TWI401733B - 流動化學物質之方法以及使用該方法製造積體電路裝置之方法與裝置 - Google Patents

Description

流動化學物質之方法以及使用該方法製造積體電路裝置之方法與裝置

本發明是有關於一種流動化學物質之方法以及使用該方法製造積體電路裝置之方法與裝置，且特別是有關於一種流動例如清潔溶液與蝕刻溶液等化學物質之方法，以及使用該方法製造例如半導體裝置或平面顯示裝置等積體電路裝置之方法與裝置。

通常，積體電路裝置，例如半導體裝置或平面顯示裝置，在製造裝置時經常需要使用例如清潔溶液與蝕刻溶液等化學物質之重覆性單元製程。使用化學物質之單元製程，包括使用清潔溶液之清潔製程或使用蝕刻溶液之蝕刻製程，且在含有化學物質之浴中進行。使用化學物質浴之單元製程，通常以浸泡模式或流動模式進行。在浸泡模式中，製造積體電路之基底浸入化學物質浴中，且基底浸泡在化學物質浴中。在流動模式中，製造積體電路之基底位於浴中，且單元製程之化學物質流入浴中，使得化學物質流至基底表面。半導體晶圓係用以做為製造半導體裝置之基底，而大玻璃基底係用以做為製造平面顯示裝置之基底。

在浴中使用化學物質之單元製程具有基底容易在浴中撓曲的問題。特別是，經常有顯示裝置之大型玻璃基底在浴中嚴重撓曲之報導。基底在浴中之撓曲主要是由基底位置以及浴中化學物質之流動方向造成。習知在浴中使用化學物質之單元製程中，基底通常以基底之下表面與浴之底部平行或化學物質從浴之底部流至基底之下表面之配置浸入化學物質中，使得基底在浴中受到浮力及/或浮動力。浮力或浮動力造成基底之撓曲。

基底撓曲造成在使用化學物質浴之單元製程中各種缺陷，以及當基底由包括用以從浴中偵測基底之感應器之傳輸單元傳輸至另一處理室時對基底之誤偵測。

實施例提供一種流動化學物質之方法，減少在浴中之基底撓曲。

實施例提供也提供一種製造積體電路裝置之方法，使用上述流動化學物質之方法。

實施例也提供一種裝置，用以進行上述製造積體電路裝置之方法。

根據本發明之某些實施例，提供一種流動化學物質之方法，用以處理一基底。供應該化學物質至一浴中，該基底係以使該基底浸沒於該化學物質之方式放置成與該浴之底部平行。然後，使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲。將在該基底之撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。

根據本發明之某些實施例，提供一種製造積體電路裝置之方法。首先，供應化學物質至一浴中，並將一基底浸入該化學物質中，使該基底浸沒於該浴中之該化學物質。使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲。將在該基底之撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。

在一實施例中，該第一力包括從該基底之上表面在向上方向之一浮力、一漂浮力或兩者之結合，且該第二力包括從該基底之下表面在向下方向之一拖力。

在一實施例中，該基底係以該基底之下表面與該浴之底部平行之方式浸入該化學物質中。

在一實施例中，在該基底之撓曲部周圍之該化學物質係經由該浴之底部排出該浴。

在一實施例中，排出之該化學物質可再供應至該浴以回收該化學物質。

在一實施例中，該基底包括用以製造半導體裝置之半導體晶圓以及用以製造平面顯示裝置之玻璃基底。

根據本發明之某些實施例，提供一種製造積體電路裝置之方法。將一基底移至一浴中，其中該基底不足以浸沒於化學物質。供應該化學物質至該浴中，使該基底浸沒於該化學物質。使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲。將在該基底之撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。

在一實施例中，該基底係移至該浴中，使得該基底之下表面與該浴之底部平行。特別是，該基底係經由該浴之側壁移至該浴中。該基底係經由安裝於該浴中之滾輪移至該浴中。該滾輪包括接觸於該基底之上表面之周邊部之上滾輪，以及接觸於該基底之該下表面之下滾輪。

在一實施例中，該化學物質係以該化學物質在該基底下流至該基底之下表面之方式供應至該浴中。該化學物質之一部分從該基底之周邊部流至中間部。

在一實施例中，該基底之撓曲部包括該基底之該中間部。該第一力包括從該基底之上表面在向上方向之一浮力、一漂浮力或兩者之結合，且該第二力包括從該基底之下表面在向下方向之一拖力。

在一實施例中，在該基底之撓曲部周圍之該化學物質係經由該浴之底部排出該浴。

在一實施例中，排出之該化學物質再供應至該浴以回收該化學物質。

根據本發明之某些實施例，提供一種製造積體電路裝置之裝置，包括一浴、化學物質供應器以及化學物質排放器。該浴包括化學物質與浸沒於該化學物質之一基底。該基底在該浴中使用該化學物質進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲。該化學物質供應器提供該化學物質至該浴。該化學物質排放器將在該基底之撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。

在一實施例中，該化學物質排放器包括一排放線，從該基底之該撓曲部下方之區域延伸至該浴之外部，以及一排放幫浦，連接至該排放線。該排放線經由該浴之底部延伸至該浴之外部。

