JP6950258B2 - 配線基板、当該配線基板を用いた電子装置および当該配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に設けられた導体の表面にメッキ層が施された配線基板、当該配線基板を用いた電子装置および配線基板の製造方法に関する。

従来より、絶縁材料によりなる基板と、金属材料によりなり、基板上に設けられた導体と、導体の表面を覆うメッキ層とを備える配線基板として、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。

特許文献１に記載の配線基板は、絶縁基板としてのセラミック基板と、該基板の表面に設けられた導体としてのＣｕ層と、該Ｃｕ層の露出表面に設けられたメッキ層とを備える。そして、このメッキ層は、該Ｃｕ層の露出表面にＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層がこの順に積層された構成とされている。

特開平８−１５３９４９号公報

上記のような配線基板は、通常、シリコン接着剤などを含む接合材を介して電子部品などが搭載されると共に、Ａｌなどのワイヤをボンディングすることによりメッキ層が施された導体と当該電子部品や他の部材とを電気的に接続して使用されることが多い。このような場合において、メッキ層と例えばＡｌワイヤとが接続不良を起こすことがあった。

そこで、本発明者らがワイヤボンディングの接続不良の原因について鋭意検討した結果、この接続不良は、基板側からＰｄ、Ａｕの順に積層され、最表面がＡｕ層とされたメッキ層においてＰｄの一部がＡｕ層から露出していることに起因することが判明した。

具体的には、低コスト化の観点から薄膜化されるＡｕ層には、通常の厚みの範囲、例えば０．０１μｍ〜１μｍの範囲内においてはピンホールが生じ、当該ピンホールにおいてはＡｕ層の下に形成されているＰｄ層が部分的に剥き出しの状態となる。本発明者らは、この触媒作用を有するＰｄがこの剥き出しとなった部分において、表面に付着した有機物が反応することで重合物が生じ、この重合物によりワイヤボンディングが阻害されることが接続不良の原因であることを突き止めた。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、Ａｕ層が薄膜化された構成であっても、Ｐｄ層による触媒作用が抑制され、従来の配線基板よりもワイヤボンディングが安定して行える配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の配線基板は、基板（１０）と基板上に設けられた金属材料によりなる導体層（２０）と、導体層のうち少なくとも一部の領域において露出した表面を覆うメッキ層（３０）と、を備える。このような構成において、メッキ層は、異なる金属材料による多層構成とされると共に、最表面から基板側に向かってＡｕ層（３４）、Ｐｄ層（３２）の順に積層された構成とされ、Ｐｄ層は、その一部がＡｕ層から露出しており、Ｐｄ層のうちＡｕ層から露出する部分については、有機物に対する触媒作用が抑制された活性抑制部（３３）とされており、活性抑制部は、Ｐｄの酸化物、窒化物および水酸化物のうちいずれか１つで構成されている。

これにより、Ｐｄ層、Ａｕ層の順で積層され、Ａｕ層が最表面とされたメッキ層において、Ｐｄ層のうち薄膜化されたＡｕ層から露出する一部が、その触媒作用を抑制された活性抑制部とされた構成となる。その結果、Ａｕ層から露出したＰｄ層においてメッキ層の表面に接着剤などに起因する有機分子が付着しても、Ｐｄ層の触媒作用が抑制されていることにより、ワイヤボンディングを阻害する有機分子の重合層が形成されることを抑制できる。したがって、基板に導体層が形成され、当該導体層上にＰｄ層、Ａｕ層の順で積層され、Ａｕ層が最表面とされた構成を含むメッキ層が施されただけの従来の配線基板に比べて、ワイヤボンディングなどの電気的接続を安定して行うことができる配線基板となる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態の配線基板を示す断面図である。 図１中に破線で示した領域Ｒ内の構成を示す拡大断面図である。 露出したＰｄに有機物が接触した際の触媒作用の例を示した模式図である。 第１実施形態の配線基板におけるメッキ層と有機物とが接触した際の様子を示す模式図である。 ブリード防止パターンが設けられた他の実施形態の配線基板について示した図である。 第２実施形態の配線基板を用いた電子装置について示した図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態の配線基板について、図１、図２を参照して述べる。図１、図２では、本実施形態の配線基板および後述するメッキ層３０の構成を分かり易くするため、大きくデフォルメして示している。

