CN101354513A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于在采用相对透明基板处于基本水平方向的电场控制液晶的液晶显示装置中，抑制电极之间的接触电阻的增加，并抑制合格率的降低。形成通过形成于覆盖像素晶体管(TR)的钝化膜(17)和平坦化膜(18)的接触孔(H8，H9)、与漏电极(16D)连接的第1蚀刻阻挡电极(20P)和与引出线(16C)连接的共用电极(20)。此后，形成覆盖这些电极(20P，20)的绝缘膜(21)，有选择地对绝缘膜(21)进行干式蚀刻。然后，通过湿式蚀刻而去除第1蚀刻阻挡电极(20P)上的残留堆积物(DP2)。然后，形成与第1蚀刻阻挡电极(20P)连接、在绝缘膜(21)上延伸的像素电极(22)。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法，本发明特别是涉及采用相对透明基板处于基本水平方向的电场来控制液晶的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
作为获得较高对比度和较宽视场角的液晶显示装置，人们知道有采用相对透明基板处于基本水平方向的电场的液晶显示装置，即，通过FFS(Fringe-Field Switching，边缘场开关)模式、IPS(In-Plain Switching，面内开关)模式等工作的液晶显示装置。
在该液晶显示装置中，在一个透明基板，设置被供给显示信号的像素电极、被供给共用电位的共用电极的两者。像素电极与形成于该透明基板的像素晶体管的漏电极连接，共用电极与形成于该透明基板、供给共用电位的共用电极线的引出线连接。另外，在端子部，形成外部连接用的下层电极和叠置于其上的上层电极。
在这里，漏电极、引出线、下层电极暂时通过绝缘膜覆盖。然后，对绝缘膜，进行干式蚀刻，由此，形成使漏电极、引出线、下层电极露出的各开口部。然后，漏电极、引出线、下层电极通过各开口部，分别与像素电极，共用电极、上层电极连接。
另外，在专利文献1中记载有采用相对透明基板处于基本水平方向的电场来控制液晶的液晶显示装置。
专利文献1：JP特开2002-296611号文献
但是，在上述液晶显示装置的制造方法中，在将像素晶体管的漏电极和像素电极连接的步骤中，在这些电极之间，夹置有在干式蚀刻时产生的残留堆积物，由此，存在接触电阻增加的情况。另外，存在：还在端子部的下层电极和上层电极之间夹置有残留堆积物，不仅导致接触电阻增加，而且还发生以该残留堆积物为起因的上层电极的剥离、连接不良的情况。其结果是，产生显示不良、信号传送的延迟等的问题。
相对该问题，人们考虑通过蚀刻而去除上述残留堆积物。但是，在通过蚀刻去除残留堆积物时，由于同时将本来不应去除的其它的层蚀刻，故产生形成不良、导致合格率降低。
发明内容
本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于其包括：在基板上形成具有漏电极的开关元件的步骤；形成覆盖上述漏电极的第1绝缘膜的步骤；在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的开口部的步骤；在形成覆盖上述开口部、与上述漏电极连接的第1蚀刻阻挡电极的同时，在上述第1绝缘膜上形成共用电极的步骤；覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极，形成第2绝缘膜的步骤；第1蚀刻步骤，其有选择地对上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜进行蚀刻；第2蚀刻步骤，其在上述第1蚀刻步骤之后，通过蚀刻，去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及在上述第2蚀刻步骤之后，形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述共用电极对向的像素电极的步骤。
另外，本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于，该方法包括：在基板上形成开关元件和共用电极线的步骤；形成上述开关元件的漏电极和上述共用电极线的引出线的步骤；形成覆盖上述漏电极和上述引出线的第1绝缘膜的步骤；在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述引出线露出的第2开口部的步骤；在形成通过上述第2开口部与上述引出线连接的第1蚀刻阻挡电极的同时，在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤；覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，形成第2绝缘膜的步骤；第1蚀刻步骤，其有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；第2蚀刻步骤，其在上述第1蚀刻步骤后，通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及在上述第2蚀刻步骤之后，形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述像素电极对向的共用电极的步骤。
