JP2002198343A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2002198343A
JP2002198343A JP2000393017A JP2000393017A JP2002198343A JP 2002198343 A JP2002198343 A JP 2002198343A JP 2000393017 A JP2000393017 A JP 2000393017A JP 2000393017 A JP2000393017 A JP 2000393017A JP 2002198343 A JP2002198343 A JP 2002198343A
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JP
Japan
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substrate
processing
lid
exhaust passage
exhaust
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Withdrawn
Application number
JP2000393017A
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English (en)
Inventor
Yasunori Shinohara
保範 篠原
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 事故の際には,複数の排気口を同時に閉塞さ
せることができ,しかも排気通路の腐食も防ぐことがで
きる,基板処理装置を提供する。 【解決手段】 酸性の薬液,純水,アルカリ性の薬液,
純水が順次充填される洗浄槽30にウェハWを浸漬させ
て複数の洗浄処理を施す洗浄ユニットであって,酸性の
薬液雰囲気を排気する酸気液分離ボックス80及び酸排
気通路81と,アルカリ性の薬液雰囲気を排気するアル
カリ気液分離ボックス及びアルカリ排気通路を設け,酸
気液分離ボックス80及びアルカリ気液分離ボックスに
は,各排気通路を開放及び閉塞させる蓋体と,蓋体を昇
降させるシリンダ機構がそれぞれ設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,例えば半導体ウェ
ハやLCD基板用ガラス等の洗浄処理などを行う基板処
理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては,半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という。)
を所定の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し,ウェハ
に付着したパーティクル,有機汚染物,金属不純物のコ
ンタミネーションを除去する洗浄装置が使用されてい
る。その中でも,洗浄槽に充填された洗浄液中にウェハ
を浸漬させて洗浄処理を行うウェット型の洗浄装置を備
えた洗浄システムが広く普及している。
【0003】最近では,省フットプリントやトータルコ
ストの低減等の要望により,1種類又は2種類以上の薬
液と純水を一つの洗浄槽内に各処理毎に交互に供給,排
液し,複数の洗浄処理を単一の槽で行う,いわゆるPO
U(ポイント・オブ・ユース)方式の洗浄槽を利用した
洗浄システムが注目されている。このようなPOU槽で
は,例えば酸性の薬液,純水,アルカリ性の薬液,純水
を順次供給して各種薬液洗浄とリンス洗浄が交互に行わ
れる。
【0004】ところで従来,洗浄槽に薬液が供給される
と,洗浄槽の周囲は薬液雰囲気で充満されるので,洗浄
装置には,洗浄槽の周囲を排気するための排気口及び排
気通路が設けられている。一方,同じ排気通路で,酸性
の薬液雰囲気とアルカリ性の薬液雰囲気の両方を排気し
ようとすると通路内で反応が起こり,塩等のクロスコン
タミネーションが発生して装置を汚染させてしまう。そ
こで,例えば特開2000―114229号公報等にお
いて開示された洗浄装置では,酸専用とアルカリ専用に
排気通路を個別に設け,酸性の薬液雰囲気を排気する場
合には,アルカリ専用の排気通路を閉塞させ,アルカリ
性の薬液雰囲気を排気する場合には,酸専用の排気通路
を閉塞させることにより,各薬液雰囲気をそれぞれ専用
の排気通路から排気するようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,この特
開2000―114229号に開示された洗浄装置によ
れば,酸専用の排気通路とアルカリ専用の排気通路のど
ちらか一方しか閉塞させることができなかったので,例
えば突発的な事故等により,洗浄槽内から薬液が溢れ出
た場合には,どちらか一方の排気通路に薬液が流入して
しまう。また,薬液雰囲気を,排気通路内に直接通すの
で,ミスト等が内部で溜まり排気通路を腐食させるおそ
れがある。
【0006】従って本発明の目的は,洗浄槽内から薬液
が溢れ出た場合等の事故の際には,複数の排気通路を同
時に閉塞させることができ,しかも排気通路の腐食も防