本実施形態の配線基板は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に形成された金属材料によりなる導体層２０と、導体層２０の表面を覆うメッキ層３０とを有してなる。

なお、本実施形態の配線基板は、導体層２０のうち少なくとも一部の領域において、その表面がメッキ層３０により覆われた構成とされているが、導体層２０のすべての領域においてその表面がメッキ層３０により覆われた構成とされてもよい。そして、この一部の領域とは、後述するワイヤボンディングのために使用される領域である。

基板１０は、特に限定するものではないが、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂やアルミナ等のセラミックなどによる絶縁性材料によりなり、本実施形態では、四角形板状とされている。

導体層２０は、例えば、Ｃｕなどの金属材料などによりなり、回路配線、電極パッドや半導体チップなどの電子部品を搭載するためのランドとして基板１０上に形成される。導体層２０のうち少なくとも一部の領域においては、その露出した表面にメッキ層３０が形成されている。具体的には、この一部の領域とは、導体層２０のうちＡ１などのワイヤボンディングなどの電気的接続がなされる部分である。

メッキ層３０は、本実施形態では、図２に示すように、導体層２０上に下地層３１、Ｐｄ層３２、Ａｕ層３４がこの順に積層された構成とされている。メッキ層３０は、本実施形態では、導体層２０の酸化防止および後述するワイヤボンディングにおける実装性を向上させる目的で形成される層である。

なお、メッキ層３０は、導体層２０のうちワイヤボンディングなどの電気的接続がなされる部分に形成されていればよいが、導体層２０の他の表面を覆うように形成されてもよいし、導体層２０の露出表面の全面を覆うように形成されてもよい。また、メッキ層３０は、電解メッキもしくは無電解メッキにより形成される。

下地層３１は、図２に示すように、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉからなる群のうちいずれか１つもしくは２つ以上によりなる単層または積層の構成とされると共に、導体層２０上に形成され、Ｐｄ層３２の下地となる層である。下地層３１は、目的に応じてその構成が適宜変更されるが、本実施形態では、耐久性向上の目的でＮｉによりなる単層の構成とされている。また、下地層３１は、２層以上の積層構成とされる場合には、例えば、基板側から順にＣｕ／Ｎｉ、Ｗ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ｎｉ、Ｔｉ／ＣｕやＴｉ／Ｃｕ／Ｎｉなどの構成とされてもよいし、他の積層構成とされてもよい。なお、下地層３１の積層方向における厚みについては、任意である。

Ｐｄ層３２は、Ｐｄを主成分とし、下地層３１上に形成され、Ａｕ層３４の下地となる層である。Ｐｄ層３２は、図２に示すように、その一部がＡｕ層３４から露出しており、当該露出した部分がＰｄの触媒作用が抑制された活性抑制部３３とされている。Ｐｄ層３２の一部がＡｕ層３４から露出する原因は、薄膜化されたＡｕ層３４に生じるピンホールに起因するものである。

なお、ここでいう「主成分」とは、体積比率で９０％以上を占める成分を意味する。そのため、Ｐｄ層３２は、Ｐｄと異なる元素が含まれていてもよい。また、Ｐｄ層３２の積層方向における厚みについては、任意である。

活性抑制部３３は、Ｐｄ層３２を構成するＰｄのうちＡｕ層３４から露出する部分が、触媒として作用することに起因する後述のワイヤボンディングでの不具合を抑制するために、敢えてＰｄの活性が抑制された組成とされたものである。活性抑制部３３は、例えば、Ｐｄの酸化物、硫化物、窒化物もしくは水酸化物とされているが、製造工程の容易さや低コスト化の観点から、酸化物とされることが好ましい。

活性抑制部３３は、Ｐｄの酸化物（ＰｄＯ）により構成される場合には、Ａｕ層３４の形成後に、例えば大気環境下にて１５０℃で６０分加熱することで形成される。これにより、活性抑制部３３は、大気と接触する表層付近のみでなく、例えば十数ｎｍ以上のＰｄ酸化膜となり、より確実にＰｄの触媒としての作用が抑制されたものとなる。活性抑制部３３は、ＰｄＯにより構成される場合、自然酸化でも形成されなくはないが、Ｐｄが酸化されるまで加熱酸化よりも時間を要する上、表層のわずかな部分（例えば数ｎｍ程度）の酸化に留まると考えられるため、加熱酸化により形成されることが好ましい。

