CN116364598A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体；支承单元，该支承单元定位在该壳体内并且被配置成支承基板；液体供应单元，该液体供应单元被配置成将处理液供应到支承在该支承单元上的该基板；以及激光模块，该激光模块被配置成将激光照射到被供应有该处理液的该基板；以及视觉模块，该视觉模块用于监控该基板中该激光照射的点。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0189930的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
在本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。
背景技术
为了制造半导体元件，在诸如晶圆等基板上执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺。在各工艺中使用各种处理液和处理气体。另外，在基板上执行干燥工艺，以便从基板移除用于处理基板的处理液。
用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是用于将粘附到晶圆的半导体集成材料切割成期望图案的预先执行的操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案以及形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，用光使用掩模(其为一种“框架”)将图案绘制在晶圆上。当光被暴露到晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的光刻胶)时，光刻胶的化学性质根据由光和掩模形成的图案而改变。在将显影剂供应到化学性质已经根据图案而改变的光刻胶时，在晶圆上形成图案。
为了精确地执行曝光工艺，必须精确地制造形成在掩模上的图案。为了确认图案以期望的形式并且精确地形成，操作者使用诸如扫描电子显微镜(scanning electronmicroscope，SEM)等检查设备检查形成的图案。然而，大量的图案形成在一个掩模上。也就是说，由于必须检查所有的大量图案以检查一个掩模，所以要花费很多时间。
相应地，在掩模上形成能够表示包括多个图案的一个图案组的监控图案(monitoring pattern)。此外，在掩模上形成可以表示多个图案组的锚定图案(anchorpattern)。操作者可以通过检查锚定图案来估计形成在掩模上的图案是否良好。此外，操作者可以通过检查监控图案来估计包括在一个图案组中的图案是否良好。
如上所述，由于形成在掩模上的监控图案和锚定图案，操作者可以有效地缩短掩模检查所需的时间。然而，为了提高掩模检查的精度，优选的是，监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸相同。
当执行蚀刻以使监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸相等时，在图案处可能会发生过度蚀刻。例如，监控图案的临界尺寸的蚀刻速率与锚定图案的蚀刻速率之间的差异可能出现多次，并且在重复蚀刻监控图案和/或锚定图案以减小该差异的过程中，过度蚀刻可能出现在监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸处。当精确地执行蚀刻工艺以最小化这种过度蚀刻的发生时，该蚀刻工艺花费大量时间。相应地，额外地执行用于精确地校正形成在掩模上的图案的临界尺寸的临界尺寸校正工艺。
图1展示了在执行临界尺寸校正工艺(其为掩模制造工艺期间的最后步骤)之前，关于掩模的监控图案的第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2(锚定图案的临界尺寸)的正态分布。此外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2的大小小于目标临界尺寸。并且，在执行临界尺寸校正工艺之前，如图1所示，在监控图案的临界尺寸与锚定图案的临界尺寸(critical dimension，CD)之间存在有意的偏差。并且，通过在临界尺寸校正工艺中额外蚀刻锚定图案，使这两个图案的临界尺寸相同。
在临界尺寸校正工艺中，蚀刻化学品被供应到基板上，使得第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2变成目标临界尺寸。然而，如果蚀刻化学品被均匀地供应在基板上，即使第一临界尺寸CDP1或第二临界尺寸CDP2中的任一个可以达到目标临界尺寸，另一个也很难达到目标临界尺寸。进一步地，第一临界尺寸CDP1与第二临界尺寸CDP2之间的偏差没有减小。
相应地，蚀刻化学品被供应到基板，并且使用激光局部地加热在供应有蚀刻化学品的基板中形成锚定图案的区域。通过局部地照射到锚定图案区域的激光，基板表面的局部部分温度升高，并且如果温度达到化学品的沸点或接近沸点，则由于化学品的蒸发现象而产生气泡。随着局部加热时间的增加，产生的气泡量增加。在基板表面上产生的气泡阻止了基板表面与化学品接触，因此，存在的问题在于不执行蚀刻或者蚀刻程度劣化。在这种情况下，存在的问题是锚定图案不可能确保作为目标的第一临界尺寸CDP1。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种用于有效地处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
本发明构思的实施方案提供了一种用于使形成在基板上的图案的临界尺寸均匀的基板处理装置和基板处理方法。
本发明构思的实施方案提供了一种用于在将激光照射到基板的局部的过程中防止由于异常生长的气泡而导致蚀刻效率降低的基板处理装置和基板处理方法。
本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且对本领域技术人员而言，其他未提及的技术目的将从以下描述变得显而易见。
本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体；支承单元，该支承单元定位在该壳体内，并且被配置成支承基板；液体供应单元，该液体供应单元被配置成将处理液供应到支承在该支承单元上的该基板；以及激光模块，该激光模块被配置成将激光照射到被供应有该处理液的该基板；以及视觉模块，该视觉模块用于监控该基板中该激光照射的点。
在实施方案中，从该激光模块照射的激光和该视觉模块的成像轴线被设置成同轴。
在实施方案中，该基板处理装置包括照明模块，该照明模块将照明提供到该基板中该激光照射的点，并且其中，该照明模块的照明轴线和该视觉模块的成像轴线被设置成同轴。
在实施方案中，该基板处理装置还包括照明模块，该照明模块将照明提供到该基板中该激光照射的点，并且其中，该激光模块和该视觉模块设置在同一平面上，并且该照明模块设置在该视觉模块的下方。
在实施方案中，该基板处理装置还包括本体，该本体中设置有该激光模块、该视觉模块和该照明模块，并且其中，照射端设置在该本体处，并且该激光模块的激光与该视觉模块的成像轴线同轴地照射到该基板，并且该照明模块的照明的照明轴线被配置成平行于该视觉模块的该成像轴线。
在实施方案中，该视觉模块在通过该激光加热施加在该基板上的该处理液的过程中监控是否已经产生气泡以及该气泡的大小是否增大。
在实施方案中，该基板处理装置还包括控制器，该控制器用于控制该基板处理装置，并且其中，通过比较从该视觉模块获取的该基板的参考图像、和从该视觉模块获取的产生气泡的基板的基板图像，来确定是否能够终止对于基板正执行的工艺。