此外，本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于，该方法包括：在基板上形成开关元件的步骤；形成上述开关元件的漏电极和共用电极线的步骤；形成覆盖上述漏电极和上述共用电极线的第1绝缘膜的步骤；在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述共用电极线露出的第2开口部的步骤；在形成通过上述第2开口部与上述共用电极线连接的第1蚀刻阻挡电极的同时，在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤；覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，形成第2绝缘膜的步骤；第1蚀刻步骤，其有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；第2蚀刻步骤，其在上述第1蚀刻步骤后，通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及在上述第2蚀刻步骤之后，形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述像素电极对向的共用电极的步骤。
另外，本发明的液晶显示装置的特征在于，其包括：设置于基板上，具有漏电极的开关元件；覆盖上述开关元件，在上述漏电极上具有第1开口部的第1绝缘膜；第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第1开口部，与上述漏电极连接；设置于上述第1绝缘膜上的共用电极；第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置第2开口部；以及像素电极，其通过上述第2开口部与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述共用电极对向。
此外，本发明的液晶显示装置的特征在于，其包括：开关元件，其设置于基板上，具有漏电极；共用电极线，其设置于上述基板上；引出线，其从上述共用电极线延伸；第1绝缘膜，其覆盖上述开关元件、漏电极和上述引出线，在上述漏电极上设置第1开口部，在上述引出线上设置第2开口部；第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第2开口部，与上述引出线连接；设置于上述第1绝缘膜上的像素电极；第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置第3开口部；以及共用电极，其通过上述第3开口部与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
另外，本发明的液晶显示装置的特征在于，其包括：开关元件，其设置于基板上，具有漏电极；共用电极线，其设置于上述基板上；第1绝缘膜，其覆盖上述开关元件、漏电极和上述共用电极线，在上述漏电极上设置第1开口部，在上述共用电极线上设置第2开口部；第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第2开口部，与上述共用电极线连接；设置于上述第1绝缘膜上的像素电极；第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置第3开口部；以及共用电极，其通过上述第3开口部，与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
另外，本发明的液晶显示装置的特征在于，其包括：设置于上述基板上，由上述第1绝缘膜覆盖的外部连接用的下层电极；第2蚀刻阻挡电极，其形成于上述第1绝缘膜上，通过上述第1绝缘膜的开口部，与上述下层电极连接；以及外部连接用的上层电极，其形成于上述第2绝缘膜上，通过上述第2绝缘膜的开口部，与上述第2蚀刻阻挡电极连接。
此外，本发明的液晶显示装置的特征在于，其包括：与上述基板对向设置的对向基板；和由上述基板和上述对向基板夹持的液晶，通过上述共用电极和像素电极之间的电场，控制上述液晶的取向方向。