なお、活性抑制部３３は、Ｐｄの酸化物のほかに、Ｐｄの硫化物、窒化物もしくは水酸化物とされてもよいが、この場合、任意の硫化工程、窒化工程もしくは水酸化工程により形成される。活性抑制部３３におけるＰｄの状態については、例えばＸＰＳ分析により確認することができる。活性抑制部３３による不具合の抑制については、Ｐｄ層３２のうち露出した部分のＰｄの触媒作用の抑制についての説明にて詳しく述べる。

Ａｕ層３４は、Ａｕを主成分とし、Ｐｄ層３２上に形成され、例えばＡｌなどのワイヤとのボンディングの際にワイヤ等と直接接合される最表面の層である。Ａｕ層３４は、低コスト化および信頼性の観点から、積層方向における膜厚が例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲とされることが好ましく、０．０１μｍ以上０．６μｍ以下の範囲とされることがより好ましい。

Ａｕ層３４が０．０１μｍ未満とされる場合には、製造工程上の管理が困難となり、信頼性の確保が難しく、Ａｕ層３４が１μｍより厚くされる場合には、高コスト化してしまうためである。なお、Ａｕ層３４は、積層方向における膜厚が厚くされるほどピンホールが生じにくくなるが、Ａｕの結晶粒界が生じた箇所についてはたとえ０．６μｍ程度の膜厚であってもピンホールが生じる。そのため、低コスト化に重点を置く場合には、Ａｕ層３４の膜厚は、０．６μｍ以下とされることが好ましい。

なお、ここでいう「主成分」とは、体積比率で９０％以上を占める成分を意味する。そのため、Ａｕ層３４は、Ａｕと異なる元素が含まれていてもよい。

以上が本実施形態の配線基板の基本的な構成である。なお、本実施形態の配線基板は、例えば、スルーホールなどの貫通孔や溝もしくはダムなどの凹部もしくは凸部が形成されていてもよい。また、本実施形態の配線基板は、基板１０上のうちメッキ層３０と異なる領域に、上記の構成以外にソルダーレジスト層などの他の層が形成されていてもよい。さらに、本実施形態の配線基板では、導体層２０やメッキ層３０の配置やサイズなどについては任意であり、これらは目的に応じて適宜変更されてもよい。

次に、活性抑制部３３の詳細について、図３、図４を参照して説明する。図３では、活性抑制部３３が形成されていない従来のメッキ層（以下、単に「従来メッキ層」という）において露出したＰｄによる触媒作用について、大きくデフォルメして示している。図４では、本実施形態の配線基板のメッキ層３０におけるＰｄによる触媒作用が抑制された様子を示しており、図３と同様に、大きくデフォルメしてある。また、図３、図４に示す矢印は、有機分子の移動の様子を示したものである。

まず、従来メッキ層におけるＰｄの触媒作用について説明する。従来メッキ層は、本実施形態の配線基板におけるメッキ層３０と同様に、最表層としてＡｕ層１００が形成され、Ａｕ層１００の下にＰｄ層１０１が形成された構成とされている。そして、Ａｕ層１００は、主に低コスト化の観点から薄膜化され、この薄膜化された膜厚に起因するピンホールが存在する。そのため、Ｐｄ層１０１の一部がこのＡｕ層１００のピンホールの底部にて露出している。

ところで、絶縁基板上に導体層とこれを覆うメッキ層を備える配線基板に、例えばＭＯＳＦＥＴなどを構成する半導体素子などの電子部品を搭載する場合、シリコン接着剤などを用いることが一般的に行われる。しかし、配線基板に電子部品のはんだ付けなどによる熱が加わると、このシリコン接着剤中の低分子成分の有機分子、例えばＲ−ＳｉＸ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２やＨ−ＳｉＸ_２−Ｒ（Ｒ：アルキル基などの炭素基、Ｘ：水素またはＲ）で表される有機ケイ素化合物が揮発する。以下、便宜的に、Ｒ−ＳｉＸ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２を化合物Ａとし、Ｈ−ＳｉＸ_２−Ｒを化合物Ｂと称する。