在实施方案中，如果该参考图像和该基板图像的变化量被确定为10％或更低，则该控制器继续正在该基板上进行的工艺。
在实施方案中，如果该参考图像与该基板图像之间的变化量被确定为10％或更高，则该控制器终止正在该基板上进行的工艺。
在实施方案中，如果终止了正在该基板上进行的工艺，则该控制器改变对于将在之后进行工艺的基板的工艺条件，并且该控制器控制该激光模块，从而改变该激光的输出条件或改变该激光的照射范围。
在实施方案中，该基板包括第一图案和形成在与该第一图案不同的位置处的第二图案，并且其中，该激光模块将激光照射到该第一图案和该第二图案中的任意一个图案。
在实施方案中，该基板包括第一图案和第二图案，该第一图案具有第一临界尺寸，该第二图案形成在与该第一图案不同的位置处并且具有小于该第一临界尺寸的第二临界尺寸，并且其中，该激光模块将激光照射到该第二图案，使得该第一临界尺寸和该第二临界尺寸变成相同。
本发明构思提供了一种基板处理方法。该基板处理方法包括：放入具有第一图案和第二图案的基板，该第二图案形成在与该第一图案不同的位置处；校正该第一图案的临界尺寸或该第二图案的临界尺寸；供应冲洗液到该基板；以及取出该基板，并且其中，在校正该临界尺寸时，通过视觉模块检测是否已经产生气泡，并且如果检测到该气泡，则通过将产生该气泡的基板图像与参考图像进行比较来确定是否执行临界尺寸校正工艺。
在实施方案中，在校正该临界尺寸时，该处理液被供应到该基板，通过激光模块将激光照射到该基板以加热施加有该处理液的该基板，并且该激光模块将该激光照射到该第二图案。
在实施方案中，通过该视觉模块获取该参考图像，并且该视觉模块借由开启该激光模块通过激光照射到的该基板的状态的图像来获取该参考图像。
在实施方案中，如果产生该气泡的基板图像与该参考图像之间的变化值为10％或更低，则继续进行对于该基板的该临界尺寸校正工艺。
在实施方案中，如果产生该气泡的基板图像与该参考图像之间的变化值为10％或更高，则终止对于该基板的该临界尺寸校正工艺。
在实施方案中，如果该变化值为10％或更高，则产生警报；并且如果产生该警报，则关闭该激光模块。
在实施方案中，如果该变化值被确定为10％或更高、并且终止该临界尺寸校正工艺，则重置对于待后处理的基板的工艺条件。
在实施方案中，视觉模块实时监控气泡是否产生，或者气泡是否以预定时间间隔产生。
本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体；支承单元，该支承单元定位在该壳体内，并且被配置成支承基板；液体供应单元，该液体供应单元被配置成将处理液供应到支承在该支承单元上的该基板；加热单元，该加热单元被配置成加热被供应有该处理液的该基板；以及控制器，并且其中，该加热单元包括：本体，照射端设置在该本体处；激光模块，该激光模块设置在该本体内，并且将激光照射到该基板以加热该基板；视觉模块，该视觉模块设置在该本体内，用于监控在该激光照射的点处是否产生气泡，并且该视觉模块与该激光模块同轴；以及照明模块，该照明模块设置在该本体内，并且将照明提供到该激光照射的点，并且该照明模块与该视觉模块同轴，并且其中，该视觉模块在该激光模块处开启该激光之后立即获取该基板的参考图像，并且如果产生气泡则获取产生该气泡的基板图像，并且该控制器通过比较该参考图像和产生该气泡的该基板图像来确定是否继续进行工艺，并且如果比较值为10％或更高，则终止该工艺。
根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理基板。
根据本发明构思的实施方案，可以使形成在基板上的图案的临界尺寸一致。
根据本发明构思的实施方案，可以防止在将激光照射到基板的局部的过程中由异常生长的气泡引起的蚀刻效率的降低。
本发明构思的效果不限于上述效果，且对于本领域技术人员来说，其他未提及的效果将从以下描述中变得显而易见。
附图说明
上述和其他目的以及特征将参照以下附图从以下描述变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，并且在附图中：
图1展示了监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸的正态分布。
图2为示意性地展示了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。
图3示意性地展示了在图2的液体处理腔室中处理的基板的状态。
图4示意性地展示了图2的液体处理腔室的实施方案。
图5为图4的液体处理腔室的俯视图。
图6为图4的加热单元的侧视截面图。
图7为图4的加热单元的平面图。
图8示意性地展示了设置在图4的加热单元内的激光模块、视觉模块、照明模块和光学构件。
图9为根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图。
图10为展示了图9的临界尺寸校正步骤的流程图。
图11展示了执行图10的处理液供应步骤的基板处理装置的状态。
图12展示了执行图10的参考图像获取步骤的基板处理装置。
图13展示了在图12中获取的参考图像的实施方案。
图14展示了执行图10的热处理步骤的基板处理装置的状态。
图15展示了基板图像的实施方案，其中如果在图14的加热处理工艺中产生气泡，则产生由视觉模块获取的气泡。
图16展示了执行图9的冲洗步骤的基板处理装置。
具体实施方式
本发明构思可以进行各种修改并且可以具有各种形式，并且其具体实施方案将在附图中展示并详细描述。然而，根据本发明构思的实施方案并不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括包含在本发明构思的精神和技术范围内的所有变换、等同物和替换。在本发明构思的描述中，当相关已知技术可能使得本发明构思的本质不清楚时，可以省略对这些相关已知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅仅是为了描述特定实施方案，而不旨在限制本发明构思。如本文中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还应当理解，术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关的所列项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。并且，术语“示例”旨在指代示例或图示。
应该理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以本文中被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段应不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一区域、层和/或区段区分开来。因此，在不背离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
应当理解的是，当元件或层被称为“在另一个元件或层上”，“连接到”、“联接到”或“覆盖”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在另一个元件或层上，连接到、联接到、或覆盖另一个元件或层，或者可能存在中间元件或层。相反地，当元件被称为“直接在另一元件或层上”，“直接连接到”、或“直接联接到”另一元件或层时，可能不存在中间元件或层。其他术语(比如“之间”、“相邻”或“附近”等)应以相同方式解释。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的技术人员所普遍接受的术语相同的含义。除非在本申请中明确定义，否则诸如在常用词典中定义的术语等术语应被解释为与相关技术的内容一致，而不是理想的或过于正式的。
