JP2009031468A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素トランジスタTRを覆うパッシベーション膜17及び平坦化膜18に形成されたコンタクホールH8,H9を通して、ドレイン電極16Dに接続する第1のエッチングストッパー電極20Pと、引き出し線16Cに接続する共通電極20を形成する。その後、それらの電極20P,20を覆う絶縁膜21を形成し、絶縁膜21を選択的にドライエッチングする。その後、第1のエッチングストッパー電極20P上の残留堆積物DP2をウェットエッチングにより除去する。その後、第1のエッチングストッパー電極20Pと接続して絶縁膜21上に延びる画素電極22を形成する。
【選択図】図10
Description
10A 表示部 10T 端子部
11 能動層 12 ゲート絶縁膜
13 ゲート線 14 共通電極線
14A 配線 14B 電極
15 層間絶縁膜 16S ソース線
16D ドレイン電極 16C 引き出し線
16T 下層電極 17 パッシベーション膜
18 平坦化膜 20,52 共通電極
20P,50P 第1のエッチングストッパー電極
20T 第2のエッチングストッパー電極
21 絶縁膜 22,50 画素電極
22T 上層電極 30 第1の透明基板
31 カラーフィルタ R レジスト層
PL1 第1の偏光板 PL2 第2の偏光板
BL 光源 GL 画素選択信号線
TR 画素トランジスタ LC 液晶層
PXL 画素 TL 端子
H1〜H9,H12,13,H15 コンタクトホール
H10,H11,H14 開口部
Claims (11)
- 基板上にドレイン電極を有するスイッチング素子を形成する工程と、
前記ドレイン電極を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に前記ドレイン電極を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部を覆い前記ドレイン電極に接続する第1のエッチングストッパー電極を形成すると同時に、前記第1の絶縁膜上に共通電極を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記共通電極を覆って第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極上の前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングする第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極上の残留物をエッチングにより除去する第2のエッチング工程と、
前記第2のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記共通電極と対向する画素電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記スイッチング素子のドレイン電極と同時に外部接続用の下層電極を形成し、
前記第1のエッチングストッパー電極と同時に前記下層電極に接続する第2のエッチングストッパー電極を形成し、
前記第2の絶縁膜で前記第2のエッチングストッパー電極を覆い、
前記第1のエッチング工程により、第2のエッチングストッパー電極上の前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングし、
前記第2のエッチング工程により、前記第2のエッチングストッパー電極上の残留物をエッチングにより除去し、
前記第2のエッチング工程後に、前記画素電極の形成と同時に、前記第2のエッチングストッパー電極上に外部接続用の上層電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 基板上にスイッチング素子と共通電極線を形成する工程と、
前記スイッチング素子のドレイン電極と前記共通電極線の引き出し線とを形成する工程と、
前記ドレイン電極及び前記引き出し線を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に前記ドレイン電極を露出する第1の開口部及び前記引き出し線を露出する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部を通して前記引き出し線に接続する第1のエッチングストッパー電極を形成すると同時に、前記第1の絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記画素電極を覆って第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極上の前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングする第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極上の残留物をエッチングにより除去する第2のエッチング工程と、
前記第2のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記画素電極と対向する共通電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子のドレイン電極と共通電極線を形成する工程と、
前記ドレイン電極及び前記共通電極線を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に前記ドレイン電極を露出する第1の開口部及び前記共通電極線を露出する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部を通して前記共通電極線に接続する第1のエッチングストッパー電極を形成すると同時に、前記第1の絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記画素電極を覆って第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のエッチングストッパー電極上の前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングする第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極上の残留物をエッチングにより除去する第2のエッチング工程と、
前記第2のエッチング工程後に、前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記画素電極と対向する共通電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ドレイン電極と同時に外部接続用の下層電極を形成し、
前記第1のエッチングストッパー電極と同時に前記下層電極に接続する第2のエッチングストッパー電極を形成し、
前記第2の絶縁膜で前記第2のエッチングストッパー電極を覆い、
前記第1のエッチング工程により、第2のエッチングストッパー電極上の前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングし、
前記第2のエッチング工程により、前記第2のエッチングストッパー電極上の残留物をエッチングにより除去し、
前記第2のエッチング工程後に、前記共通電極の形成と同時に、前記第2のエッチングストッパー電極上に外部接続用の上層電極を形成することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1のエッチング工程はドライエッチング工程であり、前記第2のエッチング工程はウェットエッチング工程であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1のエッチングストッパー電極は前記開口部において第1の絶縁膜を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1のエッチングストッパー電極は前記第2の開口部において第1の絶縁膜を覆っていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 基板上に配置されドレイン電極を有したスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆い、前記ドレイン電極上に第1の開口部を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の開口部に形成され前記ドレイン電極に接続する第1のエッチングストッパー電極と、
前記第1の絶縁膜上に配置された共通電極と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記共通電極を覆い、前記第1のエッチングストッパー電極上に第2の開口部が設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の開口部を通して前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記共通電極と対向する画素電極と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 基板上に配置されドレイン電極を有したスイッチング素子と、
前記基板上に配置された共通電極線と、
前記共通電極線から延びる引き出し線と、
前記スイッチング素子、ドレイン電極及び前記引き出し線を覆い、前記ドレイン電極上に第1の開口部が設けられ前記引き出し線上に第2の開口部が設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2の開口部に形成され前記引き出し線に接続する第1のエッチングストッパー電極と、
前記第1の絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記画素電極を覆い、前記第1のエッチングストッパー電極上に第3の開口部が設けられた第2の絶縁膜と、
前記第3の開口部を通して前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記画素電極と対向する共通電極と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 基板上に配置されドレイン電極を有したスイッチング素子と、
前記基板上に配置された共通電極線と、
前記スイッチング素子、ドレイン電極及び前記共通電極線を覆い、前記ドレイン電極上に第1の開口部が設けられ前記共通電極線上に第2の開口部が設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2の開口部に形成され前記共通電極線に接続する第1のエッチングストッパー電極と、