按照本发明，在采用相对透明基板处于基本水平方向的电场来控制液晶的液晶显示装置中，抑制电极之间的接触电阻的增加，并且抑制合格率的降低。另外，可避免开口率的降低。
附图说明
图1为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的概略构成的俯视图；
图2为表示图1的显示部的像素的放大俯视图；
图3为表示图1的端子部的端子的放大俯视图；
图4为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图5为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图6为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图7为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图8为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图9为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图10为表示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图11为表示已有实例的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图12为表示本发明的第2实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图13为表示本发明的第2实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图14为表示本发明的第2实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图15为表示本发明的第2实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图；
图16为表示本发明的第2实施形态的液晶显示装置的制造方法的剖视图。
标号的说明：
标号10表示第1透明基板；
标号10A表示显示部；
标号10T表示端子部；
标号11表示有源层；
标号12表示栅绝缘膜；
标号13表示栅线；
标号14表示共用电极线；
标号14A表示布线；
标号14B表示电极；
标号15表示层间绝缘膜；
标号16S表示源线；
标号16D表示漏电极；
标号16C表示引出线；
标号16T表示下层电极；
标号17表示钝化膜；
标号18表示平坦化膜；
标号20、52表示共用电极；
标号20P、50P表示第1蚀刻阻挡电极；
标号20T表示第2蚀刻阻挡电极；
标号21表示绝缘膜；
标号22、50表示像素电极；
标号22T表示上层电极；
标号30表示第1透明基板；
标号31表示滤色器；
标号R表示抗蚀层；
标号PL1表示第1偏振板；
标号PL2表示第2偏振板；
标号BL表示光源；
标号GL表示像素选择信号线；
标号TR表示像素晶体管；
标号LC表示液晶层；
标号PXL表示像素；
标号TL表示端子；
标号H1～H9、H12、H13、H15表示接触孔；
标号H10、H11、H14表示开口部。
具体实施方式
下面参照附图，对本发明的第1实施形态的液晶显示装置的俯视构成进行说明。图1为表示本实施形态的液晶显示装置的概略构成的俯视图。另外，图2为从形成于图1的显示部10A的多个像素PXL中，仅仅以放大方式表示3个像素PXL的俯视图。该图表示按照FFS模式进行工作的场合的构成。图3是从图1的端子部10T的多个端子TL中以放大方式表示1个的俯视图。在图1～图3中，为了便于说明，仅仅示出主要的构成要件。
另外，在之后的俯视构成的说明中，为了补全接触孔H1～H13的构成，还参照栅绝缘膜12、层间绝缘膜15、钝化膜17、平坦化膜18，关于这些部分的叠层关系，在后述的液晶显示装置的制造方法的说明中给出。
像图1所示的那样，在该液晶显示装置中，设置有配置多个像素PXL的显示部10A与配置外部连接用的多个端子TL的端子部10T。在显示部10A中，像图2所示的那样，对应于供给栅信号的栅线13与供给源信号(显示信号)的源线16S的交叉点，设置各像素PXL。
在各像素PXL的第1透明基板10上，设置将栅线13作为栅电极的薄膜晶体管等的像素晶体管TR。像素晶体管TR的源通过形成于栅绝缘膜12和层间绝缘膜15的接触孔H1，与源线16S连接，其漏通过形成于栅绝缘膜12和层间绝缘膜15的接触孔H2，与漏电极16D连接。漏电极16D通过形成于钝化膜17的接触孔H5和形成于平坦化膜18的接触孔H8，与第1蚀刻阻挡电极20P连接。在与第1蚀刻阻挡电极20P相同的层，形成由与其相同的导电材料形成的共用电极20。像素晶体管TR为本发明的开关元件的一个实例。
