CN105242467B - 显示器件及其制造方法 - Google Patents

显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105242467B
CN105242467B CN201510671735.1A CN201510671735A CN105242467B CN 105242467 B CN105242467 B CN 105242467B CN 201510671735 A CN201510671735 A CN 201510671735A CN 105242467 B CN105242467 B CN 105242467B
Authority
CN
China
Prior art keywords
protective layer
connecting line
electrode
display device
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510671735.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105242467A (zh
Inventor
禹允焕
申熙善
金景妿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105242467A publication Critical patent/CN105242467A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105242467B publication Critical patent/CN105242467B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208—Touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Abstract

本发明涉及一种显示器件以及其制造方法。所述显示器件包括薄膜晶体管、第一保护层、第二保护层、像素电极、连接线、第三保护层以及公共电极。

Description

显示器件及其制造方法
本申请是申请日为2012年10月19日、申请号为201210402235.4、名称为“显示器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种显示器件，更具体地，涉及一种具有集成触摸屏的显示器件。
背景技术
参照图1-3描述现有技术的显示器件。
图1是现有技术的显示器件的一个像素区的截面图。图2和图3是图1的B部的变化的视图。如图1所示的现有技术的显示器件包括基板100、作为开关元件的薄膜晶体管、第一保护层134、第二保护层140、像素电极151、连接线161、第三保护层170以及公共电极181。
薄膜晶体管形成在单元像素区中，并且包括栅极电极110、栅极绝缘层120、有源层130、源极电极131、漏极电极132以及蚀刻阻挡层133。
第一保护层134和第二保护层140形成在薄膜晶体管上，特别地，第二保护层140由光丙烯酸形成。
像素电极151用作用于显示驱动的电极并通过在第二保护层140中形成的接触孔141连接至薄膜晶体管的漏极电极132。
连接线161，例如由金属形成的连接线161在第二保护层140上。例如，连接线161将显示驱动信号或触摸驱动信号施加至公共电极181。第三保护层170形成在连接线161、像素电极151以及第二保护层140上。
公共电极181和像素电极151形成在不同的层。在具有集成触摸屏的显示器件的显示驱动模式中，公共电极181与像素电极151一起产生电场并且因此用作用于显示驱动的电极。在具有集成触摸屏的显示器件的触摸驱动模式中，公共电极181用作用于感测触摸的触摸电极。
另一方面，如图1的A部所示，当金属连接线161沉积在光丙烯酸第二保护层140上时，由于金属与光丙烯酸之间的粘性失效，在沉积之后的后续工序中会发生填充问题，因此，将有可能损坏连接线161。
即使连接线161并未因为填充问题而被损坏，但当在粘性表面的边界部发生填充问题时，蚀刻工序中的蚀刻溶液和剥离工序中的剥离溶液会污染粘性表面的边界部。为此，需花费额外的费用和时间以去除污染。
为了解决填充问题，可以在第二保护层140和连接线161之间形成缓冲钝化层。然而，在此情况中，这种额外的工序花费费用和时间。
另外，如图2和3所示，在形成用于连接像素电极151与漏极电极132的接触孔141时，当接触孔141的阶高很大或者在第一保护层134中发生诸如倒置锥形这样的错误时，在连接至漏极电极132的连接部中会发生像素电极151的断开，并且断开部被蚀刻溶液和剥离溶液暴露，导致漏极电极132的损坏。
以下描述现有技术的显示器件的一些局限。
首先，由于光丙烯酸第二保护层与金属连接线之间的粘性失效，会发生填充问题，导致损坏连接线和/或污染粘性表面的边界部。
第二，如果在光丙烯酸与金属之间形成用于解决填充问题的缓冲钝化层，那么额外的工序花费费用和时间。
第三，当用于连接像素电极与漏极电极的接触孔的阶高很大时或者当在第一保护层中发生倒置锥形时，像素电极会断开，并且在断开部的漏极电极受到蚀刻溶液和剥离溶液的损坏。
发明内容
本发明涉及提供一种显示器件以及一种用于制造该显示器件的方法，所述显示器件基本上避免了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的一方面涉及提供一种显示器件，所述显示器件能够解决填充问题并且防止各个像素电极的断开和各个漏极电极的损坏。
本发明的一些实施方式的另外的优点和特征将部分地在随后的描述中进行说明，而部分地通过本领域的普通技术人员研习下文后，变得显而易见，或者可通过实践本发明而知晓。本发明的目的和其它优点可通过在说明书及其权利要求书和附图中具体指出的结构来实现和达到。
