JP2009256138A - エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009256138A JP2009256138A JP2008107514A JP2008107514A JP2009256138A JP 2009256138 A JP2009256138 A JP 2009256138A JP 2008107514 A JP2008107514 A JP 2008107514A JP 2008107514 A JP2008107514 A JP 2008107514A JP 2009256138 A JP2009256138 A JP 2009256138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- epitaxial
- crystal substrate
- carbide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 108
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】オフ角度が4°以下の炭化珪素単結晶基板上に、三角形状の欠陥密度及び表面荒れの小さい炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、炭化珪素単結晶薄膜上の三角形状のエピタキシャル欠陥密度が3個/cm2以下、表面荒さのRa値が2.5nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜は欠陥及び表面荒れを低減する層(欠陥低減層)とデバイスとして動作する層(活性層)を持ち、欠陥低減層をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)は0.5以上1.0未満、活性層をエピタキシャル成長する際のC/Si比は1.0以上1.5以下で、各層の成長温度は1600℃以上1650℃以下である。
【選択図】図3
Description
(1) 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル層を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板であって、最表面の炭化珪素エピタキシャル層の表面に存在する三角形状欠陥の数が、3個/cm2以下であるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(2) 前記炭化珪素エピタキシャル層が、欠陥及び表面荒れを低減する欠陥低減層とデバイスとして動作する活性層とを有してなる(1)に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(3) 前記欠陥低減層及び活性層が各々1層以上である(2)に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(4) 前記欠陥低減層の厚さが0.1〜0.5μmであることを特徴とする(2)又は(3)に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(5) 前記活性層の厚さが10〜20μmであることを特徴とする(2)〜(4)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(6) 前記エピタキシャル層の表面粗さRaが2.5nm以下であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(7) 前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である(1)〜(6)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、
(8) 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、少なくとも、炭化珪素単結晶基板上に、材料ガス中に含まれる炭素と珪素の原子数比(C/Si比)を0.5以上1.0未満として炭化珪素エピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(9) 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、炭化珪素単結晶基板上に、材料ガス中に含まれる炭素と珪素の原子数比(C/Si比)を0.5以上1.0未満としてエピタキシャル成長した炭化珪素からなる欠陥低減層を形成した後、C/Si比を1.0以上1.5以下としてエピタキシャル成長した炭化珪素からなる活性層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(10) 前記エピタキシャル成長時の成長温度が、1600℃以上1650℃以下である(8)又は(9)に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(11) 前記エピタキシャル成長が、熱化学蒸着法(CVD法)による(8)〜(10)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(12) 前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である(8)〜(11)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(13) (1)〜(7)のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を用いてなる電力制御用デバイス、
である。
まず、SiC単結晶基板上へのエピタキシャル成長について述べる。炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル層を堆積できれば、装置・方法は特に問わないが、本発明で好適にエピタキシャル成長に用いる装置は、横型のCVD装置である。CVD法は、装置構成が簡単であり、ガスのon/offで成長を制御できるため、エピタキシャル膜の制御性、再現性に優れた成長方法である。成長シーケンスとしては、SiC基板をセットし、水素あるいは塩化水素中でのエッチングまでは、図1と同様である。
3インチ(76mm)ウェーハ用SiC単結晶インゴットから、約400μmの厚さでスライスし、粗削りとダイヤモンド砥粒による通常研磨を実施した、4H型のポリタイプを有するSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角度は4°である。
基板の準備、オフ角度、及び欠陥低減層の成長までは実施例1と同一であるが、site-competitionの影響を小さくするため、欠陥低減層の厚さを0.5μmとし、その後、成長温度は変えずに、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分24cm3にして(C/Si比は1.2)、活性層を10μm成長した。この時の活性層の成長速度は毎時6.0μm程度であった。
このようなエピタキシャルSiC単結晶基板を用いてショットキーバリアダイオードを形成した際、ドーピング密度が約1×1016cm-3の時、逆方向耐圧は250〜300Vであり、ほぼ理論値に近い値が得られた。
比較例として、実施例1と同様にスライス、粗削り、及び通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ(76mm)のSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。
このような基板を用いてショットキーバリアダイオードを形成した際、ドーピング密度が約1×1016cm-3の時、逆方向耐圧の平均は100V程度と、理論値の半分以下の値しか得られず、またデバイスの歩留りも50%以下であった。
Claims (13)
- 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル層を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板であって、最表面の炭化珪素エピタキシャル層の表面に存在する三角形状欠陥の数が、3個/cm2以下であるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記炭化珪素エピタキシャル層が、欠陥及び表面荒れを低減する欠陥低減層とデバイスとして動作する活性層とを有してなる請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記欠陥低減層及び活性層が各々1層以上である請求項2に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記欠陥低減層の厚さが0.1〜0.5μmであることを特徴とする請求項2又は3に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記活性層の厚さが10〜20μmであることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記エピタキシャル層の表面粗さRaが2.5nm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である請求項1〜6のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
- 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、少なくとも、炭化珪素単結晶基板上に、材料ガス中に含まれる炭素と珪素の原子数比(C/Si比)を0.5以上1.0未満として炭化珪素エピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、炭化珪素単結晶基板上に、材料ガス中に含まれる炭素と珪素の原子数比(C/Si比)を0.5以上1.0未満としてエピタキシャル成長した炭化珪素からなる欠陥低減層を形成した後、C/Si比を1.0以上1.5以下としてエピタキシャル成長した炭化珪素からなる活性層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記エピタキシャル成長時の成長温度が、1600℃以上1650℃以下である請求項8又は9に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記エピタキシャル成長が、熱化学蒸着法(CVD法)による請求項8〜10に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である請求項8〜11のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を用いてなる電力制御用デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008107514A JP4987792B2 (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008107514A JP4987792B2 (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009256138A true JP2009256138A (ja) | 2009-11-05 |
JP4987792B2 JP4987792B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=41384074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008107514A Active JP4987792B2 (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4987792B2 (ja) |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011074453A1 (ja) | 2009-12-14 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
