JP4295730B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
従来より、半導体装置を微細化することにより、スケーリング則に沿った動作速度の高速化が図られている。一方、最近の高密度半導体集積回路装置では、個々の半導体装置間を配線するのに一般に多層配線構造が使用されるが、かかる多層配線構造では、半導体装置が非常に微細化された場合、多層配線構造中の配線パターンが近接し、配線パターン間の寄生容量による配線遅延の問題が生じる。
そこで、従来より、前記多層配線構造中における配線遅延の問題を解決すべく、多層配線構造中で層間絶縁膜を構成する絶縁膜に、従来より使われているSiO2系の絶縁膜の代わりに炭化水素系あるいはフルオロカーボン系の有機絶縁膜に代表される低誘電率膜(いわゆるlow−K膜)を使い、また配線パターンに、従来より使われているAlの代わりに低抵抗の銅(Cu)を使うことが研究されている。かかる有機絶縁膜は誘電率が一般に2.3〜2.5であるが、この値は従来のSiO2層間絶縁膜より40〜50%も低い。
低誘電率膜は一般に密度が小さく、このため配線パターンとの密着性や、耐湿性などに課題が残っている。このため現在では、超微細化配線パターンが形成され配線遅延の問題が深刻になる多層配線構造下層部に低誘電率膜とCu配線パターンを使い、配線パターン間隔が比較的疎な多層配線構造上層部には、密着性に優れた従来のSiO2層間絶縁膜を使う、いわゆるハイブリッド構成が使われることが多い。
図1を参照するに、半導体装置10はSi基板11中に素子分離構造11Bにより画成された素子領域11A上に形成されており、前記Si基板11上に形成されたゲート絶縁膜12を介して形成されたゲート電極13と、前記ゲート電極13の両側に形成された一対の拡散領域11a,11bとを含む。
前記ゲート電極13は側壁面が側壁絶縁膜13a,13bにより覆われ、さらに前記Si基板11上には、典型的には高密度プラズマ酸化膜よりなる絶縁膜110が、前記ゲート電極13および側壁絶縁膜13a,13bを覆うように形成される。
前記絶縁膜110上には典型的にはダウケミカル社から登録商標SiLKとして市販されている低誘電率有機層間絶縁膜14が形成され、前記層間絶縁膜14中にはCu配線パターン14A,14Bが形成される。前記Cu配線パターン14A,14Bの各々は、前記絶縁膜110中を延在するコンタクトプラグ14P,14Qを介して拡散領域11a,11bに電気的に接続される。
前記層間絶縁膜14上には同様な低誘電率有機層間絶縁膜15が形成され、前記層間絶縁膜15中にはCu配線パターン15A,15Bが形成される。前記Cu配線パターン15A,15Bの各々は、コンタクトプラグ15P,15Qを介して前記配線パターン14A,14Bに電気的にそれぞれ接続される。
前記低誘電率層間絶縁膜15は前記層間絶縁膜15上に形成された別の低誘電率有機層間絶縁膜16により覆われ、さらに前記層間絶縁膜16上にはさらに別の低誘電率有機層間絶縁膜17が形成されている。
図示の例では前記層間絶縁膜16中にはCu配線パターン16A−16Cが、また前記層間絶縁膜17中にはCu配線パターン17A,17Bが埋設されており、前記配線パターン16A,16Cは配線パターン15A,15Bにそれぞれビアプラグ16P,16Qを介して接続され、また前記配線パターン17A,17Bは前記配線パターン16A,16Cにビアプラグ17P,17Qを介して接続されている。
さらに図示の例では前記層間絶縁膜17上にSiOC層間絶縁膜18,19,20が順次積層されており、前記層間絶縁膜18中にはCuよりなる配線パターン18Aが、前記層間絶縁膜19中にはCuよりなる配線パターン19Aが、また前記層間絶縁膜20中にはCuよりなる配線パターン20Aが埋設されている。
前記配線パターン19A,20Aは図示を省略したビアプラグにより相互に電気的に接続されており、また前記配線パターン18Aはビアプラグ18Pにより前記配線パターン17Aに接続されている。
図示の例ではCu配線パターン14A,14B,15A,15B,16A〜16C,17A,17BなどはCMP工程を使ったダマシン法あるいはデュアルダマシン法で形成されるため、層間絶縁膜14〜17は平坦な主面を有することを特徴とする。また高密度プラズマ絶縁膜110もCMP工程により表面を処理されるため、平坦な主面を有する。
