JP2000352811A

JP2000352811A - レーザ欠陥修正装置およびレーザ欠陥修正方法

Info

Publication number: JP2000352811A
Application number: JP16513199A
Authority: JP
Inventors: Yukio Morishige; 幸雄森重
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-06-11
Filing date: 1999-06-11
Publication date: 2000-12-19

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成でレーザ蒸散時の飛散した粒子が
基板に再付着することを確実に防止して、基板にダメー
ジを与えずに高品質な欠陥修正が可能なレーザ欠陥修正
方法およびレーザ欠陥修正装置を提供する。【解決手段】レーザ光を発生するレーザ２と、基板１
の表面上の膜のうち除去すべき部分である欠陥部の形状
に基づいてレーザ光の形状を整形して欠陥部に照射する
スリット３、リレーレンズ４、対物レンズ５と、レーザ
光の欠陥部への照射前に欠陥部を帯電するイオナイザ７
と、対物レンズ５からのレーザ光が欠陥部に照射される
位置に基板１を移動するＸ−Ｙステージ９と、欠陥部に
照射されるレーザ光を欠陥部を蒸散除去させる強度に制
御する制御部１６とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ欠陥修正装
置および方法に関し、特に、フォトマスクなどの余分な
遮光体があるいわゆる黒欠陥を修正するレーザ欠陥修正
装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のレーザ欠陥修正装置は、
フォトマスクのパターン上の余分な遮光体であるいわゆ
る黒欠陥を修正するのに用いられ、欠陥部分にパルスレ
ーザ光を照射し、黒欠陥をレーザ蒸散法により除去して
いた。この従来の欠陥修正装置では、数ｎｓ以下の短い
パルス光を用い、基板上の欠陥パターン部のＣｒ膜等
を、瞬時に蒸発させ、不要なパターンを基板から取り去
っていた。この従来の欠陥修正装置は、レーザ光を所定
の形状に整形して基板上に照射する機能と、基板上のパ
ターンを高い倍率で観察する顕微鏡機能を含めたレーザ
照射顕微光学系と、基板上のパターンのレーザ光の照射
及び観察場所を選択するためのＸ−Ｙステージを装備し
ていた。この従来技術においては、レーザ蒸散法により
基板上から除去されたＣｒ膜の蒸散物が、細かい粒子と
して除去したＣｒ膜の近傍に再付着することが知られて
いた。これまでは、その粒子サイズが最大でも０．３μ
ｍ程度であり、回路パターンのルールと比較して十分小
さかったため、問題とならなかったが、近年の半導体回
路パターンの微細化に伴い、フォトマスク上のゴミや、
異物の許容される最小サイズが、０．１μｍレベルに届
こうとしているために、これらの欠陥修正部周辺への粒
子の再付着が大きな問題となってきた。

【０００３】また、フォトマスクの検査においても、レ
ーザ蒸散法による細かい粒子が基板上の欠陥修正部近傍
に集中して付着している場合など、これらの再付着物を
疑似欠陥として誤認識してしまい、再検査を行う必要が
出るなど実用上大きな問題となっていた。

【０００４】また、レーザ蒸散法においては、照射レー
ザ光強度を強くすると再付着物が減って加工品質上はよ
いが修正部の基板にダメージを与えてしまう。このため
修正部の基板のダメージを抑制するためには、照射レー
ザ光強度を低くする必要があるが、レーザ光強度を下げ
ると、蒸散するＣｒ粒子の粒子サイズが大きくなりやす
く、また、蒸散部近傍に再付着しやすくなり、加工品質
と基板ダメージとのトレードオフからレーザ光強度の許
容範囲が狭かった。

【０００５】これを解決するために、例えば、特開平６
−８４８９４号公報には、レーザ照射により金属配線を
除去した後、除去部及びその周辺部に形成される金属を
含む再付着膜を除去するため、照射領域を拡大し、下地
にダメージを与えないように照射条件（波長、パルス
幅、レーザ強度、照射回数、照射領域の広さ）を設定し
て再度レーザ照射を行うことにより、配線接続部に金属
材料を残留させることなく配線切断を実現する技術が開
示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の配
線切断方法では、切断したくない配線上をさけて配線切
断より広い異なる領域に再付着除去のためのレーザ光を
照射する必要がある。

