィルタや給気ファ
ン、あるいは容器底部よりクリーンエアを排気する排気
ファンなどが用いられる。
【００１３】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、クリーンエアの給気手段と排気手段によ
り、容器内にはクリーンエアのダウンフローが形成され
るので、被処理体を容器内に搬入したり、容器外へ搬出
したりしても、常に処理槽の周囲はクリーンエアで清浄
状態に保たれ、容器外からの微粒子等の侵入や容器外へ
の内部雰囲気の漏出が極力おさえられる。
置によれば、クリーンエアの給気手段と排気手段によ
り、容器内にはクリーンエアのダウンフローが形成され
るので、被処理体を容器内に搬入したり、容器外へ搬出
したりしても、常に処理槽の周囲はクリーンエアで清浄
状態に保たれ、容器外からの微粒子等の侵入や容器外へ
の内部雰囲気の漏出が極力おさえられる。
【００１４】また、処理槽に接続される給液管、排出
管、排液管等が、容器を貫通及びシールして配管される
ことにより、飛散などによって処理液が容器内に溜って
も、有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止すること
ができる。
管、排液管等が、容器を貫通及びシールして配管される
ことにより、飛散などによって処理液が容器内に溜って
も、有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止すること
ができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を図
面に基づいて詳細に説明する。
面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】図１において、１は被処理体たる半導体ウ
エハ（図示せず）を処理例えば洗浄処理する処理液例え
ば洗浄液Ｌを貯留する洗浄処理槽（処理槽）であり、洗
浄処理槽１は容器２内に密閉状態で収容されている。洗
浄処理槽１は、純水、薬液の洗浄液Ｌに不純物が溶出し
ないように石英ガラスからなる。洗浄処理槽１は、容器
２の底部に設置された図示省略の支持台上に載置されて
おり、アジャスト機構（図示せず）により水平に調整で
きるようになっている。
エハ（図示せず）を処理例えば洗浄処理する処理液例え
ば洗浄液Ｌを貯留する洗浄処理槽（処理槽）であり、洗
浄処理槽１は容器２内に密閉状態で収容されている。洗
浄処理槽１は、純水、薬液の洗浄液Ｌに不純物が溶出し
ないように石英ガラスからなる。洗浄処理槽１は、容器
２の底部に設置された図示省略の支持台上に載置されて
おり、アジャスト機構（図示せず）により水平に調整で
きるようになっている。
【００１７】容器２は、図１ないし図１のII−II線矢視
断面図である図２に示すように、洗浄処理槽１を包囲す
ると共に、洗浄処理槽１より上方に延びる矩形筒体状を
なしている。容器２の頂部には、容器２内にクリーンエ
アＡを供給するために、給気手段を構成するＵＬＰＡフ
ィルタ３と給気ファン４が設けられると共に、容器２底
部の側壁には、容器２内のクリーンエアＡを排気するた
めの排気ファン（図示せず）を備えた排気ダクト５が接
続されて、排気手段が構成されている。
断面図である図２に示すように、洗浄処理槽１を包囲す
ると共に、洗浄処理槽１より上方に延びる矩形筒体状を
なしている。容器２の頂部には、容器２内にクリーンエ
アＡを供給するために、給気手段を構成するＵＬＰＡフ
ィルタ３と給気ファン４が設けられると共に、容器２底
部の側壁には、容器２内のクリーンエアＡを排気するた
めの排気ファン（図示せず）を備えた排気ダクト５が接
続されて、排気手段が構成されている。
【００１８】容器２の上部側壁には半導体ウエハの搬入
・搬出用の開口６が形成されいており、開口６はピスト
ン等により上下に摺動自在なシャッター７により開閉可
能になっている。シャッター７は容器２の外側壁面にフ
ッ素樹脂（以下にＰＦＡという）又はポリ塩化ビニル
（以下にＰＶＣという）製のシールを介して当接され、
容器２内は気密に保たれる。また、シャッター７は石英
ガラスあるいは透明なＰＶＣで形成されており、シャッ
ター７を通して容器２の内部を目視できるようになって
いる。シャッター７が開かれたときに、半導体ウエハを
搬送する搬送手段である搬送アーム（図示せず）により
搬入された半導体ウエハを受け取ると共に、洗浄処理後
の半導体ウエハを搬送アームに受け渡す移載機構（移載
手段）が容器２内に設けられている。この移載機構は、
容器２の側壁より延出され洗浄処理槽１内へと垂下され
た案内部８と、案内部８に沿って上下に移動自在なフォ
ーク状の移送アーム９とから主に構成されている。移送
アーム９を案内部８に沿って下降させることにより、移
送アーム９上に載置された半導体ウエハは所定時間、洗
浄液Ｌ中に浸漬されて洗浄処理される。
・搬出用の開口６が形成されいており、開口６はピスト