第1蚀刻阻挡电极20P和共用电极20由绝缘膜21覆盖。第1蚀刻阻挡电极20P通过形成于绝缘层21的接触孔H12，与设置于绝缘膜21上的像素电极22连接。像素电极22具有多个缝隙部和线状部平行而交替地延伸的形状。共用电极20与在显示部10A的端部附近延伸、供给共用电位的共用电极线(未图示)，通过接触孔(未图示)而连接。另外，共用电极20、绝缘膜21、像素电极22按照此顺序叠置，由此，形成按照一定期间保持源信号的保持电容。另外，也可独立于此，而形成与像素晶体管TR的漏连接、按照一定期间保持源信号而将其供给像素电极22的另1个保持电容(图中未示出)。
另一方面，端子部10T的端子TL像图3所示的那样，在第1透明基板10上，设置从显示部10A的像素PXL等延伸到端子部10T的布线14A，其一部分和下层电极16T通过形成于层间绝缘膜15的接触孔H4而连接。下层电极16T通过形成于钝化膜17的接触孔H7，与第2蚀刻阻挡电极20T连接，第2蚀刻阻挡电极20T通过形成于平坦化膜18的接触孔H13，与上层电极22T连接。在上层电极22T，连接从外部的驱动电路(图中未示出)延伸的FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印制电路)、COG(ChipOn Glass，玻璃上芯片)等的端子(图中未示出)。
在上述构成的像素PXL中，对应于从栅线13供给的像素选择信号，像素晶体管TR导通，通过源线16S和像素晶体管TR，将源信号供给像素电极22。此时，在共用电极20和像素电极22之间，对应于源信号，沿第1透明基板10的基本水平方向而产生电场，对应于该电场，液晶(图中未示出)的取向方向变化，由此，进行显示的光学的控制。另外，对端子TL，经由FPC等，从驱动电路(图中未示出)，供给像素选择信号、源信号等的驱动信号。
下面参照剖视图，对该液晶显示装置的制造方法进行说明。图4(A)～图9(A)和图10表示该液晶显示装置的显示部10A的1个像素PXL，并且还一并表示延伸于显示部10A的端部附近的共用电极线14。另外，图4(B)～图9(B)表示端子部10T的端子TL的剖视图。另外，在图4～图10中，对与图1～图3所示的部件相同的构成要件采用同一标号而参照。
首先，像图4(A)和图4(B)所示的那样，在显示部10A的第1透明基板10中，在像素PXL的形成区域的、要形成像素晶体管TR的区域，形成有源层11。在第1透明基板10上，按照覆盖有源层11上的方式形成栅绝缘膜12。在与有源层11重叠的栅绝缘膜12上形成栅线13，在显示部10A的端部附近的栅绝缘膜12上，形成共用电极线14。另外，在端子部10T的第1透明基板10，形成从显示部10A延伸的布线14A和调整该布线14A附近的端子TL的膜厚度用的电极14B。共用电极线14、布线14A、电极14B最好由钼或钼合金形成。
在栅绝缘膜12上，覆盖栅线13、共用电极线14、布线14A、电极14B，形成层间绝缘膜15。在该层间绝缘膜15上，形成通过接触孔H1而与有源层11的源连接的源线16S，形成通过接触孔H2而与有源层11的漏连接的漏电极16D。另外，在层间绝缘膜15上，形成通过接触孔H3、与共用电极线14连接的引出线16C。
另外，在端子部10T的层间绝缘膜15上，形成通过接触孔H4而与布线14A连接，在电极14B上延伸的下层电极16T。源线16S、漏电极16D、引出线16C、下层电极16T均通过同一层而同时地形成，其为依次形成有钛、铝、钛的叠层体。在层间绝缘膜15上，形成覆盖源线16S、漏电极16D、引出线16C、下层电极16T的作为绝缘膜的钝化膜17。该钝化膜17为在比如，300～400℃的环境下成膜的氮化硅膜。钝化膜17为本发明的第1绝缘膜的一个实例。
然后，对钝化膜17，进行以抗蚀层(图中未示出)为掩模的干式蚀刻，由此，在显示部10A的钝化膜17，形成使漏电极16D露出的接触孔H5和使引出线16C露出的接触孔H6。与此同时，在端子部10T的钝化膜17，形成使下层电极16T露出的接触孔H7。
接着，在去除上述抗蚀层之后，在接触孔H5、H6、H7内和钝化膜17上，形成覆盖它们的有机膜等的平坦化膜18。接着，对平坦化膜18，进行以其它抗蚀层(图中未示出)为掩模的干式蚀刻，由此，在接触孔H5内，形成使漏电极16D露出的接触孔H8，在接触孔H6内形成使引出线16C露出的接触孔H9。另外，在端子部10T，将平坦化膜18去除，再次在接触孔H7内使下层电极16T露出。平坦化膜18为本发明的第1绝缘膜的一个实例。
在该干式蚀刻时，在接触孔H7、H8、H9的内部，在漏电极16D的表面、引出线16C的表面和下层电极16T的表面的钛上，形成上述抗蚀层的构成成分的聚合物等的残留堆积物DP1。