在一實施例中，該裝置可更包括一化學物質循環器，經由該化學物質排放器再供應排出之該化學物質至該浴。

在一實施例中，該裝置可更包括一感測器，偵測該基底之該撓曲部，且產生一偵測信號，以及一控制器，根據該感測器之該偵測信號控制該化學物質排放器。

根據本發明之某些實施例，提供一種製造積體電路裝置之裝置，包括一浴、滾輪、化學物質供應器以及化學物質排放器。該浴包括化學物質與浸沒於該化學物質之一基底，且在側壁具有至少一對移動閘門。該基底在該浴中使用該化學物質進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲。該滾輪用以移動該基底，該滾輪與該浴之該側壁之該移動閘門水平位於該浴中，使得該基底之下表面由該滾輪經由該移動閘門水平於該浴之底部移動。該化學物質供應器提供該化學物質至該浴。該化學物質排放器將在該基底之撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。

在一實施例中，該裝置可更包括至少一對閘門窗，分別安裝於該浴之該側壁，且開閉該移動閘門，使得當該閘門窗開啟時，該基底經由該移動閘門移動，且當該基底在該浴中處理時，該閘門窗閉合。例如，該滾輪包括接觸於該基底之上表面之周邊部之上滾輪，以及接觸於該基底之該下表面之下滾輪。該下滾輪橫過該基底之該下表面，以防止該基底在浴中移動時向下凹陷。

在一實施例中，該化學物質供應器在該基底位於該浴中後供應該化學物質至該浴中直到該基底浸沒於該化學物質之程度。例如，該化學物質供應器包括一供應排放線，從該浴之外部延伸至該浴中該基底下方之區域，以及一供應幫浦，連接至該供應線。該供應線穿透該浴之該底部。該化學物質供應器係以使該化學物質之一部分從該基底之周邊部流至中間部之配置安裝。

在一實施例中，該化學物質排放器包括一排放線，從該基底之該撓曲部下方之區域延伸至該浴之外部，以及一排放幫浦，連接至該排放線。例如，該排放線經由該浴之底部延伸至該浴之外部。

在一實施例中，該裝置可更包括一化學物質循環器，經由該化學物質排放器再供應排出之該化學物質至該浴。

在一實施例中，該裝置可更包括一感測器，偵測該基底之該撓曲部，且產生一偵測信號，以及一控制器，根據該感測器之該偵測信號控制該化學物質排放器。

根據本發明之某些實施例，當使用化學物質之製程在浴中之基底進行時，可由排出基底之撓曲部周圍之部分化學物質有效防止基底撓曲。由於排出化學物質而產生與浮力與漂浮力相反方向之拖力，因此浮力與漂浮力可由拖力平衡或抵銷。因此，可有效防止在浴中使用化學物質進行製程中之基底撓曲。特別是，對製造積體電路之習知裝置之修改可有效防止基底因化學物質產生之撓曲。

因此，由基底之撓曲造成之各種製程缺陷可有效防止而增進單元製程之處理信賴度，且基底可由移動單元穩定移動至另一處理室而不產生基底之誤偵測，因而可增加積體電路裝置之製造產能。

為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

以下請參照相關圖式，詳細說明本發明適用之具體實施例。然而，本發明可適用於各種不同形態，不應限定於所揭露之實施例。實施例係用以揭露完整之技術，且提供熟悉此技藝之人士本發明之技術，且提供熟悉此技藝之人士本發明之完整內容。在圖式中，塗層與區域之尺寸及相關比例可能因明確繪示而誇大。

當元件或塗層之說明係為「在其上」、「連結於」或「接續於」另一元件或塗層時，可為直接在其上、連結或接續，也可有中介之元件或塗層。相反地，當元件之說明係為「直接在其上」、「直接連結於」或「直接接續於」另一元件或塗層時，沒有中介之元件或塗層。相同之標號係標示相同之元件。名詞「及/或」係包括所列出項目之任何所有組合。

雖然說明中可能採用第一、第二、第三等名詞描述各種元件、配件、區域、塗層及/或區段，這些元件、配件、區域、塗層及/或區段不應限定於此。上述名詞僅用於區分不同之元件、配件、區域、塗層及/或區段。因此，以下所述之第一元件、配件、區域、塗層及/或區段可在不脫離本發明之教示之下做為第二元件、配件、區域、塗層及/或區段。

空間性相對名詞，例如「在其下」、「低於」、「在其上」、「高於」等，可用以便於描述元件或特徵與其他元件或特徵在圖式中繪示之相對關係。這些空間性相對名詞係為涵蓋裝置除圖示以外在使用或操作時之不同方向。舉例而言，若圖中之裝置被反置，所述之在其他元件或特徵「之下」或「較低」之元件則會變為在其他元件或特徵「之上」或「較高」。因此，實施例中之名詞「在其下」可涵蓋在其上與其下。裝置也可以其他方向放置(旋轉90度或其他方向)，故空間性相對名詞也需做對應之解讀。

在此所使用之名詞僅為描述特定實施例，且並非用以限制本發明。如下所述，除非內容明確另行指示，單數形之「一」與「該」係為包括複數。使用於本說明書中之名詞「包括」係指明特徵、整數、步驟、操作、元件及/或配件之存在，但並未限制一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、配件及/或群組之存在或添加。