【０００７】また、配線切断の後に再付着膜除去の工程
を行うので、修正行程の時間が長くかかる。また、各種
の基板について下地にダメージを与えない照射条件を設
定するのに手間がかかる。また、再付着物の除去の工程
で新たな欠陥を発生する可能性もある。

【０００８】本発明は、簡単な構成でレーザ蒸散時の飛
散した粒子が基板に再付着することを確実に防止して、
修正品質を低下させる問題を根本的に解決することがで
き、従来、粒子の再付着の問題により使用することので
きなかった低パワー領域の良好な加工形状をできるレー
ザ照射条件を用いることを可能とし、基板にダメージを
与えずにきわめて高品質な修正が可能なレーザ欠陥修正
装置および方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のレーザ欠陥修正
装置は、レーザ光を発生するレーザ光源と、基板の表面
に形成された膜のうち除去すべき部分である欠陥部の形
状に基づいてレーザ光の形状を整形して前記欠陥部に照
射するレーザ照射光学系と、レーザ光の前記欠陥部への
照射前に前記基板表面を帯電する帯電手段と、前記照射
光学系からのレーザ光が前記欠陥部に照射される位置に
前記基板を移動する移動手段と、前記欠陥部に照射され
るレーザ光を前記欠陥部を蒸散除去させる強度に制御す
る制御部とを有している。

【００１０】本発明によれば、基板表面を帯電させた状
態でレーザ照射を行うことにより、除去された膜が蒸発
した微粒子も、基板と同じ帯電状態となる結果、微粒子
と基板表面の間に反発力が働き、再付着を防止すること
ができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例を図面を参
照として詳細に説明する。

【００１２】図１は、本発明のレーザ欠陥修正装置の第
１の実施形態の主要部の構成を示す模式図である。ま
た、図２は、本実施形態の構成を示すブロック図であ
る。

【００１３】本願が欠陥修正対象とする基板１は、いわ
ゆる半導体用のフォトマスクであり、一般的に、石英板
にＣｒ（クロム）パターンを形成し、Ｃｒの表面には反
射防止用に酸化クロム膜がついている。Ｃｒ膜の厚み
は、通常８００〜１０００Ａ程度である。または、位相
シフトマスクと呼ばれるＭｏＳｉ膜や酸化シリコンを薄
く付加的に付けたマスクでもかまわない。またはＬＣＤ
用のＴＦＴアレイ基板等でもかまわない。例えば、１ｍ
程度のガラス基板上に１０００×１０００程度のＴＦＴ
と、縦方向、横方向の接続配線がついているものであ
る。配線材料はアルミ、クロム、Ｍｏ、ＩＴＯ（透明
導電膜）等、絶縁膜は酸化シリコン、窒化シリコン等で
ある。

【００１４】レーザ２は、例えば、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ
の波長３４９ｎｍの第３高調波光源からなり、また、例
えば、パルス幅３０ｐｓでパルスレーザ光を発生する。

【００１５】半導体用フォトマスクは、特に微細なパタ
ーンを精度よく形成することが必要なため、光学的な解
像度を高くするため、波長の短い光源が適しているの
で、２５４ｎｍ、１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを
使用してもよい。ただし、短パルスを形成する方法や、
光源の保守性、装置コストの点で、固体レーザに比べ、
実用性に劣る。他の光源としては、Ｅｒファイバレーザ
の高調波光源、Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３レーザの高調波光源が
ある。これらは、固体レーザの範疇に入り、Ｎｄ：ＹＬ
Ｆなどの次に実用性の点で優れている。また、加工時の
熱広がり距離を短くでき、光学的な解像度に近い微細加
工性を実現するために短いパルスレーザ光を用いること
が必要である。パルス幅をナノセカンドレベル以下にす
ることにより、加工部のエッジのシャープさとして要求
される０．０５μｍ程度のシャープさが得られるように
なるので、パルス幅はナノセカンドレベル以下にするこ
とが好ましい。