ぐことができる,基板処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,請求項1の発明は,複数の処理液を選択的に充填さ
せた処理槽に基板を浸漬させて処理する基板処理装置で
あって,処理槽の周囲を排気する複数の排気通路を設
け,各排気通路を開放及び閉塞させる蓋体と,各蓋体を
駆動させる駆動機構をそれぞれ設けたことを特徴として
いる。
【0008】請求項1の基板処理装置において,基板と
は,半導体ウェハやLCD基板用ガラス等の基板などが
例示され,その他,CD基板,プリント基板,セラミッ
ク基板などでも良い。基板処理装置は,ウェハ等に対し
て例えば複数の洗浄処理を施すワンバス方式の洗浄装置
として具体化され,処理槽の周囲雰囲気は,排気通路か
ら排気される。ここで,処理液には,例えば酸性の薬
液,アルカリ性の薬液,純水等の洗浄液があり,排気通
路は,各種処理液に対応して設けられている。例えば酸
性の薬液が充填される場合,アルカリ専用の排気通路を
閉塞させることにより,処理槽の周囲に拡がる酸性の薬
液雰囲気は酸専用の排気通路により排気される。同様に
アルカリ性の薬液が充填される場合,酸専用の排気通路
を閉塞させることにより,酸性の薬液雰囲気は酸専用の
排気通路により排気される。
【0009】請求項1に記載の基板処理装置にあって
は,各蓋体はそれぞれの駆動機構により駆動されるの
で,例えば処理槽から処理液が溢れ出る等の事故の際に
は,各排気通路を全て閉塞させることが可能である。
【0010】更に請求項1に記載の基板処理装置におい
て,請求項2に記載したように,排気中の処理液を除去
する気液分離手段を設けることが好ましい。この場合,
各排気通路に気液分離ボックスを個別に設け,各気液分
離ボックス内でミストを除去してから,各薬液雰囲気を
それぞれの排気通路に流しても良いし,各排気通路に対
して共通の気液分離ボックスを設け,この気液分離ボッ
クス内でミストを除去してから,各薬液雰囲気をそれぞ
れの排気通路に流しても良い。
【0011】請求項3に記載したように,各排気通路
に,排気量を調整する流量調整機構を設けることが好ま
しい。また,請求項4に記載したように,前記処理槽の
周囲にダウンフローを形成する送風手段を設けることが
好ましい。
【0012】請求項5の発明は,複数の処理液を貯留で
きる処理槽に基板を浸漬させて処理する基板処理装置で
あって,前記処理槽を収納する容器と,前記容器に設け
られた少なくとも1つの開口と,前記開口を通して容器
内の雰囲気を排気する複数の排気通路と,各排気通路を
開放及び閉塞させる蓋体と,各蓋体に接続され,各蓋体
を開放位置及び閉塞位置に移動させる駆動機構をそれぞ
れ設けたことを特徴としている。
【0013】請求項5に記載の基板処理装置において,
請求項6に記載したように,前記開口に連通された切換
ボックスと,前記複数の排気通路のうち少なくとも2つ
の排気通路を切換ボックスに接続させ,前記切換ボック
ス内又は前記2つの排気通路上に前記蓋体を設けても良
い。また,請求項7に記載したように,前記切換ボック
スと開口との間又は切換ボックス内に,前記容器外の雰
囲気を排気するための排気管が接続されることが好まし
い。
【0014】請求項8の発明は,複数の処理液を貯留で
きる処理槽に基板を浸漬させて処理する基板処理装置で
あって,前記処理槽を収納する容器と,前記容器に設け
られた複数の開口と,複数の排気通路とを備え,前記複
数の排気通路の各々は前記複数の開口の各々に連通さ
れ,更に各排気通路を開放及び開放させる蓋体と,各蓋
体に接続され,各蓋体を開放位置及び閉塞位置に移動さ
せる駆動機構をそれぞれ設けたことを特徴としている。
【0015】請求項5〜8に記載の基板処理装置におい
て,請求項9に記載したように,前記開口は,前記容器
の底面よりも上方に設けられ,かつ前記処理槽内に貯留
される最大量の処理液を容器底部に貯留した際の処理液
の液面よりも高い位置に設けられることが好ましい。請
求項10に記載したように,前記開口を覆うカバーを設
けても良い。例えば処理槽が破損して処理液が外に溢れ
出ることがあっても,開口が,処理槽内に貯留される最
大量の処理液を容器底部に貯留した際の処理液の液面よ
りも高い位置に設けられているので,処理液が開口に侵
入することがない。さらにカバーにより,飛散した処理
液等が開口に侵入するのを防止することができる。
【0016】請求項11の発明は,酸系の処理液とアル
カリ系の処理液とを選択的に処理槽に供給して基板を処
理する基板処理装置であって,前記処理槽の上方に設け
られ,処理槽の周囲にダウンフローを形成する送風手段
と,前記処理槽外と処理槽内との間で基板を移動可能に
支持する基板保持部材と,前記基板保持部材を前記処理
槽外と処理槽内との間で移動させる基板保持部材駆動手
段と,前記基板保持部材と前記基板保持部材駆動手段と
の間に設けた遮蔽板と,前記遮蔽板を挟んで基板保持部
材側と基板保持部材と反対側の両方を流れたきたダウン
フローを排気する酸系の排気通路とアルカリ系の排気通
路を処理槽の下方に設け,各排気通路を開放及び閉塞さ
せる蓋体と,各蓋体を駆動させる駆動機構をそれぞれ設
け,酸系の処理液で基板が処理されているときは酸系の
排気通路のみが蓋体により開放され,アルカリ系の処理
液で基板が処理されているときはアルカリ系の排気通路