ところで、このような多層配線構造においては前記層間絶縁膜14〜17および対応する配線パターン15A,14B,16A〜16C,17A,17Bを形成した後、SiOC膜18を形成し、さらにこれをパターニングする必要があるが、このようなSiOC膜18のパターニング工程は、通常SiOC膜18上にSiN膜などの反射防止膜を形成し、この上に塗布したレジスト膜を露光・現像してレジストパターンを形成し、かかるレジストパターンをマスクに行われる。
図2〜4は、このようなSiOC膜のパターニング工程の例を示す。ただし図2〜4の工程は、図1の構造に対応している。以下の説明では、簡単のため、多層配線構造の断面図中、層間絶縁膜14およびそれより下の部分は、簡単のため省略するものとする。
図2を参照するに、それぞれの層間絶縁膜15〜17は、その上部および下部にSiNあるいはSiCなどよりなるバリア膜15Sおよび15T,16Sおよび16T、および17Sおよび17Tを含み、またCu配線パターン15A,15B,16A〜16C,17A,17Bは、それぞれTaNやTiNなどのバリアメタル膜15a,15b,16a〜16c,17a,17bにより覆われている。また前記SiOC膜18は、SiN膜やSiC膜よりなるエッチングストッパ膜18Mにより分割された下部層181と上部層182とより構成されており、前記下部層181の下部にはSiNやSiCよりなるエッチングストッパ膜18Sが形成されている。
また図2を参照するに、前記上部SiOC膜182上には、厚さが約50nmのSiN反射防止膜18Rが形成されている。
図2の構造は、さらに図3の工程でスピン塗布装置中に導入され、前記反射防止膜18R上にレジスト膜Rがスピン塗布法により形成される。
さらに図3の工程では前記レジスト膜Rが露光・現像され、図4の工程において、前記露光および現像工程の結果形成されたレジストパターンRpをマスクに前記反射防止膜18R、およびその下のSiOC膜182およびエッチングストッパ膜18M、さらにSiOC膜181をパターニングし、前記SiOC膜182中に前記配線パターン18Aに対応した配線溝18aを、また前記SiOC膜181中にビアホール18pを形成する。
さらに図5の工程において、図4の構造上にTaNなどのバリアメタル膜18Bを介してCuなどの導体層を堆積し、さらにこれをCMP法により研磨・除去することにより、前記配線溝18aを配線パターン18Aで充填し、さらに前記ビアホール18pをビアプラグ18Pで充填した多層配線構造が得られる。同様な工程は、層間絶縁膜19および20においても繰り返される。
一方本発明の発明者は、図2〜5に示すような、SiLKなどの低誘電率層間絶縁膜14〜17よりなる下層部において弾性定数が小さく、SiOC膜18よりなる上層部において弾性定数が大きい特徴的な力学構造を有するハイブリッド型多層配線構造の形成工程においては、特に図4の工程において前記SiN反射防止膜18Rをパターニングする際に、図6あるいは図7に示すように、パターン先端部あるいは屈曲部など、応力集中が生じやすい部位においてSiN反射防止膜18R中にクラックが生じる場合があることを見出した。ただし図6は、L字型パターンの先端部に生じたクラックの例を、図7は耐湿リングパターンの屈曲部に生じたクラックの例を示す。図6,7において、クラックは前記反射防止膜18Rに生じているものではあるが、その下のSiOC膜18中にまで延在しており、さらにその下の低誘電率膜15〜17中にまで侵入している可能性もあると考えられる。
図6の結果は、11テストパターン中、8パターンにおいて生じ、また図7の結果は11テストパターン中、1パターンにおいて生じるのが見られた。
特表平14−526916号公報
特表平14−520849号公報
本発明の他の課題は、弾性率の小さな第1の層間絶縁膜と、弾性率がより大きい第2の層間絶縁膜とを積層した構造の多層配線構造を有する半導体装置において、前記第2の層間絶縁膜を、反射防止膜を使ったフォトリソグラフィプロセスによりパターニングする際に、前記第2の層間絶縁膜中におけるクラックの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、上記の課題を、
第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された、前記第1の層間絶縁膜よりも大きな硬度および弾性率を有する第2の層間絶縁膜とを備えた多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第2の層間絶縁膜上に、反射防止膜を介してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光および現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに、前記反射防止膜および前記多層配線構造をパターニングする工程とを含み、
前記反射防止膜は、無応力あるいは圧縮応力を蓄積する膜よりなる半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、反射防止膜を、引張応力を含まない膜により形成することにより、硬度および弾性率の小さい第1の層間絶縁膜上に硬度および弾性率の大きい第2の層間絶縁膜を積層した構成の多層配線構造を有する半導体装置において、前記反射防止膜への引張応力の集中、およびこれによる、多層配線構造中におけるクラック発生の問題を回避することができる。
本発明は特に、曲率半径の小さい微細パターンを含む超微細化半導体装置において、多層配線構造のクラック発生を抑制するのに非常に有効である。
本発明のその他の課題および特徴は、以下に図面を参照しながら行う本発明の詳細な説明より明らかとなろう。
図2〜5は、図1の半導体装置における多層配線構造の形成工程を示す図;
図6〜7は、図1の半導体装置において生じる問題点を説明する図;
図8〜13は、本発明の原理を説明する図;
図14〜17は、本発明の一実施例による多層配線構造の形成工程を示す図;
図18は、本発明で使われるプラズマCVD装置の構成を示す図;
図19,20は、図18のプラズマCVD装置を使って形成されるSiN反射防止膜中の膜応力の例を示す図;
図21,22は、本発明の一実施例により多層配線構造中に形成したパターンの例を示す図である。
発明を実施するための最良の態様
[原理]
図6,7より、クラックは応力集中が生じやすい部分に発生していることから、本発明の発明者は、本発明の基礎となる研究において、図1に類似した多層配線構造について、応力解析を行った。
図8〜10は、この応力解析で使ったモデル構造20を示す。
図8を参照するに、応力解析においては、Si基板21上に厚さ1000nmのSiO2膜22を介して厚さ2200nmの芳香族炭化水素ポリマ(ダウケミカル社登録商標SiLK)よりなる有機絶縁膜23を形成し、前記有機絶縁膜23上に厚さ800nmのSiOC膜24を形成し、さらに前記SiOC膜24上にSiO2膜25膜を30nmの厚さに形成し、前記SiO2膜25上に厚さが50nmのSiN膜26を形成したモデル構造を使った。ただし、SiN膜26としては、従来より反射防止膜として使われている、屈折率nが2.25で減衰定数kが1.75の膜を使っている。また、このモデル構造では前記SiN反射防止膜26中に蓄積される引張応力の値を0.5GPaとしている。
図9は、前記モデル構造上に形成されるモデルパターン27を、また図10は、図9のモデルパターンの一部をうち、円で囲んだ角部を拡大して示す図である。
図9を参照するに、モデルパターンはシリコンウェハ上に、それぞれのチップに対応して規則的に繰り返し形成される耐湿リングパターンに対応しており、一片の長さが10μmで1μmの幅を有する。図8に示すように、前記モデルパターンは、前記SiN膜26およびその下のSiO2膜25を貫通し、SiOC膜24に達している。
また図10を参照するに、前記モデルパターンは、前記角部外側において0.3μm、内側において0.05μmの曲率半径を有している。
図11は、このようなモデル構造について行った応力解析の結果を示す。ただしこの応力解析において、前記有機絶縁膜23は0.27GPaの硬度と3.6GPaの弾性率を、SiOC膜24は3.6GPaの硬度と23.6GPaの弾性率を有するものと仮定している。
図11を参照するに、図10に示す角部において著しい引張応力の集中が生じているのがわかる。
図12は、図11の応力解析で得られた、深さ方向への引張応力分布を示す。
図12を参照するに、図8のモデル構造20においてSiO2膜25およびSiN反射防止膜26中において、非常に顕著な引張応力の集中が生じているのが明らかである。
一般に、反射防止膜として使われるSiN膜は、屈折率nや減衰係数kなどの光学特性に対する要求を満たすような条件で形成され、0.1GPaを超え0.5GPaに達する強い引張応力を蓄積することが知られている。そこで、有機絶縁膜24上により硬度および弾性率の大きなSiOC膜25を積層した図8のモデル構造20では、SiN反射防止膜26の存在により前記引張応力の集中が引き起こされているものと考えられる。このような応力集中により前記SiN反射防止膜26およびその下のSiO2膜25に生じたクラックは、さらにその下のSiOC膜24に伝播するものと考えられる。
これに対し、図8のモデル構造20において、前記SiN反射防止膜26を除去した場合の応力解析の結果を、図13に示す。
予測どおり、図13の結果では、SiO2膜25における応力集中が著しく低減している。
そこで、本発明では、前記SiN反射防止膜26を無応力膜、あるいは圧縮応力膜により形成することにより、前記SiN反射防止膜26中における引張応力の集中を回避し、もって図6,7で説明したクラック発生の問題を回避する。
[第1実施例]
図14〜17は、本発明の一実施例による半導体装置40の製造工程を示す。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図14を参照するに、本実施例においては強い引張応力を蓄積している前記SiN反射防止膜18Rの変わりに、無応力、あるいは圧縮応力を蓄積したSiN反射防止膜28Rに替えている。
以下に、前記SiN反射防止膜28Rの形成工程を説明する。
本実施例では、前記レジスト膜Rを形成する前の図2の多層構造を、図18に示すプラズマCVD装置50中に導入し、シランなどのSi原料ガスとNH3などの窒素含有ガスとを供給し、前記SiOC層間絶縁膜18上に前記SiN反射防止膜28Rを、膜中に引張応力が蓄積しないような条件下で形成する。
図18を参照するに、前記プラズマCVD装置50は、排気ポート51Aより排気される処理容器51を備え、前記処理容器51中には被処理基板52を保持する基板保持台52Aが設けられている。
前記処理容器51の上部には、前記基板保持台52A上の被処理基板52に対向するようにシャワーヘッド53が設けられ、前記シャワーヘッド53には、ライン53A,53B,53Cをそれぞれ介して、シラン(SiH4)などのSi原料ガスおよびアンモニア(NH3)などの窒素原料ガスが、窒素ガスとともに供給される。供給されたガスは、前記シャワーヘッド53の下面に形成された多数の開口部から、前記シャワーヘッド53と前記被処理基板52との間のプロセス空間52Cへと放出される。
前記シャワーヘッド53には、さらに図示を省略したインピーダンス整合器を介して周波数が13.56MHzの高周波電源54が結合されており、前記高周波電源54を駆動することにより、前記プロセス空間中にプラズマ52Bが形成される。
図示のプラズマCVD装置50では、さらに前記基板保持台52Aに、約450kHzの周波数で動作する別のRF電源55が結合されている。
図18のプラズマCVD装置50では、前記別のRF電源55から前記被処理基板52へと周波数が約450kHzの高周波電力を供給することにより、前記被処理基板52の表面近傍の空間に電界が形成され、この電界の強さを前記高周波電力により制御することにより、前記被処理基板52表面に形成されるSiN反射防止膜28中に蓄積される応力の値を制御することができる。
図19は、前記プラズマCVD装置50中において前記SiN反射防止膜28Rを、以下の表1に示すように2.6Torrの圧力下、400℃の基板温度において、シランガスを970SCCM,窒素ガスを6SLM、NH3ガスを1SLMの流量で供給し、周波数が13.56MHzの高周波電力を前記RF電源54から300Wのパワーで供給し、前記プロセス空間52B中においてSiN膜28Rを形成する際に、前記RF電源55から基板保持台52A、従って被処理基板52に供給される450kHzの高周波電力のパワーを様々に変化させた場合の、形成されるSiN膜28R中に蓄積される応力の値を示す。ただし図19中、正の応力値は引張応力を、負の応力値は圧縮応力を示す。
図19を参照するに、形成されるSiN反射防止膜28R中に蓄積される応力は前記基板52に供給される電源55からのRF電力のパワーにより大きく変化し、前記RF電力がゼロの場合には、約400MPaの非常に引張応力の大きな膜が形成されるのに対し、前記RF電力を増大させることにより、膜応力が急激に減少することがわかる。例えば前記RF電力を200Wとすることで膜応力を実質的にゼロにすることができる。前記RF電力を、200Wを超えて増大させると、膜中には圧縮応力が蓄積するようになる。
図20は、前記プラズマCVD装置50中において前記SiN反射防止膜28Rを、以下の表2に示すように2.6Torrの圧力下、400℃の基板温度において、シランガスを970SCCM,窒素ガスを1SLM、NH3ガスを1SLMの流量で供給し、周波数が13.56MHzの高周波電力を前記RF電源54から300Wのパワーで供給し、前記プロセス空間52B中においてSiN膜28Rを形成する際に、前記RF電源55から基板保持台52A、従って被処理基板52に供給される450kHzの高周波電力のパワーを図19の場合と同様に変化させた場合の、形成されるSiN膜28R中に蓄積される応力の値を示す。ただし図20中、正の応力値は引張応力を、負の応力値は圧縮応力を示す。
