JP2018182190A - 配線基板、当該配線基板を用いた電子装置および当該配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態の配線基板について、図1、図2を参照して述べる。図1、図2では、本実施形態の配線基板および後述するメッキ層30の構成を分かり易くするため、大きくデフォルメして示している。
第2実施形態の配線基板について、図5を参照して説明する。図5では、本実施形態の配線基板上に接合材51を介して電子部品50を搭載した様子を示しており、構成を分かり易くするため、大きくデフォルメしてある。図5に示す被覆部40は、導体層20上にメッキ層30が形成されたものである。図5(b)では、図5(a)中の破線で示すVB−VB間の断面構成を示している。なお、図5(a)では、断面図ではないが、構成を分かり易くするために、被覆部40および接合材51にハッチングを施したものを示している。
なお、上記した各実施形態に示した配線基板、当該配線基板を用いた電子装置および配線基板の製造方法は、本発明の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
20 導体層
30 メッキ層
31 下地層
32 Pd層
33 活性抑制部
34 Au層
40 被覆部
Claims (7)
- 基板(10)と
前記基板上に設けられた金属材料によりなる導体層(20)と、
前記導体層のうち少なくとも一部の領域において露出した表面を覆うメッキ層(30)と、を備え、
前記メッキ層は、異なる金属材料による多層構成とされると共に、最表面から前記基板側に向かってAu層(34)、Pd層(32)の順に積層された構成とされ、
前記Pd層は、その一部が前記Au層から露出しており、
前記Pd層のうち前記Au層から露出する部分については、触媒作用が抑制された活性抑制部(33)とされている配線基板。 - 前記導体層のうち前記メッキ層が形成された領域は、ワイヤボンディングのための領域である請求項1に記載の配線基板。
- 前記活性抑制部は、Pdの酸化物、硫化物、窒化物および水酸化物のうちいずれか1つで構成されている請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記Au層の厚みは、0.01μm〜1μmの範囲内とされている請求項1ないし3のいずれか1つに記載の配線基板。
- 請求項1ないし4のいずれか1つに記載の配線基板と、
前記配線基板上に搭載された電子部品(50)と、
前記配線基板のうち前記電子部品が搭載された面の一部および前記電子部品を覆う封止樹脂と、を備え、
前記導体層のうち前記メッキ層が形成された領域の一部において、ワイヤボンディングが施されている電子装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法であって、
導体層(20)が設けられた基板(10)を用意することと、
前記導体層のうち少なくとも一部の領域の表面にメッキ層(30)を形成することと、を含み、
前記メッキ層を形成することにおいては、電解めっきもしくは無電解めっきにより前記導体層の表面の上にPd層(32)、Au層(34)の順に形成した後に、前記Pd層のうち前記Au層から露出する部分について触媒作用を抑制するための活性抑制処理を行う配線基板の製造方法。 - 前記活性抑制処理は、酸化処理、硫化処理、水酸化処理、プラズマ処理、フッ素コーティングおよび界面活性剤コーティングのうちいずれか1つである請求項6に記載の配線基板の製造方法。
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JP2009117542A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路基板及びその製造方法 |
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