のみが蓋体により開放されるように蓋体を駆動させる駆
動機構を制御することを特徴としている。
【0017】
【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態を,基板の一例としてウェハを洗浄するように構成さ
れた基板処理装置としての洗浄装置に基づいて説明す
る。図1は,本実施の形態にかかる洗浄ユニット11,
12,13を備えた洗浄装置1の斜視図である。この洗
浄装置1は,ウェハWの洗浄及び乾燥を行うように構成
されている。
【0018】この洗浄装置1には,複数枚のウェハWを
収納したキャリアCが搬入出されるキャリア搬入出部5
と,キャリアC内からウェハWを取り出し,キャリアC
内にウェハWを収納させるローダ・アンローダ部6と,
ウェハWが収納されたキャリアCや空のキャリアCを待
機させておくストック部7と,ウェハWを洗浄,乾燥処
理する洗浄・乾燥処理部8を備えている。キャリア搬入
出部5とローダ・アンローダ部6の間では,移送テーブ
ル等を備えたキャリア搬送ロボット(図示せず)によっ
て2個のキャリアCが移送される。ローダ・アンローダ
部6では,ピッチチェンジャー(図示せず)により2個
のキャリアCから取り出されたウェハWの配列ピッチが
変換される。例えばウェハWの配列ピッチを約半分に縮
めて,キャリアC2個分のウェハWの配列幅をキャリア
C1個分のウェハWの配列幅に変換する。このピッチチ
ェンジャーからウェハWを搬送装置15が受け取り,洗
浄・乾燥処理部8の各ユニットに搬送する。洗浄・乾燥
処理部8には,ローダ・アンローダ部6に近い方から順
に,ウェハWを例えばIPA(イソプロピルアルコー
ル)蒸気を用いて乾燥させるための乾燥ユニット10
と,ウェハWに対して複数の洗浄処理を行う,いわゆる
POU槽を備えた洗浄ユニット11,12,13とが配
置されている。さらに工場内のオペレータ等が洗浄装置
1内のメンテナンス等を容易にするために,洗浄・乾燥
処理部8の前面側に踏み台16が設けられている。
【0019】洗浄ユニット11〜13は何れも同様の構
成を有するので,洗浄ユニット11を例にとって説明す
る。図2は,洗浄ユニット11の縦断面の説明図であ
る。図2に示すように,洗浄ユニット11は,ウェハW
の洗浄処理が行われる洗浄エリアA1と,処理液として
の洗浄液を供給するための配管が設置され,供給,混
合,排液あるいは液の循環等が行われるケミカルエリア
A2と,ウェハWの受け渡しが行われる授受エリアA3
が設けられている。
【0020】図3に示すように,洗浄エリアA1には,
複数の処理液を選択的に充填可能な処理槽としての洗浄
槽30が,容器としてのシンク31内に収納される。洗
浄槽30は,ウェハWを収納するのに十分な大きさを有
する箱形の内槽40と,内槽40の開口部を取り囲んで
装着された外槽41とを備えている。このような洗浄槽
30は,収納台42上に固定される。洗浄槽30内に充
填される洗浄液には,各種薬液と純水等がある。洗浄槽
30の洗浄プロセスとして,例えば酸性の薬液,純水,
アルカリ性の薬液,純水を順次供給し,各種薬液処理と
リンス処理とを交互に行う。
【0021】内槽40にはドレイン管43が,外槽41
にはドレイン管44がそれぞれ接続され,これらドレイ
ン管43,44により内槽40,外槽41内の洗浄液が
シンク31底部に排液される。このドレイン管43に
は,開閉弁32が接続されている。また,シンク31に
はドレイン管45が接続されている。このドレイン管4
5からは三方弁46を介して酸ドレイン管47,純水ド
レイン管48,アルカリドレイン管49が分岐してい
る。従って,三方弁46の切換操作により,酸ドレイン
管47から酸性の薬液は外部に排液され,純水ドレイン
管48から純水は外部に排液され,アルカリドレイン管
49からアルカリ性の薬液は外部に排液される。
【0022】ケミカルエリアA2内には,洗浄槽30に
各種洗浄液を供給する供給路50が設けられている。こ
の供給路50には,液生成部51,ヒータ52,フィル
タ53が順次配置され,供給路50の出口側は,洗浄槽
30の底部に設けられたノズル54に接続される。液生
成部51には,酸性の薬液を供給する酸供給路55と,
アルカリ性の薬液を供給するアルカリ供給路56と,純
水を供給する純水供給路57がそれぞれ接続される。酸
供給路55には開閉弁58が設けられ,酸供給路55の
入口側には酸性の薬液が貯留されるタンク59が接続さ
れ,例えばNガス等を用いてタンク59内の酸性の薬
液を供給する。また,アルカリ供給路56には開閉弁6
0が設けられ,アルカリ供給路56の入口側にはアルカ
リ性の薬液が貯留されたタンク61が接続され,同様に
ガス等を用いてタンク61内のアルカリ性の薬液を
供給する。そして液生成部51に,酸性の薬液若しくは
アルカリ性の薬液と,純水をそれぞれ所定流量供給し,
所定の混合容量比の酸性の洗浄液若しくはアルカリ性の
洗浄液を生成し,温調及び浄化した後に洗浄槽30に供
給する。なお,図示の如くケミカルエリアA2の上方
に,タンク59,61を配置した場合には,これらタン
ク59,61の周囲雰囲気を排気できるように,ケミカ
ルエリアA2の上壁62に,排気口63を形成すると良
い。
【0023】授受エリアA3では,前記搬送装置15と