前記第1の絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記第1のエッチングストッパー電極及び前記画素電極を覆い、前記第1のエッチングストッパー電極上に第3の開口部が設けられた第2の絶縁膜と、
前記第3の開口部を通して前記第1のエッチングストッパー電極に接続し、前記第2の絶縁膜上に延びて前記画素電極と対向する共通電極と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010256517A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Hitachi Displays Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2011059314A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011100071A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
WO2013073084A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP2014026131A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Japan Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP2014149340A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
JP2014149908A (ja) * | 2014-03-03 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014202838A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | Tftアレイ基板およびその製造方法 |
JP2015031714A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 |
JP2015511026A (ja) * | 2012-02-28 | 2015-04-13 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
JP2015145908A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9536903B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9608008B2 (en) | 2014-02-21 | 2017-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method for producing same |
US10249843B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with light transmission area |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101250319B1 (ko) * | 2009-10-06 | 2013-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
KR101056250B1 (ko) | 2009-10-21 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101049003B1 (ko) | 2009-12-01 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101101087B1 (ko) | 2009-12-09 | 2011-12-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101291716B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2013-07-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 높은 구동전압을 요구되는 액정 모드를 위한 액정표시장치 |
KR101633407B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2016-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광시야각 액정표시장치용 어레이 기판 |
KR20120002411A (ko) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 복합구성 편광판 세트 및 이를 포함하는 ips 모드 액정표시장치 |
JP2012185307A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Nec Saitama Ltd | 画像表示ユニット、画像表示制御方法および画像表示制御プログラム |
JP5318302B2 (ja) | 2011-03-25 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR101520423B1 (ko) * | 2011-04-21 | 2015-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
JP2012248743A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Japan Display West Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器 |
KR101887371B1 (ko) * | 2011-07-22 | 2018-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
US9720295B2 (en) | 2011-09-27 | 2017-08-01 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR101863148B1 (ko) * | 2011-09-27 | 2018-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
KR101863153B1 (ko) * | 2011-09-27 | 2018-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
KR101971594B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2019-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101295536B1 (ko) * | 2012-03-26 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101922088B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2018-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP6072522B2 (ja) | 2012-11-29 | 2017-02-01 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
CN104166278B (zh) * | 2013-05-16 | 2019-03-01 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 像素阵列基板 |
CN103943628B (zh) | 2013-10-14 | 2017-01-11 | 上海天马微电子有限公司 | Tft阵列基板、制造方法及其显示面板 |
CN103928472A (zh) * | 2014-03-26 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
KR101600306B1 (ko) * | 2014-04-17 | 2016-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
TW201612606A (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-01 | Au Optronics Corp | Fabricating methods of pixel structure and liquid crystal display panel |
KR102432645B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2022-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
CN105070684B (zh) | 2015-07-17 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN105261591B (zh) * | 2015-08-19 | 2018-05-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
WO2017077997A1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | シャープ株式会社 | 表示基板及び表示装置 |
US10663821B2 (en) * | 2015-11-06 | 2020-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display board having insulating films and terminals, and display device including the same |
CN105742292B (zh) * | 2016-03-01 | 2019-02-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及制得的阵列基板 |