在下文中，将参照图2至图16详细地描述本发明构思的实施方案。
图2为示意性地展示了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。参照图2，基板处理装置1可以包括索引模块10、处理模块20以及控制器30。
根据实施方案，当从上方观察时，索引模块10和处理模块20可以沿着一个方向设置。
在下文中，设置索引模块10和处理模块20的方向被定义为第一方向X，当从前面看时，垂直于第一方向X的方向被定义为第二方向Y，以及垂直于包括第一方向X和第二方向Y这两者的平面的方向被定义为第三方向Z。
索引模块10可以将基板M从容纳基板M的容器F传送到用于处理基板M的处理模块20。索引模块10可以将在处理模块20处已经完成预定处理的基板M存储在容器F中。索引模块10的纵向方向可以形成在第二方向Y上。索引模块10可以具有装载端口12和索引框架14。
容纳基板M的容器F可以安置在装载端口12上。装载端口12可以相对于索引框架14定位在处理模块20的相对侧上。可以设置多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿着第二方向Y布置成一条线。装载端口12的数量可以根据处理模块20的处理效率和占地面积条件等而增加或减少。
可以使用诸如前开式晶圆传送盒(front open unified pod，FOUP)等密封容器作为容器F。容器F可以通过诸如高架传送机、高架运输机或自动引导车辆等传送装置(未示出)，或者由操作者放置在装载端口12上。
索引框架14可以提供用于传送基板M的传送空间。索引机械手120和索引轨道124可以设置在索引框架14处。索引机械手120可以传送基板M。索引机械手120可以在索引模块10与稍后将要描述的缓冲单元200之间传送基板M。索引机械手120包括索引手部122。基板M可以放置在索引手部122上。当传送基板M时，索引手部122可以夹持或支承基板M。索引手部122可以被设置成向前和向后可移动、围绕第三方向Z可旋转、以及沿第三方向Z可移动。可以设置多个索引手部122。多个索引手部122中的每个索引手部可以被设置成在上下方向上彼此间隔开。多个索引手部122可以彼此独立地向前和向后可移动。
索引轨道124设置在索引框架14内。索引轨道124可以被设置成其纵向方向对应于索引框架14的纵向方向。索引轨道124可以被设置成其纵向方向沿着第二方向Y。索引机械手120可以放置在索引轨道124上，并且索引机械手120可以沿着索引轨道124可移动。索引机械手120可以被设置成沿着索引轨道124可线性移动。
控制器30可以控制基板处理装置1。控制器可以包括工艺控制器，该工艺控制器由以下构成：微处理器(计算机)，该微处理器执行基板处理装置1的控制；用户界面，诸如键盘，操作者通过该用户界面输入命令以管理基板处理装置；以及显示器，该显示器显示基板处理装置1的运行情况；以及存储器单元，该存储器单元存储根据数据和工艺条件通过控制工艺控制器来执行基板处理装置1的处理工艺的处理方案(即控制程序)，或存储执行基板处理装置1的部件的程序。此外，用户界面和存储器单元可以连接到工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如，CD-ROM或DVD)或半导体存储器(诸如，闪存)。
控制器可以控制基板处理装置1和/或液体处理腔室400，从而可以执行稍后将要描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制设置在液体处理腔室400中的配置，以执行稍后将要描述的基板处理方法。
处理模块20可以包括缓冲单元200、传送框架300和液体处理腔室400。缓冲单元200可以提供空间，被放入到处理模块20中的基板M和从处理模块20取出的基板M暂时保留在该空间中。传送框架300可以提供用于在缓冲单元200与液体处理腔室400之间传送基板M的空间。液体处理腔室400可以执行将液体供应到基板M上的液体处理工艺。处理模块20还可以包括干燥腔室，并且干燥腔室可以执行干燥已经完成液体处理的基板M的干燥工艺。
缓冲单元200可以设置在索引框架14与传送框架300之间。缓冲单元200可以定位在传送框架300的端部处。缓冲单元200可以在其内存储多个基板。可以在缓冲单元200内部设置放置基板M的狭槽(未示出)。可以设置多个狭槽(未示出)。多个狭槽(未示出)可以被设置成在第三方向Z上彼此间隔开。相应地，存储在缓冲单元200中的多个基板M可以在第三方向Z上彼此间隔开。
缓冲单元200的正面和背面可以是敞开的。正面是面向索引模块10的表面，并且背面是面向传送框架300的表面。索引机械手120可以通过正面接近缓冲单元200，并且下面将要描述的传送机械手320可以通过背面接近缓冲单元200。
传送框架300可以具有沿第一方向X设置的纵向方向。液体处理腔室400可以设置在传送框架300的两侧上。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送框架300的一侧处。传送框架300和液体处理腔室400可以沿着第二方向Y设置。传送框架300和干燥腔室500可以沿着第二方向Y设置。在传送框架300的一侧或每一侧处，液体处理腔室400可以分别沿着第一方向X和第三方向Z以A×B(其中，A和B分别是大于1的自然数或1)的布置设置。在传送框架300的另一侧处，干燥腔室可以分别沿着第一方向X和第三方向Z以A×B(其中，A和B分别是大于1的自然数或1)的布置设置。
传送框架300可以包括传送机械手320和传送轨道342。传送机械手320传送基板M。传送机械手320可以在缓冲单元200与液体处理腔室400之间传送基板M。并且，传送机械手320可以在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室之间传送基板M。传送机械手320可以包括传送手部322，基板M放置在传送手部上。基板M可以放置在传送手部322上。传送手部322可以被设置成向前和向后可移动、围绕第三方向Z可旋转、并且沿着第三方向Z可移动。多个手部322被设置成在上下方向上彼此间隔开，并且多个手部322可以彼此独立地向前和向后可移动。
传送轨道324可以沿着传送框架300的纵向方向设置在传送框架300中。在实施方案中，传送轨道324的纵向方向可以沿着第一方向X设置。传送机械手320可以放置在传送轨道324上，并且传送机械手320可以在传送轨道340上可移动。
图3示意性地展示了在图2的液体处理腔室中处理的基板的状态。在下文中，将参照图3展示在根据本发明构思的实施方案的液体处理腔室400中处理的基板M。
参照图3，在液体处理腔室400中待处理的物体可以是晶圆、玻璃和光掩模中的任何一者。例如，在本发明构思的实施方案中，在液体处理腔室400中处理的基板M可以是光掩模(其为在曝光工艺中使用的“框架”)。
基板M可以具有矩形形式。基板M可以为光掩模，该光掩模为曝光工艺中使用的“框架”。可以在基板M上标记至少一个参考标记AK。例如，可以在基板M的每个角部区域中形成多个参考标记AK。参考标记AK可以是在对准基板M时使用的被称为对准键的标记。并且，参考标记AK可以是用于导出基板M的位置的标记。例如，稍后将要描述的视觉模块470可以通过对参考标记AK进行成像来获取图像，并将获取的图像发送到控制器30。然后控制器30分析包括参考标记AK的图像，以检测基板M的精确位置。此外，参考标记AK可以用于在传送基板M时确定基板M的位置。