ウェハガイド65との間でウェハWの受け渡しが行われ
る。このウェハガイド65は,ウェハWを保持し,この
洗浄槽30内にウェハWを収納させるべく昇降自在であ
る。即ち図4に示すように,ウェハガイド65は,3本
の平行な保持部材66a,66b,66cを備えてい
る。各保持部材66a〜cには,ウェハWの周縁下部を
保持する溝67が等間隔で例えば50箇所形成されてい
る。そしてウェハガイド65は,例えばキャリアC2個
分の50枚のウェハWの周縁部を,各保持部材66a〜
cに形成された各溝67にそれぞれ挿入させることによ
り,複数枚のウェハWを等間隔で配列させた状態で保持
できる構成となっている。
【0024】各保持部材66a〜cは,いずれも水平姿
勢で支持体68に固定され,各保持部材66a〜c同士
の間には,所定の隙間が形成されている。支持体68の
裏面には,昇降部材69が取り付けられている。昇降部
材69は,後述する遮蔽板70に形成された溝71,及
び側壁72に形成された溝73を通り,この側壁72の
裏側に配置された昇降機構74に接続されている。この
昇降機構74は,昇降部材69を上下方向に動かすこと
により,洗浄槽30内と洗浄槽30の上方との間で,ウ
ェハガイド65を昇降させるようになっている。
【0025】洗浄装置11の天井部には,FFU(ファ
ン・フィルタ・ユニット)等の送風装置75,76,7
7が配置される。この送風装置75,76から清浄なエ
アを送ることにより,授受エリアA3内にダウンフロー
が形成され,洗浄槽30の周囲雰囲気を下方に押し流す
ことが可能となる。特に洗浄槽30内に薬液が充填され
る場合には,このようにダウンフローを形成することに
より,薬液雰囲気が周囲に拡散するのを防止できる。ま
た,送風装置77により,昇降機構74が置かれたエリ
アにダウンフローを形成する。
【0026】また,薬液雰囲気により昇降機構74が汚
染されるのを防ぐために,授受エリアA3では,前述し
た遮蔽板70を,側壁72に対して隙間をおいて配置す
る。そして,これら側壁72と遮蔽板70により通路7
8を形成し,通路78に対して送風装置76からエアを
送る。送風装置76,77から何れも流速等が同じエア
を送るようにし,通路78と昇降機構74が置かれたエ
リアを同じ気圧雰囲気にする。これにより,薬液雰囲気
が溝71,73を通って側壁72の裏側まで拡散するの
を防止することができる。また,送風装置75,76を
一体にして一つの送風装置としても良い。通路78は,
比較的狭いエリアであるので,この送風装置からは分散
せずに均一な流速のエアを送ることができる。授受エリ
アA3と昇降機構74が置かれたエリアを同じ気圧雰囲
気にし,薬液汚染を防止することができる。また,通路
78に対して送風装置76から例えば流速の速いエアを
集中的に送り,遮蔽板70の溝71から吹き出させても
良い。そうすれば,通路78内は,他のエリア内に比べ
て高圧雰囲気になり,薬液雰囲気が溝71,73を通っ
て側壁72の裏側まで拡散するのを防止することができ
る。
【0027】一方,下方に押し流された洗浄槽30の周
囲雰囲気は,例えば遮蔽板70を挟んでウェハガイド6
5側とウェハガイド65と反対側の両方を流れたきたダ
ウンフローは,図5に示すように,洗浄エリアA1の下
部に設けられた酸気液分離ボックス80及び酸排気通路
81若しくはアルカリ気液分離ボックス82及びアルカ
リ排気通路83の何れか一方により外部に排気される。
【0028】酸気液分離ボックス80及び酸排気通路8
1は,主に酸専用の気液分離ボックス及び排気通路であ
り,アルカリ気液分離ボックス82及びアルカリ排気通
路83は,主にアルカリ専用の気液分離ボックス及び排
気通路であるが,何れも同様の構成を有するので,酸気
液分離ボックス80及び酸排気通路81を例にとって説
明する。図6に示すように,酸気液分離ボックス80の
上面の一方側(図示の例では右側)には,開口84が形
成され,酸気液分離ボックス80の下面の他方側(図示
の例では左側)には,酸排気通路81が接続されてい
る。
【0029】開口84は,シンク31の底面31aより
も上方に配設され,かつ洗浄槽30内に貯留される最大
量の洗浄液をシンク31底部に貯留した際の洗浄液の液
面よりも高い位置に配設される。さらにシンク31の側
面31bには,開口84を覆うカバー79が設けられて
いる。例えば洗浄槽30が破損して洗浄液が外に溢れ出
ることがあっても,開口84は,洗浄槽30内に貯留さ
れる最大量の洗浄液をシンク31底部に貯留した際の洗
浄液の液面よりも高い位置に配設されているので,洗浄
液が開口84に侵入することがない。また,カバー79
により,飛散した洗浄液のミスト等が開口84に侵入す
るのを防止する。
【0030】酸気液分離ボックス80の開口84を蓋体
85により開放及び閉塞することにより,酸排気通路8
1を開放及び閉塞している。蓋体85の下面には,駆動
機構としてのシリンダ機構86のロッド87が接続され
ている。ロッド87の周囲は,酸気液分離ボックス80
の底面に固定された内筒体88aと,この内筒体88a
に対して上下に重なり合うことが可能な,蓋体85の下
面に固定された外筒体88bにより覆われている。内筒
体88a,外筒体88bの材質には,例えばPVC(ポ
リ塩化ビニル)等が用いられ,酸性の薬液雰囲気からロ