図３（ａ）では、このようにシリコン接着剤などに起因する有機分子が、従来メッキ層に付着した様子を示している。図３（ａ）に示すように、Ｐｄ層１０１のうちＡｕ層１００から露出した部分において、活性の高いＰｄが化合物Ａを吸着する。

次いで、図３（ｂ）に示すように、化合物Ａのうちエチレン基の炭素が活性の高いＰｄと相互作用する。化合物ＡがＰｄと相互作用した状態で化合物Ｂが近づくと、化合物Ａのうちエチレン基の炭素が化合物Ｂのケイ素と縮合反応をし、図３（ｃ）に示すようにＲ−ＳｉＸ_２−ＣＨ−ＣＨ−ＳｉＸ_２−Ｒが生成される。

このように、活性の高いＰｄが露出した状態で、有機ケイ素化合物がこの露出したＰｄに接触すると、Ｐｄの触媒作用により縮合体や重合体が生じ、従来メッキ層上に薄膜を形成してしまう。このような重合体などの薄膜が生じると、Ａｌなどのワイヤを従来メッキ層にボンディングで接合する際に、ボンディングが不安定化する原因となる。

具体的には、Ｐｄの触媒作用により生じた重合体などによる薄膜にワイヤボンディングにおける超音波や熱によるエネルギーがかかっても、薄膜がそのまま残存してしまい、ワイヤとＡｕ層１００との接触を阻害する。その結果、従来メッキ層では、ワイヤボンディングが不安定化してしまい得る。

これに対して、本実施形態の配線基板では、Ｐｄ層３２のうちＡｕ層３４から露出した部分がＰｄの触媒作用、すなわちＰｄの活性が抑制された活性抑制部３３とされている。具体的には、図４にて破線で示すように、活性抑制部３３は、例えばＰｄの酸化物とされている。これにより、化合物Ａがメッキ層３０に付着しても、Ｐｄ層３２のうちＡｕ層３４から露出した部分がＰｄＯによりなる活性抑制部３３とされていることから、Ｐｄが触媒として作用せず、重合体による薄膜が生じなくなる。そのため、本実施形態の配線基板におけるメッキ層３０は、ワイヤボンディングが行われる際にワイヤと最表層のＡｕ層３４との接触を阻害する薄膜が介在しないため、ワイヤボンディングが安定して行うことができる層となる。

次に、本実施形態の配線基板の製造方法について説明する。ただし、本実施形態の配線基板の製造方法は、Ａｕ層３４の成膜後における活性抑制部３３の形成を除き、公知の製造方法と同じであるため、ここでは簡単に説明する。

まず、例えばガラスエポキシ樹脂等の樹脂材料によりなる板状の基板１０を用意する。そして、基板１０上にスパッタリングなどによりＣｕなどによるシード層を形成する。次いで、例えば、シード層が形成された基板１０上に感光性樹脂材料を含む塗液を例えばスピンコート法により塗布し、乾燥した後にフォトリソグラフィ法によりパターン化されたレジスト層を形成する。その後、電解メッキによりＣｕをシード層上に積層した後、レジスト層およびレジスト層下のシード層をエッチングにより除去することにより、所定のパターン形状の導体層２０が基板１０上に形成される。

なお、上記では、基板１０を用意した後に、当該基板１０上に導体層２０を形成する例について説明したが、所定のパターン形状とされた導体層２０が形成された基板１０を用意してもよい。

続けて、導体層２０上に電解メッキもしくは無電解メッキにより、例えばＮｉによりなる下地層３１、Ｐｄを主成分とするＰｄ層３２、Ａｕを主成分とするＡｕ層３４をこの順に形成する。この際、下地層３１およびＰｄ層３２の積層方向における膜厚については任意であるが、Ａｕ層３４の積層方向における膜厚については、０．０１μｍ〜１μｍの範囲内となるように調整する。

Ａｕ層３４を形成した後、例えば、Ａｕ層３４を形成後の基板１０を大気雰囲気中にて１５０℃で６０分以上の加熱することにより、Ｐｄ層３２のうちＡｕ層３４から露出した部分のＰｄが酸化され、活性抑制部３３が形成される。このようにして、メッキ層３０が形成され、本実施形態の配線基板を製造することができる。