ン等により上下に摺動自在なシャッター７により開閉可
能になっている。シャッター７は容器２の外側壁面にフ
ッ素樹脂（以下にＰＦＡという）又はポリ塩化ビニル
（以下にＰＶＣという）製のシールを介して当接され、
容器２内は気密に保たれる。また、シャッター７は石英
ガラスあるいは透明なＰＶＣで形成されており、シャッ
ター７を通して容器２の内部を目視できるようになって
いる。シャッター７が開かれたときに、半導体ウエハを
搬送する搬送手段である搬送アーム（図示せず）により
搬入された半導体ウエハを受け取ると共に、洗浄処理後
の半導体ウエハを搬送アームに受け渡す移載機構（移載
手段）が容器２内に設けられている。この移載機構は、
容器２の側壁より延出され洗浄処理槽１内へと垂下され
た案内部８と、案内部８に沿って上下に移動自在なフォ
ーク状の移送アーム９とから主に構成されている。移送
アーム９を案内部８に沿って下降させることにより、移
送アーム９上に載置された半導体ウエハは所定時間、洗
浄液Ｌ中に浸漬されて洗浄処理される。
【００１９】洗浄処理槽１の上部外周には、図１ないし
図２に示すように、洗浄処理槽１の上端切欠部からオー
バーフローする洗浄液Ｌを受ける受液部１ａが形成され
ている。そして、受液部１ａにオーバーフローした洗浄
液Ｌは排液管１０によって容器２外へと排出され、ベロ
ーズポンプ１１により圧送され、ダンパ１２で圧力が減
衰された後、フィルタ１３で洗浄液Ｌ中の異物、不純物
等が除去され、純化された洗浄液Ｌが給液管１４，１４
を通って洗浄処理槽１に再び戻されるようになってい
る。このようにして、洗浄処理槽１には常に洗浄液Ｌが
純化されて循環供給される。なお、洗浄処理槽１には、
洗浄処理槽１を洗浄するときなどに洗浄液Ｌを排出して
空にするための排出管１５が取り付けられている。
図２に示すように、洗浄処理槽１の上端切欠部からオー
バーフローする洗浄液Ｌを受ける受液部１ａが形成され
ている。そして、受液部１ａにオーバーフローした洗浄
液Ｌは排液管１０によって容器２外へと排出され、ベロ
ーズポンプ１１により圧送され、ダンパ１２で圧力が減
衰された後、フィルタ１３で洗浄液Ｌ中の異物、不純物
等が除去され、純化された洗浄液Ｌが給液管１４，１４
を通って洗浄処理槽１に再び戻されるようになってい
る。このようにして、洗浄処理槽１には常に洗浄液Ｌが
純化されて循環供給される。なお、洗浄処理槽１には、
洗浄処理槽１を洗浄するときなどに洗浄液Ｌを排出して
空にするための排出管１５が取り付けられている。
【００２０】排液管１０、給液管１４、排出管１５はい
ずれもＰＦＡ製であり、洗浄処理槽１に接続され容器２
の底壁を貫通して配管されているが、給液管１４を代表
例として、容器２の貫通部のシール構造と洗浄処理槽１
の接続部のシール構造を説明する。容器２の貫通部のシ
ール構造は、図４に示すように、給液管１４が貫通する
容器２の底壁２ａに形成された貫通孔２ｂ部分にはＰＶ
Ｃ製の環体１６が溶接され、環体１６上にはリング１
７，１８がそれぞれねじ１９Ａ，１９Ｂにより取り付け
られている。すなわち、環体１６上にリング１７がねじ
１９Ａにより取り付けられ、リング１７上にリング１８
がねじ１９Ｂにより取り付けられている。リング１７の
内側には給液管１４と容器２との隙間を埋めるような管
状部１７ａが形成されており、リング１７と環体１６と
の間およびリング１７と給液管１４との間にはＯリング
２０Ａ，２０Ｂがそれぞれ設けられる。そして、ねじ１
９Ａ，１９Ｂを締め付けることにより、Ｏリング２０
Ａ，２０Ｂによって貫通部は液密に保たれる。すなわ
ち、ねじ１９Ａを締め付けることによってリング１７と
環体１６との間に配設されたＯリング２０Ａが密接し、
また、ねじ１９Ｂを締め付けることによってリング１７
と給液管１４との間に配設されたＯリング２０Ｂが密接
して、貫通部は液密に保たれる。したがって、飛散など
によって洗浄液Ｌが容器２の底部に溜っても、有害な洗
浄液が容器２外へ漏出する虞はない。なお、リング１
７，１８はＰＶＣ、ねじ１９Ａ，１９Ｂはポリエーテル
エーテルケトン、Ｏリング２０Ａ，２０Ｂは合成ゴムで
それぞれ形成されている。
ずれもＰＦＡ製であり、洗浄処理槽１に接続され容器２
の底壁を貫通して配管されているが、給液管１４を代表
例として、容器２の貫通部のシール構造と洗浄処理槽１
の接続部のシール構造を説明する。容器２の貫通部のシ
ール構造は、図４に示すように、給液管１４が貫通する
容器２の底壁２ａに形成された貫通孔２ｂ部分にはＰＶ
Ｃ製の環体１６が溶接され、環体１６上にはリング１
７，１８がそれぞれねじ１９Ａ，１９Ｂにより取り付け
られている。すなわち、環体１６上にリング１７がねじ
１９Ａにより取り付けられ、リング１７上にリング１８
がねじ１９Ｂにより取り付けられている。リング１７の
内側には給液管１４と容器２との隙間を埋めるような管
状部１７ａが形成されており、リング１７と環体１６と
