CN103415911A - 催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法 - Google Patents

催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在进行催化剂体CVD法的成膜装置中，减轻催化剂体的伸长引起的问题，运行成本、生产性方面优异的结构。具备：能够将内部维持为减压状态的腔室（1）；将原料气体导入腔室的原料气体导入通路（32、33a）；以由气体导入通路导入的原料气体接触表面的方式设置于腔室（1）内、在钽线的表面形成有硼化物层的催化剂体（4）；为了在催化剂体（4）的表面形成硼化物层，向腔室（1）导入乙硼烷气体的表面层形成用气体导入通路（36、33b）；和对催化剂体（4）施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部（5），停止原料气体的导入，一边从表面层形成用气体导入通路导入乙硼烷气体，一边对催化剂体（4）进行通电加热，在催化剂体（4）的硼化物层的表面进一步重叠形成硼化物。

Description

催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法
技术领域
本发明涉及对原料气体进行分解而在基板的表面形成规定的薄膜的催化化学气相成膜装置（催化CVD装置），使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法。
背景技术
在非晶硅（a-Si）膜或多结晶硅（poly-Si）膜的成膜中，在现有技术中使用一种利用化学蒸镀法（或者也被称作化学气相生长法、CVD法）的装置。特别是，利用等离子体的等离子体CVD（PCVD）法，作为吞吐量较大的方法，作为现在使用的主流的方法是已知的。PCVD法，是例如在a-Si膜的情况下，在10～100Pa左右的气体压力下生成通过高频率实现的等离子体，使在等离子体中生成的生成物堆叠而进行成膜的方法。与此相对，作为不使用等离子体的方法，近年来，开发了将维持为规定的高温的催化剂体配置在腔室内而通过催化剂体的作用进行成膜的方法。这样的方法被称为催化CVD（catalytic CVD，cat-CVD）法。
使用了这样的催化剂体的CVD（以下统称为催化CVD法），与通常的CVD法相比，即使基板的温度低也能够以充分的成膜速度进行成膜，因此作为低温工艺被寄予期望。另外，由于不使用等离子体，因此不存在等离子体对基板造成损伤的问题。进而，通过改变导入的气体种类，不仅Si类，还能够应用于金刚石薄膜或电子器件的保护膜的成膜等（例如参照专利文献1）。
在现有技术中，为了实现使用催化CVD法的催化剂体的长寿命化，提出了在作为催化剂体的钽（Ta）线的表面形成硼化物层的方案（例如参照专利文献2）。
在钽线的表面形成的硼化物层，比金属钽更硬，因此通过使用在表面形成有该硼化物层的钽线作为催化剂体，降低催化剂体的热伸长，提高机械强度，实现长寿命化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-108417号公报
专利文献2：日本特开2008-300793号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，为了进一步提高生产性，期望进一步改善催化剂体的寿命。
本发明在于提供一种在进行催化剂体CVD法的成膜装置中，减轻催化剂体的伸长引起的问题，运行成本、生产性方面优异的结构。
用于解决课题的方法
本发明为一种成膜方法，其使用催化化学气相成膜装置，上述催化化学气相成膜装置具备：能够将内部维持为减压状态的腔室；将规定的原料气体导入腔室的原料气体导入通路；以由气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于上述腔室内、在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；向腔室导入含有硼的气体的再硼化物层形成用气体导入通路；和对催化剂体施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部，该成膜方法具备：一边从再硼化物层形成用气体导入通路导入含有硼的气体，一边对催化剂体进行加热，对催化剂体的硼化物层的表面进行再硼化处理的硼化处理步骤；和使用再硼化处理后的上述催化剂体，一边将原料气体从原料气体导入通路向腔室导入，一边对催化剂体进行加热，在搬入至腔室内的基板的表面上成膜，从腔室内搬出基板的成膜步骤。
