JP2009084625A - 原料ガスの供給システム及び成膜装置 - Google Patents

原料ガスの供給システム及び成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009084625A
JP2009084625A JP2007255059A JP2007255059A JP2009084625A JP 2009084625 A JP2009084625 A JP 2009084625A JP 2007255059 A JP2007255059 A JP 2007255059A JP 2007255059 A JP2007255059 A JP 2007255059A JP 2009084625 A JP2009084625 A JP 2009084625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
gas
valve
supply system
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007255059A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009084625A5 (enExample
Inventor
Masamichi Hara
正道 原
Jun Gomi
淳 五味
Shinji Maekawa
伸次 前川
Kaoru Yamamoto
薫 山本
Satoshi Taga
敏 多賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2007255059A priority Critical patent/JP2009084625A/ja
Priority to KR1020107000890A priority patent/KR20100063694A/ko
Priority to US12/680,041 priority patent/US20100236480A1/en
Priority to PCT/JP2008/067118 priority patent/WO2009041397A1/ja
Priority to CN200880100433A priority patent/CN101772590A/zh
Priority to TW97137043A priority patent/TW200932943A/zh
Publication of JP2009084625A publication Critical patent/JP2009084625A/ja
Publication of JP2009084625A5 publication Critical patent/JP2009084625A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8158—With indicator, register, recorder, alarm or inspection means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8376—Combined

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
JP2007255059A 2007-09-28 2007-09-28 原料ガスの供給システム及び成膜装置 Pending JP2009084625A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255059A JP2009084625A (ja) 2007-09-28 2007-09-28 原料ガスの供給システム及び成膜装置
KR1020107000890A KR20100063694A (ko) 2007-09-28 2008-09-22 원료 가스의 공급 시스템 및 성막 장치
US12/680,041 US20100236480A1 (en) 2007-09-28 2008-09-22 Raw material gas supply system and film forming apparatus
PCT/JP2008/067118 WO2009041397A1 (ja) 2007-09-28 2008-09-22 原料ガスの供給システム及び成膜装置
CN200880100433A CN101772590A (zh) 2007-09-28 2008-09-22 原料气体的供给系统以及成膜装置
TW97137043A TW200932943A (en) 2007-09-28 2008-09-26 Raw material gas supply system and film deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255059A JP2009084625A (ja) 2007-09-28 2007-09-28 原料ガスの供給システム及び成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009084625A true JP2009084625A (ja) 2009-04-23
JP2009084625A5 JP2009084625A5 (enExample) 2010-09-02

Family

ID=40511282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007255059A Pending JP2009084625A (ja) 2007-09-28 2007-09-28 原料ガスの供給システム及び成膜装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100236480A1 (enExample)
JP (1) JP2009084625A (enExample)
KR (1) KR20100063694A (enExample)
CN (1) CN101772590A (enExample)
TW (1) TW200932943A (enExample)
WO (1) WO2009041397A1 (enExample)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012172251A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および記憶媒体
KR101214051B1 (ko) 2012-08-24 2012-12-20 한국세라믹기술원 전계방출용 ｃｎｔ-금속 혼합막 제조 방법 및 에어로졸 증착장치
CN103415911A (zh) * 2011-03-03 2013-11-27 三洋电机株式会社 催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法
JP2015160963A (ja) * 2014-02-26 2015-09-07 東京エレクトロン株式会社 ルテニウム膜の成膜方法および成膜装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2019094561A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP2020002426A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 信越化学工業株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2020013966A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
WO2020162499A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
WO2020162500A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム
JP2021119614A (ja) * 2018-08-27 2021-08-12 信越化学工業株式会社 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法
WO2021256308A1 (ja) * 2020-06-19 2021-12-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法およびプラズマ処理装置
JP2023523945A (ja) * 2020-04-30 2023-06-08 ラム リサーチ コーポレーション 化学物質送達システム用のヒーター設計ソリューション

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5281148B2 (ja) * 2009-04-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッドおよび成膜装置
CN102312222A (zh) * 2011-09-30 2012-01-11 上海宏力半导体制造有限公司 输气装置
JP2013115208A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Tokyo Electron Ltd 気化原料供給装置、これを備える基板処理装置、及び気化原料供給方法
JP5766647B2 (ja) * 2012-03-28 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
US20130312663A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Applied Microstructures, Inc. Vapor Delivery Apparatus
JP5837869B2 (ja) * 2012-12-06 2015-12-24 株式会社フジキン 原料気化供給装置
KR101412507B1 (ko) * 2013-02-06 2014-06-26 공주대학교 산학협력단 유기금속화합물 가스 공급 장치
US9431238B2 (en) * 2014-06-05 2016-08-30 Asm Ip Holding B.V. Reactive curing process for semiconductor substrates
JP6409021B2 (ja) * 2016-05-20 2018-10-17 日本エア・リキード株式会社 昇華ガス供給システムおよび昇華ガス供給方法
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11162174B2 (en) * 2018-09-20 2021-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd. Liquid delivery and vaporization apparatus and method
JP7493389B2 (ja) * 2020-06-10 2024-05-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
KR20230129187A (ko) * 2021-01-15 2023-09-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 액화된 재료를 제공하기 위한 장치, 액화된 재료를투입하기 위한 투입 시스템 및 방법
WO2022269659A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
TWI877569B (zh) * 2022-04-28 2025-03-21 日商國際電氣股份有限公司 氣體供給系統，基板處理裝置及半導體裝置的製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298171A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Tokyo Electron Ltd 処理ガスの供給方法及びその装置
JPH11125344A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Ebara Corp 弁装置
JP2000226667A (ja) * 1998-11-30 2000-08-15 Anelva Corp Ｃｖｄ装置
JP2001274105A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Asm Japan Kk セルフクリーニング用の遠隔プラズマソースを備えた半導体処理装置
WO2004007797A1 (ja) * 2002-07-10 2004-01-22 Tokyo Electron Limited 成膜装置
WO2004111297A1 (ja) * 2003-06-10 2004-12-23 Tokyo Electron Limited 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法
JP2005307233A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法
JP2005347446A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Nec Electronics Corp 気相成長装置、薄膜の形成方法、および半導体装置の製造方法
US7723700B2 (en) * 2003-12-12 2010-05-25 Semequip, Inc. Controlling the flow of vapors sublimated from solids