本發明之實施例係以做為本發明理想化實施例(及其中間結構)之示意圖之剖面圖顯示。如此，製造技術及/或公差等圖式形狀之改變係可預期之。因此，本發明之實施例並非用以限制區域之特殊形狀，而應包括製造時等形狀之變形。舉例而言，圖示為矩形之植入區域通常在其邊緣具有圓角或曲角之特徵及/或植入濃度之梯度而非從植入到未植入區域之二元化改變。相似地，由植入形成之埋入區域可能導致埋入區域與植入所進行之表面之間區域產生部分植入。因此，圖式中之區域係為示意，其形狀並非裝置之區域實際形狀，也非用以限定本發明之範圍。

除非另行定義，在此使用之所有名詞(包括技術與科學名詞)均具有與熟習本發明相關技藝之人士所普遍理解之相同意義。除非明確定義，否則這些名詞例如一般使用之字典中所定義，應解讀為與相關技藝之內容中意義一致而非解讀為理想化或過度正式化。

以下請參照相關圖式，詳細說明本發明適用之具體實施例。

第一實施例

第1圖係根據本發明第一實施例之製造積體電路之裝置之結構圖。

請參見第1圖，第一實施例之製造積體電路之裝置100可包括浴11、化學物質供應器13以及化學物質排放器15，且可更包括化學物質循環器17、感測器19以及控制器21。例如，積體電路可包括半導體晶圓製造之半導體裝置以及玻璃基底製造之平面顯示裝置。

浴11保持其中之化學物質。化學物質之範例可包括清潔溶液與蝕刻溶液，因此製造積體電路之裝置可包括清潔裝置與蝕刻裝置。

化學物質可由將既定量之化學物質保持在浴中之方式經由化學物質供應器13提供至浴11中。在一實施例中，化學物質供應器13可位於基底10下方，因而化學物質可如標號23所示流至基底10之下表面。

在一實施例中，化學物質供應器13可包括一供應線13a，位於基底10之下方，以及一供應幫浦13b，連接至供應線13a。一供應閥門(未圖示)可安裝於供應線13a以開閉化學物質供應器13。供應幫浦13b將化學物質從化學物質外部儲存槽提供至供應線13a。雖然上述實施例揭示化學物質供應器13可位於基底10下方，但任何熟習此技藝之人士所知之修正可在使化學物質可流至浴11中之狀況下用於化學物質供應器13。例如，化學物質供應器13之數量與位置可不限於第1圖所示，且可在浴11中之各個適當位置放置多個化學物質供應器13。

化學物質排放器15可將化學物質從浴11中排出至外部環境。特別是，當浸沒在化學物質之基底10經過一製程而在浴11中撓曲，在基底10之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器15排出浴11。因此，化學物質排放器15可在基底10下方位於基底10之撓曲部下方，且化學物質可在基底10之下表面下方排出浴11。在一實施例中，化學物質排放器15可包括一排放線15a，連接至浴11之外部且在基底10之撓曲部下方延伸，以及一排放幫浦15b，連接至排放線15a。本實施例中，排放線15a穿過浴11之底部，使化學物質從基底10之撓曲部下方之區域經由排放線15a排出至浴11之外部。排放幫浦15b可施加一壓力至排放線15a以將化學物質有效排出浴11。一排放閥門(未圖示)可安裝於排放線15a以開閉排放線15a。化學物質排放器15之數量並未限制，因而化學物質排放器15可安裝於基底10之每一撓曲部下方。

因此，第一實施例之製造積體電路之裝置100可包括浴11、化學物質供應器13以及化學物質排放器15，且可防止由化學物質流至基底10而使基底10撓曲。

在此，請參見第2圖，詳細說明使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法。

第2圖係根據本發明之實施例，顯示使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之製造步驟之流程圖。第2圖中，製造積體電路之步驟可在包括浴11、化學物質供應器13以及化學物質排放器15之裝置100中進行。

請參見第2圖，化學物質首先供應至浴11中(步驟S201)。例如，化學物質經由化學物質供應器13流至浴11中，因此化學物質在浴11中接收至一既定量。

然後，可將製造積體電路裝置之基底10浸入浴11中之化學物質(步驟S203)。在一實施例中，基底10係以放置成基底10之下表面與浴11之底部平行之方式浸沒於浴11中之化學物質。使用化學物質之製程，例如清潔製程與蝕刻製程，可在基底10浸沒於化學物質時對基底10進行(步驟S205)。例如，基底10可在化學物質中刷洗與擺動，或是當基底10在化學物質中穩定不動時可將化學物質在基底10下方流動。

當基底10浸入浴11中之化學物質時，基底10可能因如第1圖之標號25所示之浮力及/或漂浮力而撓曲。浮力與漂浮力可能單獨或結合施加在基底10。在基底10之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器15從浴11排出(步驟S207)。當基底10之撓曲部下方之化學物質經由化學物質排放器15從浴11排出時，如第1圖之標號27所示之拖力在撓曲部下方施加於基底10之下表面。因此，拖力之方向與浮力與漂浮力實質相反，因而浮力與漂浮力可由拖力平衡或抵銷。因此，可有效防止基底10在浴中使用化學物質進行製程中撓曲。

根據本發明第一實施例，基底之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器從浴排出，使得在基底浸入浴中之化學物質之製程中可有效防止基底撓曲。

