JP2009295652A - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸素イオン層形成工程(図1(a))と、貼り合わせる工程(図1(b))と、熱処理工程(図示せず)と、活性層用ウェーハ除去工程(図1(c))と、酸素イオン注入層露出工程(図1(d))と、活性層露出工程(図1(e))とを有し、前記酸素イオン注入層露出工程は、所定条件下でドライエッチングにより行われることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
UCS半導体基盤技術研究会編集、「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、1996年6月28日、p459−462
(1)活性層用ウェーハの表面から酸素イオンを注入し、前記活性層用ウェーハ内の所定位置に酸素イオン注入層を形成する工程と、前記活性層用ウェーハを直接又は絶縁層を介して支持基板用ウェーハに貼り合わせる工程と、前記貼り合わせたウェーハに、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理を施す工程と、前記貼り合わせたウェーハの活性層用ウェーハ部分を、前記酸素イオン注入層が露出しない所定位置まで、所定の方法によって除去する工程と、前記酸素イオン注入層の全面を露出させる工程と、露出した酸素イオン注入層を除去して所定膜厚の活性層を得る工程とを有し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させる工程は、所定条件下でドライエッチングにより行われることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
Re>2×{(ts)/(to)}×{(De+Dt)/(100−De)}
の関係式を満たすことを特徴とする上記(1)又は(2)記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
図1は、本発明に従う貼り合わせウェーハの製造方法の各工程を説明するためのフローチャートである。
なお、図1(a)等では、説明の便宜上、酸素イオン注入層を明確にするため、活性層用ウェーハ中に誇張して厚くした状態で、活性層用ウェーハの中心部よりに位置するよう示しているが、実際には、酸素イオンを注入した側の活性層用ウェーハ表面近くに薄く存在する。
本発明による酸素イオン注入工程(図1(a))は、活性層用ウェーハ1の表面から酸素イオンを注入し、前記活性層用ウェーハ内の所定位置に酸素イオン注入層2を形成する工程である。この酸素イオン注入層2は、その後の工程(図1(c)及び(d))において、研磨ストップ層やエッチングストップ層としての役目を果たすものである。
また、熱処理温度を1100℃以上とするのは、1100℃に満たないと、十分な連続性をもった酸素イオン注入層が形成されず、熱処理を行わない場合と同様の結果しか得られない傾向がある。なお、熱処理温度の上限は、特に限定はされないが、スリップ転位発生の点から1250℃以下とするのが好ましい。
本発明による貼り合わせ工程(図1(b))は、前記活性層用ウェーハ1を直接又は絶縁層を介して支持基板用ウェーハ3に貼り合わせる工程である。本発明による貼り合わせウェーハ4は、絶縁膜を介して貼り合わせたものと、酸化膜を介さず直接貼り合わせた場合の両方を想定しており、貼り合わせ方法については特に限定はしない。
本発明による活性層除去工程(図1(c))は、前記貼り合わせたウェーハ4の活性層用ウェーハ部分10を、前記酸素イオン注入層2が露出しない所定位置まで、所定の方法によって除去する工程である。前記酸素イオン注入層2の表面近くまで、活性層用ウェーハ部分10を除去することで、後の酸素イオン注入層の露出工程(図1(d))を効率よく行うためである。
本発明による酸素イオン注入層露出工程は、(図1(e))は、前記酸素イオン注入層2の全面を露出させる工程であり、所定条件下で、ドライエッチングにより行う必要がある。 図2は、不連続な酸素イオン注入層2を形成した貼り合わせウェーハ41に対して、従来のウェットエッチング処理を施した状態を模式的に示したものであるが、ウェットエッチングの毛細管現象により酸素イオン注入層中のSiO2の隙間をエッチング液が通過し、酸素イオン注入層の下地層である活性層11にまで浸入する結果(図2(a))、その後の酸素イオン注入層除去工程によって形成される活性層11が部分的にエッチングされ、膜厚均一性の悪化及び欠陥の発生を引き起こす(図2(b))ことがわかる。
一方、図3は、不連続な酸素イオン注入層2を形成した貼り合わせウェーハ41に対して、本発明のようにドライエッチング処理を施した状態を模式的に示したものであるが、ドライエッチングを用いた場合には、毛細管現象は発生せず、活性層11にまでエッチングガスが到達することがなくなるため(図3(a))、その後の酸素イオン注入層除去工程(図3(b))によって、下地層である活性層11を露出させることなく酸素イオン注入層2の全面を露出させることができる結果、欠陥の発生が少なく、膜厚均一性に優れた活性層11を形成することができる。
Re>2×{(ts)/(to)}×{(De+Dt)/(100−De)} ・・・・・・(1)