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039809A (en) * 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
US6331483B1 (en) * 1998-12-18 2001-12-18 Tokyo Electron Limited Method of film-forming of tungsten
US7651570B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298171A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Tokyo Electron Ltd 処理ガスの供給方法及びその装置
JPH11125344A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Ebara Corp 弁装置
JP2000226667A (ja) * 1998-11-30 2000-08-15 Anelva Corp Ｃｖｄ装置
JP2001274105A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Asm Japan Kk セルフクリーニング用の遠隔プラズマソースを備えた半導体処理装置
WO2004007797A1 (ja) * 2002-07-10 2004-01-22 Tokyo Electron Limited 成膜装置
WO2004111297A1 (ja) * 2003-06-10 2004-12-23 Tokyo Electron Limited 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法
US7723700B2 (en) * 2003-12-12 2010-05-25 Semequip, Inc. Controlling the flow of vapors sublimated from solids
JP2005307233A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法
JP2005347446A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Nec Electronics Corp 気相成長装置、薄膜の形成方法、および半導体装置の製造方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012172251A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および記憶媒体
CN103415911A (zh) * 2011-03-03 2013-11-27 三洋电机株式会社 催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法
KR101214051B1 (ko) 2012-08-24 2012-12-20 한국세라믹기술원 전계방출용 ｃｎｔ-금속 혼합막 제조 방법 및 에어로졸 증착장치
JP2015160963A (ja) * 2014-02-26 2015-09-07 東京エレクトロン株式会社 ルテニウム膜の成膜方法および成膜装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2019094561A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP7080115B2 (ja) 2018-06-28 2022-06-03 信越化学工業株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2020002426A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 信越化学工業株式会社 成膜装置及び成膜方法
KR20200010059A (ko) 2018-07-20 2020-01-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치, 원료 공급 장치 및 성막 방법
US11753720B2 (en) 2018-07-20 2023-09-12 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus, source supply apparatus, and film forming method
JP7094172B2 (ja) 2018-07-20 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
JP2020013966A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
JP7075525B2 (ja) 2018-08-27 2022-05-25 信越化学工業株式会社 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法
JP2021119614A (ja) * 2018-08-27 2021-08-12 信越化学工業株式会社 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法
JP2020128566A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。
JP2020128565A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
WO2020162500A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム
US11566326B2 (en) 2019-02-07 2023-01-31 Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. Vaporizable source material container and solid vaporization/supply system using the same
US11613809B2 (en) 2019-02-07 2023-03-28 Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. Solid vaporization/supply system of metal halide for thin film deposition
WO2020162499A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
JP2023523945A (ja) * 2020-04-30 2023-06-08 ラム リサーチ コーポレーション 化学物質送達システム用のヒーター設計ソリューション
JP7691439B2 (ja) 2020-04-30 2025-06-11 ラム リサーチ コーポレーション 化学物質送達システム用のヒーター設計ソリューション
US12460294B2 (en) 2020-04-30 2025-11-04 Lam Research Corporation Heater design solutions for chemical delivery systems
WO2021256308A1 (ja) * 2020-06-19 2021-12-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法およびプラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100063694A (ko) 2010-06-11
CN101772590A (zh) 2010-07-07
US20100236480A1 (en) 2010-09-23
WO2009041397A1 (ja) 2009-04-02
TW200932943A (en) 2009-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009084625A (ja) 原料ガスの供給システム及び成膜装置
JP4919534B2 (ja) ハロゲン化タンタル前駆体からのＴａＮ膜の熱ＣＶＤ
KR101172931B1 (ko) 교체 가능한 막 전구체 서포트 어셈블리
US7651570B2 (en) Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition
JP6877188B2 (ja) ガス供給装置、ガス供給方法及び成膜方法
KR20150112804A (ko) 가스 공급 기구 및 가스 공급 방법, 및 그것을 사용한 성막 장치 및 성막 방법
US7132128B2 (en) Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor
US7763311B2 (en) Method for heating a substrate prior to a vapor deposition process
US20080241381A1 (en) Method for pre-conditioning a precursor vaporization system for a vapor deposition process
JP2007270355A (ja) 金属カルボニル先駆体を利用した堆積プロセスの初期化方法及びシステム
JP3563819B2 (ja) 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置
JP2013076113A (ja) ガス供給装置及び成膜装置
JP4317174B2 (ja) 原料供給装置および成膜装置
WO2011033918A1 (ja) 成膜装置、成膜方法および記憶媒体
JP2011054789A (ja) 基板処理装置
JP4421119B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20120024740A (ko) Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ막의 성막 방법 및 기억 매체
JP2009235496A (ja) 原料ガスの供給システム及び成膜装置
US7566477B2 (en) Method for saturating a carrier gas with precursor vapor
US20080241380A1 (en) Method for performing a vapor deposition process
JP5656683B2 (ja) 成膜方法および記憶媒体
JP2013038169A (ja) 薄膜製造方法および薄膜製造装置
WO2010095498A1 (ja) Ｃｕ膜の成膜方法および記憶媒体
WO2010103880A1 (ja) Ｃｕ膜の成膜方法および記憶媒体
JP5659041B2 (ja) 成膜方法および記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100715

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131001