WO2011122368A1 (ja) | 2010-03-29 | 2011-10-06 | エア・ウォーター株式会社 | 単結晶3C-SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶3C-SiC基板 |
WO2011126145A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及びこの方法によって得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板 |
JP2011219298A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法 |
WO2011142470A1 (ja) | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
JP2011247807A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kwansei Gakuin Univ | ナノメーター標準原器、標準試料、ナノメーター標準原器の製造方法、及び標準試料の製造方法 |
WO2012090572A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置、炭化珪素基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
WO2012144614A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
WO2013011923A1 (ja) | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置 |
JP2013121898A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
KR20130069252A (ko) * | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 증착 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
KR20130070482A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
KR20130070481A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
KR20130070480A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
WO2013180483A1 (ko) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
WO2013180485A1 (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
WO2013180433A1 (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
JP2014154587A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR20150000317A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR20150002062A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR20150107104A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화 규소 에피택셜층의 성장 방법 및 전력 소자 |
WO2015170500A1 (ja) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2016017502A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
US9318324B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of SiC epitaxial substrate, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
WO2016075957A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板 |
CN105869996A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-08-17 | 全球能源互联网研究院 | 一种碳化硅外延生长系统及其生长方法 |
WO2016140051A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
US20160351667A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
WO2017018533A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 新日鐵住金株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 |
CN106715767A (zh) * | 2014-10-01 | 2017-05-24 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅外延基板 |
US9679767B2 (en) | 2012-06-19 | 2017-06-13 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer and method for manufacturing the same |
JP2018006384A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2018162178A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 |
US10229836B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-03-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device |
CN110663099A (zh) * | 2017-05-17 | 2020-01-07 | 三菱电机株式会社 | SiC外延晶片及其制造方法 |
WO2020095873A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 学校法人関西学院 | SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 |
US11309389B2 (en) | 2012-11-30 | 2022-04-19 | Lx Semicon Co., Ltd. | Epitaxial wafer and switch element and light-emitting element using same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6841321B2 (ja) | 2017-04-06 | 2021-03-10 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000319099A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Hiroyuki Matsunami | SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法 |
WO2003078702A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | Procede de preparation de cristal sic et cristal sic ainsi prepare |
WO2005116307A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Bridgestone Corporation | 炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法 |
JP2006321707A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
JP2007326743A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-04-17 JP JP2008107514A patent/JP4987792B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000319099A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Hiroyuki Matsunami | SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法 |
WO2003078702A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | Procede de preparation de cristal sic et cristal sic ainsi prepare |
WO2005116307A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Bridgestone Corporation | 炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法 |
JP2006321707A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
JP2007326743A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Cited By (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011074453A1 (ja) | 2009-12-14 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
WO2011122368A1 (ja) | 2010-03-29 | 2011-10-06 | エア・ウォーター株式会社 | 単結晶3C-SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶3C-SiC基板 |
KR20130040178A (ko) | 2010-03-29 | 2013-04-23 | 에어 워터 가부시키가이샤 | 단결정 3C-SiC 기판의 제조 방법 및 이것에 의해서 얻은 단결정 3C-SiC 기판 |
EP2557205A1 (en) * | 2010-04-07 | 2013-02-13 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Process for producing epitaxial single-crystal silicon carbide substrate and epitaxial single-crystal silicon carbide substrate obtained by the process |
WO2011126145A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及びこの方法によって得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板 |