【００１６】スリット３は、レーザ２で発生したレーザ
光を外部からの指令に基づいて欠陥の形状に合わせた形
状に整形する。例えば、スリット３のＸ、Ｙ方向にそれ
ぞれ２つずつ対向する、合計４つのナイフエッジとし、
外部からの指令により４つのナイフエッジが移動し両方
向の対向する２つのエッジ間隔が調節されるものとして
もよい。また、予め各種形状の複数の透過パターンの形
成されたスリット板を備え、外部指令によりスリット板
を移動させて適切な１つのパターンをレーザの光軸上に
合わせるものとしてもよい。また、複数のスリット板を
組み合わせて適切なスリット形状を実現させてもよい。

【００１７】リレーレンズ４と対物レンズ５からなる結
像光学系は、レーザ光により照射されたスリット３の像
を、例えば、縮小比１／１５０に縮小して、基板ホルダ
ー６に保持された欠陥を修正する対象である基板１の表
面に結像し照射する。

【００１８】イオナイザ７は、内部に高圧電源と、その
高圧電源が出力した−２０ｋｖ程度の高電圧が印可され
る電極と、その電極により帯電した成分を含んだ電極近
傍の空気をイオナイザ７外部に送出するファンとを備え
ている。イオナイザ７は、基板１の被加工面のレーザが
照射される領域近傍にマイナスに帯電した成分を含む空
気を吹き付け、その基板表面に電荷８を生じさせる。

【００１９】基板ホルダー６は、Ｘ−Ｙステージ９上に
載置され、修正対象の基板１を保持する。基板ホルダー
６の基板１の下側には、透明導電膜１０をつけたガラス
板１１が装着され、基板ホルダー６の基板１と接する面
の電位をアース電位に保つよう構成されている。ガラス
板１１の透明導電膜１０は、べたの全面電極としてよ
い。イオナイザ７によって基板を帯電させるときガラス
板１１の透明導電膜１０の電位をアース電位にすること
により、イオナイザ７から送出された帯電空気成分が透
明導電膜１０に引き寄せられ、基板１の表面が帯電しや
すくなる。

【００２０】基板１の表面を帯電させた状態でレーザ照
射を行うことにより、除去された膜が蒸発した微粒子
も、基板１と同じ帯電状態となる結果、微粒子と基板１
の表面の間に反発力が働き、基板への再付着を防止する
ことができる。

【００２１】カメラ１２とリレーレンズ１３と対物レン
ズ５と反射照明１４と透過照明１５は、欠陥を修正する
対象となる基板１の表面を照明し観察するための観察顕
微光学系を構成する。

【００２２】また、制御部１６が、レーザ２、スリット
３、イオナイザ７、Ｘ−Ｙステージ９、カメラ１２、反
射照明１４に接続され、これらの動作を制御する。ま
た、これらの制御を行うために必要な情報を格納した制
御テーブル１７が備えられており、制御部１６に接続さ
れている。