另外，本发明具备：能够将内部维持为减压状态的腔室；将不含有硼的、用于形成半导体的规定的原料气体向上述腔室导入的原料气体导入通路；以由上述气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于上述腔室内、在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；向上述腔室导入含有硼的气体的再硼化物层形成用气体导入通路；对上述催化剂体施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部；和对向上述腔室导入的气体进行控制的控制部。
另外，本发明为一种催化剂体的硼化方法，其使用催化化学气相生长装置，该催化化学气相生长装置具备：能够将内部维持为减压状态的腔室；向腔室导入含有硼的气体的硼化物层形成用气体导入通路；和以由硼化物层形成用气体导入通路导入的含有硼的气体接触表面或通过表面附近的方式设置于腔室内的催化剂体；对催化剂体施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部；和对向腔室导入的气体进行控制的控制部，其中，在使腔室的内部为减压状态的状态下，一边从再硼化物层形成用气体导入通路导入含有硼的气体，一边使用电源部对上述催化剂体进行加热，对催化剂体的表面进行硼化处理。
发明的效果
根据本发明，能够改善催化剂体的寿命，提高生产性。
附图说明
图1是实施方式的催化CVD装置的正面简要截面图。
图2是表示实施方式的催化CVD装置的催化剂体和基板保持器的关系的示意立体图。
图3是表示实施方式的催化CVD装置中使用的催化剂线的示意图。
图4是说明图1所示的催化剂体和气体导入通路的结构例的简要立体图。
图5是表示催化CVD装置中催化剂线伸长的状态的示意图。
图6是表示实施方式的催化CVD装置中催化剂线伸长的状态的示意图。
图7是表示实施方式的催化剂线截面构造的示意图。
图8是表示现有的催化CVD装置中催化剂线伸长的状态的示意图。
图9是表示现有的催化剂线截面构造的示意图。
图10是表示实施方式的催化剂线和现有的催化剂线的运转时间与电阻变化率的关系的图。
具体实施方式
参照附图对本实施方式进行详细说明。此外，对图中相同或相当的部分赋予相同的符号，为了避免重复的说明而不再进行说明。
图1是实施方式的成膜装置的正面简要截面图，图2是表示实施方式的成膜装置的催化剂体和基板保持器的关系的示意立体图，图3是表示实施方式的催化CVD装置中使用的催化剂线的示意图，图4是说明图1所示的催化剂体和气体导入通路的结构例的简要立体图。
图1所示的装置具备：能够通过排气系统11将内部维持为减压状态的腔室1；将基板9保持在腔室1内的规定的装置的基板保持器2；从原料气体供给部32将规定的原料气体导入腔室1内的气体导入通路3；以由气体导入通路3导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于腔室1内的催化剂体4；和对催化剂体4施加能量而使催化剂体4升温为规定的温度的电源部5。另外，本发明中，为了在催化剂体4（催化剂线41）的表面进行再硼化处理，与原料气体供给部32不同而另外地具备乙硼烷气体供给部36，其用于将乙硼烷（B2H6）供给至腔室1。
原料气体从原料气体供给部32经由阀34和配管路33a供给至气体导入通路3。另外，在催化剂体4（催化剂线41）的再硼化处理时，乙硼烷气体从乙硼烷气体供给部36经由阀34和配管路33b供给至气体导入通路3。如图3所示，催化剂线41具备钽线41a、形成在钽线41a的表面的硼化物层41b。通过将在表面形成有该硼化物层41b的钽线41a作为催化剂线41使用，能够降低催化剂线41的热伸长。
腔室1为具备闸阀（未图示）的气密的真空容器。排气系统11具备涡轮分子泵和旋转泵的组合这样的多级的真空泵，能够对腔室1内进行排气。
