JP2009202259A - 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された金属製のキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周部に沿って配置され、前記保持されるウェーハの周縁部に接するリング状の樹脂インサートとからなり、前記キャリア母体の前記保持孔の内周端部は上開きのテーパー面を有し、前記リング状の樹脂インサートの外周部は前記キャリア母体の保持孔のテーパー面に対し逆テーパー面とされ、前記樹脂インサートが前記テーパー面を介して前記キャリア母体の保持孔にはめこまれているものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアを提供する。
【選択図】図1
Description
このため、ウェーハ周縁部を金属製のキャリアによるダメージから保護するために樹脂インサートが保持孔の内周部に沿って取り付けられている。従来、この樹脂インサートの取り付けに際して、半導体ウェーハの加工中や搬送時に外れることを防止するために、樹脂インサートの外周部を楔形状にして、キャリア母体にはめこまれ、さらに接着剤で固定される場合もあった(特許文献1参照)。
このような樹脂インサートの取り付け時の変形を取り除くためには、樹脂インサート取り付け後にキャリアのラップ等の工程を行う必要があり、また使用するキャリアがコーティングされたものである場合にはラップ工程を行うことはできなかった。
また、ラップ工程の代わりにキャリアの立ち上げ研磨を行う方法も考えられるが、研磨の場合には、ラップ工程に比べ長時間必要であり生産性が悪くなる上に、精度よく変形を取り除くのが困難であった。
さらに、テーパー状とすることで、キャリアの下定盤側に現れる樹脂インサート部分が少ないため研磨の際に下定盤側で樹脂インサートが研磨される量が少量であり、樹脂インサートのライフが大幅に延びる。
この範囲の傾斜角度であれば、研磨、搬送時に樹脂インサートが脱落することはほとんどない。
このように、テーパー面同士を接着剤で固定することにより、研磨時や搬送時に樹脂インサートが脱落することを確実に防止でき、本発明の両面研磨装置用キャリアの取り扱いがより容易となる。
このように、半導体ウェーハを研磨する前に予め樹脂インサートをはめこんだ状態でキャリアを両面研磨することで、樹脂インサートとキャリア母体を同じ厚さとして確実に段差をなくすことができ、その後ウェーハの研磨を行うことで、より平坦なウェーハを得ることができる。また、本発明の両面研磨装置用キャリアであれば、樹脂インサートの取り付けによるキャリア母体の変形が無いため、ほぼ樹脂インサート部分のみの研磨でキャリアの立ち上げが行えるため、短時間で済み、結果として半導体ウェーハの製造の生産性が上がる。
このように、キャリア母体の材質がチタンであれば、チタン自体はシリコン等の半導体ウェーハ中の拡散係数が小さいため、不純物として問題となりにくく、また、チタン中にはFeなどの拡散係数の大きい金属不純物が存在しないので、半導体ウェーハへの金属不純物の汚染が抑えられる。
このように、金属製のキャリア母体の表面が窒化チタン膜、DLC(Diamond Like Carbon)膜のいずれかによりコーティングされたものであれば、硬度がより上がって傷がつきにくくなり、研磨スラリーへ異物が脱落するのも抑えられて、キャリアライフの延命及びウェーハへの汚染抑制が可能となる。
このように、本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置であれば、生産性良く研磨でき、平坦度の高い半導体ウェーハにすることができる。
このような方法で、本発明の両面研磨装置用キャリアの保持孔に半導体ウェーハを保持して両面研磨すれば、生産性良く研磨でき、平坦度の高い半導体ウェーハにすることができる。
ここで、図1は本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の断面図、図2は平面視による両面研磨装置の内部構造図、図3は本発明のキャリアと従来のキャリアの保持孔の内周端部の断面図および平面図である。
図3(C)に示すように、従来の両面研磨装置用キャリアは脱落防止のために、楔形状の勘合部にはめこむことで樹脂インサート30が固定されていた。しかし、樹脂インサート30取り付けの際にキャリア母体31の勘合部が変形してしまうことがあった。
また、保持孔21の内周端部のテーパー面がキャリア母体9の主面から5°〜85°傾斜しているものであることが好ましい。このような傾斜角度の範囲であれば、樹脂インサートの脱落を防止でき、安定した研磨が可能である。このとき例えば、保持孔21のテーパー面が45°傾斜している場合は、樹脂インサート20の外周部のテーパー形状は−45°傾斜させるようにして逆テーパー面とする。
さらに、樹脂インサート20がキャリア母体9の保持孔21にはめこまれたキャリア22を両面研磨することが好ましい。このように、樹脂インサートがはめこまれた状態でキャリアを両面研磨することで、樹脂インサートとキャリア母体の厚さを同じにして段差を無くすことができ、これにより半導体ウェーハを両面研磨する際に、より平坦度の高い半導体ウェーハにすることができる。また、本発明のキャリアであれば、樹脂インサート取り付け時のキャリア母体の変形がないため、このキャリア立ち上げのための研磨が短時間で済む。
