JP2009141230A - 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板7に半導体機能領域と所要の絶縁膜パターン9を形成した後、該半導体基板7の全面を覆うアルミニウム膜11またはアルミニウム合金膜を、前記絶縁膜9の2倍以上の膜厚でスパッタリング法により成膜する際に、アルミニウム成膜工程とアルゴンスパッタリング法によるアルミニウム膜11の整形工程とを複数回繰り返して成膜する工程を有する半導体装置の製造方法。
【選択図】 図1
Description
一方、前記電極膜および配線を形成するためにAl膜が被着されるパワー半導体装置の半導体基板表面は、表層に形成される半導体機能領域に合わせて所要のパターンに形成された絶縁膜を備えている。さらに、前記基板表面は、この絶縁膜と前記半導体機能領域内の電極膜接触部との境界に形成される段差や絶縁膜中に設けられるホール状の配線コンタクト部などからなる多くの凹凸を備えている。従って、半導体基板表面に被着されるAl膜は、電気特性およびその信頼性を得るために、これらの段差およびホールなどの凹凸形状を忠実に被覆すると共に、電極膜の膜中には、できるかぎり鬆、ボイドなどを含まないように形成することが求められる。
しかし、このように段差を有する半導体基板上にAl膜を形成する場合、実際にはホールや段差の有するアスペクト比によっては、ステップカバレッジが問題になって、断線や断線に至らないまでもボイドを巻き込むことがあるので、信頼性の低下が問題になることが多い。このような場合に生じ易いAl膜のステップカバレッジに関して、下記の文献が公開されている。
また、径の小さいコンタクトホールへAl配線材料をスパッタリングにより形成する場合、Alのスパッタリング堆積と逆スパッタリング(アルゴンスパッタリング)とを繰り返すことにより、ステップカバレッジを改善するスパッタリング方法についての記載がある(特許文献2)。
さらに、アスペクト比の大きい小径の開孔部へAl配線をスパッタリングにより形成する場合、Al膜の開孔部内への被覆性が悪いことに起因する断線や低信頼性をAl膜の形成と基板の加熱を異なるプロセスで行なうことにより、Al膜の表面酸化を防ぎ、さらに還元雰囲気のプラズマ処理により、Al膜表面の酸化膜を除去してAl膜の加熱による流動温度を低下させてステップカバレッジを改善する(特許文献3)。
一方、以下説明するスパッタリング法によるAl電極膜やAl合金電極膜(以下単にAl電極という)の被着形成方法における問題点は、半導体基板表面に絶縁膜などにより形成される段差を含む領域を、パワー半導体装置に特有の段差の2倍以上の厚いAl電極膜で被覆する際の問題点であり、前述の特許文献1〜3に記載のような、アスペクト比の高いホールにAl電極膜を被着する場合のステップカバレッジの改善とは技術的な分野が異なる。
パワー半導体装置においても、シリコン基板表面の所定の主電極膜の接触部に形成されるAl電極は、同時に表面に形成される絶縁膜パターン上をも共通に被覆して形成されることが多い。この点は前記特許文献1〜3に記載と同様である。しかし、パワー半導体装置では、図3の半導体基板の断面図に示すように、前記絶縁膜9の厚さは0.2μm〜1.0μm程度と前述の半導体集積回路の場合よりも相対的に厚い膜厚であることが多い。さらに、Al電極膜11の膜厚についても、0.5μm〜5μm程度に厚く被着される点が異なる。ところが、特にAl電極膜は膜厚を0.5μm以上に厚くすると、均一な膜成長に伴う均質状態では成膜されず、種々の成長速度を有する種々の大きさのグレーン(粒子)13に分かれて成長し、このグレーンの集合体として成膜することが知られている。
本発明は、前述の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うAl電極膜の厚さが、前記段差の2倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でAl電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供することである。
特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜の膜厚が0.5μm以上である特許請求の範囲の請求項1記載の半導体装置の製造方法とする。
特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、前記アルミニウム成膜工程における一回のアルミニウム膜厚が0.5μm未満である特許請求の範囲の請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、特許請求の範囲の請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用スパッタ装置であって、真空槽で構成される搬送室の周囲に互いに開閉可能な仕切りバルブを介して気密に接合して配置されるスパッタ成膜室とアルゴンスパッタ処理室とを少なくとも有する半導体装置製造用スパッタ装置とする。
特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、前記スパッタ成膜室と前記アルゴンスパッタ処理室とが前記搬送室の周囲に開閉可能な仕切りバルブを介して気密に接合してそれぞれ交互に配置されている特許請求の範囲の請求項5記載の半導体装置製造用スパッタ装置とする。