如图1和图2所示，基板保持器2将基板9保持为垂直。基板保持器2配置为对基板9进行保持的面为垂直方向，在基板9维持垂直的姿态的状态下保持在基板保持面。另外，基板保持器2能够同时保持多片基板9。在腔室1内配置2个基板保持器2，2个基板保持器2配置为关于催化剂体4（催化剂线41）对称。虽然未图示，但也可以设置对基板9的温度进行控制的基板温度控制机构，将基板9维持为规定温度。
如图1和图2所示，实施方式的装置的催化剂体4由沿着与被保持于基板保持器2的基板9的处理面平行的平面延伸的多根催化剂线41构成。各催化剂线41具备钽线41a和硼化物层41b。这样，由图4的简要立体图可知，一根催化剂线41为将一根线成形为U字状的结构。因此，线的两端位于上侧，弯曲的部分位于下侧。此外，线的直径为0.2mm～3mm左右。
位于上侧的各催化剂线41的两端部分与导入保持体42连结。导入保持体42为比催化剂线41稍微粗一些的线状或棒状。导入保持体42与各催化剂线41同样地由高熔点金属形成。
此外，基板9和催化剂体4的距离（图1中用L表示），为了使来自催化剂体4的散射热减少，并使充分的量的生成物到达基板9，优选为1cm～20cm左右。不足1cm时，产生向基板9的散射热变多的问题。另外，超过20cm时，产生生成物到基板9的到达量减少的问题。
另外，如图1和图4所示，设有对一对导入保持体42进行保持的保持板44。导入保持体42，以夹置有氧化铝等的高熔点的绝缘部件（未图示）的状态气密地贯通保持板44。保持板44优选由氧化铝或PBN（热解氮化硼，pyrolytic boron nitride）等的高熔点材料形成。该保持板44安装于腔室1的上壁部的外表面。即，如图1所示，在腔室1的上壁部，比各保持板44小的开口100的形成的数量为保持板44的数量。保持于各保持板44的导入保持体42插通于该开口100，向下方延伸，其下端与催化剂线41连结。
在各保持板44和腔室1的上壁部的外表面之间，设有真空密封件（未图示），形成各保持板44气密地堵塞开口100的状态。此外，各保持板44通过螺纹紧固等安装于腔室1的上壁部。经由保持板44的腔室1的加热成为问题时，在保持板44和腔室1之间设置隔热部件。
另外，电源部5如图4所示，由与催化剂线41的数量相等的数量的电源51构成。电源51对催化剂线41交流或直流的电流供给而使其发热，使催化剂线41能够升温至原料气体能够分解的规定的温度（例如1600℃～2200℃左右的温度）。而且，各电源51与控制装置8连接。控制装置8对各电源51进行控制，对各催化剂线41的电流分别独立地进行控制。其结果是，使各催化剂线41的温度被独立地控制。
此外，使电源51为与催化剂线41同样的数量并不是必须的条件。例如，也可以将多个催化剂线41并联连接，在各电路设置能够独立地控制的控制元件（例如可变电阻）。此时，电源51的数量比催化剂线41的数量少。
在表面形成有硼化物层41b的钽线41a比未形成硼化物层的钽线更硬。因此，通过将表面形成有该硼化物层41b的钽线41a作为催化剂线41使用，能够降低温度上升引起的催化剂线41的伸长。
另外，如图1或图4所示，气体导入通路3，具备：设置在腔室1内的气体导入头31；连接设置在腔室1外的原料气瓶32、乙硼烷气瓶36和气体导入头31的配管33、33a、33b；和设置于配管33上的阀34、流量调整器35和过滤器（未图示）等。而且，如图4所示，气体导入头31的设置的数量与催化剂线41的数量相等。
如图4所示，气体导入头31与气体导入通路3连接，设置的数量与催化剂线41的数量相等。各气体导入头31为垂直的姿态的细长的管，位于作为U字状的各催化剂线41的U字的内部。即，各气体导入头31沿与设置有各催化剂线41的垂直的面相同的面设置。因此，与各催化剂线41同样地，各气体导入头31相对于由基板保持器2保持的基板9平行。此外，各气体导入头31由高熔点的金属或石英等形成。
而且，各气体导入头31在与基板9相对的侧面具有多个气体吹出孔（未图示）。另外，如图4所示，气体导入通路3的配管33分支有气体导入头31的数量，其前端与气体导入头31连结。而且，在分支后的配管33的各个配管设置有流量调整器35。而且，控制装置8能够独立地控制各流量调整器35。在该实施方式中，从各气体导入头31导入腔室1内的原料气体的流量能够独立地控制。此外，在本说明书中，“原料气体”是为了成膜而导入的气体的总称，不仅包括直接参与成膜的气体，还包括载体气体或缓冲气体这样的不直接参与成膜的气体。例如，在一个原料气瓶32中收纳有硅烷气体（SiH4），在一个原料气瓶32收纳有氢气（H2），分别经过气体导入通路3从气体导入头31吹出气体。