ッド87を保護する。また,シリンダ機構86は,制御
部89から出力される制御信号により稼働する。こうし
て,蓋体85は,シリンダ機構86の稼働により昇降自
在であり,例えば実線で示した蓋体85は,開口84を
閉塞させた状態(閉塞位置)を示し,二点鎖線85’で
示した蓋体85は,開口84を開放させた状態(開放位
置)を示している。また,ロッド87の軸方向の上方に
開口84が設けられ,ロッド87の先端に蓋体85が接
続されているので,ロッド87の移動方向と開口84の
蓋体85による開閉方向が一致することから,例えばロ
ッド87が伸びた時に蓋体85で開口84を確実に押さ
えてシールすることができる。
【0031】また,酸気液分離ボックス80の上面から
は仕切り板90が垂設されている。また,酸気液分離ボ
ックス80の底面には,ミストドレイン管91,91が
接続され,このミストドレイン管91,91に向かって
傾斜している傾斜板92が設けられている。傾斜板92
だけでは,蓋体85が下降して開口84から気流が流入
した場合に,この気流に乗ってミストが傾斜板92を越
えて酸排気通路81内にそのまま流入おそれがあるが,
このように仕切り板90を垂設することにより,気流を
遮る壁を形成し,これによって,気流が仕切り板90に
衝突してミストが付着し,そのミストは仕切り板90か
ら傾斜板92に滴り落ちる。こうして,酸気液分離ボッ
クス80内では,仕切り板90や傾斜板92等により,
酸性の薬液雰囲気からミストを除去してミストドレイン
管91,91から排液し,このミストが除去された酸性
の薬液雰囲気を酸排気通路81に通す。
【0032】酸排気通路81には,排気量を調整する流
量調整機構としての回転ダンパ95が設けられている。
回転ダンパ95には回転軸97が取り付けられ,この回
転軸97を回すことにより,回転ダンパ95の角度を調
整するようになっている。例えば実線で示した回転ダン
パ95は,水平姿勢になって酸排気通路81内を遮断さ
せた状態を示し,二点鎖線85’で示した蓋体85は,
酸排気通路81内を導通させて,その排気量を適宜調整
した状態を示している。また,酸排気通路81は,先の
図2に示すように,洗浄ユニット11内から出た後に踏
み台16の下を通り,例えば工場内の酸排気系(図示せ
ず)に接続される。
【0033】一方,アルカリ気液分離ボックス82及び
アルカリ排気通路83では,アルカリ気液分離ボックス
82の開口84を蓋体85により開放及び閉塞すること
により,アルカリ排気通路83を開放及び閉塞してい
る。そして,アルカリ気液分離ボックス82によりアル
カリ性の薬液雰囲気からミストを取り除いた後,ケミカ
ルエリアA2内の雰囲気と共に,アルカリ排気通路83
により外部に工場内のアルカリ排気系(図示せず)に排
気する。アルカリ気液分離ボックス82内の蓋体85を
上下動させるシリンダ機構86にも,制御部89から制
御信号が出力される。なお,先に説明した酸気液分離ボ
ックス80及び酸排気通路81と共通の構成要素につい
ては同じ符号を付することにより,重複説明を省略す
る。
【0034】このように酸気液分離ボックス80及びア
ルカリ気液分離ボックス82では,開口84を開放及び
閉塞させる蓋体85と,この蓋体85を上下方向に昇降
させるシリンダ機構86がそれぞれ個別に設けられてい
るので,酸排気通路81とアルカリ排気通路83のどち
らか一方を開放及び閉塞させるだけでなく,両方を同時
に開放及び閉塞させることが可能である。
【0035】制御部89は,酸性の洗浄液が洗浄槽30
に供給されてウェハWが洗浄処理されているときは,酸
気液分離ボックス80側のシリンダ機構86に蓋体85
を下降させるように制御信号を出力すると共に,アルカ
リ気液分離ボックス82側のシリンダ機構86に蓋体8
5を上昇させるように制御信号を出力して,酸排気通路
81を開放するように制御する。一方,アルカリ系の洗
浄液が洗浄槽30に供給されてウェハWが洗浄処理され
ているときは,酸気液分離ボックス80側のシリンダ機
構86に蓋体85を上昇させるように制御信号を出力す
ると共に,アルカリ気液分離ボックス82側のシリンダ
機構86に蓋体85を下降させるように制御信号を出力
して,アルカリ排気通路83を開放するように制御す
る。
【0036】なお,代表して洗浄ユニット11について
説明したが,他の洗浄ユニット12,13も同様の構成
を有しており,他の洗浄ユニット12,13も,酸気液
分離ボックス80及び酸排気通路81と,アルカリ気液
分離ボックス82及びアルカリ排気通路83と,各通路
を開放及び閉塞させる蓋体85及びシリンダ機構86を
個別に備えている。
【0037】さて,洗浄装置1において先ず図示しない
搬送ロボットにより未だ洗浄されていないウェハWを例
えば25枚ずつ収納したキャリアCがキャリア搬入出部
5に2個載置される。このキャリア搬入出部5に搬入さ
れたキャリアCは,移送アーム9によってローダ・アン
ローダ部6に移送される。そして,ウェハWが取り出さ
れ,搬送装置15によりウェハWは50枚単位で一括し
て把持される。搬送装置15によってウェハWは,各洗
浄ユニット11〜13に適宜搬送され,ウェハWの表面
に付着しているパーティクルなどの汚染物質が洗浄,除
去され,最後に乾燥ユニット10に搬送されて乾燥処理