の関係式(1)を満たすことが好ましい。ドライエッチングする前の酸素イオン注入層2上部のシリコン層12の厚さは、例えば、研削により薄膜化した場合、面内ばらつきを発生する場合等、必ずしも均一ではなく、一般的に研削及びドライエッチングのばらつきは±5%程度であることから、前記シリコン層12のある部分が先にエッチングされ、酸素イオン注入層2が露出する場合があり、エッチングガスの条件によっては、酸素イオン注入層2が全面露出する前に部分的に除去されてしまう結果、下の活性層11が露出し、面内バラツキ及び欠陥の発生を引き起こす恐れがある。そのため、前記エッチングガスが上記関係式を満たすことで、前記酸素イオン注入層2上のシリコン層12に±5%程度のバラツキがあった場合でも、部分的に前記酸素イオン注入層2が除去されることを防止することができるからである。
シリコンのエッチングレートをRs、酸素イオン注入層のエッチングレートをRoとすると、選択比Reは、以下の式で表わされる。
選択比Re=Rs /Ro
研削後の酸素イオン注入層上のシリコンでシリコン膜厚の一番薄い場所(A)が、ドライエッチング速度が最大となるため、場所Aで、酸素イオン注入層上面が露出するまでの時間Taは、以下の式(2)で表わされる。
Ta=ts (100−Ds)/Rs (100+Dr) ・・・・・(2)
このとき、研削後の酸素イオン注入層上のシリコンでシリコン膜厚の一番厚い場所(B)がドライエッチング速度最小とすると、ta時間エッチングした時の残存シリコン厚さ(tbr)は、以下の式(3)のようになる。
tbs=ts (100+Ds)−Ta×Rs (1−Dr) ・・・・・(3)
その後、Bの場所で酸素イオン注入層上面が露出するまでの時間Tbは、
Tb=tbs/Rs (100−Dr)
={ts(100+Ds)(100+Dr)−ts(100−Ds)(100−Dr)}/{Rs (100−Dr) (100+Dr)}
となり、Tb時間に場所Aにおいて、酸素イオン注入層をエッチングする量(tbo)は、以下の式(4)で表わされる。
tbo=Tb×Ro (100+Dr)=ts×(Ro/Rs)×2(Dr+Ds)/(100−Dr) ・・・(4)
そして、SOI層までドライエッチングが進まないようにするためには、上述の酸素イオン注入層のエッチング量(tbo)が、初期の酸素イオン注入層厚さtoより小さくある必要があるため、以下の式(5)を満たす必要がある。
tbo<to ・・・・・・・(5)
さらに、上記(5)式をReとの関係で示すと、以下の式(1)となる。
Re>2×{(ts)/(to)}×{(De+Dt)/(100−De)} ・・・・・(1)
そのため、上記式(1)を満たせば、前記酸素イオン注入層2上のシリコン層12に±5%程度のバラツキがあった場合でも、部分的に前記酸素イオン注入層2が除去されることを防ぐことが可能となる。
本発明による活性層露出工程(図1(f))は、露出した前記酸素イオン注入層2を除去して所定膜厚の活性層11を得る工程である。この酸素イオン注入層2の除去の方法は、特に限定はなく、HF液による洗浄や、水素ガス、アルゴンガス又はHF含有ガス等を用いたガスエッチングによって行うことができる。また、前記活性層11の膜厚は、その用とによって種々の厚さとなるように、薄膜化を調整する。
CZ法により育成され、ボロンがドーパントとされたシリコンインゴットからスライスした直径:300mmのP型(100)シリコンウェーハを2枚準備し、活性層用シリコンウェーハの表面から、加速電圧:200keV、200〜600℃、ドーズ量:3.0×1017atoms/cm2の条件と、加速電圧:200keV、300℃以下、5.0×1015atoms/cm2の条件で2回酸素イオンを注入した。その結果、活性層用ウェーハの表面から約400nmの深さ位置に酸素イオン注入層が形成された。ついで、活性層用ウェーハ及び支持基板用ウェーハをHF・オゾン溶液で洗浄して貼り合わせ面上のパーティクルを除去した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ界面を強固に結合するため、酸化性ガス雰囲気中で1100℃、2時間の熱処理を行った。これにより貼り合わせウェーハ裏面に300〜500nmの酸化膜を形成した。次に、研削装置を用いて、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハのシリコン層(膜厚:約10μm)を残して研削した。このときのシリコン層の膜厚バラツキDs=±10%であった。ついで、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が40のCF4とO2の混合ガス(体積比3:1)、エッチング温度20℃を用いてドライエッチングを施し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させた。このときのドライエッチングのばらつきDr=±10%であった。なお、
2×{(ts)/(to)}×{(De+Dt)/(100−De)} ・・・・・(1)
により求められた値は、30であった。
実施例2は、研削装置を用いて、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハのシリコン層(膜厚:約10μm)を残して研削した。ついで、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が30のCF4とO2の混合ガスを用いてドライエッチングを施し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させたこと以外は、実施例1と同様の工程によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、上記(1)式により求められた値は、30であった。