の間およびリング１７と給液管１４との間にはＯリング
２０Ａ，２０Ｂがそれぞれ設けられる。そして、ねじ１
９Ａ，１９Ｂを締め付けることにより、Ｏリング２０
Ａ，２０Ｂによって貫通部は液密に保たれる。すなわ
ち、ねじ１９Ａを締め付けることによってリング１７と
環体１６との間に配設されたＯリング２０Ａが密接し、
また、ねじ１９Ｂを締め付けることによってリング１７
と給液管１４との間に配設されたＯリング２０Ｂが密接
して、貫通部は液密に保たれる。したがって、飛散など
によって洗浄液Ｌが容器２の底部に溜っても、有害な洗
浄液が容器２外へ漏出する虞はない。なお、リング１
７，１８はＰＶＣ、ねじ１９Ａ，１９Ｂはポリエーテル
エーテルケトン、Ｏリング２０Ａ，２０Ｂは合成ゴムで
それぞれ形成されている。
【００２１】また、洗浄処理槽１の接続部のシール構造
は図５に示すもので、洗浄処理槽１に一体的に接合され
た石英製のガラス管２１には環状の溝部２１ａが形成さ
れ、この溝部２１ａにはＣリング２２が嵌合され、Ｃリ
ング２２によりナット２３は落下しないように止めら
れ、更にこのナット２３に給液管１４を挿着した継手２
４がねじ付けられる。継手２４の内周面の環状溝部２４
ａにはＯリング２０Ｃが設けられており、このＯリング
２０Ｃによってガラス管２１と継手２４との間が液密に
シールされる。したがって、この接続部から洗浄液Ｌが
漏れる心配はない。なお、Ｃリング２２、ナット２３及
び継手２４はそれぞれＰＦＡ製である。
は図５に示すもので、洗浄処理槽１に一体的に接合され
た石英製のガラス管２１には環状の溝部２１ａが形成さ
れ、この溝部２１ａにはＣリング２２が嵌合され、Ｃリ
ング２２によりナット２３は落下しないように止めら
れ、更にこのナット２３に給液管１４を挿着した継手２
４がねじ付けられる。継手２４の内周面の環状溝部２４
ａにはＯリング２０Ｃが設けられており、このＯリング
２０Ｃによってガラス管２１と継手２４との間が液密に
シールされる。したがって、この接続部から洗浄液Ｌが
漏れる心配はない。なお、Ｃリング２２、ナット２３及
び継手２４はそれぞれＰＦＡ製である。
【００２２】一方、洗浄処理槽１の上方には、図１ない
し図３に示すように、洗浄処理槽１の外周上方及び洗浄
処理槽１と容器２との間を覆うようにカバー２５が設け
られている。カバー２５は容器２の内側壁面に取り付け
られるが、カバー２５は外側すなわち容器２側に向かっ
て下方にわずかに傾斜させて形成されており、容器２側
の適宜箇所には、図３に示すように、排液用の穴２６が
形成されている。
し図３に示すように、洗浄処理槽１の外周上方及び洗浄
処理槽１と容器２との間を覆うようにカバー２５が設け
られている。カバー２５は容器２の内側壁面に取り付け
られるが、カバー２５は外側すなわち容器２側に向かっ
て下方にわずかに傾斜させて形成されており、容器２側
の適宜箇所には、図３に示すように、排液用の穴２６が
形成されている。
【００２３】容器２の下部には、容器２内のクリーンエ
アＡの整流化を図るために、パンチング板２７が設けら
れている。また、容器２の底壁２ａには、容器２の底部
に溜った洗浄液等を排出する廃液管２９が取り付けられ
ている。廃液管２９には、排気ダクト５から排気される
クリーンエアＡ中に含まれるミスト状の洗浄液等をトラ
ップしたドレンを廃液管２９に導入する導入管３０が接
続されている。
アＡの整流化を図るために、パンチング板２７が設けら
れている。また、容器２の底壁２ａには、容器２の底部
に溜った洗浄液等を排出する廃液管２９が取り付けられ
ている。廃液管２９には、排気ダクト５から排気される
クリーンエアＡ中に含まれるミスト状の洗浄液等をトラ
ップしたドレンを廃液管２９に導入する導入管３０が接
続されている。
【００２４】次に、この実施形態の作用を説明すると、
給気ファン４より送風されたエアはＵＬＰＡフィルタ３
で除塵され、層流化されたクリーンエアＡが容器２頂部
より流れ込む。一方、容器２の底部２ａの排気ダクト５
からは排気ファンによってクリーンエアＡが容器２外へ
排出される。したがって、容器２内にはクリーンエアＡ
のダウンフローが形成される。このため、洗浄処理槽１
の周囲はこのクリーンエアＡのダウンフローによって保
護され、洗浄処理の際に半導体ウエハに、異物、不純物
が付着することを低減でき、半導体製品の歩留りが向上
する。更に、容器２の底部２ａに溜った洗浄液等は廃液
管２９により直ちに排出され、また洗浄処理槽１の洗浄
液Ｌはフィルタ１３によって常時純化されつつ循環され
て清浄に保たれるので、容器２内はクリーンな状態に維
持される。また、クリーンエアＡのダウンフローが常時
流されるので、容器２内の雰囲気が外部に漏出しにく
く、有害な雰囲気による外部環境の汚染も軽減できる。
給気ファン４より送風されたエアはＵＬＰＡフィルタ３
で除塵され、層流化されたクリーンエアＡが容器２頂部
より流れ込む。一方、容器２の底部２ａの排気ダクト５