雖然上述實施例揭示基底在中間部撓曲，且化學物質排放器位於基底之中間下表面，但基底之撓曲部可能因為製造條件與環境而改變，且化學物質排放器之位置也可能因基底之撓曲部而改變，如熟習此技藝之人士所知。又，雖然上述實施例揭示化學物質排放器以將基底下方之化學物質排出之方式放置在基底下方，但只要相反於浮力、漂浮力或兩者之拖力可施加於基底，化學物質排放器可位於任何位置，如熟習此技藝之人士所知。

化學物質供應器13提供與經由化學物質排放器15排出實質相同量之化學物質至浴中，使得化學物質之量即使在化學物質之改變下也可在浴11中維持實質定量。

在一實施例中，第1圖所示之製造積體電路之裝置100可更包括化學物質循環器17、感測器19以及控制器21。

化學物質循環器17可強制經由化學物質排放器15排出之化學物質再流回浴11中，因而循環或回收從浴中排出之化學物質。例如，化學物質循環器17可在化學物質排放器15與浴11之間連接，使得經由化學物質排放器15排出之化學物質可直接經由化學物質循環器17再流回浴11中。或者，化學物質循環器17可在化學物質排放器15與化學物質供應器13之間連接，使得經由化學物質排放器15排出之化學物質可經由化學物質供應器13再流回浴11中。因此，化學物質可由化學物質循環器17在浴11之內部與外部循環，因此化學物質可在浴中維持實質定量而減少化學物質之耗費。

第1圖所示之裝置100可由感測器19與控制器21自動操作。例如，感測器19可偵測基底10之撓曲部，且控制器21可根據感測器19之偵測信號啟動化學物質排放器15。例如，感測器19可包括一構件，偵測從基底10之距離，且控制器21可包括積體電路晶片，其中將用以操作化學物質排放器15之各種控制指令程式化。控制器21與感測器19可只在浴11中浸入化學物質之基底撓曲時使化學物質排放器15操作，因而拖力只施加在基底10之每一撓曲部。

在此，請參見第3圖，詳細說明使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之另一方法。

第3圖係根據本發明之另一實施例，顯示使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之步驟之流程圖。第3圖中，製造積體電路之步驟可由具有浴11、化學物質供應器13、化學物質排放器15、化學物質循環器17、感測器19以及控制器21之裝置100進行。

請參見第3圖，化學物質首先供應至浴11中(步驟S301)。例如，化學物質經由化學物質供應器13流至浴11中，因此化學物質在浴11中接收至一既定量。

然後，可將製造積體電路裝置之基底10浸入浴11中之化學物質(步驟S303)。在一實施例中，基底10係以放置成基底10之下表面與浴11之底部平行之方式浸沒於浴11中之化學物質。使用化學物質之製程，例如清潔製程與蝕刻製程，可在基底10浸沒於化學物質時對基底10進行(步驟S305)。例如，基底10可在化學物質中刷洗與擺動，或是當基底10在化學物質中穩定不動時可將化學物質在基底10下方流動，如第2圖所示之步驟S205所述。

然後，感測器19可偵測基底10(步驟S307)且決定浸入化學物質之基底10是否在浴中撓曲(步驟S309)。當基底10之撓曲部由感測器19偵測時，感測器19可產生一偵測信號，指出撓曲部之位置，且將偵測信號傳送至控制器21(步驟S311)。控制器21可傳送操作信號至化學物質排放器15，因而基底10之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器15從浴11中排出。當基底10之撓曲部下方之化學物質經由化學物質排放器15從浴11中排出時，第1圖中標號27所指之拖力在基底之撓曲部下方施加於基底之下表面。因此，拖力之方向實質相反於第1圖中標號25所指之浮力與漂浮力，因而浮力與漂浮力可由拖力平衡或抵銷。因此，可有效防止基底10在浴中使用化學物質進行製程中撓曲。

化學物質循環器17可強制經由化學物質排放器15排出之化學物質再流回至浴11中，因而將從浴11中排出之化學物質循環或回收(步驟S313)。因此，化學物質可由化學物質循環器17在浴11之內部與外部循環，因此化學物質可在浴中維持實質定量而明顯減少化學物質之耗費。

複數化學物質排放器15可安裝在浴11中基底10下方，且只有在基底10之撓曲部下方之某些化學物質排放器15可由感測器19與控制器21操作。亦即，感測器19可偵測浸入化學物質中之基底10之每一撓曲部，且只位於由感測器19偵測出撓曲之基底10之某些部位下方之某些化學物質排放器15係只由從感測器19傳送出包括基底撓曲之位置之偵測信號之控制器21操作。因此，在基底10之撓曲部下方之化學物質可排出浴11，因而拖力只施加在基底10之每一撓曲部。因此，可施加在基底之每一部分之浮力、漂浮力或兩者之結合可由相反於浮力、漂浮力或兩者之結合之拖力有效防止撓曲。

特別是，在浸沒模式進行之製程可較在流動模式中進行更適於半導體裝置，如熟習該技藝之人士所知。

根據本發明第一實施例，可有效防止基底在浸入浴中之化學物質之製程中撓曲。因此，由基底之撓曲造成之各種製程缺陷可有效防止而增進單元製程之處理信賴度，且基底可由移動單元穩定移動至另一處理室而不產生基底之誤偵測，因而可增加積體電路裝置之製造產能。