される。こうして所定の洗浄処理が終了したウェハW
は,ローダ・アンローダ部6に戻されて再びキャリアC
に収納される。
【0038】ここで,代表して洗浄ユニット11での洗
浄について説明する。洗浄プロセスを,図7のタイミン
グ図に示す。先ず,洗浄槽30内に酸性の薬液を充填す
る。一方,ウェハガイド65は,洗浄槽30の上方に上
昇して搬送装置15からウェハWを受け取り,その後に
洗浄槽30内に下降することにより,ウェハWを酸性の
薬液中に浸漬させる。こうして,洗浄槽30内で酸性の
薬液による薬液処理を行う。
【0039】また,洗浄槽30に酸性の薬液を充填する
と,洗浄槽30の周囲に酸性の薬液雰囲気を充満させる
ことになるが,送風装置75,76により授受エリアA
3内にダウンフローを形成することにより,この酸性の
薬液雰囲気を拡散させずに,洗浄槽30の下方に押し流
す。また,送風装置77から,送風装置76と同様の流
速等を有するダウンフローを形成し,授受エリアA3と
昇降機構74が置かれたエリアとを同じ気圧雰囲気に保
ち,酸性の薬液雰囲気が昇降機構74が置かれたエリア
内に拡散するのを防ぐ。なお,遮蔽板70と側壁72に
よって囲まれた通路78に対して,送風装置76からエ
アを重点的に供給することにより,通路78内にエアカ
ーテンを形成し,酸性の薬液雰囲気が側壁72の裏側に
配置された昇降機構74に及ぶのを防止しても良い。
【0040】洗浄槽30の下方に押し流された酸性の薬
液雰囲気を,酸気液分離ボックス80内に流入させる。
この場合,酸気液分離ボックス80側では,蓋体85を
下降させて開口84を開放させて酸排気通路81を開放
させると共に,アルカリ気液分離ボックス82側では,
蓋体85を上昇させて開口84を閉塞させてアルカリ排
気通路83を閉塞させる。酸気液分離ボックス80内で
は,酸性の薬液雰囲気からミストを除去してミストドレ
イン管91,91を通じて外部に排液する。その後,ミ
ストが除去された酸性の薬液雰囲気を,酸排気通路81
内に流入させて工場内の酸排気系に排気する。また,回
転ダンパ95の角度を適宜調整し,酸排気通路81の排
気量を適切な状態にする。この場合,送風装置75,7
6の送風量と酸排気通路81の排気量を合わせて調整す
ることにより,授受エリアA3内に最適なダウンフロー
を形成することが可能である。
【0041】酸性の薬液による薬液処理が終了すると,
三方弁46を酸ドレイン管47側に切換操作し,洗浄槽
30内から酸性の薬液を排液する。一方,洗浄槽30の
周囲には,酸性の薬液雰囲気が未だ残留しているおそれ
があるので,引き続き酸気液分離ボックス80及び酸排
気通路81により排気を行う。
【0042】次いで,洗浄槽30内に,純水を充填して
リンス処理を行う。しばらくリンス処理を行っている
と,酸性の薬液雰囲気は殆ど排気されて,洗浄槽30の
周囲は中性の雰囲気に変わる。そうなると,酸気液分離
ボックス80側では,蓋体85を上昇させて開口84を
閉塞させると共に,アルカリ気液分離ボックス82側で
は,蓋体85を下降させて開口84を開放させる。酸排
気とアルカリ排気の切り換えの時期は,上述の場合に限
らず,アルカリ性の薬液が洗浄槽30に供給される直前
に切り換えても良い。この場合,酸性雰囲気が残ってい
る可能性が更に小さくなっている。中性になった洗浄槽
30の周囲雰囲気を,アルカリ気液分離ボックス82及
びアルカリ排気通路83により排気すると共に,次のア
ルカリ性の薬液による薬液処理に備える。
【0043】純水によるリンス処理が終了すると,三方
弁46を純水ドレイン管48側に切換操作し,洗浄槽3
0内から純水を排液する。次いで,洗浄槽30内に,ア
ルカリ性の薬液を充填して薬液処理を行う。酸性の薬液
雰囲気と同様にアルカリ性の薬液雰囲気を洗浄槽30の
下方に押し流し,アルカリ気液分離ボックス82内に流
入させる。その後,ミストが除去されたアルカリ性の薬
液雰囲気を,アルカリ排気通路83内に流入させて外部
に排気する。この場合も,回転ダンパ95の角度を適宜
調整し,アルカリ排気通路83の排気量を適切な状態に
する。
【0044】アルカリ性の薬液による薬液処理が終了す
ると,三方弁46をアルカリドレイン管49側に切換操
作し,洗浄槽30内からアルカリ性の薬液を排液する。
また,アルカリ気液分離ボックス82及びアルカリ排気
通路83により,残留しているアルカリ性の薬液雰囲気
を引き続き排気する。
【0045】次いで,洗浄槽30内に純水を充填してリ
ンス処理を再び行う。2回目のリンス処理後は,ウェハ
ガイド65を上昇させることにより,ウェハWを洗浄槽
30内から取り出し,搬送装置15に受け渡す。
【0046】このような洗浄ユニット11によれば,複
数のシリンダ機構86により,酸気液分離ボックス80
とアルカリ気液分離ボックス82の各蓋体85を個別に
昇降させることができるので,例えば洗浄槽30から薬
液が溢れ出た場合等の事故の際には,酸排気通路81と
アルカリ排気通路83を同時に閉塞させることができ
る。このため,例えば各ボックスと各通路内に,薬液が
流入する事態を防止し,安全を図ることができる。ま
た,洗浄ユニット11内をパージして新鮮な雰囲気に置
換したい場合には,酸気液分離ボックス80とアルカリ
気液分離ボックス82の各開口84を同時に開放させ