另外，通过感光性树脂膜形成平坦化膜18，由此，也可在不采用上述其它的抗蚀层的情况下形成接触孔H8、H9，但是，同样在此场合，存在形成残留堆积物DP1的情况。
然后，进行将上述抗蚀层作为掩模、将HF等作为蚀刻溶液的湿式蚀刻，由此，对残留堆积物DP1进行蚀刻去除处理。此时，由于残留堆积物DP1相对钝化膜17和平坦化膜18，蚀刻速率较大，故不产生相对钝化膜17和平坦化膜18构成问题的过度蚀刻。
接着，像图5(A)和图5(B)所示的那样，形成在接触孔H8内延伸、与漏电极16D连接的第1蚀刻阻挡电极20P。另外，与此同时，形成：通过接触孔H9与引出线16C连接的、在平坦化膜18上延伸、与第1蚀刻阻挡电极20P离开且包围其的共用电极20。另外，与此同时，在端子部10T，形成通过接触孔H7与下层电极16T连接的第2蚀刻阻挡电极20T。第1蚀刻阻挡电极20P、共用电极20与第2蚀刻阻挡电极20T由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电材料形成。第1蚀刻阻挡电极20P和第2蚀刻阻挡电极20T的膜厚度最好为100nm左右。
然后，像图6(A)和图6(B)所示的那样，在显示部10A的平坦化膜18上，形成覆盖第1蚀刻阻挡电极20P和共用电极20的绝缘膜21。与此同时，在端子部10T，在钝化膜17上，形成覆盖第2蚀刻阻挡电极20T的绝缘膜21。绝缘膜21由在比如200℃左右的环境下低温成膜的氮化硅膜形成。绝缘膜21为本发明的第2绝缘膜的一个实例。
之后，像图7(A)和图7(B)所示的那样，在绝缘膜21上形成抗蚀层R。在抗蚀层R中，在第1蚀刻阻挡电极20P上与第2蚀刻阻挡电极20T上，分别形成开口部H10、H11。
然后，像图8(A)和图8(B)所示的那样，以抗蚀层R为掩模，采用SF6或CF4+O2等的蚀刻气体，对绝缘膜21进行干式蚀刻，在接触孔H8的内部，形成使第1蚀刻阻挡电极20P露出的接触孔H12。与此同时，在接触孔H7的内部，形成使第2蚀刻阻挡电极20T露出的接触孔H13。相对该绝缘膜21的干式蚀刻为本发明的第1蚀刻步骤的一个实例。在显示部10A中，在该干式蚀刻时，第1蚀刻阻挡电极20P用作蚀刻阻挡部，阻止干式蚀刻的进行，由此，平坦化膜18不曝露于蚀刻气体中，维持良好的接触孔的形状。
此外，在该干式蚀刻时，在第1蚀刻阻挡电极20P的表面上以及在第2蚀刻阻挡电极20T的表面上，形成抗蚀层R的构成成分的聚合物等的残留堆积物DP2。
接着，进行将上述抗蚀层R作为掩模、将HF等作为蚀刻溶液的湿式蚀刻，由此，对残留堆积物DP2进行蚀刻去除处理。该以HF等为蚀刻溶液的湿式蚀刻为本发明的第2蚀刻步骤的一个实例。
此时，在显示部10A的接触孔H12的内部，通过第1蚀刻阻挡电极20P，阻止湿式蚀刻的进行，抑制对钝化膜17或平坦化膜18的蚀刻。另外，在端子部10T的接触孔H13的内部，通过第2蚀刻阻挡电极20T，阻止湿式蚀刻的进行，抑制对钝化膜17的蚀刻。
接着，在抗蚀层R的去除之后，像图9(A)和图9(B)所示的那样，在显示部10A，形成通过接触孔H12与第1蚀刻阻挡电极20P连接、在绝缘膜21上延伸的像素电极22。像素电极22由比如，ITO等的透明导电材料形成，多个缝隙部和线状部平行而交替地设置。
与此同时，在端子部10T，通过与像素电极22相同的透明导电材料，形成通过接触孔H13与第2蚀刻阻挡电极20T连接的上层电极22T。像这样，在端子部10T，形成以上层电极为最上层的电极的端子TL。
然后，像图10所示的那样，在显示部10A，按照与第1透明基板10对向的方式，贴合第2透明基板30，在这些基板之间密封有液晶LC。另外，在上述各步骤中，适当地形成第1偏振板PL1、第2偏振板PL2、滤色器31与取向膜(图中未示出)等。另外，按照与第1透明基板10对向的方式，设置背光源等的光源BL。
在像这样完成的液晶显示装置中，在漏电极16D和像素电极22之间，不会夹置残留堆积物DP1、DP2，由此，可抑制这些电极之间的接触电阻的增加。同样，在端子TL的下层电极16T和上层电极22T之间，不会夹置残留堆积物DP1、DP2，由此，可抑制这些电极之间的接触电阻的增加。
如果不像上述方案那样形成第1蚀刻阻挡电极20P和第2蚀刻阻挡电极20T，则由于对钝化膜17或平坦化膜18的蚀刻，产生形成不良。即，合格率降低。或者，为了避免该问题，残留堆积物DP2未被进行蚀刻去除处理而残留，由此，漏电极16D和像素电极22的接触电阻增加。另外，在端子TL中，不但与上述相同的接触电阻增加，而且由于残留堆积物DP2，导致上层电极22T剥离。按照本发明的上述步骤，可通过第1蚀刻阻挡电极20P和第2蚀刻阻挡电极20T的形成，同时消除这些问题。
另外，在图7和图8的步骤中，在对绝缘膜21进行干式蚀刻时，在抗蚀层R的图形，即，开口部H10、H11的尺寸、形成位置，产生误差的场合，像图11(A)所示的那样，在接触孔H8的内部，导致对平坦化膜18进行蚀刻处理。在被蚀刻处理的部位OE，像图11(B)所示的那样，在由此后的步骤形成的像素电极22中产生断裂。即，导致像素PXL的显示不良。