第二實施例

第4圖係根據本發明第二實施例之製造積體電路之裝置之結構圖。

請參見第4圖，第二實施例之製造積體電路之裝置400可包括浴41、化學物質供應器43以及化學物質排放器45，且更包括滾輪63、閘門窗65a與65b、化學物質循環器47、感測器49以及控制器51。例如，積體電路可如第一實施例，包括半導體晶圓製造之半導體裝置以及玻璃基底製造之平面顯示裝置。

用以製造積體電路之基底40可放置於浴41中，且化學物質保持於浴41中。化學物質供應器43可提供化學物質至浴41。相對於第一實施例，基底40係以不完全浸沒於化學物質中之方式放置於浴41中，然後化學物質可流至浴中直到基底40完全浸沒於化學物質。因此，當基底40放置於浴41中時，浴41中沒有化學物質或是在浴41中保持少量之化學物質，使得基底40不完全浸沒於化學物質中。然後，化學物質可繼續流至基底放置之浴中至足以將基底40浸沒於化學物質之量。

在一實施例中，化學物質供應器43可位於基底40下方，因而化學物質可如標號53所示流至基底40之下表面。例如，化學物質供應器43可包括一供應線43a，位於基底40之下方，以及一供應幫浦43b，連接至供應線43a。特別是，供應線43a可穿過浴41之底部且在基底40下方延伸，使得化學物質可在基底40下方在浴41中向上流動。本實施例中，供應線43a可位於浴41之周邊位置，使化學物質之一部分從基底40之周邊部流至中間部。亦即，化學物質可從基底40之下表面之周邊部流至基底40之下表面之中間部，因而改進化學物質之流動與製程效率。供應幫浦43b將化學物質從化學物質外部儲存槽提供至供應線43a。一供應閥門可安裝於供應線43a以開閉化學物質供應器43。雖然上述實施例揭示化學物質供應器43可位於基底40之下表面之周邊部下方，但任何熟習此技藝之人士所知之修正可在使化學物質在浴41中之流動改進而改進製程效率之狀況下用於化學物質供應器43。例如，化學物質供應器43之數量與位置可不限於第4圖所示，且可在浴41中之各個適當位置放置多個化學物質供應器43。

化學物質排放器45可將化學物質從浴41中排出至外部環境。特別是，當浸沒在化學物質之基底40經過一製程而在浴41中撓曲，在基底40之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器45排出浴41。因此，化學物質排放器45可在基底40下方位於基底40之撓曲部下方，且化學物質可在基底40之下表面下方排出浴41。

在一實施例中，化學物質排放器45可包括一排放線45a，連接至浴41之外部且在基底40之撓曲部下方延伸，以及一排放幫浦45b，連接至排放線45a。本實施例中，排放線45a穿過浴41之底部，使化學物質從基底40之撓曲部下方之區域經由排放線45a排出至浴41之外部。排放幫浦45b可施加一壓力至排放線45a以將化學物質有效排出浴41。一排放閥門(未圖示)可安裝於排放線45a以開閉排放線45a。化學物質排放器45之數量並未限制於如第4圖所示，因而化學物質排放器45可安裝於基底40之每一撓曲部下方。

因此，第一實施例之製造積體電路之裝置400可包括浴41、化學物質供應器43以及化學物質排放器45，且可防止由化學物質流至基底40而使基底40撓曲。

在此，詳細說明使用第4圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法。在本製造步驟中，製造積體電路可在包括浴41、化學物質供應器43以及化學物質排放器45之裝置400中進行。

基底40可首先提供至沒有化學物質或是可保持少量之化學物質而使得基底未完全浸沒於化學物質之浴41中。用以製造積體電路裝置之基底40可以基底40之表面可與浴41之底部平行之方式提供至浴中。然後，足量之化學物質可經由化學物質供應器43流至浴41中，因而基底40可足以浸沒於浴41中之化學物質。當基底40浸沒於化學物質中時，使用化學物質之單元製程可在基底40進行。特別是，由於化學物質供應器43可位於基底之下表面周邊部，化學物質可沿基底40之下表面從周邊部流至中間部。

對上述化學物質在基底下表面之流動，基底40可能因如第1圖之標號25所示之浮力及/或漂浮力而部分撓曲。特別是，當化學物質沿基底40之下表面從周邊部流至中間部時，浮力、漂浮力或兩者之結合可施加在基底40之中間部周圍，因而基底40之中間部可能因浮力及/或漂浮力而明顯撓曲。因此，化學物質排放器45可位於基底40之中間部下方，且基底40之中間下表面周圍之化學物質可經由化學物質排放器45從浴41排出。當基底40之中間下表面下方之化學物質經由化學物質排放器45從浴41排出時，拖力以如第4圖之標號57所示之方向施加在基底40之中間下表面。因此，拖力之方向實質相反於浮力與漂浮力，因而浮力與漂浮力可由拖力平衡或抵銷。因此，在浴41中使用化學物質進行製程時可有效防止基底40撓曲。