JP2011219298A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法 |
US9691607B2 (en) | 2010-04-07 | 2017-06-27 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Process for producing epitaxial silicon carbide single crystal substrate and epitaxial silicon carbide single crystal substrate obtained by the same |
CN102822396B (zh) * | 2010-04-07 | 2016-06-01 | 新日铁住金株式会社 | 外延碳化硅单晶基板的制造方法及根据该方法得到的外延碳化硅单晶基板 |
EP2557205A4 (en) * | 2010-04-07 | 2015-03-25 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | PROCESS FOR PREPARING AN EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE PRODUCED IN THIS METHOD |
KR101410436B1 (ko) | 2010-04-07 | 2014-06-20 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 얻은 에피택셜 탄화규소 단결정 기판 |
CN102822396A (zh) * | 2010-04-07 | 2012-12-12 | 新日本制铁株式会社 | 外延碳化硅单晶基板的制造方法及根据该方法得到的外延碳化硅单晶基板 |
KR101430217B1 (ko) | 2010-05-11 | 2014-08-18 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | 에피택셜 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 |
WO2011142470A1 (ja) | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
CN102844474A (zh) * | 2010-05-11 | 2012-12-26 | 新日本制铁株式会社 | 外延碳化硅单晶基板及其制造方法 |
JP2011236085A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Nippon Steel Corp | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
US8901570B2 (en) | 2010-05-11 | 2014-12-02 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Epitaxial silicon carbide single crystal substrate and process for producing the same |
JP2011247807A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kwansei Gakuin Univ | ナノメーター標準原器、標準試料、ナノメーター標準原器の製造方法、及び標準試料の製造方法 |
JP2017124974A (ja) * | 2010-12-27 | 2017-07-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置用炭化珪素基板および半導体装置 |
WO2012090572A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置、炭化珪素基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
US8624266B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing semiconductor device |
WO2012144614A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
KR101494122B1 (ko) | 2011-04-21 | 2015-02-16 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | 에피택셜 탄화 규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 |
US9768047B2 (en) | 2011-07-19 | 2017-09-19 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer and method for producing same, and device for producing SiC epitaxial wafer |
KR101618474B1 (ko) | 2011-07-19 | 2016-05-04 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | SiC 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법, 및 SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치 |
WO2013011923A1 (ja) | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置 |
JP2013121898A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
KR20130069252A (ko) * | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 증착 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
KR101942514B1 (ko) | 2011-12-16 | 2019-01-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 증착 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
KR20130070482A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
KR101936171B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2019-04-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
KR20130070480A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
KR20130070481A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
KR101942536B1 (ko) | 2011-12-19 | 2019-01-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
KR101936170B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2019-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 |
WO2013180483A1 (ko) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
US20150144964A1 (en) * | 2012-05-30 | 2015-05-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Silicon carbide epi-wafer and method of fabricating the same |
WO2013180433A1 (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
US9324561B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-04-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Silicon carbide epitaxial wafer, and preparation method thereof |
US20150144963A1 (en) * | 2012-05-31 | 2015-05-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Silicon carbide epi-wafer and method of fabricating the same |
CN104395986A (zh) * | 2012-05-31 | 2015-03-04 | Lg伊诺特有限公司 | 碳化硅外延晶片及其制造方法 |
KR101926678B1 (ko) | 2012-05-31 | 2018-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
WO2013180485A1 (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
US9679767B2 (en) | 2012-06-19 | 2017-06-13 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer and method for manufacturing the same |
US10176987B2 (en) | 2012-06-19 | 2019-01-08 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer and method for manufacturing the same |
US11309389B2 (en) | 2012-11-30 | 2022-04-19 | Lx Semicon Co., Ltd. | Epitaxial wafer and switch element and light-emitting element using same |
JP2014154587A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR20150000317A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR102165615B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-10-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR20150002062A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR102131245B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2020-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
KR20150107104A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화 규소 에피택셜층의 성장 방법 및 전력 소자 |