为了应对该问题，可考虑在抗蚀层R的开口部H10、H11的尺寸、形成位置方面，在设计时确保裕量(margin)。但是，由于该裕量，产生像素PXL的开口率的降低的另一问题。相对该情况，按照本发明，通过第1蚀刻阻挡电极20P和第2蚀刻阻挡电极20T，抑制上述蚀刻，不必确保上述裕量，由此，可避免开口率的降低。
另外，本发明也可针对下述情况适用，上述情况为，在上述第1实施形态中，共用电极20形成于绝缘膜21的上层，像素电极22形成于绝缘膜21的下层。针对该场合，下面参照附图，对本发明的第2实施形态进行说明。图12～图16表示本实施形态的液晶显示装置中的显示部10A的像素PXL，并且一并表示在显示部10A的端部附近延伸的共用电极线14的附近。
此外，在图12～图16中，对于与图4～图10所示的部件相同的构成要件，采用同一标号，省略对其的说明。
在本实施形态的液晶显示装置的制造方法中，最初的步骤与在第1实施形态中图4所示的步骤相同。在这里，对其以后的步骤进行说明。其中，将图4的残留堆积物DP1作为通过蚀刻已去除的类型而说明。另外，由于端子部10T的各步骤与图4(B)～图9(B)相同，故省略对其的说明。图5(B)～图9(B)的各步骤分别对应于图12～图16的各步骤。
在本实施形态中，像图12所示的那样，首先，形成：通过接触孔H8与漏电极16D连接，在平坦化膜18上延伸的像素电极50。与此同时，形成：在接触孔H9内延伸，与引出线16C连接的第1蚀刻阻挡电极50P。像素电极50和第1蚀刻阻挡电极50P由ITO(Indium Tin Oxide)等的透明导电材料形成。像素电极50和第1蚀刻阻挡电极50P，与端子部10T的第2蚀刻阻挡电极20T同时地形成。第1蚀刻阻挡电极50P的膜厚度最好为100nm左右。
接着，像图13所示的那样，覆盖像素电极50和第1蚀刻阻挡电极50P，形成绝缘膜21。然后，像图14所示的那样，在绝缘膜21上，形成抗蚀层R。在抗蚀层R中，代替第1实施形态的开口部H10(参照图7和图8)，而在第1蚀刻阻挡电极50P上，形成开口部H14。
然后，像图15所示的那样，将抗蚀层R作为掩模，进行对绝缘膜21的干式蚀刻，在接触孔H9的内部，形成使第1蚀刻阻挡电极50P露出的接触孔H15。对该绝缘膜21的干式蚀刻为本发明的第1蚀刻步骤的一个实例。
此时，在第1蚀刻阻挡电极20P的表面上，形成抗蚀层R的构成成分的聚合物等的残留堆积物DP2。
接着，进行将上述抗蚀层R作为掩模、将HF等作为蚀刻溶液等的湿式蚀刻，由此，对残留堆积物DP2进行蚀刻去除。该以HF等为蚀刻溶液的湿式蚀刻为本发明的第2蚀刻步骤的一个实例。
此时，在接触孔H15中，通过第1蚀刻阻挡电极50P，阻止蚀刻的进行，抑制对平坦化膜18或钝化膜17的蚀刻。
之后，在去除抗蚀层R之后，像图16所示的那样，在显示部10A中，形成：通过接触孔H15与第1蚀刻阻挡电极50P连接，在绝缘膜21上延伸的共用电极52。共用电极52由比如ITO等的透明导电材料形成，多个缝隙部和线状部平行而交替地设置。
然后，与图10的步骤相同，在显示部10A，按照与第1透明基板10对向的方式贴合第2透明基板30，在这些基板之间，密封有液晶LC。另外，在上述各步骤，适当地形成第1偏振板PL1、第2偏振板PL2、滤色器31、取向膜(图中未示出)等。同样在像这样制成的本实施形态的液晶显示装置中，可获得与第1实施形态相同的效果。
另外，作为本发明的第3实施形态，也可针对图4～图10的第1实施形态，代替形成共用电极14、接触孔H3和引出线16C，而将以与漏电极16D、下层电极16T相同的层形成的共用电极线设置于与共用电极20重叠的位置的层间绝缘膜15上。
同样，作为本发明的第4实施形态，还可针对图12～图16的第2实施形态，代替形成共用电极14、接触孔H3与引出线16C，而将以与漏电极16D、下层电极16T相同的层形成的共用电极线设置于与第1蚀刻阻挡电极50P重叠的位置的层间绝缘膜15上。同样在第3和第4实施形态中，可获得与第1和第2实施形态相同的效果。
此外，在上述第1～第4实施形态中，共用电极线14在显示部10A的端部附近延伸，但是，本发明并不限于此。即，也可为下述的构成，其中，共用电极线14在显示部10A内的像素PXL内或像素PXL的附近延伸，与共用电极20连接。在此场合，特别是第2和第4实施形态中，可获得抑制由具有多个缝隙部和线状部的共用电极20引起的电阻的增加的效果。
另外，在上述第1～第4实施形态中，第1蚀刻阻挡电极20P、50P和第2蚀刻阻挡电极20T为透明导电材料，但是，也可为非透明的导电材料。