【００２３】次に、本実施形態のレーザ欠陥修正装置の
加工の動作について説明する。

【００２４】図３は、本実施形態のレーザ欠陥修正装置
の加工の動作を示すフローチャートである。

【００２５】まず、欠陥修正装置に基板１をセットし
（ステップＳ１）、セットされた後、ＸＹステージ９を
移動してレーザ照射領域を欠陥に正確に重ね合わせる
（ステップＳ２）。そして、基板１にイオナイザ７から
のイオン照射を予め定められた時間行う（ステップＳ
３）。そして、修正対象とする１つの欠陥について、ス
リット３のサイズを設定し、基板１へのレーザ照射サイ
ズを設定する（ステップＳ４）。レーザ照射サイズは必
ずしも予め決めることはできないので、欠陥形状から作
業者が選んで設定する。照射パワーをシャープなエッジ
を形成できるように予め定められたパワーに設定する
（ステップＳ５）。レーザパワーが強すぎると、加工エ
ッジが照射形状に比べ膨らみ、かつエッジがだれる。し
たがって、照射パワーは、加工の起こるしきい強度以上
の範囲で、徐々にあげて、各パワーについて複数回、パ
ターンを加工してそのエッジのシャープさを評価し、再
現性よくシャープなエッジが得られる加工条件をあらか
じめ求めて、照射形状に対応させて制御テーブル１７に
格納しておく。設定されたサイズおよびパワーに対応し
て予め定められたショット数でレーザ光を欠陥に照射す
る（ステップＳ６）。レーザ光を照射するショット数は
予め実験的に良好な加工形状ができる条件を探して決定
し、設定されたサイズおよびパワーに対応させて制御テ
ーブル１７に格納しておく。通常２ショットから１０シ
ョットの間にいい条件がある。欠陥が修正できたか確認
し（ステップＳ７）、修正が不完全であれば再修正し
（ステップＳ８）、ステップＳ７にもどる。修正できて
いれば、基板上のすべての欠陥の修正が完了したか判断
し（ステップＳ９）、完了していなければ、ＸＹステー
ジ９を移動してレーザ照射領域を次に修正を行う欠陥に
正確に重ね合わせ（ステップＳ１０）、ステップＳ３に
もどり、次の修正箇所についてステップＳ２からＳ７の
処理を行う。基板上のすべての欠陥の修正が完了した
ら基板を取りだし修正作業を終える。

【００２６】次に、以上の構成において、基板を帯電さ
せた場合と帯電させない場合の蒸散により発生した微粒
に再付着状況を比較して、具体的な例に基づいて効果を
検証した結果について説明する。

【００２７】レーザ照射サイズを５×５μｍの矩形領域
とし、７×７μｍの孤立Ｃｒパターンに重ね合わせて照
射した。照射パワーは、シャープなエッジを形成できる
ように予め定められたパワーに設定してレーザ光を５シ
ョット照射してＣｒ膜を蒸散させた。

【００２８】帯電させなかった場合には、反射照明１４
による加工部の観察により、レーザ照射領域の周囲１０
μｍまでの円形の範囲に最大粒子半径が０．３μｍ程度
で、大部分は０．１μｍ以下の微粒子が多量に再付着し
た。この状態では、除去領域近傍の基板１の透過率が、
再付着のない領域と比較して、３％低下していた。

【００２９】一方、基板１にイオナイザ７からのイオン
照射を２分間行った後、レーザ光を同じ条件で照射した
場合には、反射照明１４による観察像でも粒子の再付着
がほとんど見えなくなり、レーザ光照射部近傍の基板１
の透過率低下が０．２％以下のレベルとなった。

【００３０】また、さらにレーザ照射条件を、通常の加
工パワーより大幅に低下させ、通常パワーに比べ、４０
％程度低いパワーでも蒸散粒子の再付着が防止できるこ
とも確認できた。

【００３１】従来の方法で、上記の弱いパワー域で加工
すると、再付着粒子の付着範囲が、加工領域の極近傍に
集まりやすい傾向があり、加工エッジ垂直性や、加工エ
ッジ盛り上がりの抑制の点で実用上使えないが、本発明
では、レーザの照射パワー範囲を再付着の問題なしに加
工エッジ垂直性や、加工エッジ盛り上がりの抑制の点で
最適化でき、これらの点について大きな改善をはかるこ
とができた。

【００３２】次に本発明の第２の実施形態について説明
する。

【００３３】図４は本発明の第２の実施形態の要部の構
成を示す模式図であり、図５は、本実施形態の構成を示
すブロック図である。

【００３４】本実施形態においては、対物レンズ５と基
板１の間に電極１８を設け、基板１の表面電位をモニタ
するための表面電位モニタ１９を設け、正の高電圧を発
生する高圧電源２０と、電極１８を高圧電源２０との接
続状態とフローティング状態とに切り替えるためのスイ
ッチ２１をさらに備えている点で第１の実施形態と異な
る。