一方面，为了实现这些以及其它优点并且依据本发明的一些实施方式的目的，如在此具体和概括地描述的，本发明的显示器件可包括：包括栅极电极、源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成的第一保护层；在所述第一保护层上形成的第二保护层；在所述第二保护层上形成的像素电极，所述像素电极通过暴露出所述漏极电极的第一接触孔而连接至所述漏极电极；在所述第二保护层上与所述源极电极对应的位置处形成的第一连接线，所述第一连接线以及所述像素电极由相同的材料形成；在所述第一连接线上形成的第二连接线；在所述第二连接线、所述像素电极以及所述第二保护层上形成的第三保护层；以及在所述第三保护层上形成的公共电极，所述公共电极通过暴露出所述第二连接线的第二接触孔而连接至所述第二连接线。
所述显示器件可还包括设置在第一接触孔区域中的像素电极上的金属衬垫，所述金属衬垫以及所述第二连接线由相同的材料形成。
本发明的另一方面，一种形成本发明的显示器件的方法可包括：形成包括栅极电极、源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一保护层和第二保护层；图案化所述第一保护层和所述第二保护层以形成暴露所述漏极电极的第一接触孔；在所述第一接触孔和所述第二保护层上形成透明导电层；图案化所述透明导电层以形成像素电极和第一连接线；在所述像素电极、所述第一连接线和所述第二保护层上形成金属层；图案化所述金属层以在所述第一连接线上形成第二连接线；在所述第二连接线、所述像素电极和所述第二保护层上形成第三保护层；图案化所述第三保护层以形成暴露所述第二连接线的第二接触孔；在所述第二接触孔和所述第三保护层上形成公共电极层；以及图案化所述公共电极层以形成公共电极。
在形成第二连接线时，可与所述第二连接线同时，在所述第一接触孔区域中的像素电极上形成金属衬垫。在一些实施方式中，所述金属衬垫和所述第二连接线可由相同的材料形成。
应理解的是，对于本发明的上文的概括描述和下文的详细描述都仅是示例性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步的解释。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分，附图图示本发明的实施例，并且与说明书文字一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的显示器件的一个像素区的截面图；
图2和3示出现有技术的显示器件的图1的B部的变化的视图；
图4是本发明的一些实施方式的显示器件的截面图；
图5是本发明的另外的实施方式的显示器件的截面图；以及
图6-15示出制造本发明的其它实施方式的显示器件的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参照优选实施例，其实例示于附图中。尽可能地，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同的或相似的部件。如果认为已知的技术会误导本发明，则省略对该技术的详细描述。
以下，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
在对本发明的实施方式的描述中，当一个结构被描述为形成在另一个结构上或下时，此描述应理解为包括所述结构彼此接触的情况以及在它们之间另设有第三结构的情况。
以下，将参照图4-5详细描述本发明的各种实施方式的显示器件。
图4是本发明的实施方式的显示器件的截面图。
如图4所示，本发明的一些实施方式的显示器件包括基板200、薄膜晶体管、第一保护层234、第二保护层240、像素电极251、第一连接线252、第二连接线261、第三保护层270、公共电极281以及狭缝290。
薄膜晶体管作为开关元件，形成在基板200上的像素区中。薄膜晶体管包括栅极电极210、栅极绝缘层220、有源层230、源极电极231以及漏极电极232。在一些实施方式中，基板200可由玻璃或透明塑料形成。
根据图4所示的实施方式的薄膜晶体管显示出栅极电极210形成在有源层230下的底栅结构。然而，其它实施方式的薄膜晶体管可具有栅极电极210在有源层230上设置的顶栅结构。此外，可在有源层230上额外地形成在蚀刻工序中保护有源层230的蚀刻阻挡层233。
第一保护层234可形成在薄膜晶体管上并且可保护薄膜晶体管。在一些实施方式中，第一保护层234可形成为钝化层。第二保护层240可形成在第一保护层234上。在一些实施方式中，第二保护层240可由光丙烯酸形成。
像素电极251可形成在第二保护层240上。此外，像素电极251可通过暴露出漏极电极232的第一接触孔241而连接至漏极电极232。此处，像素电极251可用作用于显示驱动的电极，并且可由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导体形成。
第一连接线252形成在第二保护层240上与源极电极231对应的位置处，与第一像素电极251分开。如图4所示，第一连接线252可在完全或部分覆盖源极电极231的位置形成。此处，第一连接线252可在与像素电极251同一层上由与像素电极251相同的材料形成。此外，第一连接线252可与像素电极251同时形成而无需额外的工艺步骤。
换言之，当在第二保护层240和第二连接线261之间形成第一连接线252时，第一连接线252可以对第二保护层240具有良好的粘着强度。在一些实施方式中，第一连接线252可由ITO形成，和/或第二保护层240可由光丙烯酸形成。因此，能够防止第二保护层240和第二连接线261之间的填充问题。
此外，第一连接线252和像素电极251可由相同的材料同时形成，因此，无需单独的形成第一连接线252的额外工序。
第二连接线261可由金属形成并且可在第一连接线252上。第二连接线261可电连接至第一连接线252。具体地，第二连接线261可由选自钼(Mo)、铝(Al)和铜(Cu)的任一材料或它们的合金形成。第二连接线261可将显示驱动信号或触摸驱动信号施加至公共电极281。
第三保护层270可形成在第二连接线261、像素电极251以及第二保护层240上。第三保护层270可保护第二连接线261和像素电极251。第三保护层270可使像素电极251和公共电极281电隔离。第三保护层270可形成为钝化层。