KR102231643B1 (ko) | 2014-03-13 | 2021-03-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화 규소 에피택셜층의 성장 방법 및 전력 소자 |
US9318324B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of SiC epitaxial substrate, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
JPWO2015170500A1 (ja) * | 2014-05-08 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2015170500A1 (ja) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US20160326668A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-11-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial wafer and method for manufacturing same |
JP2019073440A (ja) * | 2014-08-01 | 2019-05-16 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハ |
WO2016017502A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
US10612160B2 (en) | 2014-08-01 | 2020-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial wafer and method for manufacturing same |
CN106574397A (zh) * | 2014-08-01 | 2017-04-19 | 住友电气工业株式会社 | 外延晶片及其制造方法 |
CN110747507A (zh) * | 2014-08-01 | 2020-02-04 | 住友电气工业株式会社 | 外延晶片 |
CN106574397B (zh) * | 2014-08-01 | 2019-10-22 | 住友电气工业株式会社 | 外延晶片及其制造方法 |
CN110747507B (zh) * | 2014-08-01 | 2021-03-19 | 住友电气工业株式会社 | 外延晶片 |
JP2016138040A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-08-04 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
US9957641B2 (en) | 2014-08-01 | 2018-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial wafer and method for manufacturing same |
JP5910801B1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-04-27 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
US20160351667A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
US9728628B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
CN106715767A (zh) * | 2014-10-01 | 2017-05-24 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅外延基板 |
JP5958663B1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-08-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板 |
US9777404B2 (en) | 2014-11-12 | 2017-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate |
WO2016075957A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板 |
US20160355949A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-12-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate |
CN107109693A (zh) * | 2014-11-12 | 2017-08-29 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 |
WO2016140051A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JPWO2016140051A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2017-12-14 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
US10865500B2 (en) | 2015-03-03 | 2020-12-15 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer and method for manufacturing SiC epitaxial wafer |
US10229836B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-03-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device |
US10626520B2 (en) | 2015-07-29 | 2020-04-21 | Showa Denko K.K. | Method for producing epitaxial silicon carbide single crystal wafer |
CN107709635A (zh) * | 2015-07-29 | 2018-02-16 | 新日铁住金株式会社 | 外延碳化硅单晶晶片的制造方法 |
WO2017018533A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 新日鐵住金株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 |
CN107709635B (zh) * | 2015-07-29 | 2021-02-26 | 昭和电工株式会社 | 外延碳化硅单晶晶片的制造方法 |
JPWO2017018533A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2018-05-10 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 |
CN105869996A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-08-17 | 全球能源互联网研究院 | 一种碳化硅外延生长系统及其生长方法 |
JP2018006384A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2018162178A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 |
CN110663099A (zh) * | 2017-05-17 | 2020-01-07 | 三菱电机株式会社 | SiC外延晶片及其制造方法 |
CN110663099B (zh) * | 2017-05-17 | 2023-06-02 | 三菱电机株式会社 | SiC外延晶片及其制造方法 |
WO2020095873A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 学校法人関西学院 | SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 |
JPWO2020095873A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2021-10-07 | 学校法人関西学院 | SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 |
JP7464806B2 (ja) | 2018-11-05 | 2024-04-10 | 学校法人関西学院 | SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4987792B2 (ja) | 2012-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4987792B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
KR101333337B1 (ko) | 에피텍셜 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 | |
JP4954654B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP4850960B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP4880052B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP4842094B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP4937685B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP4954593B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を用いてなるデバイス | |
JP6524233B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 | |
JP4786223B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP6742477B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウエハの製造方法及びエピタキシャル炭化珪素単結晶ウエハ | |
JP6304699B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
JP5786759B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
JP5664534B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
JP6052465B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
JP2006062931A (ja) | サファイア基板とその熱処理方法、及び結晶成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120403 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120425 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4987792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |