JP2009044162A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘電率２．８以下、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率２から１５ＧＰａ、硬さ０．２から２ＧＰａ、凝集強度１．７から４．５Ｊ／ｍ^２、水中亀裂発達速度が１．１から２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０^−１０ｍ／秒以下の誘電体材料を生成する方法において、
   （１）ＰＥＣＶＤツール内のウェハー・チャックを１００℃乃至４２５℃に加熱し、
   （２）前記ウェハ・チャック上に基板を配置し、
   （３）希ガスとＳｉＣＯＨ前駆物質の混合体の圧力を０．１乃至１０トルに維持し、前記前駆物質は、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）またはオクタメ チルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）、ジエチルメトキシシラン （ＤＥＤＭＯＳ）、ならびに関連環状および非環状シラン、シロキサンのいずれか１つを含み、
   （４）前記前駆物質の流量を５０乃至３５００ｍｇ／分に維持し、
   （５）前記ＰＥＣＶＤツールのガス導入プレートに高周波エネルギを印加して誘電体材料を前記基板に付着させ、
   （６）前記誘電体付着後の処理として、熱エネルギー及び化学作用、電子ビーム、マイクロ波またはプラズマ・エネルギー源の少なくとも１つの第２のエネルギ源からの放射を印加する、前記方法。
2. 前記誘電体材料が、共有結合３次元ネットワーク構造を有する、請求項１に記載の生成方法。
3. 前記共有結合３次元ネットワーク構造がさらに、付着後の処理を用いて、ネットワークＳｉ−Ｏ強度に対するケージＳｉ−Ｏ強度の比が低下するＦＴＩＲ吸光度スペクトルを生み出すＳｉ−Ｏ結合を含む、請求項２に記載の誘電体材料。
4. 前記誘電体材料の水との接触角が７０°超である、請求項１に記載の方法。
5. 前記誘電体材料がナノメートル・サイズの多数の細孔を含む、請求項１に記載の方法。
6. 第２の前駆物質をさらに含み、前記第２の前駆物質が、環構造を有する分子と、炭化水素環に結合した枝分れ第三級ブチル基またはイソプロピル基を含む分子とからなるグループから選択された炭化水素分子を含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記第２の前駆物質が酸素を含む炭化水素分子である、請求項６に記載の方法。
8. 前記第２の前駆物質が酸化シクロペンタン酸化物である、請求項７に記載の方法。
9. 第３の前駆物質をさらに含み、前記第３の前駆物質がゲルマニウム水素化物またはＧｅ源を含む他の反応物である、請求項６に記載の方法。
10. 前記反応装置に酸化剤を供給するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
11. 前記前駆物質の流量が５０乃至３５００ｍｇ／分に維持される、請求項１に記載の方法。
12. 前記ＰＥＣＶＤツールのガス導入プレートに、周波数０．２６、０．３５、０．４５若しくは１３．６ＭＨｚ、電力２００乃至４５０Ｗの高周波エネルギを印加して前記誘電体材料を前記基板に付着させる、請求項１に記載の方法。