て,酸排気通路81とアルカリ排気通路83の両方から
排気を行うことにより,パージを短時間で行うことが可
能となる。
【0047】しかも,酸排気通路81及びアルカリ排気
通路83の何れの通路も,ミストが取り除かれた薬液雰
囲気が流入するので,通路内で液滴が溜まることがな
く,腐食が防止される。このため,酸排気通路81及び
アルカリ排気通路83を長期に渡って使用することが可
能となり,メンテナンス等に優れている。
【0048】以上,本発明の好適な実施の形態の一例を
示したが,本発明はここで説明した形態に限定されな
い。先の実施の形態では,酸排気通路81及びアルカリ
排気通路83にそれぞれ気液分離ボックスを設けていた
が,酸排気通路81及びアルカリ排気通路83に対して
共通の気液分離ボックスを設けても良い。図8及び図9
は,そのような気液分離ボックス100の例である。
【0049】気液分離ボックス100の底面には,中間
通路101の入口側が接続され,この中間通路101の
出口側は,切換ボックス102の上流側の側面に接続さ
れている。切換ボックス102の下流側の側面には,酸
排気通路81と,アルカリ排気通路83がそれぞれ接続
されている。
【0050】気液分離ボックス100では,流入してき
た雰囲気からミストを除去して中間通路101に流す。
酸性の薬液雰囲気から除去されたミストは,酸ミストド
レイン管103から排液され,アルカリ性の薬液雰囲気
から除去されたミストは,アルカリミストドレイン管1
04から排液される。なお,気液分離ボックス100
は,先に説明した酸気液分離ボックス80及びアルカリ
気液分離ボックス82と殆ど同様の構成を有しており,
共通の構成要素については同じ符号を付することによ
り,重複説明を省略する。
【0051】中間通路101には,前記ケミカルエリア
A2内の雰囲気を排気する排気管としてのケミカルエリ
ア排気管105が接続され,ミストが除去された雰囲気
をケミカルエリアA2内の雰囲気と共に,切換ボックス
102に通す。
【0052】切換ボックス102内は,仕切り板10
6,107により,上流エリアA11と,酸性の薬液雰
囲気を上流エリアA11から酸排気通路81に通過させ
る酸性の薬液雰囲気エリアA12と,アルカリ性の薬液
雰囲気を上流エリアA11からアルカリ排気通路83に
通過させるアルカリ性の薬液雰囲気エリアA13に大別
される。仕切り板106には,開口108,108が形
成され,薬液雰囲気エリアA12側の開口108を開放
及び閉塞することにより酸排気通路81を開放及び閉塞
することができ,薬液雰囲気エリアA13側の開口10
8を開放及び閉塞することによりアルカリ排気通路83
を開放及び閉塞することができる。各蓋体109は,そ
れぞれのシリンダ機構110により移動自在である。従
って,切換ボックス102内では,開口108,108
の何れか一方を開放させて他方を閉塞させることによ
り,酸排気とアルカリ排気が切り換えられる。
【0053】このような構成によれば,事故の際には,
切換ボックス102内の開口108,108を同時に閉
塞させるので,酸排気通路81とアルカリ排気通路83
の両方の通路に対して薬液の流入等を防ぐことができ
る。また,ケミカルエリアA2内の雰囲気の排気も行う
ことができる。また,ケミカルエリアA2を通して供給
される薬液に応じて酸排気通路81若しくはアルカリ排
気通路83の何れか一方に流すことができる。例えば洗
浄槽30に酸性の薬液が供給されている場合,洗浄槽3
0周囲の酸性の薬液雰囲気は,気液分離ボックス10
0,中間通路101,切換ボックス102を経て,酸排
気通路81により排気され,ケミカルエリアA2内の雰
囲気は,中間通路101で酸性の薬液雰囲気と混合した
後,同様に酸排気通路81により排気される。
【0054】その他,例えば本実施の形態では,酸専用
とアルカリ専用の気液分離ボックス及び排気通路を設け
る場合について説明したが,これに限定されずに,2種
類以上の薬液が用いられる場合には,各薬液の種類毎に
気液分離ボックス及び排気通路を設けることが可能であ
る。また,基板はウェハに限られず,LCD基板,CD
基板,プリント基板,セラミック基板等であってもよ
い。
【0055】
【発明の効果】請求項1〜11に記載の基板処理装置に
よれば,突発的な事故が起こった場合には,全ての排気
口を同時に閉塞することができ,安全を図ることができ
る。また,全ての排気口を同時に開放させてパージを短
時間で行うことが可能となる。しかも排気通路の腐食を
防止することができ,メンテンナンス等に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかる洗浄装置を備えた洗浄シ
ステムの斜視図である。
【図2】本実施の形態にかかる洗浄装置の縦断面の説明
図である。
【図3】洗浄エリアA1とケミカルエリアA2を拡大し
た縦断面の説明図である。
【図4】授受エリアA3に対して送風装置によりダウン
フローを形成している様子を示す斜視図である。
【図5】酸気液分離ボックス及び酸排気通路と,アルカ
リ気液分離ボックス及びアルカリ排気通路の斜視図であ
る。
【図6】酸気液分離ボックス及び酸排気通路の縦断面の
説明図である。
【図7】洗浄処理のタイミングチャートである。
【図8】気液分離ボックス,中間通路,切換ボックス,