図20を参照するに、形成されるSiN反射防止膜28R中に蓄積される応力は前記基板52に供給される電源55からのRF電力のパワーにより大きく変化し、前記RF電力が100W程度の小さな値の場合には、約200MPaの大きな引張応力を有する膜が形成されるのに対し、前記RF電力を増大させることにより、膜応力が急激に減少することがわかる。例えば前記RF電力を200Wとすることで膜応力を実質的にゼロにすることができる。前記RF電力を、200Wを超えて増大させると、膜中には圧縮応力が蓄積するようになる。
図18のプラズマCVD装置50において被処理基板52に印加されるRFパワーをゼロに設定した場合には、上記のように非常に大きな引張応力を有する膜しか、前記SiN反射防止膜28Rとして得られず、またこの場合、処理ガスの流量や処理圧、基板温度、プラズマ電力、基板52とシャワーヘッド53との間の間隔など、他の様々なパラメータを変化させても、効果的に膜中の引張応力を低減させることはできないことが確認されている。
このようにして得られた無応力あるいは圧縮応力を有するSiN膜は、屈折率nが2.25で減衰係数kが1.75と、反射防止膜として機能しうる光学特性を有している。前記反射防止膜は、一般に約50nm程度の膜厚に形成される。
そこで、図15の工程において前記反射防止膜28R上にレジスト膜Rを形成し、さらにこれを露光・現像した場合、前記反射防止膜28Rの効果により、基板側からの反射光は効果的にカットされ、図16の工程においてビアホール18Vあるいは配線溝18Gを高い精度で形成することが可能になる。その際、前記反射防止膜28Rは無応力膜あるいは圧縮応力膜となっているため、前記ビアホール18Vあるいは配線溝18Gをパターニングしても膜28R中に応力集中によるクラック発生が生じることななく、またこのためその下のSiOC膜181あるいは182にクラックが及ぶこともない。
図21は、本実施例により形成したL字型パターンの例を、また図22は本実施例により形成した耐湿リングパターンの例を示す。図21のパターンは先に説明した図6のパターンと同一寸法および形状を有し、図22のパターンは先に説明した図7のパターンと同一の寸法および形状を有する。
図21,22よりわかるように、これらのパターンのいずれにおいてもクラックは生じていない。同様の結果が、14のテストパターンすべてについて得られた。
さらに図17の工程において前記ビアホール18Vあるいは配線溝18Gを、バリアメタル層18bの形成後Cu層により充填し、さらに余分なCu層をCMP法により除去することにより、前記ビアホール18Vおよび配線溝18GをCuプラグあるいは配線パターンにより充填した構造が得られる。
このように、本実施例によれば、前記SiN反射防止膜28Rを無応力膜あるいは圧縮応力膜とすることにより、弾性率の小さい低誘電率層間絶縁膜上に弾性率のより大きな層間絶縁膜を積層したいわゆるハイブリッド型の多層配線構造において、パターニングの際の応力集中によるクラック発生を効果的に抑制することができる。ここで無応力膜は、膜中に蓄積している応力が厳密に0Paである膜だけでなく、±100Mpa程度の膜、すなわち100Mpa以下の圧縮応力あるいは引張応力を有する膜をも含む。
なお、このような無応力あるいは圧縮応力膜よりなる反射防止膜は、SiOC膜18のパターニング時に有効であるだけでなく、その上のSiOC膜19あるいは20のパターニング時にも、クラック発生を抑制するのに有効である。
[第2実施例]
先の実施例では、前記反射防止膜28Rとして無応力あるいは圧縮応力を有し屈折率nおよび減衰係数kが反射防止膜として適当な値を有するSiN膜を使ったが、本発明は、SiN反射防止膜に限定されるものではなく、例えばSiON反射防止膜についても適用可能である。
SiON膜も通常のプラズマCVD法で形成した場合は200MPa程度の引張応力を有するが、本実施例では、プラズマガスとしてHeを使うことで、形成される膜を無応力膜あるいは圧縮応力膜とする。
以下の表3に、このようなSiON反射防止膜の形成条件を示す。
ただし表3において「ギャップ」は図18のプラズマCVD装置において、被処理基板52とシャワーヘッド53との間の距離を示す。本実施例では、基板へのRFバイアスは行っていない。