なお、上記の活性抑制部３３を形成する例として、加熱による酸化の例を挙げたが、Ｐｄの触媒作用を抑制するためにＰｄが不活性化されればよく、プラズマ処理や他の任意の活性抑制処理により活性抑制部３３を形成してもよい。また、導体層２０のうち一部の領域の露出表面にメッキ層３０を形成してもよいし、導体層２０のすべての領域の露出表面にメッキ層３０を形成してもよい。

本実施形態によれば、導体層２０のうちワイヤボンディングなどの接合に用いられる領域の表面にメッキ層３０が形成された構成とされることで、従来メッキ層を備える配線基板に比べて、ワイヤボンディングの際の接触不良が抑制された配線基板となる。言い換えると、ワイヤボンディングの安定性の高いメッキ層３０を備える配線基板となる。

（第２実施形態）
第２実施形態の配線基板について、図５を参照して説明する。図５では、本実施形態の配線基板上に接合材５１を介して電子部品５０を搭載した様子を示しており、構成を分かり易くするため、大きくデフォルメしてある。図５に示す被覆部４０は、導体層２０上にメッキ層３０が形成されたものである。図５（ｂ）では、図５（ａ）中の破線で示すVB−VB間の断面構成を示している。なお、図５（ａ）では、断面図ではないが、構成を分かり易くするために、被覆部４０および接合材５１にハッチングを施したものを示している。

本実施形態の配線基板は、図５（ａ）に示すように、シリコン接着剤などによる接合材５１を介して例えば半導体チップなどの電気により駆動する部品である電子部品５０などが搭載される領域（以下「部品搭載領域」という）を備える。そして、本実施形態の配線基板は、部品搭載領域と被覆部４０が配置された領域との間にブリード防止パターン６０が形成された構成とされている点で上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。

ブリード防止パターン６０は、例えば、感光性樹脂材料などによりなるレジスト材などで構成され、基板１０上に形成される。ブリード防止パターン６０は、基板１０上の部品搭載領域と被覆部４０が配置された領域との間に設けられ、これらの領域を分断するように形成される。ブリード防止パターン６０は、電子部品５０などの搭載に用いられた接合材５１の一部が基板１０上に染み出すブリードが生じた場合に、このブリードが被覆部４０にまで達しないようにせき止めるダムとしての役割を果たすものである。

具体的には、本実施形態の配線基板は、図５（ｂ）に示すように、接合材５１を介して電子部品５０を基板１０上に搭載した後、接合材５１から生じるブリードが被覆部４０に到達しないように凸形状のブリード防止パターン６０が形成された構成とされている。言い換えると、ブリード防止パターン６０が接合材５１をせき止めることで、接合材５１のブリードと被覆部４０とが適度な距離を保つ構成の配線基板とされる。

なお、ブリード防止パターン６０は、上記第１実施形態で述べた有機分子の発生源となり得る接合材５１から生じるブリードが被覆部４０に達することを抑制できればよく、高さ、形状や配置等については適宜調整される。また、本実施形態の配線基板は、図示しない回路領域や電子部品５０などを搭載するためのランドなどが設けられていてもよい。

また、本実施形態の配線基板を用いた電子装置の例としては、例えば、図６に示すようなものが挙げられる。この電子装置は、本実施形態の配線基板上に接合材５１を介して搭載された電子部品５０と、被覆部４０にボンディングされたＡｌなどによるワイヤ７０と、これらの領域を覆う封止樹脂８０とにより構成されている。被覆部４０は、ワイヤ７０を介して電子部品５０もしくは図示しない他の部材や回路領域と電気的に接続されている。この電子装置は、封止樹脂８０が本実施形態の配線基板のうち電子部品５０が搭載された面を封止した構成、いわゆるハーフモールドタイプの構成とされている。これにより、ワイヤ７０と被覆部４０のメッキ層３０との接合が安定した電子装置となる。

なお、上記の電子装置は、一例であり、設計に応じて電子部品５０、被覆部４０やワイヤボンディングの配置やその数、封止樹脂８０による封止領域などのパッケージ構造については適宜変更されてもよい。

