JP2013516767A - 多層結晶構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
イオンを、デバイス層とハンドル層(または取扱層、handle layer)と中間層とを含むドナー構造体内に注入し、ドナー構造体を第2構造体に結合して、結合構造体を形成し、ハンドル層の一部分または全ておよび必要に応じて中間層の一部分を、第2構造体に結合したままのデバイス層から離層し、および必要に応じて残っているハンドル層および /または中間層の一部分または全てを、デバイス層からエッチングし、従ってデバイス層を露出させることによって、本発明の多層結晶構造体を製造してよい。1つの実施形態では、第1構造体(以下、「ドナー構造体」と言う)は、絶縁体上シリコン構造であり、および第2構造体は、サファイアウエハである。
図1Aを参照すると、ドナー構造体10は、中央軸12およびデバイス層14を含み、デバイス層14は、注入表面16およびデバイス表面18を含む。注入表面16およびデバイス表面18は、中央軸12に対してほぼ垂直である。平均圧さ(t)は、デバイス層14の注入表面16からデバイス表面18まで軸方向に延在している。ドナー構造体10は、ハンドル層20および中間層22を更に含み、中間層22は、デバイス表面18とハンドル層20の間においてドナー構造体10の中央軸12に沿って位置する。
図1Bを参照すると、第2構造体26は、結合表面28を有する単一のウエハまたは多層ウエハを含む。例示的な実施形態において、図1Bに示すように、第2構造体26は単一のウエハである。第2構造体26は、サファイア、石英結晶、ガラス、シリコンカーバイド、シリコン、ゲルマニウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムアルミニウムナイトライド、またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料から成ってよい。1つの実施形態において、第2構造体26は、サファイアウエハを含む。
一旦、ドナー構造体10と第2構造体26が、製造または選択されると、最終的な多層結晶構造体の形成は、ドナー構造体10のデバイス層14を第2構造体26上に移動することを含む。一般的に言えば、デバイス層14の注入表面16を第2構造体26の結合表面28に接触させて、2つの表面間に結合界面32を有する単一の結合構造体30を形成することおよび次いで、結合構造体を、損傷層24に沿って形成されている離層面に沿って離層または分離することによって、この移動は達成される。
A.残りのハンドル層の除去
本発明に従い、および図3、4を参照すると、デバイス層14と、中間層22の少なくとも一部分と、必要に応じてハンドル層20の残留部分40とを第2構造体26に移動して結合構造体30を形成した後に、結合構造体30に付加的なプロセスを行い、その上へのデバイス作製のための所望の特徴を有する多層結晶構造体を製造する。例えば、ハンドル層20の残留部分40が存在する場合に、1以上のプロセス工程を結合構造体30に行い、この残留部分および中間層22を除去できる。本質的に任意の従来技術を使用できるけれども、残留部分40および中間層22は、好ましくはエッチングにより除去される。エッチング組成物は、ハンドル層20の残留部分40の組成物、中間層22の組成物、および腐食液の選択を含む様々な要因に従って選択できる。1つの実施形態において、ハンドル層20の全体の残留部分40と実質的に全体の中間層22は、NH4OH、H2O2およびH2Oを含む腐食液を用いた湿式エッチングプロセスにより除去される。この腐食液は、概して当業者に既知であり、および一般的に「SCl」溶液と言う。除去される層の厚さと、SCl組成物の正確な組成と、腐食が行われる温度とに依存するこのような腐食時間に亘って、約50℃〜約80℃の温度で、典型的には、このような腐食プロセスを行う。別の実施形態において、KOH溶液は、ハンドル層を除去するのに使用でき、およびHF溶液は、中間層を除去するのに使用できる。好都合的に、HF溶液は、デバイス層表面を粗面化せずに中間層を除去する。更に別の実施形態において、SCl溶液は、ハンドル層を除去するのに使用され、およびHF溶液は、中間層を除去するのに使用される。
本発明に従って製造された多層結晶構造体は、約300μm〜約800μmの厚さの範囲である実質的に均一な厚さを有することができる。好ましくは、これらまたは他の実施形態において、デバイス層は、約20nm〜約200nmの厚さを有し、および第2構造体は、約300μm〜約800μmの厚さを有する。
Claims (26)
- 多層結晶構造体の製造方法であって、該方法が:
水素、ヘリウムおよびそれらの組合せから成る群から選択したイオンをドナー構造体内に注入し、