根據本發明第二實施例，在基底之撓曲部下方之化學物質可經由化學物質排放器從浴中排出，使得在化學物質在浴中流過基底之下表面之製程中可有效防止基底撓曲。

雖然上述實施例揭示基底在中間部撓曲，且化學物質排放器位於基底之中間下表面，但基底之撓曲部可能因為製造條件與環境而改變，且化學物質排放器之位置也可能因基底之撓曲部而改變，如熟習此技藝之人士所知。又，雖然上述實施例揭示化學物質排放器以將基底下方之化學物質排出之方式放置在基底下方，但只要相反於浮力、漂浮力或兩者之拖力可施加於基底，化學物質排放器可位於任何位置，如熟習此技藝之人士所知。

化學物質供應器43提供與經由化學物質排放器45排出實質相同量之化學物質至浴41中，使得化學物質之量即使在化學物質經由化學物質排放器45之改變下也可在浴41中維持實質定量。

在一實施例中，基底40可由安裝在浴41中之滾輪63移動至浴41中。例如，滾輪63可包括上滾輪63a，接觸於基底40之上表面之周邊部，以及下滾輪63b，接觸於基底40之下表面。本實施例中，上滾輪63a只接觸於基底40之上表面之周邊部，因而化學物質可容易在基底40之上表面流動。相對地，下滾輪63b橫過基底40之下表面，因而下滾輪63b可防止基底40在浴41中移動時向下凹陷。

上述上滾輪63a接觸於基底40之上表面之周邊部之配置可更造成浮力、漂浮力或兩者之結合施加於基底40之中間部。因此，本實施例中，浮力及/或漂浮力由於上滾輪配置以及基底40之下表面之化學物質流動而可施加於基底40，因而相較於第一實施例中裝置100之基底，施加於基底40之浮力及/或漂浮力可增強。因此，相較於第一實施例，位於基底40之中間部下方之化學物質排放器45可更有效且關鍵性防止在使用化學物質之製程之基底撓曲。

本實施例中，浴41可更包括在側壁之移動通道，因為移動基底40之滾輪63係位於浴41中。特別是，移動通道可以與在浴41中由滾輪63支撐之基底40實質相同之高度形成於浴41之側壁，因而基底40可從浴41之外部經由側壁之移動通道水平移動，如第5圖所示。

第5圖係顯示第4圖之裝置中在浴之側壁之移動路徑之部分放大圖。

請參見第5圖，浴41可包括一對移動閘門41a與41b，供基底40移動，以及一對閘門窗65a與65b，用以開閉移動閘門41a與41b。例如，基底40可經由入口移動閘門41a移動至浴41中且經由出口移動閘門41b移出浴41。當基底40移動至浴41中時，入口閘門窗65a開啟且出口閘門窗65b閉合。當基底40移出浴41時，入口閘門窗65a閉合且出口閘門窗65b開啟。每一閘門窗65a與65b可包括一遮板。當閘門窗65a與65b開啟時，浴41中之化學物質可能經由移動閘門41a與41b流出浴41。額外之循環器(未圖示)更可安裝於裝置400，因而經由移動閘門排出之化學物質可再供應至浴41中而回收化學物質。

在一實施例中，第4圖所示之製造積體電路之裝置400可如第1圖所示之裝置100，更包括化學物質循環器47、感測器49以及控制器51。本實施例中之化學物質循環器47、感測器49以及控制器51具有與第一實施例中之化學物質循環器17、感測器19以及控制器21實質相同之結構與功能，因此省略詳細說明。

在此，請參見第6圖，詳細說明使用第4圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法。第6圖中，製造積體電路裝置之步驟可由具有浴41、化學物質供應器43、化學物質排放器45、化學物質循環器47、感測器49以及控制器51之裝置400進行。

第6圖係根據本發明之實施例，顯示使用第4圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之步驟之流程圖。

請參見第6圖，閘門窗65a與65b可開啟(步驟S601)且基底40可經由移動閘門41a與41b移至浴41中。例如，處理過之基底可經由出口移動閘門41b移出浴41，且待處理之基底可經由入口移動閘門41a移動至浴41中。亦即，處理過之基底40可經由移動閘門41a與41b更換成新基底。當閘門窗65a與65b開啟以移動基底時，浴41中之化學物質可能流出浴41。漏出之化學物質可由額外之循環器(未圖示)再供應至浴中而回收漏出之化學物質。然後，待處理之基底由安裝於浴41中之滾輪63移動至浴41中，且處理過之基底由滾輪63移出浴41(步驟S603)。此時，基底40可由滾輪63相對於浴41之底部經由在浴41之側壁之移動閘門水平移動，使得基底40可移動且位於浴41中與底部平行。當完成基底之移動時，閘門窗65a與65b再次閉合，因而浴41之內部也關閉。

當待處理之基底由滾輪63移動至浴41中時，浴41中沒有化學物質或是可保持少量之化學物質，因而基底40未完全浸沒於化學物質中，因為化學物質可能在閘門窗65a與65b開啟時從浴41中流出。因此，化學物質可經由化學物質供應器43供應至浴41中，直到基底40可足以浸沒於浴41中之化學物質之量(步驟S605)。亦即，基底40可以基底40之下表面與浴41之底部平行之方式在浴41中浸沒於化學物質。