【００３５】電極１８は、対物レンズ５の直下部付近
は、対物レンズ５の光路を遮蔽しないように、円形の開
口部１８ａを設けている。また図４に示すようにイオナ
イザ７の出口付近にも開口部１８ｂを設けてもよい。

【００３６】次に、図５のレーザ欠陥修正装置の加工の
動作を説明する。

【００３７】図６は、図５のレーザ欠陥修正装置の加工
の動作を説明するフローチャートである。

【００３８】まず、イオナイザ７からの電離成分が電極
１８に吸収されないようにするため電極１８の電位をス
イッチ２１によりフローティング状態にし、その状態
で、基板１を基板ホルダー６にセットする（ステップＳ
１１）。セットされた後、第１の実施形態と同様に、Ｘ
Ｙステージ９を移動してレーザ照射領域を欠陥に正確に
重ね合わせる（ステップＳ２）。次に表面電位モニタ１
９の測定値が所定の値になるまでイオナイザ７より、基
板１にイオン照射を行う（ステップＳ１２）。所定の値
とは、帯電による再付着防止の効果が得られる電位以上
であり、およそ１．５ｋＶ以上である。また、電位の上
限値は基板から他の金属部品等へ放電が起こらない範囲
であり、構造にもよるが１０ｋＶ程度以下とするのがよ
い。表面電位モニタ１９は、レーザ照射位置近傍で、帯
電中、基板１の表面電位をモニタする。

【００３９】次に電極１８を高圧電源２０に接続して電
極１８の電位が正の高圧となるようスイッチ２１を切り
替える（ステップＳ１３）。これもおよそ１．５ｋＶ以
上で、上限値は基板から他の金属等へ放電が起こらない
範囲とし、１０ｋＶ程度以下とするのが望ましい。

【００４０】この状態で第１の実施形態と同じくステッ
プＳ３からＳ１０の処理によりレーザ光を照射して、基
板上のすべてのＣｒ膜の欠陥の除去を行う。

【００４１】加工終了後、スイッチ２１の切り替えによ
り電極１８をフローティング電位とする（ステップＳ１
４）。さらに基板１の表面電位が０になるまで、イオナ
イザ７より、正のイオン照射を行う（ステップＳ１
５）。

【００４２】最後に基板を取り出して、修正作業を終え
る。

【００４３】本実施形態によれば、基板の表面電位を測
定する手段を追加することにより、基板上のパターンの
違いやＣｒ膜とガラス部の面積比の違い等による帯電し
易さの違いを補償して、常に一定の帯電状態でレーザ加
工を行うことができ、また、基板の除電を確実に終了さ
せることができる。

【００４４】また、電極１８を設けることにより、レー
ザ照射により発生した帯電した微粒子は速やかに電極１
８に吸い付けられるので、基板１上で微粒子が漂うこと
を防止することができる。

【００４５】また、レーザ加工後、基板１を除電するこ
とは、基板１を装置から取り出した後、空気中のほこり
を基板１に付着することを避けるために有効である。

【００４６】なお、図２に示す電極１８を金属メッシュ
構造とすることが望ましい。

【００４７】メッシュ構造とすることにより、基板１を
上面から観察することができる。メッシュは５ｍｍ程度
の格子状とするのが好ましい。

【００４８】また、レーザ欠陥修正装置内の基板１の表
面の雰囲気を乾燥雰囲気に保つためのガスパージ機構を
設けることが望ましい。

【００４９】ガスパージ機構は、例えば基板１の１辺に
そったスリット状のガス送出口を備え、そのガス送出口
から乾燥した窒素等の不活性ガスをゴミを巻き込まない
ような均一な流れが基板１の表面に沿って形成されるよ
うに送出する。また、基板１の反対側の一辺にスリット
状の排出口を設け、その排出口から基板１の表面に沿っ
て流れてきた不活性ガスを外部に排出する構造としても
よい。