CN105826330A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
JP2018120123A (ja) | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び基板間導通構造 |
CN106707587A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-05-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及装置 |
CN111527445A (zh) * | 2017-12-28 | 2020-08-11 | 株式会社日本显示器 | 基板及电泳装置 |
CN109148481B (zh) * | 2018-08-21 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性阵列基板及其制作方法 |
CN109686745A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
US11626520B2 (en) * | 2019-02-06 | 2023-04-11 | Japan Display Inc. | Semiconductor substrate and display device |
CN114326231B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-10-13 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6449026B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-09-10 | Hyundai Display Technology Inc. | Fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JP4677654B2 (ja) | 2000-04-19 | 2011-04-27 | 日本電気株式会社 | 透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100620322B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
US6620655B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-09-16 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same |
JP4556341B2 (ja) | 2001-03-30 | 2010-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
KR100748857B1 (ko) | 2001-03-30 | 2007-08-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터와 이를 포함하는 어레이기판 제조방법 |
JP4302347B2 (ja) | 2001-12-18 | 2009-07-22 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
KR100412619B1 (ko) | 2001-12-27 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
JP4813842B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-11-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2007114360A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Nec Lcd Technologies Ltd | 薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007226175A (ja) | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
-
2007
- 2007-07-26 JP JP2007194170A patent/JP4487318B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-08 US US12/169,419 patent/US7952671B2/en active Active
- 2008-07-11 DE DE602008000697T patent/DE602008000697D1/de active Active
- 2008-07-11 EP EP08252378A patent/EP2023194B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-24 KR KR1020080072288A patent/KR100981485B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-25 TW TW097128443A patent/TWI368096B/zh active
- 2008-07-25 CN CN2008101440342A patent/CN101354513B/zh active Active
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11967598B2 (en) | 2006-09-29 | 2024-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10930683B2 (en) | 2006-09-29 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10297618B2 (en) | 2006-09-29 | 2019-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9842861B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9536903B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2010256517A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Hitachi Displays Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2011059314A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011100071A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
US8471992B2 (en) | 2009-11-09 | 2013-06-25 | Japan Display Central Inc. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US9312283B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-04-12 | Joled Inc. | Method for producing display panel, and display panel |
WO2013073084A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP2015511026A (ja) * | 2012-02-28 | 2015-04-13 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
JP2014026131A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Japan Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP2014149340A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
US9640557B2 (en) | 2013-04-03 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | TFT array substrate and method for producing the same |
JP2014202838A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | Tftアレイ基板およびその製造方法 |
JP2015031714A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 |
JP2015145908A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9837449B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-12-05 | Japan Display Inc. | Display device with contact between an electrode of a thin film transistor and a pixel electrode |
US9608008B2 (en) | 2014-02-21 | 2017-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method for producing same |
JP2014149908A (ja) * | 2014-03-03 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10249843B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with light transmission area |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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