然後，當化學物質在基底40周圍流動時，使用化學物質之製程，例如清潔製程與蝕刻製程，可在基底40進行(步驟S607)。例如，基底可在化學物質中刷洗與擺動。

然後，感測器49可偵測基底40(步驟S609)且決定是否在浴41中浸沒在化學物質中之基底40有撓曲(步驟S611)。當基底40之撓曲部可由感測器49偵測時，感測器49可產生一偵測信號，指示撓曲部之位置，且傳送偵測信號至控制器51。控制器51可傳送操作信號至化學物質排放器45，因而在基底40之撓曲部周圍之化學物質可經由化學物質排放器45從浴41排出(步驟S613)。當基底40之撓曲部下方之化學物質經由化學物質排放器45從浴41排出時，如第4圖之標號57所示之拖力在撓曲部下方施加於基底10之下表面。因此，拖力之方向與如第4圖之標號55所示之浮力與漂浮力實質相反，因而浮力與漂浮力可由拖力平衡或抵銷。因此，可有效防止基底40在浴41中使用化學物質進行製程中撓曲。

特別是，上滾輪63a接觸於基底40之上表面之周邊部之配置可更造成浮力、漂浮力或兩者之結合施加於基底40之中間部。因此，本實施例中，浮力及/或漂浮力由於上滾輪配置以及基底40之下表面之化學物質流動而可施加於基底40，因而相較於第一實施例中裝置100之基底，施加於基底40之浮力及/或漂浮力可增強。因此，相較於第一實施例，位於基底40之中間部下方之化學物質排放器45可更有效且關鍵性防止在使用化學物質之製程之基底撓曲。

化學物質循環器47可強制經由化學物質排放器45排出之化學物質再流回浴41中，因而循環或回收從浴中排出之化學物質(步驟S615)。因此，化學物質可由化學物質循環器47在浴41之內部與外部循環，因此化學物質可在浴41中維持實質定量而減少化學物質之耗費。

複數化學物質排放器45可安裝在浴41中基底40下方，且只有在基底40之撓曲部下方之某些化學物質排放器45可由感測器49與控制器51操作。亦即，感測器49可偵測浸入化學物質中之基底40之每一撓曲部，且只位於由感測器49偵測出撓曲之基底40之某些部位下方之某些化學物質排放器45係只由從感測器49傳送出包括基底撓曲之位置之偵測信號之控制器51操作。因此，在基底40之撓曲部下方之化學物質可排出浴41，因而拖力只施加在基底40之每一撓曲部。因此，可施加在基底之每一部分之浮力、漂浮力或兩者之結合可由相反於浮力、漂浮力或兩者之結合之拖力有效防止撓曲。

特別是，在流動模式進行之製程可較在浸沒模式中進行更適於平面顯示裝置，如熟習該技藝之人士所知。

根據本發明之某些實施例，可有效防止在浴中使用化學物質進行製程中之基底撓曲。因此，由基底之撓曲造成之各種製程缺陷可有效防止而增進單元製程之處理信賴度，且基底可由移動單元穩定移動至另一處理室而不產生基底之誤偵測，因而可增加積體電路裝置之製造產能。

綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．製造積體電路之裝置

10．．．基底

11．．．浴

13．．．化學物質供應器

13a．．．供應線

13b．．．供應幫浦

15．．．化學物質排放器

15a．．．排放線

15b．．．排放幫浦

17．．．化學物質循環器

19．．．感測器

21．．．控制器

400．．．製造積體電路之裝置

40．．．基底

41．．．浴

41a,41b．．．移動閘門

43．．．化學物質供應器

43a．．．供應線

43b．．．供應幫浦

45．．．化學物質排放器

45a．．．排放線

45b．．．排放幫浦

47．．．化學物質循環器

49．．．感測器

51．．．控制器

63．．．滾輪

63a．．．上滾輪

63b．．．下滾輪

65a,65b．．．閘門窗

第1圖係根據本發明第一實施例之製造積體電路之裝置之結構圖。

第2圖係根據本發明之實施例，顯示使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之步驟之流程圖。

第3圖係根據本發明之另一實施例，顯示使用第1圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之步驟之流程圖。

第4圖係根據本發明第二實施例之製造積體電路之裝置之結構圖。

第5圖係顯示第4圖之裝置中在浴之側壁之移動路徑之部分放大圖。

第6圖係根據本發明之實施例，顯示使用第4圖所示之裝置製造積體電路裝置之方法之步驟之流程圖。

100．．．製造積體電路之裝置

10．．．基底

11．．．浴

13．．．化學物質供應器

13a．．．供應線

13b．．．供應幫浦

15．．．化學物質排放器

15a．．．排放線

15b．．．排放幫浦

17．．．化學物質循環器

19．．．感測器

21．．．控制器

Claims (34)