本実施形態によれば、上記第１実施形態の説明と同様に、接合材５１の一部のブリードから低分子成分の有機分子が生じた場合でも、ブリードが被覆部４０から離れた位置に留まるため、被覆部４０のメッキ層３０上に付着する有機分子の量が低減される。そのため、上記第１実施形態の配線基板よりも、さらにワイヤボンディングの際の接触不良が抑制されたメッキ層３０、すなわちワイヤボンディングの安定性の高いメッキ層３０を備える配線基板となる。

（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した配線基板、当該配線基板を用いた電子装置および配線基板の製造方法は、本発明の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記各実施形態では、活性抑制部３３を形成する例について説明したが、Ｐｄ層３２のうちＡｕ層３４から露出する部分における触媒作用が抑制されていればよいため、活性抑制部３３は、Ｐｄの酸化物等により構成されたものだけに限られない。

具体的には、活性抑制部３３は、Ａｕ層３４から露出するＰｄにフッ素や界面活性剤などがコーティングされた構成とされてもよい。これにより、シリコン接着剤などに起因する有機ケイ素化合物などがメッキ層３０上に付着しても、フッ素や界面活性剤がＰｄと有機ケイ素化合物との接触を阻害することとなる。そのため、Ａｕ層３４とワイヤとの接触を阻害する薄膜が形成されず、ワイヤボンディングが安定して行うことができるメッキ層３０を備える配線基板となる。

なお、このコーティングに用いる材料自体がＰｄの触媒作用により反応せず、ワイヤボンディングなどの電気的接続を阻害しないものであることが必要であるが、そのような材料であれば、任意の材料を適宜使用されてもよい。

また、電子装置については、第２実施形態の配線基板を用いたものについて説明したが、これに限られず、上記第１実施形態の配線基板が用いられた構成とされてもよい。

１０ 基板
２０ 導体層
３０ メッキ層
３１ 下地層
３２ Ｐｄ層
３３ 活性抑制部
３４ Ａｕ層
４０ 被覆部

Claims (5)

1. 基板（１０）と
   前記基板上に設けられた金属材料によりなる導体層（２０）と、
   前記導体層のうち少なくとも一部の領域において露出した表面を覆うメッキ層（３０）と、を備え、
   前記メッキ層は、異なる金属材料による多層構成とされると共に、最表面から前記基板側に向かってＡｕ層（３４）、Ｐｄ層（３２）の順に積層された構成とされ、
   前記Ｐｄ層は、その一部が前記Ａｕ層から露出しており、
   前記Ｐｄ層のうち前記Ａｕ層から露出する部分については、有機物に対する触媒作用が抑制された活性抑制部（３３）とされており、
   前記活性抑制部は、Ｐｄの酸化物、窒化物および水酸化物のうちいずれか１つで構成されている配線基板。
2. 前記導体層のうち前記メッキ層が形成された領域は、ワイヤボンディングのための領域である請求項１に記載の配線基板。
3. 前記Ａｕ層の厚みは、０．０１μｍ〜１μｍの範囲内とされている請求項１または２に記載の配線基板。
4. 請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板と、
   前記配線基板上に搭載された電子部品（５０）と、
   前記配線基板のうち前記電子部品が搭載された面の一部および前記電子部品を覆う封止樹脂と、を備え、
   前記導体層のうち前記メッキ層が形成された領域の一部において、ワイヤボンディングが施されている電子装置。
5. 請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法であって、
   導体層（２０）が設けられた基板（１０）を用意することと、
   前記導体層のうち少なくとも一部の領域の表面にメッキ層（３０）を形成することと、を含み、
   前記メッキ層を形成することにおいては、電解めっきもしくは無電解めっきにより前記導体層の表面の上にＰｄ層（３２）、Ａｕ層（３４）の順に形成した後に、前記Ｐｄ層のうち前記Ａｕ層から露出する部分について有機物に対する触媒作用を抑制するための活性抑制処理を行い、
   前記活性抑制処理は、酸化処理、水酸化処理、プラズマ処理、フッ素コーティングおよび界面活性剤コーティングのうちいずれか１つである配線基板の製造方法。

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