JP2009277916A5 - - Google Patents
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- 複数の絶縁層及び配線層が積層された配線基板であって、
内層の前記配線層に設けられた第１の接続用パッドと、
最外層の前記絶縁層上に設けられた最外配線層と、
前記最外配線層を被覆するソルダーレジスト層と、
前記絶縁層及び前記ソルダーレジスト層を貫通して設けられ、前記第１の接続用パッドを露出させる開口部と、を有することを特徴とする配線基板。 - 前記第１の接続用パッドに、前記開口部内に形成され、前記ソルダーレジスト層の表面から突出する第１のはんだバンプが設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
- 前記ソルダーレジスト層が、前記最外配線層の全体を被覆し、
前記最外層の絶縁層上において、隣接する前記開口部の間に、前記最外配線層の配線が引き回されていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。 - 前記最外配線層が、第２の接続用パッドを有し、
前記ソルダーレジスト層に、前記第２の接続用パッドを露出させた開口部が設けられ、
前記最外層の絶縁層上において、隣接する、前記第１の接続用パッドを露出させた開口部と前記第２の接続用パッドとの間に、前記最外配線層の配線が引き回されていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。 - 前記第２の接続用パッドに、前記ソルダーレジスト層の表面から突出する第２のはんだバンプが設けられていることを特徴とする請求項４記載の配線基板。
- 複数の絶縁層及び配線層が積層された配線基板であって、
内層の前記配線層に設けられた第１の接続用パッドと、
最外層の前記絶縁層上に設けられた最外配線層と、
前記最外配線層を被覆するソルダーレジスト層と、
前記絶縁層及び前記ソルダーレジスト層を貫通して設けられ、前記第１の接続用パッドを露出させる開口部と、を有する配線基板と、
前記配線基板上に搭載された半導体チップと、を有し、
前記第１の接続用パッドと前記半導体チップの接続端子とが、前記開口部内に形成され前記ソルダーレジスト層の表面から突出する第１のはんだバンプにより接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記ソルダーレジスト層が、前記最外配線層の全体を被覆し、
前記最外層の絶縁層上において、隣接する前記開口部の間に、前記最外配線層の配線が引き回されていることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。 - 前記最外配線層が、第２の接続用パッドを有し、
前記ソルダーレジスト層に、前記第２の接続用パッドを露出させた開口部が設けられ、
前記最外層の絶縁層上において、隣接する、前記第１の接続用パッドを露出させた開口部と前記第２の接続用パッドとの間に、前記最外配線層の配線が引き回されており、
前記第２の接続用パッドと前記半導体チップの他の接続端子とが、第２のはんだバンプにより接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。 - 複数の絶縁層及び配線層が積層された配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層上に、第１の接続用パッドを有する配線層を形成する工程と、
前記第１の接続用パッドを有する配線層上に、最外層の絶縁層を形成する工程と、
前記最外層の絶縁層上に、最外配線層を形成する工程と、
前記最外配線層上に、ソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記第１の接続パッドを有する配線層より外側にある絶縁層と、前記ソルダーレジスト層と、を同時に穿孔して、前記第１の接続パッドを有する配線層より外側にある絶縁層及び前記ソルダーレジスト層を貫通し、かつ、前記第１の接続用パッドを露出させる開口部を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 複数の絶縁層及び配線層が積層された配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層上に、第１の接続用パッドを有する配線層を形成する工程と、
前記第１の接続用パッドを有する配線層上に、最外層の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の接続パッドを有する配線層より外側にある絶縁層に、前記第１の接続用パッドを露出させる第１の開口部の部分を形成する工程と、
前記最外層の絶縁層上に、最外配線層を形成する工程と、
前記最外配線層上に、ソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口部の部分の位置に合わせて第２の開口部の部分を設けて、前記第１の接続用パッドを露出させる開口部を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記第１の接続用パッドに、前記開口部内に形成され、前記ソルダーレジスト層表面から突出するはんだバンプを設ける工程を有することを特徴とする請求項９または１０記載の配線基板の製造方法。
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