(実施例、比較例)
(キャリアの立ち上げ比較)
まず、図3(A)に示すキャリア母体9のテーパー面が主面から60°傾斜しており、樹脂インサート20の外周部が−60°の逆テーパー面となっている本発明の両面研磨装置用キャリアaを準備した。また、図3(C)に示す従来の両面研磨装置用キャリアb、cを準備し、この3つのキャリアの立ち上げ加工を行った。
両面研磨装置用キャリアa、b、cのキャリア母体の材質はチタンにDLCコーティングを施したものを使用し、樹脂インサートの材質はアラミドを使用した。
このようにして、立ち上げ加工を施した両面研磨装置用キャリアa、b、cの金属製のキャリア母体と樹脂インサートの境界の段差を調べるために、キャリア母体と樹脂インサートの厚さを電子マイクロメータで測定し、また別に表面粗さ計(サーフテスト SJ−400)で表面粗さを測定して段差を調べた。その結果、本発明のキャリアaはキャリア母体と樹脂インサートの段差が、長時間立ち上げ研磨を行った従来のキャリアcより小さく、同時間の立ち上げ研磨を行った従来のキャリアbの段差の半分以下となった。その結果を表1に示す。
上記のように立ち上げ加工された両面研磨装置用キャリアa、b、cを用いて直径300mmのウェーハを各100枚両面研磨した。ウェーハの両面研磨条件は、不二越機械工業(株)製の両面研磨装置を使用し、研磨布(ウレタンパッド、t=1.3mm)、研磨液(コロイダルシリカ)として、装置条件は、上定盤(−10〜−15rpm)、下定盤(30〜40rpm)、サンギア(20〜30rpm)、インターナルギア(5〜9rpm)、研磨圧(100〜200g/cm2)と、キャリア立ち上げ加工よりも細かい研磨液を使用した。
なお、SFQR(site front least squares range)とはウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、各サイト毎のこの平面からの最大、最小の位置変位の差を示す。(max)とは、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。
11a、12a…研磨布、 13…サンギア、 14…インターナルギア、
15…ノズル、 16…貫通孔、 20、30…樹脂インサート、
21…保持孔、 22…両面研磨装置用キャリア、 W…ウェーハ。
Claims (8)
- 両面研磨装置用キャリアであって、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された金属製のキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周部に沿って配置され、前記保持されるウェーハの周縁部に接するリング状の樹脂インサートとからなり、前記キャリア母体の前記保持孔の内周端部は上開きのテーパー面を有し、前記リング状の樹脂インサートの外周部は前記キャリア母体の保持孔のテーパー面に対し逆テーパー面とされ、前記樹脂インサートが前記テーパー面を介して前記キャリア母体の保持孔にはめこまれているものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。
- 前記保持孔のテーパー面が前記キャリア母体の主面から5°〜85°傾斜しているものであることを特徴とする請求項1に記載の両面研磨装置用キャリア。
- 前記保持孔のテーパー面と前記樹脂インサートの逆テーパー面が接着剤で固定されているものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の両面研磨装置用キャリア。
- 前記樹脂インサートが前記キャリア母体の保持孔にはめこまれた前記キャリアが、両面研磨されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。
- 前記キャリア母体の材質がチタンであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。
- 前記金属製のキャリア母体の表面が窒化チタン膜、DLC膜のいずれかによりコーティングされたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。
- 少なくとも、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。
- 半導体ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のキャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔に半導体ウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨することを特徴とする半導体ウェーハの両面研磨方法。
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