1. 一種流動化學物質之方法，用以處理一基底，包括：供應該化學物質至一浴中，該基底係以使該基底浸沒於該化學物質之方式放置成與該浴之底部平行；使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲；利用一感測器，偵測該基底之撓曲部，且產生一偵測信號；以及利用一控制器，根據該感測器之該偵測信號控制一化學物質排放器，以將在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。
2. 一種製造積體電路裝置之方法，包括：供應化學物質至一浴中；將一基底浸入該化學物質中，使該基底浸沒於該浴中之該化學物質；使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲；利用一感測器，偵測該基底之撓曲部，且產生一偵測信號；以及利用一控制器，根據該感測器之該偵測信號控制一化學物質排放器，以將在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。
3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一力包括從該基底之上表面在向上方向之一浮力、一漂浮力或兩者之結合，且該第二力包括從該基底之下表面在向下方向之一拖力。
4. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基底係以該基底之下表面與該浴之底部平行之方式浸入該化學物質中。
5. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質係經由該浴之底部排出該浴。
6. 如申請專利範圍第2項所述之方法，更包括再供應排出之該化學物質至該浴以回收該化學物質。
7. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基底包括用以製造半導體裝置之半導體晶圓以及用以製造平面顯示裝置之玻璃基底。
8. 一種製造積體電路裝置之方法，包括：將一基底移至一浴中，其中該基底不足以浸沒於化學物質；供應該化學物質至該浴中，使該基底浸沒於該化學物質；使用該化學物質對該基底進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲；利用一感測器，偵測該基底之撓曲部，且產生一偵測信號；以及利用一控制器，根據該感測器之該偵測信號控制一化 學物質排放器，以將在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該基底係移至該浴中，使得該基底之下表面與該浴之底部平行。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該基底係經由該浴之側壁移至該浴中。
11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該基底係經由安裝於該浴中之滾輪移至該浴中。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該滾輪包括接觸於該基底之上表面之周邊部之上滾輪，以及接觸於該基底之該下表面之下滾輪。
13. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該化學物質係以該化學物質在該基底下流至該基底之下表面之方式供應至該浴中。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該化學物質之一部分從該基底之周邊部流至中間部。
15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該基底之該撓曲部包括該基底之該中間部。
16. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一力包括從該基底之上表面在向上方向之一浮力、一漂浮力或兩者之結合，且該第二力包括從該基底之下表面在向下方向之一拖力。
17. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質係經由該浴之底部排出 該浴。
18. 如申請專利範圍第8項所述之方法，更包括再供應排出之該化學物質至該浴以回收該化學物質。
19. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該基底包括用以製造半導體裝置之半導體晶圓以及用以製造平面顯示裝置之玻璃基底。
20. 一種製造積體電路裝置之裝置，包括：一浴，包括化學物質與浸沒於該化學物質之一基底，該基底在該浴中使用該化學物質進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲；一化學物質供應器，提供該化學物質至該浴；一感測器，偵測該基底之撓曲部，且產生一偵測信號；一控制器，接收該感測器之該偵測信號；以及一化學物質排放器，將在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化，其中該控制器係根據該感測器之該偵測信號控制該化學物質排放器。
21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該化學物質排放器包括一排放線，從該基底之該撓曲部下方之區域延伸至該浴之外部，以及一排放幫浦，連接至該排放線。
22. 如申請專利範圍第21項所述之裝置，其中該排放線經由該浴之底部延伸至該浴之外部。
23. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，更包括一 化學物質循環器，經由該化學物質排放器再供應排出之該化學物質至該浴。
24. 一種製造積體電路裝置之裝置，包括：一浴，包括化學物質與浸沒於該化學物質之一基底，且在側壁具有至少一對移動閘門，該基底在該浴中使用該化學物質進行一製程，使第一力在第一方向施加於該基底，且該基底由該第一力部分撓曲；滾輪，用以移動該基底，該滾輪與該浴之該側壁之該移動閘門水平位於該浴中，使得該基底之下表面由該滾輪經由該移動閘門水平於該浴之底部移動；一化學物質供應器，提供該化學物質至該浴；一感測器，偵測該基底之撓曲部，且產生一偵測信號；一控制器，接收該感測器之該偵測信號；以及一化學物質排放器，將在該基底之該撓曲部周圍之該化學物質排出該浴，使第二力在相反於該第一方向之第二方向施加於該基底，以使該基底之該撓曲部平面化，其中該控制器係根據該感測器之該偵測信號控制該化學物質排放器。
25. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，更包括至少一對閘門窗，分別安裝於該浴之該側壁，且開閉該移動閘門，使得當該閘門窗開啟時，該基底經由該移動閘門移動，且當該基底在該浴中處理時，該閘門窗閉合。
26. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該滾輪包括接觸於該基底之上表面之周邊部之上滾輪，以及接觸於該基底之該下表面之下滾輪。
27. 如申請專利範圍第26項所述之裝置，其中該下滾輪橫過該基底之該下表面，以防止該基底在浴中移動時向下凹陷。
28. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該化學物質供應器在該基底位於該浴中後供應該化學物質至該浴中直到該基底浸沒於該化學物質之程度。
29. 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該化學物質供應器包括一供應線，從該浴之外部延伸至該浴中該基底下方之區域，以及一供應幫浦，連接至該供應線。
30. 如申請專利範圍第29項所述之裝置，其中該供應線穿透該浴之該底部。
31. 如申請專利範圍第30項所述之裝置，其中該化學物質供應器係以使該化學物質之一部分從該基底之周邊部流至中間部之配置安裝。
32. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該化學物質排放器包括一排放線，從該基底之該撓曲部下方之區域延伸至該浴之外部，以及一排放幫浦，連接至該排放線。
33. 如申請專利範圍第32項所述之裝置，其中該排放線經由該浴之底部延伸至該浴之外部。
34. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，更包括一化學物質循環器，經由該化學物質排放器再供應排出之該化學物質至該浴。