此外，在上述第1～第4实施形态中，像素PXL按照FFS模式而工作，但是，本发明并不限于此。即，如果本发明采用相对第1透明基板10处于基本水平方向的电场来控制液晶LC，也可适用于按照上述以外的模式工作的液晶显示装置。比如，像素PXL也可按照IPS模式工作。在此场合，在同一透明基板上，线状的像素电极和共用电极按照预定间隔而交替地设置。

Claims (13)

1.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成具有漏电极的开关元件的步骤；
形成覆盖上述漏电极的第1绝缘膜的步骤；
在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的开口部的步骤；
覆盖上述开口部、形成与上述漏电极连接的第1蚀刻阻挡电极，同时在上述第1绝缘膜上形成共用电极的步骤；
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极，形成第2绝缘膜的步骤；
第1蚀刻步骤，其中，有选择地对上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜进行蚀刻；
第2蚀刻步骤，其中，在上述第1蚀刻步骤之后，通过蚀刻来去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及
在上述第2蚀刻步骤之后，形成像素电极的步骤，该像素电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述共用电极对向。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
与上述开关元件的漏电极同时地，形成外部连接用的下层电极；
与上述第1蚀刻阻挡电极同时地，形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极；
通过上述第2绝缘膜，覆盖上述第2蚀刻阻挡电极；
通过上述第1蚀刻步骤，有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；
通过上述第2蚀刻步骤，以蚀刻方式来去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物；
在上述第2蚀刻步骤后，与上述像素电极的形成同时地，在上述第2蚀刻阻挡电极上，形成外部连接用的上层电极。
3.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成开关元件和共用电极线的步骤；
形成上述开关元件的漏电极和上述共用电极线的引出线的步骤；
形成覆盖上述漏电极和上述引出线的第1绝缘膜的步骤；
在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述引出线露出的第2开口部的步骤；
形成通过上述第2开口部与上述引出线连接的第1蚀刻阻挡电极，同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤；
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，形成第2绝缘膜的步骤；
第1蚀刻步骤，其中，有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；
第2蚀刻步骤，其中，在上述第1蚀刻步骤后，通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及
在上述第2蚀刻步骤之后，形成共用电极的步骤，该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
4.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成开关元件的步骤；
形成上述开关元件的漏电极和共用电极线的步骤；
形成覆盖上述漏电极和上述共用电极线的第1绝缘膜的步骤；
在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述共用电极线露出的第2开口部的步骤；
形成通过上述第2开口部与上述共用电极线连接的第1蚀刻阻挡电极，同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤；
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，形成第2绝缘膜的步骤；
第1蚀刻步骤，其中，有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；
第2蚀刻步骤，其中，在上述第1蚀刻步骤后，通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物；以及