反复进行成膜动作时，如图5所示，各催化剂线41向下方延伸。而且，在此状态下连续使用时，催化剂线41的附近的硼化物层变质，催化剂线41的伸长率变大。
因此，在本发明中，保持600℃以上的温度，作为在成膜时使用的时间的累积时间的运转时间经过规定的时间时，在各催化剂线41的表面进行再形成硼化物层的处理。因此，在本实施方式中，构成为：在形成本征a-Si膜的腔室1设置有非必要的乙硼烷气体的供给线，仅在进行催化剂线41的再硼化处理时，选择性地供给乙硼烷气体。因此，乙硼烷气体从收纳有乙硼烷气体的气瓶36经由阀34和配管路33b供给至气体导入通路3，乙硼烷气体从气体导入头31导入至腔室1内。
在再硼化处理中，停止原料气体的供给，供给乙硼烷气体，对催化剂线41通电。首先，使真空泵工作，对腔室1的内部进行真空排气，减压至规定的真空度（例如1Pa以下）。接着，将乙硼烷气体从乙硼烷气体供给部36向腔室1导入，并且通过控制装置8对各催化剂线41通电，加热至乙硼烷气体能够分解的规定的温度（例如1700℃以上的温度）。供给的乙硼烷气体，将B2H6/H2（2%）以流量100sccm～1000sccm供给，维持压力0.5Pa～10Pa左右，进行数分钟至数十分钟的通电。
此时，如图7所示，催化剂线41，从a所示的表面状态如b所示那样进行再硼化处理。即，通过催化剂线41的表面的乙硼烷气体的接触，与钽线41a的表面的硼化物层41b重叠，形成作为反应生成物的再硼化物层41c。其结果是，通过硼化物层41b和41c，硼化物层的厚度变厚，能够抑制催化剂线41的伸长率。
对于上述结构的本实施方式的成膜装置的动作，在下面进行说明。保持多个基板9的基板保持器2被搬入至腔室1内。
腔室1的闸阀关闭，通过排气系统11将腔室1内排气至规定的压力后，使气体导入通路3工作，使原料气体以规定的流量导入至腔室1内。即，原料气体从各气体导入头31的气体吹出孔供给，在腔室1内的空间中扩散。此时，控制装置8对设置于气体导入通路3的流量调整器35进行控制，对从各气体导入头31导入至腔室1内的原料气体的导入量独立地进行控制。另外，设置于腔室1的排气系统11具备排气速度调整器，对排气速度进行控制，使得腔室1内为规定的真空压力（压强）。从原料气体供给部32向腔室1导入原料气体。在本实施方式中，使用硅烷（SiH4）气体和氢气（H2）的混合气体作为原料气体，在基板9的表面形成硅（Si）膜。具体而言，将上述原料气体供给至基板9。
接着，对构成催化剂体4的各催化剂线41，从电源部5的各电源51供给电流，使各催化剂线41升温至规定的温度。从各气体导入头31供给的原料气体在与催化剂线41的表面接触、或通过表面附近时被分解，生成生成物。该生成物到达基板9的表面，反复使其到达时，以原料气体为基础的薄膜在基板9的表面上生长。具体而言，以基板9为单晶硅基板，将上述原料气体供给至基板9，形成本征a-Si膜。
将这样的状态维持规定时间，薄膜以规定的厚度形成时，停止气体导入通路3和电源部5的动作。接着，在通过排气系统11对腔室1内再度排气后，导入不活泼气体使腔室1内为大气压。腔室1内成为大气压后，打开闸阀，将基板9从腔室1取出。
反复进行成膜动作时，如上所述各催化剂线41向下方延伸。如实施方式那样，通过在催化剂体41进行再硼化处理，抑制连续使用引起的催化剂体41的变质，抑制催化剂线41的伸长率的上升，能够实现膜质的稳定化、成膜装置的维护周期的长期化。
在对催化剂体41进行再硼化处理后，保持多个基板9的基板保持器2被再次搬入腔室1内，使用再硼化处理后的催化剂线41，在基板9的表面上进行成膜。使用再硼化处理后的催化剂线41的成膜，例如反复进行，直至600℃以上的温度中的运转时间经过规定的时间。
接着，对于对在表面形成有硼化物层的催化剂线进行再硼化处理后的器件，和直接使用在表面形成有硼化物层的催化剂线的器件，确认其连续使用后的催化剂线的伸长情况。