单元CE可以形成在基板M上。可以形成至少一个单元CE，例如多个单元CE。可以在每个单元CE处形成多个图案。在每个单元CE处形成的图案可以被定义为一个图案组。形成在单元CE处的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。曝光图案EP可以用来在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以设置在单元CE内。第一图案P1可以是表示在一个单元CE中曝光图案EP的单个单元代表图案。此外，当设置多个单元CE时，在每个单元中设置第一图案，从而可以设置多个第一图案P1。并且，多个第一图案P1可以形成在一个单元CE中。第一图案P1可以具有每个曝光图案EP的多个部分被组合的形式。第一图案P1可以被称为监控图案。并且，第一图案P1可以被称为临界尺寸监控宏(critical dimension monitoring macro)。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)检查第一图案P1时，可以估计在一个单元CE中形成的曝光图案EP的形式是好还是坏。并且，第一图案P1可以用作检查图案以检查曝光图案EP。并且，第一图案P1可以是在实际曝光工艺中使用的曝光图案EP中的任何一个。此外，第一图案P1不仅可以用作检查曝光图案的检查图案，而且可以用作在实际曝光中使用的曝光图案。
第二图案P2可以是代表在基板M的整个单元上的曝光图案EP的整个单元代表性图案。例如，第二图案P2可以具有第一图案P1中的每个第一图案的多个部分被组合的形式。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)检查第二图案P2时，可以估计形成在一个基板M上的曝光图案EP的形式是好还是坏。并且，第二图案P2可以用作检查图案。此外，第二图案P2可以是在实际曝光工艺中不使用的检查图案。第二图案P2还可以被称为锚定图案。
在下文中，将详细描述设置到液体处理腔室400的基板处理装置。在下文中，作为示例，将描述在液体处理腔室400执行精细临界尺寸校正(fine critical dimensioncorrection，FCC)工艺时执行的处理工艺，该精细临界尺寸校正工艺是制造用于曝光工艺的掩模的工艺期间的最后步骤。
待放入液体处理腔室400中、并在液体处理腔室处进行处理的基板M可以是已经在其上执行预处理的基板M。将被放入到液体处理腔室400中的基板M的第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸可以彼此不同。第一图案P1可以具有第一宽度的临界尺寸，并且第二图案P2可以具有第二宽度的临界尺寸。例如，第一图案可以大于第二图案。例如，第一宽度可以是69nm，并且第二宽度可以是68.5nm。
图4示意性地展示了图2的液体处理腔室的实施方案，以及图5为图4的液体处理腔室的俯视图。
参照图4和图5，液体处理腔室400可以包括壳体410。
壳体(未示出)可以具有内部空间412。壳体410可以包括位于内部空间412的稍后将要描述的碗状部430。稍后将要描述的液体供应单元440和加热单元450可以设置在壳体410的内部空间。壳体410可以设置有出入口(未示出)，通过该出入口可以放入和取出基板M。可以通过门(未示出)选择性地打开或关闭该出入口。壳体410的内壁表面可以涂覆有对由液体供应单元440供应的化学品具有高耐腐蚀性的材料。
排放孔414可以形成在壳体410的底表面上。排放管线416可以连接在排放孔414处。可以将能够对内部空间412进行排放的诸如泵等排放构件(未示出)安装在排放管线416处。相应地，可以在内部空间412中产生的诸如烟雾或颗粒等污染物可以通过排放孔414排出到外部。
根据图4，液体处理腔室400可以包括支承单元420。支承单元420可以在稍后将要描述的碗状部430的处理空间431中支承基板M。支承单元420可以支承基板M。支承单元420可以旋转基板M。
支承单元420可以包括卡盘422、支承轴424、驱动构件425和支承销426。卡盘422可以具有带预定厚度的板形状。支承轴424可以联接到卡盘422的底部。支承轴424可以是中空轴。并且，支承轴424可以通过驱动构件425旋转。驱动构件可以是中空马达。如果驱动构件425旋转支承轴424，则联接到支承轴424的卡盘422可以旋转。放置在安装在卡盘422处的支承销426上的基板M可以随着卡盘422的旋转一起旋转。
支承销426可以支承基板M。支承销426可以安装在卡盘422处。支承销426可以从卡盘422的顶表面突出。当从上方观察时，支承销422可以具有大致圆形的形式。并且，当从上方观察时，支承销426的与基板M的边缘区域对应的部分可以向下呈阶梯状。即，支承销426可以包括支承基板M的边缘区域的底部的第一表面，以及面向基板M的边缘区域的一侧的第二表面，以便在基板M旋转时限制基板M的侧向移动。可以设置至少一个支承销422。在实施方案中，可以设置多个支承销422。支承销422的数量可以设置成对应于具有矩形形式的基板M的边缘区域的数量。支承销422可以支承基板M，以将基板M的底表面与卡盘422的顶表面间隔开。
参照图4和图5，液体处理腔室400可以包括碗状部430。
碗状部430可以具有顶部敞开的圆柱形形状。碗状部430可以具有处理空间431，并且基板M可以在处理空间431中进行液体处理和热处理。碗状部430可以防止供应到基板M的处理液扩散到壳体410、液体供应单元440和加热单元450。
碗状部430可以包括底部部分433、竖直部分434和倾斜部分435。底部部分433可以设置有开口，当从上方观察时，该开口可以插置到支承轴424中。竖直部分434可以从底部部分433沿第三方向Z延伸。倾斜部分435可以从竖直部分434的顶端沿支承单元420的方向延伸。倾斜部分435可以在向上倾斜的方向上从竖直部分434的顶端延伸到支承单元420。倾斜部分435可以在朝向支承在支承单元420上的基板M的方向上倾斜地延伸。底部部分433可以具有排出孔432，排出孔被形成用于将从液体供应单元440供应的处理液体排出到外部。
碗状部430可以联接到升降构件436。碗状部430可以根据升降构件436沿着第三方向Z改变其位置。升降构件436可以是用于在上下方向上移动碗状部430的驱动设备。当在基板M上执行液体处理和/或热处理时，升降构件436可以在向上方向上移动碗状部430。当基板M被放入到内部空间中或基板M从内部空间被取出时，升降构件436可以在向下方向上移动碗状部430。
参照图4和图5，液体处理腔室400可以包括液体供应单元440。液体供应单元440可以将液体供应到基板M。液体供应单元440可以供应用于对基板M进行液体处理的处理液。液体供应单元440可以将处理液供应到由支承单元420支承的基板M。
处理液可以是蚀刻液或冲洗液。蚀刻液可以是化学品。蚀刻液可以蚀刻形成在基板M上的图案。蚀刻液也可以被称为蚀刻液体。冲洗液可以清洁基板M。冲洗液可以作为已知的化学液体提供。
液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定体442、旋转轴443和旋转构件444。喷嘴441可以将处理液供应到由支承单元420支承的基板M。喷嘴441的一端可以连接到固定体442，其另一端可以沿从固定体442朝向基板M的方向延伸。喷嘴441可以从固定体442沿第一方向X延伸。并且，喷嘴的另一端可以以预定角度被切掉，并且可以朝向支承在支承单元420上的基板M延伸。