該ドナー構造体が、中央軸と、中央軸に対してほぼ垂直である注入表面およびデバイス表面を有するデバイス層であって、デバイス層の注入表面からデバイス表面まで軸方向に延在している平均厚さ(t)を有するデバイス層と、ハンドル層と、デバイス層とハンドル層との間においてドナー構造体の中央軸に沿って配置した中間層と、を含んでおり、
イオンを、注入表面内を通過してデバイス層の厚さ(t)よりも大きい注入深さD1まで、ドナー構造体内に注入して、注入したドナー構造体内に損傷層を形成し、該損傷層が、軸に対してほぼ垂直であり、および中間層および/またはハンドル層に位置しており;
注入したドナー構造体を第2構造体に結合して、結合構造体を形成し;
損傷層に沿ってドナー構造体を離層して、第2構造体とデバイス層と残留材料とを含む多層結晶構造体を形成し、該残留材料が、中間層の少なくとも一部分と必要に応じてハンドル層の一部分とを含み;および
残留材料を多層結晶構造体から除去する、
多層結晶構造体の製造方法。 - 少なくとも約10keVの注入エネルギーを用いて、イオンを注入する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも約80keVの注入エネルギーを用いて、イオンを注入する、請求項1に記載の方法。
- 120keV以下の注入エネルギーを用いて、イオンを注入する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも約1×1016イオン/cm2をドナー構造体内に注入する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも約2×1016イオン/cm2をドナー構造体内に注入する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも約1×1017イオン/cm2をドナー構造体内に注入する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも約2×1017イオン/cm2をドナー構造体内に注入する、請求項1に記載の方法。
- 離層面の形成を開始するのに、注入したドナー構造体を熱処理することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 注入したドナー構造体を熱処理することが、約150℃〜約300℃の温度で約1時間〜約100時間に亘って注入したドナー構造体を加熱することを含む、請求項9に記載の方法。
- 注入したドナー構造体を第2構造体に結合することが、ドナー構造体と第2構造体との間の結合を強化しおよび損傷層を形成するように、結合構造体を熱処理することを含む、請求項1に記載の方法。
- 結合構造体を熱処理することが、結合構造体に低温熱アニールを行うことを含む、請求項11に記載の方法。
- 低温熱アニールが、約150℃〜約600℃の温度で約1分〜約100時間に亘って多層構造体を加熱することを含む、請求項11に記載の方法。
- デバイス層が、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 中間層が、誘電層である、請求項1に記載の方法。
- 中間層が、二酸化シリコンとシリコンナイトライドとから成る群から選択した材料を含む、請求項15に記載の方法。
- ハンドル層が、分離可能な材料を含む、請求項1に記載の方法。
- ハンドル層が、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料を含む、請求項17に記載の方法。
- 第2構造体を、サファイア、石英結晶、ガラス、シリコンカーバイド、シリコン、ゲルマニウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムアルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択する、請求項1に記載の方法。
- ドナー構造体を注入することが、ドナー構造体のデバイス層内を通過して中間層内に、ヘリウムと水素とから成る群から選択した原子を注入することを含む、請求項1に記載の方法。
- イオンを、少なくとも約200オングストロームの深さD1まで注入する、請求項1に記載の方法。
- イオンを、注入表面の下に約200オングストローム〜約1ミクロンの深さD1まで注入する、請求項1に記載の方法。
- イオンを、デバイス層の下に約20nm〜約500nmの深さD1まで注入する、請求項1に記載の方法。
- 第2構造体が、サファイアから成る群から選択した材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 第2構造体が、多層基板を含む、請求項1に記載の方法。
- 当該方法が、ドナー構造体を第2構造体に結合する前に、結合層を、第2構造体およびデバイス層の少なくとも1つの上に堆積または成長させることを更に含む、請求項1に記載の方法。
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