このようにして得られたSiON反射防止膜は170Mpaの圧縮応力を有し、また243nmの露光波長において2.02の屈折率nと0.69の減衰係数kとを有し、図14〜17の工程において、クラックを生じない反射防止膜28Rとして有効である。
なお、以上の本発明実施例の説明において、下層の層間絶縁膜14〜17はSiLKとしたが、本発明はこの特定の材料に限定されるものではなく、前記層間絶縁膜14〜17としてSiLKやFLARE(アライドシグナル社登録商標)などの芳香族炭化水素ポリマの他にも、無機シロキサン膜や有機シロキサン膜、多孔質膜など、比誘電率が典型的に3.0以下の膜を使うことが可能である。
また以上の本発明実施例において上層の層間絶縁膜18〜20はSiOC膜としたが、本発明はこの特定の材料に限定されるものではなく、前記層間絶縁膜18〜20としてSiO2膜はF添加SiO2膜などを使うことも可能である。
さらに本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の要旨内において様々な変形や変更が可能である。
本発明は特に、曲率半径の小さい微細パターンを含む超微細化半導体装置において、多層配線構造のクラック発生を抑制するのに非常に有効である。
Claims (10)
- 第1の配線パターンを含む第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された、前記第1の層間絶縁膜よりも大きな硬度および弾性率を有し第2の配線パターンと第2のビアプラグを含む第2の層間絶縁膜とを備え、前記第2の配線パターンが前記第1の配線パタ―ンに、前記第2のビアプラグにより接続された多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第2の層間絶縁膜上に、SiN膜かSiON膜よりなる反射防止膜を介してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光および現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに、前記反射防止膜および前記多層配線構造をパターニングする工程とを含み、
前記反射防止膜は、大きさが100MPaを超えない引張り応力、あるいは圧縮応力を蓄積する膜よりなる半導体装置の製造方法。 - 前記反射防止膜は、膜中の応力が引張応力であり、応力の値が100Mpaを超えない、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、圧縮応力を蓄積した膜である、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜はSiN膜よりなる、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜はSiN膜よりなり、プラズマCVD法により、基板に高周波バイアスを印加しながら形成され、前記高周波バイアスのパワーは、前記反射防止膜中が、100MPaを超えない引張応力膜、あるいは圧縮応力を蓄積する膜となるように設定される、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、シランガスとアンモニアガスを原料として使い、窒素プラズマ中において形成される、請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、SiON膜よりなる、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、プラズマCVD法により、Heプラズマ中において形成される、請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の層間絶縁膜は3.0以下の比誘電率を有し、前記第2の層間絶縁膜は、SiOC膜またはSiO2膜よりなる、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、プラズマCVD法により、基板に第1の高周波バイアス源からの第1の高周波を印加し、シャワーヘッドに第2の高周波バイアス源からの第2の高周波を印加しながら形成され、前記第1の高周波のパワーは、前記反射防止膜が、大きさが100MPaを超えない引張り応力、あるいは圧縮応力を蓄積する膜となるように設定される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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