喷嘴441可以包括第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b或第三喷嘴441c中的任何一个喷嘴可以将上述处理液中的化学品C供应到基板M。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一个喷嘴可以供应上述处理液中的冲洗液R。并且，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b或第三喷嘴441c中的最后一个喷嘴可以供应与由第一喷嘴441a、第二喷嘴441b或第三喷嘴441c中的另一个喷嘴供应的化学品C不同的不同种类的化学品C。
固定体442可以固定喷嘴441。固定体442可以支承喷嘴441。固定体442可以连接到通过旋转构件444沿第三方向Z旋转的旋转轴443。如果旋转构件444旋转旋转轴443，则固定体442可以绕第三方向Z旋转。相应地，喷嘴441的出口可以在液体供应位置与待用位置之间移动，液体供应位置是处理液被供应到基板M的位置，待用位置是处理液不被供应到基板M的位置。喷嘴441的出口可以在液体供应位置与待用位置之间摆动移动。
参照图4和图5，液体处理腔室400可以包括加热单元450。
加热单元450可以加热基板M。加热单元450可以加热基板M的部分区域。加热单元450可以加热通过供应化学品C在其上形成有液膜的基板M。加热单元450可以加热形成在基板M上的图案。加热单元450可以加热形成在基板M上的一些图案。加热单元450可以加热第一图案P1或第二图案P2中的任何一个。例如，加热单元450可以加热第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。
加热单元450可以包括本体451。本体451可以是其中具有安装空间的容器。本体451可以设置有稍后将要描述的激光照射模块460、视觉模块470、照明模块480和光学构件490。并且，本体451可以包括照射端452。由稍后将要描述的激光照射模块460照射的激光L可以通过照射端452照射到基板M。此外，由稍后将要描述的照明模块480照射的光可以通过照射端452提供。此外，可以通过照射端452执行稍后将要描述的视觉模块470的成像。
加热单元450可以包括驱动器453。驱动器453可以是马达。驱动器453可以连接到稍后将要描述的轴454。驱动器453可以旋转轴454。驱动器453可以向轴454提供动力以使轴454旋转。相应地，联接到轴454的本体451被旋转，并且本体451的照射端452的位置也可以改变。驱动器453可以在垂直方向上移动轴454。例如，照射端452的位置可以以第三方向Z作为旋转轴线而改变。当从上方观察时，可以在围绕轴454画出弧的情况下移动照射端452的中心。当从上方观察时，照射端452可以移动，使得其中心穿过由支承单元420支承的基板M的中心。照射端452可以在将激光L照射到基板M的加热位置与当不执行加热基板M时的待用位置之间移动。此外，驱动器453可以在上下方向上移动轴454。驱动器453可以向轴454提供动力，使得轴454在上下方向上移动。相应地，联接到轴454的本体451在上下方向移动，并且本体451的照射端452的位置可以在上下方向改变。可以设置多个驱动器453。多个驱动器453中的任一个驱动器都可以被设置为用于使轴454旋转的旋转马达。多个驱动器453中的另一个驱动器可以被设置为用于在上下方向移动轴454的线性马达。
加热单元450可以包括轴454。轴454可以联接到本体451。轴454可以通过稍后将要描述的移动构件455连接到本体451。轴454可以联接到驱动器453。轴454可以设置在本体451与驱动器453之间。轴454可以通过接收来自驱动器453的动力而旋转或沿上下方向移动。相应地，联接到轴454的本体451也可以旋转、摆动移动或沿上下方向移动。在这种情况下，可以改变本体451的照射端452的位置。
加热单元450可以包括移动构件455。移动构件455可以设置在本体451与轴454之间。移动构件455可以是LM引导器(线性运动引导器)。移动构件455可以沿侧向方向移动本体451。移动构件455可以在第一方向X和/或第二方向Y上移动本体451。加热单元450的照射端452的位置可以通过移动构件455和驱动器453进行各种改变。
图6为图4的加热单元的侧视截面图，图7为图4的加热单元的平面图，以及图8示意性地展示了设置在图4的加热单元内的激光模块、视觉模块、照明模块和光学构件。
参照图6至图8，加热单元450可以包括激光模块460。激光模块460可以照射激光L。激光模块460可以照射具有直线性的激光L。从激光模块460照射的激光L的形状和/或轮廓可以在未示出的扩束器中调整。例如，可以在扩束器中改变通过激光模块460照射的激光L的直径。通过激光模块460照射的激光L的直径可以在扩束器中被扩大或缩小。
从激光模块460照射的激光L的路径可以通过稍后将要描述的光学构件490来改变。从激光模块460照射的激光L的照射方向可以通过稍后将要描述的第一反射构件491来改变。从激光模块460照射的激光L的照射方向可以通过稍后将要描述的第二反射构件492来改变。从激光模块460照射的激光L的照射方向可以通过稍后将要描述的第三反射构件493来改变。从激光模块460照射的激光L可以沿第一照射方向行进。从激光模块460照射并沿第一照射方向行进的激光L的路径可被第一反射构件491改变为与第一照射方向垂直的第二照射方向。可以通过第二反射部件492将第二照射方向上的激光L改变为垂直于第二照射方向并且平行于第一照射方向的第三照射方向。第三照射方向可以是与稍后将要描述的视觉模块470的成像方向同轴的方向。可以通过第三反射构件493将在第三照射方向上行进的激光L的路径在第四照射方向上改变，该第四照射方向向下垂直于第三照射方向。第四照射方向可以是垂直于通过第一照射方向和第二照射方向形成的虚拟平面的方向。第四照射方向可以是垂直于通过第二照射方向和第三照射方向形成的虚拟平面的方向。沿第四照射方向行进的激光L可以穿过照射端452并被照射到基板M。
激光模块460可以设置在本体451内。激光模块460可以紧挨着将在稍后进行描述的视觉模块470设置。激光模块460可以在第二照射方向上与视觉模块470的至少一部分重叠。激光模块460可以在第二照射方向上与视觉模块470间隔开。激光模块460可以被设置在高于稍后将要描述的照明模块480的位置处。
从激光模块460照射的激光L可以与视觉模块470的成像轴线同轴地照射到基板M。通过这样，视觉模块470可以监控通过从激光模块460照射的激光L加热基板M和/或施加有处理液的基板M的过程。从激光模块460照射的激光L可以通过光学构件490与视觉模块470的成像轴线同轴。从激光模块460和视觉模块470照射的激光L的成像轴线可以定位于同一平面上。
参照图6至图8，加热单元450可以包括视觉模块470。视觉模块470可以监控通过激光模块460发射的激光L。视觉模块470可以获取基板M的图像。视觉模块470的成像轴线可以与激光模块460的激光L的轴线同轴地设置。视觉模块470的成像轴线可以与激光模块460的激光L的轴线同轴地穿过照射端452。相应地，视觉模块470可以获取激光模块460的激光L照射到的基板M的图像。然后视觉模块470可以获取包括通过激光模块460照射的激光L所照射的点的图像。视觉模块470可以是相机或视觉装置。