からは排気ファンによってクリーンエアＡが容器２外へ
排出される。したがって、容器２内にはクリーンエアＡ
のダウンフローが形成される。このため、洗浄処理槽１
の周囲はこのクリーンエアＡのダウンフローによって保
護され、洗浄処理の際に半導体ウエハに、異物、不純物
が付着することを低減でき、半導体製品の歩留りが向上
する。更に、容器２の底部２ａに溜った洗浄液等は廃液
管２９により直ちに排出され、また洗浄処理槽１の洗浄
液Ｌはフィルタ１３によって常時純化されつつ循環され
て清浄に保たれるので、容器２内はクリーンな状態に維
持される。また、クリーンエアＡのダウンフローが常時
流されるので、容器２内の雰囲気が外部に漏出しにく
く、有害な雰囲気による外部環境の汚染も軽減できる。
【００２５】また、洗浄処理槽１の外周上方にカバー２
５を設けているので、半導体ウエハの搬入・搬出に際し
て洗浄液が飛び散ったりしてもカバー２５で受けること
となり、洗浄処理槽１への不純物などの混入を抑えるこ
とができる。カバー２５で受けた洗浄液等は穴２６から
下に排出される。更に、カバー２５によって容器２内の
ダウンフローの流路が絞られているため、容器２上部の
流速は遅くとも、洗浄処理槽１付近の流速は十分確保で
き、給気ファン４等の動力低減が図れる。
５を設けているので、半導体ウエハの搬入・搬出に際し
て洗浄液が飛び散ったりしてもカバー２５で受けること
となり、洗浄処理槽１への不純物などの混入を抑えるこ
とができる。カバー２５で受けた洗浄液等は穴２６から
下に排出される。更に、カバー２５によって容器２内の
ダウンフローの流路が絞られているため、容器２上部の
流速は遅くとも、洗浄処理槽１付近の流速は十分確保で
き、給気ファン４等の動力低減が図れる。
【００２６】なお、シャッター７を開いたときに外部か
ら微粒子等が侵入するのをより効果的に防止するために
シャッター７の外側にエアーカーテンを形成してもよい
が、カバー２５の容器２側の外側部に排液用のみならず
クリーンエアＡのダウンフローを通過される通孔を多数
形成すればシャッター７の内側に良好なエアーカーテン
を形成できる。
ら微粒子等が侵入するのをより効果的に防止するために
シャッター７の外側にエアーカーテンを形成してもよい
が、カバー２５の容器２側の外側部に排液用のみならず
クリーンエアＡのダウンフローを通過される通孔を多数
形成すればシャッター７の内側に良好なエアーカーテン
を形成できる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば次のような効果が得られる。
明によれば次のような効果が得られる。
【００２８】１）処理槽を包囲する容器に給気手段と排
気手段によりクリーンエアを給排して容器内にクリーン
エアのダウンフローを形成しているので、半導体ウエハ
等の被処理体の処理をクリーンな状態で行なうことがで
きる。このため、被処理体への異物、不純物などの付着
が低減され、被処理体の品質や歩留りの向上が図られ
る。また、容器内の雰囲気が外部に漏出しにくくなり、
外部漏出による環境汚染等を軽減できる。更に、容器内
のみに局所的にクリーンエアのダウンフローを形成する
方式なので、多数の処理装置などが設置されるクリーン
ルーム全体にクリーンエアを流す方式に比し、送風、空
調などに要する運転コストを大幅に低減できる。
気手段によりクリーンエアを給排して容器内にクリーン
エアのダウンフローを形成しているので、半導体ウエハ
等の被処理体の処理をクリーンな状態で行なうことがで
きる。このため、被処理体への異物、不純物などの付着
が低減され、被処理体の品質や歩留りの向上が図られ
る。また、容器内の雰囲気が外部に漏出しにくくなり、
外部漏出による環境汚染等を軽減できる。更に、容器内
のみに局所的にクリーンエアのダウンフローを形成する
方式なので、多数の処理装置などが設置されるクリーン
ルーム全体にクリーンエアを流す方式に比し、送風、空
調などに要する運転コストを大幅に低減できる。
【００２９】２）処理槽に接続される給液管、排出管、
排液管等が、容器を貫通及びシールして配管されること
により、飛散などによって処理液が容器内に溜っても、
有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止することがで
きる。
排液管等が、容器を貫通及びシールして配管されること
により、飛散などによって処理液が容器内に溜っても、
有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止することがで
きる。
【図１】この発明に係る処理装置の一実施形態を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】図１のII−II線矢視断面図である。
【図３】図１のカバーの拡大図である。
【図４】図１の給液管が容器を貫通する部分のシール構
造を示す拡大断面図である。
造を示す拡大断面図である。