【００５０】このガスパージ機構を設けることにより、
帯電状態を長時間維持することができる利点がある。

【００５１】また、次に基板１を帯電させる帯電手段の
他の例について説明する。

【００５２】図７は、基板ホルダー２４の下面に設けら
れ基板１の欠陥修正面と反対側の面に高速な気流を形成
することにより帯電させる気流帯電器２５の構成を示す
断面図である。基板１と対向する気流帯電器２５の上面
は、平面形状となっており、基板１と接触して基板１を
支える０．１ｍｍ程度の突起２５ａが５ｍｍ間隔程度の
間隔で１面に設けられている。また、気流帯電器２５の
中央部には高速に空気を吸い込むための吸い込み口２５
ｂが設けられている。吸い込み口２５ｂに接続された図
示しない空気吸引器によって空気を吸い込み、空気が帯
電器上面と基板１との隙間を高速に流れる気流を形成す
る構成となっている。気流帯電器２４は例えば、アルミ
ニウムで形成され、上面の突起２５ａは、このアルミニ
ウムをアルマイト処理して形成する。アルミニウムを使
用することにより、アルマイト処理以外に特にその面を
粗面化することなく容易に上述のような突起が形成する
ことができる。

【００５３】また、図８は、基板１の欠陥修正面側を帯
電する他の気流帯電器２６の構成を示す断面図である。
気流帯電器２６は、対物レンズ５の下方に保持され、対
物レンズ５から基板１に向けて集光して照射される光を
通すため上下に貫通する穴２６ａが形成されている。ま
た、基板１と対向する気流帯電器の下面２６ｂは、平面
形状となっており、帯電器２５の下面２６ｂと基板１と
の間隔は０．１ｍｍ程度となるように図示しない帯電記
ホルダによって帯電器２６が保持されている。さらに、
外部から図示しない空気供給器によって空気を供給し、
穴２６ａの内周面から噴出させ、空気が帯電器下面２６
ｂの穴から噴出して帯電器下面２６ｂと基板１との隙間
を高速に流れる気流を形成する構成となっている。空気
の供給量は、３ｌ／ｍ程度とするのが好ましい。

【００５４】また、気流帯電器２５、２６による基板表
面の帯電は、空気流をスタートして数１０秒は時間に比
例して帯電していき、数１０秒から１分程度経過すると
基板の表面電位は徐々に飽和する。予め空気噴出時間と
帯電電位との関係を実験で測定しておき、所望の帯電電
位となる時間空気流を発生させて、基板を帯電させる。
あるいは、上述の表面電位モニタ１９により気流帯電器
２５、２６の近辺において基板１の表面電位を測定して
所定の電位になるまで空気流を継続させてもよい。

【００５５】このような気流帯電器２５、２６を用いる
ことにより、高圧電源が不用で、装置コストを低減で
き、また、取り扱い時の安全性が優れたレーザ欠陥修正
装置とすることができる。また、イオナイザ７より強い
帯電が可能となる。

【００５６】なお、帯電手段として、イオナイザ７及び
気流帯電器２５、２６以外のものを用いてもかまわな
い。ただし、基板１上にローラ等接触する方法では、ゴ
ミの付着や、基板へ傷を付けるおそれがあるので、基板
１に非接触で、基板１にゴミを付着させる恐れが少ない
ものが好ましい。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板表面を帯電させた状態でレーザ照射を行うことによ
り、除去された膜が蒸発した微粒子も、基板と同じ帯電
状態となる結果、微粒子と基板表面の間に反発力が働
き、再付着を防止することができる。

【００５８】また、基板の表面電位を測定する手段を追
加することにより、基板上のパターンの違いやＣｒ膜と
ガラス部の面積比の違い等による帯電し易さの違いを補
償して、常に一定の帯電状態でレーザ加工を行うことが
でき、また、基板の除電を確実に終了させることができ
る。

【００５９】また、基板のレーザ照射位置の近傍上方に
電極を設け、レーザ表面の帯電極性と反対の極性の電位
を与えてレーザ照射を行うことにより、レーザ照射によ
り発生した帯電した微粒子は速やかに電極に吸い付けら
れるので、基板上で微粒子が漂うことを防止することが
できる。