视觉模块470中产生的成像轴线的行进方向可以与上述激光L的第三照射方向(在下文中，被称为第一行进方向)相同。通过视觉模块470产生的成像轴线可以与照射方向通过第一反射构件491和第二反射构件492而改变的激光L一起被导向第三反射构件493。视觉模块470中产生的成像轴线的行进方向可以通过第三反射构件493改变。通过视觉模块470产生的成像轴线可以通过第三反射构件493在垂直于第一行进方向的第二行进方向上改变。在此情况下，第二行进方向可以与激光L的第四照射方向相同。视觉模块470的成像轴线在第二行进方向上行进，穿过照射端452到基板M，并获取激光L和照射点的图像。
视觉模块470可以设置在本体451内。视觉模块470可以紧挨着激光模块460设置。视觉模块470可以在激光L的第二照射方向上与激光模块460间隔开。视觉模块470的至少一部分可以在第二照射方向上与激光模块460重叠。视觉模块470可以设置在稍后将要描述的照明模块480上。视觉模块470的成像轴线可以平行于照明模块480的照明轴线。视觉模块470的成像轴线可以在垂直方向(激光L的第四照射方向或成像轴线的第二行进方向)上与照明模块480的光轴重叠。视觉模块470的成像轴线可以与激光L定位于同一平面上。相应地，如果激光L的路径被第一反射构件491改变，则激光L可以朝向视觉模块470的成像轴线照射。此外，如果路径被激光L和第一反射构件491以及第二反射构件492改变，则激光L和视觉模块470可以与成像轴线同轴，并且相应地，激光L和成像轴线可以一起照射到基板M，并且视觉模块470可以监控激光L和照射到基板M上的点。
参照图6至图8，加热单元450可以包括照明模块480。照明模块480可以提供照明，使得可以容易地执行视觉模块470的图像获取。照明模块480可以设置在本体451内。照明模块480可以设置在视觉模块470下方。照明模块480可以在竖直方向上与视觉模块470重叠。通过照明模块480提供的照明的光轴可以平行于视觉模块470的成像轴线。通过照明模块480提供的照明的光轴可以平行于视觉模块470的成像轴线的第一行进方向。通过照明模块480提供的照明的路径可以通过第四反射构件494改变。通过照明模块480提供的照明的路径可以在与第四反射构件494行进的方向垂直的方向上改变。通过第四反射部件494改变路径的照明的光轴可以与激光L的第四照射方向和成像轴线的第二行进方向相同。当照明模块480的照明与视觉模块470的成像轴线以及激光模块460的激光L一起穿过照射端452到达基板M时，视觉模块470可以获取基板M的图像并监控基板M。
参照图6至图8，加热单元450可以包括光学模块490。光学模块490可以设置在本体451内。光学模块490可以改变每个路径，使得激光L、成像轴线和照明光轴具有同轴的轴线。光学模块490可以包括第一反射构件491、第二反射构件492、第三反射构件493和第四反射构件494。
第一反射构件491可以安装在激光L沿第一照射方向的路径上。第一反射构件491可以改变沿第一照射方向行进的激光L的路径。第一反射构件491可以将激光L从第一照射方向改变成垂直于第一照射方向的第二照射方向。
第二反射构件492可以在第二照射方向上与第一反射构件491重叠。第二反射构件492可以安装在视觉模块470的成像轴线的第一行进方向路径上。第二反射构件492可以通过第一反射构件491改变沿第二照射方向照射的激光L的照射方向。第二反射部件492可以将第二照射方向上的激光L改变成垂直于第二照射方向并且平行于第二照射方向的第三照射方向。第二反射构件492可以将在第二照射方向上行进的激光L改变为与视觉模块470的成像轴线的第一行进方向相同的方向。
第三反射构件493可以安装在视觉模块470的成像轴线的第一行进方向路径上。第三反射构件493可以在第一行进方向上与第二反射构件492间隔开。第三反射构件493可以将在第三照射方向上行进的激光L改变成第四照射方向。第三反射构件493可以将在第一行进方向上移动的成像轴线改变成第二行进方向。
第四反射构件494可以安装在照明模块480的照明行进的路径上。第四反射构件494可以被设置成在第二行进方向和/或第四照射方向上与第三反射构件493间隔开。第四反射构件494可以设置在第三反射构件493的下方。第四反射构件494可以改变照明的路径。第四反射构件494可以改变路径，使得从照明模块480照射的照明在与第二行进方向和第四照射方向相同的方向上照射。
第三反射构件493和第四反射构件494可以在竖直方向上与照射端452重叠。
图9示意性地展示了根据本发明构思的实施方案由视觉模块获取的基本图像，以及图10示意性地展示了根据本发明构思的实施方案由视觉模块获取的基板图像。从图15的(a)至(d)可以看出，当局部加热时间增加时，产生气泡，并且随着加热时间增加，气泡B的大小增加。
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理方法。根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以在上述液体处理腔室400中执行。此外，控制器30可以控制液体处理腔室400的部件，使得液体处理腔室400可以执行下文描述的基板处理方法。例如，控制器30可以产生控制支承单元420、升降构件436、液体供应单元440和加热单元450中的至少一者的控制信号，使得液体处理腔室400的部件可以执行下文描述的基板处理方法。
图9为根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图，图10为图9的临界尺寸校正步骤的流程图，图11展示了执行图10的处理液供应步骤的基板处理装置，图12展示了执行图10的参考图像获取步骤的基板处理装置，图13展示了在图12中获取的参考图像的实施方案，图14展示了执行图10的加热工艺的基板处理装置，图15展示了当在图14的加热工艺期间产生气泡时由视觉模块获取的基板图像的实施方案，以及图16展示了执行图9的冲洗步骤的基板处理装置。
参照图9，基板处理方法可以包括基板放入步骤S100、临界尺寸校正步骤S200、冲洗步骤S300和基板取出步骤S600。
在基板放入步骤S100中，门可以打开形成在壳体410中的取出入口。此外，在基板放入步骤S100中，传送机械手320可以将基板M安装在支承单元420上。
如果基板M安置于支承单元420上，则可以执行临界尺寸校正步骤S200。在临界尺寸校正步骤S200中，可以执行形成在基板M上的图案的蚀刻。在临界尺寸校正步骤S200中，可以蚀刻形成在基板M上的图案，使得第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸彼此一致。在临界尺寸校正步骤S200中，可以执行用于校正第一图案P1与第二图案P2之间的临界尺寸差的临界尺寸校正工艺。
参照图10，临界尺寸校正步骤S200可以包括处理液供应步骤S210、参考图像获取步骤S220和热处理步骤S230。此外，临界尺寸校正步骤S200可以进一步包括如下步骤：如果在热处理期间产生气泡B，则确定是否继续临界尺寸校正工艺。确定是否进行临界尺寸校正工艺的步骤可以包括基板图像获取步骤S241、与参考图像比较步骤S242、以及确定是否进行工艺的步骤S243。
参照图10和图11，处理液供应步骤S210可以是通过液体供应单元440将作为蚀刻剂的化学品C供应到基板M的步骤。在处理液供应步骤S210中，支5承单元420可以不旋转基板M。为了在稍后将描述的热处理步骤S230中以特
定图案精确地照射激光L，当基板M旋转时，有必要使基板M的位置失真最小化。此外，在处理液供应步骤S210中供应的化学品C的量可以被供应为足以允许供应到基板M上的化学品C形成液团。例如，在处理液供应步骤S210
中供应的化学品C的量可以覆盖基板M的整个顶表面，并且可以供应到化学0品C的量不从基板M向下流动或少量从基板M流出的程度。如果需要，喷嘴441可以在改变基板位置的情况下，将处理液C供应到基板M的整个顶表面。