【図５】図１の洗浄処理槽と給液管との接続部分のシー
ル構造を示す拡大断面図である。
ル構造を示す拡大断面図である。
１ 洗浄処理槽（処理槽） ２ 容器 ２ａ 底壁 ２ｂ 貫通孔 ３ ＵＬＰＡフィルタ ４ 給気ファン ５ 排気ダクト ９ 移送アーム １０ 排液管 １４ 給液管 １６ 環体 １７ リング １７ａ 管状部 １８ リング １９Ａ，１９Ｂ ねじ ２０Ａ，２０Ｂ Ｏリング ２７ パンチング板
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、を備えたことを
特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリーンエア中に含ま
れる処理液を上記廃液管に導入する導入管と、を備えた
ことを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽の上部外周に形成された受液部から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排液管と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記容器外で上記排液管より排出される上記処理液を上
記給液管を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、を備えたことを
特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の処
理装置において、 上記容器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔
を形成すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上に取り付けられるリングに、上記給液管又は
排出管と容器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体との間およびリングと給液管又は排出
管との間に、それぞれＯリングを設けたことを特徴とす
る処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105551A JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105551A JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11781991A Division JP3225441B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351891A true JP2001351891A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18958227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001105551A Pending JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001351891A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220896A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置 |
| KR100928951B1 (ko) | 2008-06-09 | 2009-11-30 | 세메스 주식회사 | 케미컬 플로우 방법, 그리고 이를 이용하는 집적 회로소자의 제조 방법 및 장치 |
| CN112090843A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于清洗硅片的装置 |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001105551A patent/JP2001351891A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220896A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置 |
| KR100928951B1 (ko) | 2008-06-09 | 2009-11-30 | 세메스 주식회사 | 케미컬 플로우 방법, 그리고 이를 이용하는 집적 회로소자의 제조 방법 및 장치 |
| CN112090843A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于清洗硅片的装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030403 |