公共电极281可形成在第三保护层270上，并且可通过第二接触孔271连接至第二连接线261。此处，在具有集成触摸屏的显示器件中，公共电极281可用作显示驱动电极或触摸电极。公共电极281可由诸如ITO的透明导体形成。
狭缝290可形成在公共电极281内。公共电极281和像素电极251可与狭缝290一起产生边缘场，并且所述边缘场可驱动液晶。
图5是本发明的另一实施方式的显示器件的截面图。
图5所示的本发明的另外的实施方式的显示器件包括基板200、薄膜晶体管、第一保护层234、第二保护层240、像素电极251、第一连接线252、第二连接线261、金属衬垫262、第三保护层270、公共电极281以及狭缝290。在一些实施方式中，显示器件可仅具有第二连接线261和金属衬垫262之一。在另外的实施方式中，具有第二连接线261和/或金属衬垫262的显示器件可不具有第一连接线252。
金属衬垫262可由与第二连接线261的材料相同的材料形成在暴露出漏极电极232的第一接触孔241的区域中的像素电极251上。
换言之，当在像素电极251上以与第二连接线261的材料相同的材料形成金属衬垫262时，金属衬垫262可填充在第一接触孔241的下部区域中的像素电极232的断开部，因此能够防止接触失效，并且防止由于蚀刻溶液的渗透所造成的漏极电极232的损坏。
此外，金属衬垫262以及第二连接线261可由相同的材料同时形成，因此无需用于形成金属衬垫262的额外工序。
以下，将参照图6-15描述制造本发明的各种实施方式的(具有上述构造的)显示器件的方法。
图6-15示出制造本发明的各种实施方式的显示器件的方法的截面图。
首先，如图6所示，在基板200上形成薄膜晶体管，然后形成第一保护层234和第二保护层240。具体地，第二保护层240可由光丙烯酸形成。薄膜晶体管可形成为其中栅极电极210、栅极绝缘层220、有源层230、源极电极231以及漏极电极232顺序地堆叠的结构。
在一些实施方式中，薄膜晶体管具有在栅极电极210上堆叠有源层230的结构，但是本发明并不局限于此。作为另一实施例，可在有源层230上堆叠栅极电极210，并且可在有源层230上额外地形成蚀刻阻挡层233。
随后，如图7所示，可通过图案化第一保护层234和第二保护层240来形成暴露出薄膜晶体管的漏极电极232的第一接触孔241。例如，可在第二保护层240上涂覆光刻胶，并且可通过曝光和显影工艺形成光刻胶图案。然后，可通过蚀刻第一保护层234和带有所述光刻胶图案的第二保护层240形成暴露出漏极电极232的第一接触孔241。
随后，如图8所示，在图7所示的第一接触孔241和第二保护层240上形成透明导电层250。此处，可在第二保护层240上以及在第一接触孔241内部(包括漏极电极232的顶部)形成透明导电层250。
随后，如图9所示，可通过图案化如图8所示的透明导电层250来形成像素电极251和第一连接线252。此处，可在第二保护层240上与源极电极231对应的位置处形成第一连接线252，使第一连接线252与像素电极251分开。具体地，第一连接线252可形成为透明导电层，因此可对光丙烯酸第二保护层240具有良好的粘着强度。
随后，如图10所示，可在第一连接线252、像素电极251以及第二保护层240上形成金属层260。此处，可在像素电极251上第一接触孔241内形成金属层260。
随后，如下所述，可通过图案化金属层260来形成第二连接线261。
例如，如图11A所示，可通过图案化如图10所示的金属层260来形成第二连接线261；或者，如图11B所示，可通过图案化金属层260来同时形成第二连接线261和金属衬垫262。在另外的实施方式中，可通过图案化金属层260仅形成金属衬垫262。
此处，可在第一连接线252上形成金属第二连接线261。可将第二连接线261电连接至第一连接线252。具体地，第二连接线261可由选自Mo、Al和Cu中的任一材料或它们的合金形成。
此外，可将金属衬垫262电连接至在第一接触孔241区域中的像素电极251。金属衬垫262可防止在第一接触孔241处的像素电极251的断开以及由于蚀刻溶液的渗透所导致的漏极电极232的损坏。
随后，如图12所示，可在第二连接线261、像素电极251、金属衬垫262以及第二保护层240上形成第三保护层270。
随后，如图13所示，可通过图案化第三保护层270来形成暴露出第二连接线261的第二接触孔271。
随后，如图14所示，可在第二接触孔271和第三保护层270上形成公共电极层280。此处，可通过图13所示的第二接触孔271将公共电极层280电连接至第二连接线261。
随后，如图15所示，可通过图案化图14所示的公共电极层280来形成公共电极281。此处，公共电极281可包括狭缝290。
以上描述了仅执行到形成公共电极的工序的制造显示器件的方法，但是本发明的范围不局限于此。所述方法可包括形成公共电极的工序以及可还包括用于制造具有集成触摸屏的显示器件的另外的工序。
如在此描述地，根据本发明的一些实施方式，在显示器件中，当形成像素电极时，可在第二保护层(例如，光丙烯酸第二保护层)与连接线(例如，金属连接线)之间额外地形成与像素电极的材料相同的材料，因此，可解决第二保护层与连接线之间的填充问题。
此外，根据本发明的另外的实施方式，可通过与形成像素电极的工序相同的工序，由与像素电极的材料相同的材料形成额外的线，因此可无需额外的工序而解决填充问题。
进一步地，根据本发明的另外的实施方式，在显示器件中，当形成第二连接线时，可在接触孔区域中的像素电极上形成与第二连接线的材料相同的材料，因此可防止在像素电极与漏极电极之间的连接部中像素电极的断开，并且可防止由于像素电极的断开所导致的漏极电极的损坏。
对于本领域技术人员将显而易见的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，能够对本发明做出各种改进和改变。因此，本公开内容意在覆盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的对本发明的改进和改变。