参照图10和图12，在参考图像获取步骤S220中，开启激光模块460。在这种情况下，视觉模块470和照明模块480这两者都可以被开启。当激光模块460被开启时，激光L被照射到基板M的施加有处理液C的特定位置。例如，5激光L可以被照射到基板M的第一图案P1和第二图案P2中的任何一者。例如，
激光L可以被照射到基板M的第二图案P2。视觉模块470可以通过对基板M的施加有处理液C的特定位置进行成像来获取参考图像。例如，视觉模块470可以获取参考图像，该参考图像对基板M的特定部分(包括激光L照射的位
置)成像。视觉模块470可以获取通过对基板M的一部分(包括激光L照射的0点)成像而获取的参考图像。参照图13，激光L可以显示在参考图像上。
参照图10和图14，加热基板M的热处理步骤S230可以在获取参考图像之后执行。在热处理步骤S230中，可以通过将激光L照射到基板M来加热基板M。如图14所示，在热处理步骤S230中，向加热单元450供应化学品C，以将
激光L照射到其上形成有液膜的基板M，从而加热基板M。在热处理步骤S2305中，激光L可以照射到基板M的特定区域。激光L照射的特定区域的温度可以增加。相应地，在激光L照射到的区域中化学品C的蚀刻程度可以增加。此外，在热处理步骤S230中，激光L可以照射到第一图案P1和第二图案P2中的任何一者。例如，激光L可以仅照射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。
相应地，提高了化学品C对第二图案P2的蚀刻能力。相应地，第一图案P1的0临界尺寸可以从第一宽度(例如，69nm)改变成目标临界尺寸(例如，70nm)。
此外，第二图案P2的临界尺寸可以从第二宽度(例如，68.5nm)改变成目标临界尺寸(例如，70nm)。也就是说，通过提高对基板M的部分区域的蚀刻能力，可以最小化形成在基板M上的图案的临界尺寸偏差。
在热处理步骤S230中，视觉模块470可以监控激光L照射的点。视觉模块470可以实时监控激光L照射的点，或者可以以预定时间间隔监控激光L照射的点。视觉模块470可以通过监控获取基板图像。控制器30可以接收通过视觉模块470监控和获取的基板图像。控制器30可以确定气泡B是否通过视觉模块470的基板图像产生。如果基板M的特定位置被激光L加热，则当处理液C被加热到与沸点相同、相似或更高的温度时，可以通过液体的蒸发现象而产生气泡B。气泡B干涉基板M与处理液C之间的接触。在这种情况下，存在的问题是处理液对于基板M的蚀刻能力劣化或基板M不会被蚀刻。相应地，如果检测到气泡B的出现，则控制器30可以执行确定是否继续临界尺寸校正工艺的步骤。此外，如果确定气泡B高于参考值，则控制器30可以停止进行中的临界尺寸校正工艺，并且可以改变用于随后要处理的基板M的工艺条件。例如，控制器30可以改变激光模块460的激光L的输出条件，并且调整激光L的照射范围。
参照图10，确定是否继续临界尺寸校正工艺的步骤可以包括基板图像获取步骤S241、参考图像比较步骤S242和工艺确定步骤S243。在基板图像获取步骤S241中，视觉模块470可以通过对基板M上产生气泡B的区域进行成像来获取基板图像。参照图15，视觉模块470可以通过在连续地执行通过激光L对基板M进行局部加热时实时监控气泡B的生长过程来获取基板图像。此外，视觉模块470可以通过在激光L继续对基板M进行局部加热时以规则的时间间隔监控气泡B的生长过程来获取基板图像。从图15的(a)至(d)，激光L的加热时间增加，因此气泡B的大小可以增大。
控制器30可以执行将获取的基板图像与在参考图像获取步骤S220获取的参考图像进行比较的图像比较步骤S242。例如，控制器30可以分别将图13的参考图像与图15的(a)至(d)的基板图像进行比较。
此后，控制器30可以进行工艺确定步骤S243。在工艺确定步骤S243中，控制器30可以确定参考图像与基板图像之间的变化量是否为10％或更低。变化量观察值可以设定为10％，以减少气泡B的感测误差或气泡B的生长误差。在这种情况下，误差可以是指通过视觉模块470获取的基板图像中的误差。基板图像的误差可以包括如下的基板图像的误差：在该基板图像中气泡B看起来形成在该基板图像中，或者气泡B的大小看起来已经增长得比气泡B的实际尺寸大。例如，可以存在由于基板处理装置1的振动而导致的基板图像误差、由于因在液体处理腔室400的内部空间412中形成的向下气流而导致的供应到基板M的处理液C的波动而导致的基板图像误差、或者由于在处理液C中漂浮的颗粒而导致的基板图像误差。控制器30比较并确定参考图像与产生气泡B的基板图像之间的变化量，并且如果变化量为10％或更多，则可以产生警报。如果发生警报，则激光模块460的激光L可以被关闭，工艺可以被中断，并且随后针对待处理的基板M的工艺条件可以被改变或重置。
在确定是否继续工艺的步骤S243中，如果确定参考图像与基板图像之间的变化量为10％或更低，则可以继续工艺。也就是说，可以继续通过激光L的热处理。此后，如果完成了设定的蚀刻，则关闭激光L，并且可以终止针对对应的基板M的临界尺寸校正工艺。例如，如果第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸被蚀刻成在误差范围内一致，则可以终止临界尺寸校正工艺。
在冲洗步骤S300中，可以从基板M去除在临界尺寸校正步骤S200中产生的工艺副产物。在冲洗步骤S300中，可以将冲洗液R供应到旋转的基板M以去除形成在基板M上的工艺副产物。如果需要，为了干燥残留在基板M上的冲洗液R，支承单元420可以以高速旋转基板M以去除残留在基板M上的冲洗液R。
在基板取出步骤S400中，可以从内部空间412中取出已经完成处理的基板M。在基板取出步骤S400中，门可以打开形成在壳体410中的取出入口。此外，在基板取出步骤S400中，传送机械手320可以从支承单元420卸载基板M，并且从内部空间412取出卸载的基板M。
作为基板M的制造工艺期间的最后步骤，执行临界尺寸校正工艺以调整第一图案P1(监控图案)与第二图案P2(锚定图案)之间的临界尺寸偏差。通常，在临界尺寸校正工艺中，由于处理液C被施加到基板M的整个表面以同时蚀刻第一图案P1和第二图案P2，所以第一图案P1与第二图案P2的临界尺寸偏差保持相同，使得在制造基板M时难以确保曝光条件是优化的。为了解决这个问题，使用了通过将激光L照射到基板M上的应该被蚀刻更多的点(例如，第二图案P2)来增加相关点的蚀刻量的方法。然而，如果激光L增加基板M的表面上的局部区域的温度，并且处理液C被加热到沸点或接近沸点的温度，则由于液体的蒸发而产生气泡B。如果在基板M的表面上产生气泡B，则基板M的表面和处理液C彼此不接触，因此蚀刻能力劣化。
然而，根据本发明构思的实施方案，可以通过在照射激光L时同时对激光L通过与激光模块460同轴的视觉模块470照射的点进行成像来监控该点，以抑制在临界尺寸校正工艺期间由于气泡B而导致的蚀刻效果降低。由此，可以监控在基板M和/或处理液C上是否产生气泡B以及气泡B是否生长，从而可以预先检测由于与气泡B接触而导致的工艺误差。根据本发明构思的实施方案，由于在临界尺寸校正工艺期间持续监控气泡B的产生，因此在临界尺寸校正工艺结束之前、或者在工艺终止之后发现基板M的最终检查步骤之前检查工艺误差，从而降低了工艺失败的风险。此外，检测在工艺期间是否出现气泡B和气泡B是否生长，并且考虑误差范围确定工艺是否应该继续，从而节省工艺时间并且降低成本。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员能够从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