其结果如图10所示。催化剂线41的伸长以催化剂线的电阻的变化率的推移来表示。实验中，使用在表面形成有硼化物层的相同的催化剂线41进行连续运转。连续运转为进行600℃以上的运转的累积时间。伸长的变化根据电阻率改变的情况来判定。使初始值为1，根据从该情况起每经过运转时间时伸长率增大了多少，确认效果。
图6和图7表示根据本发明进行了再硼化处理时的催化剂线41的伸长和催化剂线的状态。图7的a所示的催化剂线41为初始的状态，b所示的催化剂线41为再硼化处理后的状态。图6的a所示的催化剂线41为初始的状态，b所示的催化剂线41为经过200小时后进行再硼化处理，其后继续经过累积时间400小时以上后的状态。
另外，图8和图9表示直接连续使用在表面形成有硼化物层的催化剂线41后的状态。图8和图9a所示的催化剂线41为初始的状态，b所示的催化剂线41为进行400小时以上的运转后的状态。
在图10中，涂黑的菱形表示直接使用在表面形成有硼化物层的催化剂线时的伸长率，镂空的四边形表示实施方式的对在表面形成有硼化物层的催化剂线进行再硼化处理后时的伸长率。在实施方式中，经过约200小时后，进行上述再硼化处理。如图9的示意图所示，持续连续使用时，可以认为钽线41a伸长、线径变细、并且表面的硼化层41b也变薄。因此，可以认为伸长率随时间的经过变大。
与此相对，可知，在本实施方式中，进行再硼化处理后，如图10所示，伸长率为1.03左右，但是其低于1.02，其后的伸长率的上升也降低。这可以认为，如图7的示意图所示，由于再硼化后的再硼化物层41c，催化剂线41的表面变硬，能够对伸长进行抑制。
对于成膜的具体例，以对本征a-Si（非晶硅）膜进行成膜时的情况为例进行说明。作为原料气体，将甲硅烷以流量10sccm～500sccm、氢气以流量20sccm～1000sccm左右的流量混合导入。将催化剂体4的温度维持为1500℃～2200℃、将腔室1内的压强维持为0.1Pa～10Pa进行成膜时，能够以30～250埃/分钟左右的成膜速度进行a-Si膜的成膜。进行本征a-Si膜的成膜时，催化剂体4的表面的硼化物与原料气体一起供给至基板9。于是，在基板9上形成稍微添加有硼的a-Si。这样的a-Si膜，能够作为太阳能电池用的本征a-Si膜等有效地利用。
在本实施方式的成膜装置中，构成为设置有进行本征a-Si膜的成膜时非必要的乙硼烷气体的供给线，在进行催化剂线的再硼化处理时，选择性地供给乙硼烷气体。另外，并不限定于此，实施方式的成膜装置还能够同样适用于p型的a-Si膜形成用的腔室，或n型的a-Si膜形成用的腔室。在p型的a-Si膜形成用的腔室的情况下，直接使用本来就设置在腔室中的乙硼烷气体的供给线进行再硼化处理即可。另外，在n型的a-Si膜形成用的腔室的情况下，设置有通常不设置的乙硼烷气体的供给线，仅在进行再硼化处理时选择地供给乙硼烷气体即可。另外，作为再硼化处理用的含有硼的气体，可以为含有硼的由催化剂体分解的气体，也能够使用不限于乙硼烷气体的、其他的气体。
进行再硼化处理的时机，为刚刚设置之后或每进行规定的成膜处理次数后，每一定期间进行，也是有效果的。另外，可以认为在再硼化前后，表面的硼化物层的厚度发生变化，因此考虑其厚度等调整成膜条件等时，能够期待膜质的稳定化。
而且，再硼化处理后，数次进行使用虚基板的处理后，进行本征a-Si膜的成膜即可。
此外，在U字状的线的情况下，可以考虑为令两端为下侧而安装电流导入部、令弯曲的部分为上侧挂于钩等的催化剂线41的结构。但是，此时，下侧是固定的，因此热膨胀引起线在水平方向膨胀。因此，令两端为上侧而配置的结构是最适合的。此外，作为U字以外的形状，也可以是将U字在横向连接的形状，例如带圆角的w状或m状等。另外，装置结构不限于上述情况，也可以使用其他的结构。
另外，在上述的例子中，采用了a-Si膜，但本发明的装置也可以使用在氮化硅膜、多晶硅膜等、任意种类的薄膜的制成中。另外，作为成膜的对象物的基板9，能够相当于制作半导体器件时的晶片、制作液晶显示器时的液晶基板等。基板9为大面积基板时，也可以不使用基板保持器2而直接将基板9搬入腔室1内。
本次公开的实施方式的所有的方面都为举例表示，不应被考虑为限制性的内容。本发明的范围，不是由上述实施方式的说明而是由附加的权利要求的范围所表示，并应当理解为包含与权利要求的范围均等的含义和范围内的所有的变更。
符号说明
Figure BDA00003764324000111