【００６０】また、レーザ加工後、基板を除電すること
により、基板を装置から取り出した後、空気中のほこり
を基板に付着することを避けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るレーザ欠陥修正
装置の主要部の構成を示す構成図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係るレーザ欠陥修正
装置の回路構成を示すブロック図である。

【図３】図１のレーザ欠陥修正の動作を示すフローチャ
ートである。

【図４】本発明の第２の実施形態に係るレーザ欠陥修正
装置の主要部の構成を示す構成図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係るレーザ欠陥修正
装置の回路構成を示すブロック図である。

【図６】図５のレーザ欠陥修正の動作を示すフローチャ
ートである。

【図７】本発明に係る帯電手段の例を示す断面図であ
る。

【図８】本発明に係る帯電手段の例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１基板２レーザ３スリット４リレーレンズ５対物レンズ６、２４基板ホルダー７イオナイザ８電荷９ＸＹステージ１０透明電極膜１１ガラス板１２カメラ１３リレーレンズ１４反射照明１５透過照明１６，２２制御部１７，２３制御テーブル１８電極１９表面電位モニタ２０高圧電源２１スイッチ２５、２６気流帯電器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を発生するレーザ光源と、基板の表面に形成された膜のうち除去すべき部分である
欠陥部の形状に基づいてレーザ光の形状を整形して前記
欠陥部に照射するレーザ照射光学系と、レーザ光の前記欠陥部への照射前に前記基板表面を帯電
する帯電手段と、前記照射光学系からのレーザ光が前記欠陥部に照射され
る位置に前記基板を移動する移動手段と、前記欠陥部に照射されるレーザ光を前記欠陥部を蒸散除
去させる強度に制御する制御部とを有することを特徴と
するレーザ欠陥修正装置。
【請求項２】前記基板表面の電位をモニタする表面電位
モニタをさらに有し、前記制御部は、帯電による再付着防止の効果が得られる
電位まで前記基板表面が帯電された後に前記レーザ光源
にレーザ光を照射させることを特徴とする請求項１に記
載のレーザ欠陥修正装置。
【請求項３】レーザ光の基板上の照射位置に近接して設
けられた電極と、前記電極に帯電した欠陥部の蒸散蒸気
を引き寄せる電位を与える電源とをさらに有することを
特徴とする請求項１に記載のレーザ欠陥修正装置。
【請求項４】前記移動手段は、載置した前記基板の帯電
される表面と反対側の面の近傍にアースに接続されたア
ース電極を有することを特徴とする請求項１に記載のレ
ーザ欠陥修正装置。
【請求項５】前記電極は、グリッド状の金属配線である
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ欠陥修正装
置。
【請求項６】帯電した欠陥部の雰囲気を乾燥状態に保つ
乾燥手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記
載のレーザ欠陥修正装置。
【請求項７】前記帯電手段は、帯電した欠陥部の電位を
中和する機能をさらに備え、前記制御部は、前記欠陥部の蒸散除去が完了した後に前
記帯電手段に前記欠陥部の電位を中和させることを特徴
とする請求項１に記載のレーザ欠陥修正装置。
【請求項８】前記帯電手段は、前記基板の表面に高速な
気流を形成することにより基板を帯電する気流帯電器で
あることを特徴とする請求項１に記載のレーザ欠陥修正
装置。
【請求項９】除去すべき欠陥部を含む膜が形成された基
板表面を帯電するステップと、帯電した前記欠陥部にレーザ光を照射して前記欠陥部を
蒸散除去するステップとを有することを特徴とするレー
ザ欠陥除去方法。
【請求項１０】帯電した前記欠陥部にレーザ光を照射す
るとき、前記欠陥部に近接して設けられた電極に前記欠
陥部がレーザ光照射により蒸散した蒸気を引き寄せる電
位を与えることを特徴とする請求項９に記載のレーザ欠
陥修正方法。