実施例3は、研削装置を用いて、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハのシリコン層(膜厚:約5μm)を残して研削した。ついで、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が30のCF4とO2の混合ガスを用いてドライエッチングを施し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させたこと以外は、実施例1と同様の工程によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、上記(1)式により求められた値は、15であった。
実施例4は、研削装置を用いて、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハのシリコン層(膜厚:約5μm)を残して研削した。ついで、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が20のCF4とO2の混合ガスを用いてドライエッチングを施し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させたこと以外は、実施例1と同様の工程によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、上記(1)式により求められた値は、15であった。
実施例5は、研削装置を用いて、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハのシリコン層(膜厚:約10μm)を残して研削した。ついで、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が20のCF4とO2の混合ガスを用いてドライエッチングを施し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させたこと以外は、実施例1と同様の工程によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、上記(1)式により求められた値は、30であった。
比較例1は、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比が200以上のKOH水溶液(10%)からなるエッチング液を用いて、30分間ウェットエッチングを施すことにより、前記酸素イオン注入層の全面を露出させたこと以外は、実施例1と同様の工程によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、上記(1)式により求められた値は、30であった。
各実施例及び比較例で得られたサンプルについて、蛍光灯下の目視観察によって、酸素イオン注入層が露出した時点での、活性層の露出の有無を観察し、その後、サンプルのウェーハの酸素イオン注入層を酸化熱処理(1000℃1時間)とHF洗浄(HF7%溶液、20min)により除去し、アルゴンガス雰囲気中にて1100℃、1時間の熱処理を施した後、分光エリプソメーターによって活性層の膜厚均一性(nm)の測定の検討を行った。結果を表1に示す。
以上の結果より、ウェットエッチングよりもドライエッチッグが効果的であり、さらに、ドライエッチングの条件は請求項3の式(上記(1)式)を満足する条件で、さらに効果的であることがわかった。
2 酸素イオン注入層
3 支持基板用ウェーハ
4 貼り合わせウェーハ
10 活性層用ウェーハ部分
11 活性層
12 シリコン層
Claims (4)
- 活性層用ウェーハの表面から酸素イオンを注入し、前記活性層用ウェーハ内の所定位置に酸素イオン注入層を形成する工程と、前記活性層用ウェーハを直接又は絶縁層を介して支持基板用ウェーハに貼り合わせる工程と、前記貼り合わせたウェーハに、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理を施す工程と、前記貼り合わせたウェーハの活性層用ウェーハ部分を、前記酸素イオン注入層が露出しない所定位置まで、所定の方法によって除去する工程と、前記酸素イオン注入層の全面を露出させる工程と、露出した酸素イオン注入層を除去して所定膜厚の活性層を得る工程とを有し、前記酸素イオン注入層の全面を露出させる工程は、所定条件下でドライエッチングにより行われることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記ドライエッチングは、ドライエッチングガスとして、6フッ化硫黄、4フッ化炭素、トリフルオロメタン又は2フッ化キセノンと、酸素又は塩化水素との混合ガスを用いた、反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項1記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記酸素イオン注入層は、その酸素濃度ピークが1×1022/cm3以上であり、ドライエッチング直前の、前記酸素イオン注入層上の活性層用ウェーハのシリコン層の厚さ及び面内厚さのバラツキを、それぞれts及び±Dt%とし、酸素イオン注入層の膜厚をtoとし、Siとシリコン酸化膜のエッチングレート比(Si/SiOX)をReとし、そして、面内エッチングバラツキを±De%とするとき、
Re>2×{(ts)/(to)}×{(De+Dt)/(100−De)}
の関係式を満たすことを特徴とする請求項1又は2記載の貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの貼り合わせ面の結晶方位が、<100>、<110>または<111>であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
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