Claims (7)

1.一种成膜方法，其特征在于：
使用催化化学气相成膜装置，
所述催化化学气相成膜装置具备：
能够将内部维持为减压状态的腔室；
将规定的原料气体导入所述腔室的原料气体导入通路；
以由所述气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于所述腔室内、在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；
向所述腔室导入含有硼的气体的再硼化物层形成用气体导入通路；和
对所述催化剂体施加能量而使所述催化剂体为规定的温度的电源部，
该成膜方法具备：
一边从所述再硼化物层形成用气体导入通路导入所述含有硼的气体，一边对所述催化剂体进行加热，对所述催化剂体的硼化物层的表面进行再硼化处理的硼化处理步骤；和
使用再硼化处理后的所述催化剂体，一边从所述原料气体导入通路向所述腔室导入原料气体，一边对所述催化剂体进行加热，在搬入至所述腔室内的基板的表面上成膜，从所述腔室内搬出基板的成膜步骤。
2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：
在所述硼化处理步骤之后，重复进行一定次数的所述成膜步骤，再次进行所述硼化处理步骤。
3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：
在所述基板的表面形成的膜为非晶硅膜。
4.一种催化化学气相生长装置，其特征在于，具备：
能够将内部维持为减压状态的腔室；
将不含有硼的、用于形成半导体的规定的原料气体向所述腔室导入的原料气体导入通路；
以由所述气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于所述腔室内，在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；
向所述腔室导入含有硼的气体的再硼化物层形成用气体导入通路；
对所述催化剂体施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部；和
对向所述腔室导入的气体进行控制的控制部。
5.如权利要求4所述的催化化学气相生长装置，其特征在于：
所述控制部，对所述含有硼的气体的导入和所述催化剂体的通电进行控制，使得原料气体的导入停止，一边从所述表面层形成用气体导入通路导入含有硼的气体，一边对所述催化剂体进行加热，在所述催化剂体的硼化物层的表面进行再硼化处理。
6.一种催化剂体的表面处理方法，其特征在于：
使用催化化学气相成膜装置，
所述催化化学气相成膜装置具备：
能够将内部维持为减压状态的腔室；向所述腔室导入含有硼的气体的硼化物层形成用气体导入通路；以由所述硼化物层形成用气体导入通路导入的所述含有硼的气体接触表面或通过表面附近的方式设置于所述腔室内的催化剂体；对所述催化剂体施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部；和对向所述腔室导入的气体进行控制的控制部，
在使所述腔室的内部为减压状态的状态下，一边从所述再硼化物层形成用气体导入通路导入所述含有硼的气体，一边使用所述电源部对所述催化剂体进行加热，对所述催化剂体的表面进行硼化处理。
7.一种非晶硅膜的成膜方法，其特征在于：
使用催化化学气相成膜装置，
所述催化化学气相成膜装置具备：
能够将内部维持为减压状态的腔室；
将规定的原料气体导入所述腔室的原料气体导入通路；
以由所述气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于所述腔室内、在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；和
对所述催化剂体施加能量而使所述催化剂体为规定的温度的电源部，
该非晶硅膜的成膜方法具备：
使用所述催化剂体，一边从所述原料气体导入通路向所述腔室导入原料气体，一边对所述催化剂体进行加热，在搬入至所述腔室内的基板的表面上成膜，从所述腔室内搬出基板的成膜步骤。
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