在上述第2蚀刻步骤之后，形成共用电极的步骤，该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
与上述漏电极同时地，形成外部连接用的下层电极；
与上述第1蚀刻阻挡电极同时地，形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极；
通过上述第2绝缘膜覆盖上述第2蚀刻阻挡电极；
通过上述第1蚀刻步骤，有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜；
通过上述第2蚀刻步骤，以蚀刻方式去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物；
在上述第2蚀刻步骤之后，与上述共用电极的形成同时地，在上述第2蚀刻阻挡电极上形成外部连接用的上层电极。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：上述第1蚀刻步骤为干式蚀刻步骤，上述第2蚀刻步骤为湿式蚀刻步骤。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：上述第1蚀刻阻挡电极在上述开口部，覆盖第1绝缘膜。
8.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：上述第1蚀刻阻挡电极在上述第2开口部，覆盖第1绝缘膜。
9.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
设置于基板上，具有漏电极的开关元件；
覆盖上述开关元件，在上述漏电极上具有第1开口部的第1绝缘膜；
第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第1开口部，与上述漏电极连接；
设置于上述第1绝缘膜上的共用电极；
第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置有第2开口部；以及
像素电极，其通过上述第2开口部与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述共用电极对向。
10.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
开关元件，其设置于基板上，具有漏电极；
共用电极线，其设置于上述基板上；
引出线，其从上述共用电极线延伸；
第1绝缘膜，其覆盖上述开关元件、漏电极和上述引出线，在上述漏电极上设置有第1开口部，在上述引出线上设置有第2开口部；
第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第2开口部，与上述引出线连接；
设置于上述第1绝缘膜上的像素电极；
第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置有第3开口部；以及
共用电极，其通过上述第3开口部与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
11.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
开关元件，其设置于基板上，具有漏电极；
共用电极线，其设置于上述基板上；
第1绝缘膜，其覆盖上述开关元件、漏电极和上述共用电极线，在上述漏电极上设置有第1开口部，在上述共用电极线上设置有第2开口部；
第1蚀刻阻挡电极，其形成于上述第2开口部，与上述共用电极线连接；
设置于上述第1绝缘膜上的像素电极；
第2绝缘膜，其覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极，在上述第1蚀刻阻挡电极上设置有第3开口部；以及
共用电极，其通过上述第3开口部与上述第1蚀刻阻挡电极连接，在上述第2绝缘膜上延伸，与上述像素电极对向。
12.根据权利要求9～11中的任意一项所述的液晶显示装置，其特征在于，包括：
外部连接用的下层电极，其设置于上述基板上，被上述第1绝缘膜覆盖；
第2蚀刻阻挡电极，其形成于上述第1绝缘膜上，通过上述第1绝缘膜的开口部，与上述下层电极连接；以及
外部连接用的上层电极，其形成于上述第2绝缘膜上，通过上述第2绝缘膜的开口部，与上述第2蚀刻阻挡电极连接。
13.根据权利要求9～12中的任意一项所述的液晶显示装置，其特征在于，包括：
与上述基板对向设置的对向基板；和
由上述基板和上述对向基板夹持的液晶；
通过上述共用电极和像素电极之间的电场，控制上述液晶的取向方向。
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