JP2009117542A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性基板1の表面に被覆された金属薄膜2に回路3の輪郭に沿ってレーザLを照射して、金属薄膜2を回路3の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層4を形成し、めっき下地層4の表面に、めっき下地層4の側からCuめっき層5、Niめっき層6、Auめっき層7の順に金属めっきを施すことによって回路3を形成した回路基板に関する。Niめっき層6とAuめっき層7の間に、Auに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層8がAuめっき層に接して、第一中間めっき層8の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層9が第一中間めっき層8に接してそれぞれ形成されている。
【選択図】図1
Description
Ni→Ni++e−
で、Niのイオン化と同時に放出される電子(e−)は、外系へ放出されるために必要なエネルギーが低いより貴な金属へと移動するが、Niめっき層6とAuめっき層7の間に、貴な金属の第二中間めっき層9と卑な金属の第一中間めっき層8が接して設けられているために、第二中間めっき層9と第一中間めっき層8の境界に電子移動を妨害する電位障壁が形成され、電子がAuめっき層7へと移動することを防ぐことができ、最表面のAuめっき層7から還元反応によって放出されるようなことがなくなる。従って、Niめっき層6でNiが腐食される反応を抑制することができるものであり、またAuめっき層7にピンホールがあっても、上記の電位障壁で電子の放出が抑制されるためにNiの溶解を防ぐことができ、Niめっき層6に腐食が生じることを防ぐことができるものである。
黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする成形材料(株)クラレ製「BT1500」を用いて、絶縁性基板1を成形した(図1(a))。そしてこの絶縁性基板1の表面をプラズマ処理した後、絶縁性基板1の表面に銅をスパッタリングすることによって、膜厚0.3μmの金属薄膜2を形成した(図1(b))。
第二中間めっき層9をPdめっきで形成し、第一中間めっき層8をRhめっきで形成するようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。
第二中間めっき層9をAgめっきで形成し、第一中間めっき層8をRhめっきで形成するようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。
第二中間めっき層9や第一中間めっき層8を形成しないようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。
Niめっき層6とAuめっき層7の間にPd−Niからなる中間めっき層を一層のみ設けるようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。このPd−Niめっきは、実施例1と同じ条件で行なった。
Niめっき層6とAuめっき層7の間にRhからなる中間めっき層を一層のみ設けるようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。このRhめっきは、実施例1と同じ条件で行なった。
第二中間めっき層9をRhめっきで形成し、第一中間めっき層8をPdめっきで形成するようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。このRhめっきは実施例1と同じ条件で、Pdめっきは実施例2と同じ条件で行なった。
第二中間めっき層9をRhめっきで形成し、第一中間めっき層8をPd−Niめっきで形成するようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。このRhめっきやPd−Niめっきは実施例1と同じ条件で行なった。
絶縁性基板1として、白色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「K1400」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長355nm、レーザ出力0.35WのTHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
絶縁性基板1として、白色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「K1400」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長533nm、レーザ出力0.45WのSHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
絶縁性基板1として、着色剤を配合しないナチュラル色(乳白色の樹脂本来の色)のポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「N1000A」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長533nm、レーザ出力0.45WのSHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
絶縁性基板1として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「BT1500」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長355nm、レーザ出力0.35WのTHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
絶縁性基板1として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「BT1500」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長355nm、レーザ出力0.35WのTHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
絶縁性基板1として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする(株)クラレ製「BT1500」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長355nm、レーザ出力0.56WのTHG−YAGレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層8と第二中間めっき層9をめっきせずに、Niめっき層6の上にAuめっき層7を形成するようにした他は、実施例1と同様にして回路基板を得た。
2 金属薄膜
3 回路
4 めっき下地層
5 Cuめっき層
6 Niめっき層
7 Auめっき層
8 第一中間めっき層
9 第二中間めっき層
10 樹脂層
Claims (9)
- 絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成し、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からCuめっき層、Niめっき層、Auめっき層の順に金属めっきを施すことによって回路を形成した回路基板において、Niめっき層とAuめっき層の間に、Auに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層がAuめっき層に接して、第一中間めっき層の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層が第一中間めっき層に接してそれぞれ形成されていることを特徴とする回路基板。
- 第一中間めっき層はRhからなると共に第二中間めっき層はPd−Niからなり、あるいは第一中間めっき層はRhからなると共に第二中間めっき層はPdからなることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
- 絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成し、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からCuめっき層、Niめっき層、Auめっき層の順に金属めっきを施すことによって回路を形成した回路基板において、絶縁性基板はポリフタルアミドよりなる樹脂組成物を成形して形成されたものであり、回路の輪郭に沿ってレーザを照射して金属薄膜が除去された部分の絶縁性基板の表面の表面粗さRzが、レーザを照射する前の表面粗さRzの1.9倍未満であることを特徴とする回路基板。
- Auめっき層に封孔処理が施されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の回路基板。
- Auめっき層はパルスめっきによって形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の回路基板。
- 回路の輪郭に沿って等しいエネルギー密度でレーザが照射されてめっき下地層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の回路基板。
- 回路の側面と絶縁性基板の表面の少なくとも境界部が、樹脂層で被覆されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の回路基板。
- 絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成する工程と、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からCuめっき層、Niめっき層、第二中間めっき層、第一中間めっき層、Auめっき層の順に金属めっきを施して回路を形成する工程とを有して、請求項1又は2に記載の回路基板を製造するにあたって、第一中間めっき層を、Auに対して標準電極電位が卑な金属で、Auめっき層に接して形成すると共に、第二中間めっき層を、第一中間めっき層の金属に対して標準電極電位が貴な金属で、第一中間めっき層に接して形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成する工程と、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からCuめっき層、Niめっき層、Auめっき層の順に金属めっきを施して回路を形成する工程とを有して、請求項3に記載の回路基板を製造するにあたって、レーザを照射して金属薄膜が除去された部分の絶縁性基板の表面の表面粗さRzが、レーザを照射する前の表面粗さRzの1.9倍未満となるように、照射条件を調整してレーザの照射を行なうことを特徴とする回路基板の製造方法。
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