図1(a)、(b)、(c)は、本発明の半導体装置の製造方法にかかるスパッタリングによるAl電極膜の堆積状態を順に示す半導体基板の拡大断面図である。図2(a)、(b)、(c)は、図1の各(a)、(b)、(c)のステップに対応するスパッタ成膜ステップと逆スパッタによる整形ステップとを示すスパッタ装置の模式的断面図である。図4本発明にかかる半導体装置製造用スパッタ装置の模式的平面図である。図5は本発明にかかる半導体装置製造用スパッタ装置のArスパッタ室の模式的断面図である。
所要の半導体機能領域が形成され、この半導体機能領域に対応する絶縁膜パターンが形成された半導体基板7をウエハカセットロード室5内のウエハカセット6にセットする。前記搬送室1にある図示しないフロッグレッグアーム(搬送治具)に取り付けられたウエハピックアップ(図示せず)がカセットロード室5に移動しウエハカセット6にセットされた半導体基板7をウエハピックアップに乗せてスパッタ成膜室3に移動し、図示しないスパッタステージに載置する。各室にフロッグレッグアームが移動するときは仕切りバルブ2−1、2−2、2−3がそれぞれタイミングを合わせて開閉する。
スパッタ成膜室3内では、減圧後、図2(a)の模式的断面図に示すように、Al/Si合金をターゲット10にしたスパッタにより半導体基板7上にAl/Si電極膜を0.3μmの厚さに堆積した。前述と同様に搬送室1のウエハピックアップを移動させてスパッタ電極膜を形成した半導体基板7をスパッタ成膜室3からArスパッタ室4内の印加ステージ8(図5)上に移動させ、Arを導入してArスパッタ工程を行う。
次に、搬送室1のフロッグアームに取り付けられたウエハピックアップを移動させ、図1(b)のステップにおける処理が終了した半導体基板7をArスパッタ室4から再度スパッタ成膜室3に移動させ、前述の図1(a)におけるAl/Siのスパッタ成膜と同様の条件で、再度、図1(c)に示すように、図1(b)で処理済の半導体基板7の上に厚さ0.3μmのAl/Siのスパッタ電極膜を積み重ねるように堆積させる。このような前記図1(a)〜図1(c)の工程を所要の厚膜のAl/Si電極膜とするに必要な回数繰り返して形成した。この結果、Al/Si電極膜の膜厚を1μm〜5μmに厚くしても鬆状のボイドの発生は見られなかった。一回に成膜するAl/Siのスパッタ電極膜の膜厚は0.5μm未満とすることができる。一回に成膜する膜厚をあまり薄くすると、作業効率が悪くなるので、この作業効率と必要とする電極膜の膜厚との兼ね合いを考慮して一回に成膜する膜厚を決めるとよい。
静電チャックは、よく知られているように半導体基板に絶縁体を介して静電気力を作用させることにより絶縁体表面に半導体基板を吸着し、ガス中に保持するものである。その構造は、通常Al2O3等の耐熱セラミックスからなる円板状絶縁体の表面近くに同一平面内に並べて埋め込まれた2組の膜状電極をそれぞれ直流電源の両極に接続してなる。さらには、この2組の電極間に直流電圧を印加するとともに絶縁体表面に絶縁体に近い直径を有する半導体基板を密着状態に当接させることにより、2組の電極と半導体基板との間に静電気力を作用させ、半導体基板を絶縁体表面に吸着して保持する構造になっている。このように、静電チャックは、半導体基板を絶縁体表面に全面密着状態で吸着、保持することから、0.1mTorr〜数Torr範囲の真空中での表面処理中、基板を適温に保つための冷却手段として用いることができる。
また、前記図4に示す半導体装置製造用スパッタ装置は、スパッタ成膜室3とArスパッタ室をそれぞれ複数室、たとえば、交互に搬送室の周囲に配置させる構造とすることにより、半導体基板を連続して投入できるので、スパッタ装置の処理能力を高め、装置の稼動効率を高めることができて好ましい。
2−1,2−2,2−3 仕切りバルブ
3 スパッタ成膜室
4 Arスパッタ室
5 カセットロード室
6 ウエハカセット
7 半導体基板
8 印加ステージ、静電チャック
9 絶縁膜
10 スパッタターゲット
11 電極膜、Al電極膜
12 ボイド
13 グレーン。
Claims (6)
- 半導体基板に半導体機能領域と所要の絶縁膜パターンを形成した後、該半導体基板の全面を覆うアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を、前記絶縁膜の2倍以上の膜厚でスパッタリング法により成膜する際に、アルミニウム成膜工程とアルゴンスパッタリング法によるアルミニウム膜の整形工程とを複数回繰り返して成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜の膜厚が0.5μm以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アルミニウム成膜工程における一回のアルミニウム膜厚が0.5μm未満であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用スパッタ装置であって、真空槽で構成される搬送室の周囲に互いに開閉可能な仕切りバルブを介して気密に接合して配置されたスパッタ成膜室とアルゴンスパッタ処理室とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置製造用スパッタ装置。
- 前記スパッタ成膜室と前記アルゴンスパッタ処理室とをそれぞれ2室以上備えることを特徴とする請求項4記載の半導体装置製造用スパッタ装置。
- 前記スパッタ成膜室と前記アルゴンスパッタ処理室とが前記搬送室の周囲に開閉可能な仕切りバルブを介して気密に接合してそれぞれ交互に配置されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置製造用スパッタ装置。
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