尽管到目前为止已经展示和描述了本发明构思的优选实施方案，但是本发明构思不限于上述具体实施方案，并且应当注意，本发明构思所属领域的普通技术人员可以在不脱离权利要求中所要求保护的发明构思的本质的情况下以各种方式实施本发明构思，并且不应将修改与本发明构思的技术精神或前景分开解释。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体；
支承单元，所述支承单元定位在所述壳体内并且被配置成支承基板；
液体供应单元，所述液体供应单元被配置成将处理液供应到支承在所述支承单元上的所述基板；以及
激光模块，所述激光模块被配置成将激光照射到被供应有所述处理液的所述基板；以及
视觉模块，所述视觉模块用于监控所述基板中所述激光照射的点。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，从所述激光模块照射的激光和所述视觉模块的成像轴线被设置成同轴。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括照明模块，所述照明模块将照明提供到所述基板中所述激光照射的点，并且
其中，所述照明模块的照明轴线和所述视觉模块的成像轴线被设置成同轴。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括照明模块，所述照明模块将照明提供到所述基板中所述激光照射的点，并且
其中，所述激光模块和所述视觉模块设置在同一平面上，并且
所述照明模块设置在所述视觉模块的下方。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括本体，所述本体中设置有所述激光模块、所述视觉模块和所述照明模块，并且
其中，照射端设置在所述本体处，并且
所述激光模块的激光与所述视觉模块的成像轴线同轴地照射到所述基板，并且
所述照明模块的照明的照明轴线被配置成平行于所述视觉模块的所述成像轴线。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述视觉模块在通过所述激光加热施加在所述基板上的所述处理液的过程中，监控是否已经产生气泡以及所述气泡的大小是否增大。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器用于控制所述基板处理装置，并且
其中，通过比较从所述视觉模块获取的所述基板的参考图像、和从所述视觉模块获取的产生所述气泡的所述基板的基板图像，来确定是否能够终止对于所述基板正执行的工艺。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，如果所述参考图像和所述基板图像的变化量被确定为10％或更低，则所述控制器继续正在所述基板上进行的工艺。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，如果所述参考图像与所述基板图像之间的变化量被确定为10％或更高，则所述控制器终止正在所述基板上进行的工艺。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，如果终止了正在所述基板上进行的所述工艺，则所述控制器改变对于将在之后进行工艺的基板的工艺条件，并且
所述控制器控制所述激光模块，从而改变所述激光的输出条件或改变所述激光的照射范围。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板包括第一图案和形成在与所述第一图案不同的位置处的第二图案，并且
其中，所述激光模块将所述激光照射到所述第一图案和所述第二图案中的任意一个图案。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板包括第一图案和第二图案，所述第一图案具有第一临界尺寸，所述第二图案形成在与所述第一图案不同的位置处并且具有小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸，并且
其中，所述激光模块将所述激光照射到所述第二图案，使得所述第一临界尺寸和所述第二临界尺寸变成相同。
13.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
放入基板，所述基板具有第一图案和形成在与所述第一图案不同的位置处的第二图案；
校正所述第一图案的临界尺寸或所述第二图案的临界尺寸；
将冲洗液供应到所述基板；以及
取出所述基板，并且
其中，在校正所述临界尺寸时，通过视觉模块检测是否已经产生气泡，并且如果检测到所述气泡，则通过将产生所述气泡的基板图像与参考图像进行比较来确定是否执行临界尺寸校正工艺。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，在校正所述临界尺寸时，所述处理液被供应到所述基板，通过激光模块将激光照射到所述基板以加热施加有所述处理液的所述基板，并且
所述激光模块将所述激光照射到所述第二图案。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，通过所述视觉模块获取所述参考图像，并且
所述视觉模块借由开启所述激光模块，通过所述激光照射的所述基板的状态的图像来获取所述参考图像。
16.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，如果产生所述气泡的基板图像与所述参考图像之间的变化值为10％或更低，则继续对于所述基板的所述临界尺寸校正工艺。
17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，如果产生所述气泡的基板图像与所述参考图像之间的变化值为10％或更高，则终止对于所述基板的所述临界尺寸校正工艺。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，如果所述变化值为10％或更高，则产生警报；并且如果产生所述警报，则关闭所述激光模块。
19.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，如果所述变化值被确定为10％或更高、并且终止所述临界尺寸校正工艺，则重置对于待后处理的基板的工艺条件。
20.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体；
支承单元，所述支承单元定位在所述壳体内并且被配置成支承基板；
液体供应单元，所述液体供应单元被配置成将处理液供应到支承在所述支承单元上的所述基板；
加热单元，所述加热单元被配置成加热被供应有所述处理液的所述基板；以及
控制器，并且
其中，所述加热单元包括：
本体，照射端设置在所述本体处；
激光模块，所述激光模块设置在所述本体内并且将激光照射到所述基板以加热所述基板；
视觉模块，所述视觉模块设置在所述本体内，用于监控在所述激光照射的点处是否产生气泡，并且所述视觉模块与所述激光模块同轴；以及
照明模块，所述照明模块设置在所述本体内，并且将照明提供到所述激光照射的所述点，并且所述照明模块与所述视觉模块同轴，并且
其中，所述视觉模块在所述激光模块处开启所述激光之后立即获取所述基板的参考图像；并且如果产生气泡，则获取产生所述气泡的基板图像，并且
所述控制器通过比较所述参考图像和产生所述气泡的所述基板图像来确定是否继续进行工艺；并且如果比较值为10％或更高，则终止所述工艺。
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