酸排気通路及びアルカリ排気通路の斜視図である。
【図9】気液分離ボックス,中間通路,切換ボックス,
酸排気通路及びアルカリ排気通路の横断面の説明図であ
る。
【符号の説明】
C キャリア W ウェハ A1 洗浄エリア A2 ケミカルエリア A3 授受エリア 30 洗浄槽 75,76,77 送風装置 80 酸気液分離ボックス 81 酸排気通路 82 アルカリ気液分離ボックス 83 アルカリ排気通路 85 蓋体 86 シリンダ機構 95 回転ダンパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 H01L 21/306 J

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の処理液を選択的に充填させた処理
    槽に基板を浸漬させて処理する基板処理装置であって,
    処理槽の周囲を排気する複数の排気通路を設け,各排気
    通路を開放及び閉塞させる蓋体と,各蓋体を駆動させる
    駆動機構をそれぞれ設けたことを特徴とする,基板処理
    装置。
  2. 【請求項2】 更に,排気中の処理液を除去する気液分
    離手段を設けたことを特徴とする,請求項1に記載の基
    板処理装置。
  3. 【請求項3】 各排気通路に,排気量を調整する流量調
    整機構を設けたことを特徴とする,請求項1又は2に記
    載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記処理槽の周囲にダウンフローを形成
    する送風手段を設けたことを特徴とする,請求項1,2
    又は3のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 複数の処理液を貯留できる処理槽に基板
    を浸漬させて処理する基板処理装置であって,前記処理
    槽を収納する容器と,前記容器に設けられた少なくとも
    1つの開口と,前記開口を通して容器内の雰囲気を排気
    する複数の排気通路と,各排気通路を開放及び閉塞させ
    る蓋体と,各蓋体に接続され,各蓋体を開放位置及び閉
    塞位置に移動させる駆動機構をそれぞれ設けたことを特
    徴とする,基板処理装置。
  6. 【請求項6】 前記開口に連通された切換ボックスと,
    前記複数の排気通路のうち少なくとも2つの排気通路を
    切換ボックスに接続させ,前記切換ボックス内又は前記
    2つの排気通路上に前記蓋体を設けたことを特徴とす
    る,請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】 前記切換ボックスと開口との間又は切換
    ボックス内に,前記容器外の雰囲気を排気するための排
    気管が接続されたこと特徴とする,請求項6に記載の基
    板処理装置。
  8. 【請求項8】 複数の処理液を貯留できる処理槽に基板
    を浸漬させて処理する基板処理装置であって,前記処理
    槽を収納する容器と,前記容器に設けられた複数の開口
    と,複数の排気通路とを備え,前記複数の排気通路の各
    々は前記複数の開口の各々に連通され,更に各排気通路
    を開放及び開放させる蓋体と,各蓋体に接続され,各蓋
    体を開放位置及び閉塞位置に移動させる駆動機構をそれ
    ぞれ設けたことを特徴とする,基板処理装置。
  9. 【請求項9】 前記開口は,前記容器の底面よりも上方
    に設けられ,かつ前記処理槽内に貯留される最大量の処
    理液を容器底部に貯留した際の処理液の液面よりも高い
    位置に設けられたことを特徴とする,請求項5,6,7
    又は8に記載の基板処理装置。
  10. 【請求項10】 前記開口を覆うカバーを設けたことを
    特徴とする,請求項5,6,7,8又は9に記載の基板
    処理装置。
  11. 【請求項11】 酸系の処理液とアルカリ系の処理液と
    を選択的に処理槽に供給して基板を処理する基板処理装
    置であって,前記処理槽の上方に設けられ,処理槽の周
    囲にダウンフローを形成する送風手段と,前記処理槽外
    と処理槽内との間で基板を移動可能に支持する基板保持
    部材と,前記基板保持部材を前記処理槽外と処理槽内と
    の間で移動させる基板保持部材駆動手段と,前記基板保
    持部材と前記基板保持部材駆動手段との間に設けた遮蔽
    板と,前記遮蔽板を挟んで基板保持部材側と基板保持部
    材と反対側の両方を流れたきたダウンフローを排気する
    酸系の排気通路とアルカリ系の排気通路を処理槽の下方
    に設け,各排気通路を開放及び閉塞させる蓋体と,各蓋
    体を駆動させる駆動機構をそれぞれ設け,酸系の処理液
    で基板が処理されているときは酸系の排気通路のみが蓋
    体により開放され,アルカリ系の処理液で基板が処理さ
    れているときはアルカリ系の排気通路のみが蓋体により
    開放されるように蓋体を駆動させる駆動機構を制御する
    ことを特徴とする,基板処理装置。
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