Claims (7)

1.一种显示器件，包括：
基板；
薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成的第一保护层；
在所述第一保护层上形成的第二保护层；
在所述第二保护层上形成的像素电极，所述像素电极通过所述第一保护层和所述第二保护层中形成的第一接触孔连接至所述薄膜晶体管的漏极电极；
在所述第二保护层上与所述薄膜晶体管的源极电极对应的位置处形成并且与所述像素电极分开的第一连接线，所述第一连接线在与所述像素电极同一层上形成；
在所述第一连接线上形成的第二连接线；
在所述第二连接线、所述像素电极以及所述第二保护层上形成的第三保护层；以及
在所述第三保护层上形成的公共电极，所述公共电极通过所述第三保护层中形成的第二接触孔连接至所述第二连接线，
其中所述第一连接线形成在所述第二保护层与所述第二连接线之间。
2.如权利要求1所述的显示器件，还包括在所述像素电极上的金属衬垫，其中所述金属衬垫由与所述第二连接线相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的显示器件，其中所述第一保护层和所述第三保护层是钝化层。
4.如权利要求1所述的显示器件，其中所述第二保护层包括光丙烯酸。
5.如权利要求1所述的显示器件，其中所述第一保护层和所述第三保护层是钝化层，并且所述第二保护层包括光丙烯酸。
6.如权利要求1所述的显示器件，其中
所述公共电极包括狭缝；并且
所述公共电极和所述像素电极配置为与所述狭缝一起产生边缘场。
7.如权利要求1所述的显示器件，其中所述显示器件具有集成触摸屏，在触摸驱动模式时，所述公共电极是触摸电极，而在显示驱动模式时，所述公共电极是显示驱动电极。
CN201510671735.1A 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法 Active CN105242467B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120030543A KR101295536B1 (ko) 2012-03-26 2012-03-26 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
KR10-2012-0030543 2012-03-26
CN201210402235.4A CN103365007B (zh) 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210402235.4A Division CN103365007B (zh) 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105242467A CN105242467A (zh) 2016-01-13
CN105242467B true CN105242467B (zh) 2018-08-24

Family

ID=49211310

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210402235.4A Active CN103365007B (zh) 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法
CN201510671735.1A Active CN105242467B (zh) 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210402235.4A Active CN103365007B (zh) 2012-03-26 2012-10-19 显示器件及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9252164B2 (zh)
KR (1) KR101295536B1 (zh)
CN (2) CN103365007B (zh)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140088810A (ko) * 2013-01-03 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102066592B1 (ko) * 2013-09-27 2020-02-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102054671B1 (ko) * 2013-09-27 2019-12-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102025086B1 (ko) * 2013-10-14 2019-09-25 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102172898B1 (ko) * 2013-12-24 2020-11-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
KR102159969B1 (ko) * 2013-12-26 2020-09-25 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조방법
CN103715270B (zh) * 2013-12-31 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示器件
CN104020910B (zh) * 2014-05-30 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN104022127B (zh) * 2014-05-30 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置
US9753590B2 (en) * 2014-06-13 2017-09-05 Lg Display Co., Ltd. Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same
KR101725893B1 (ko) 2014-06-24 2017-04-12 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 일체형 표시장치 및 제조방법
KR102279015B1 (ko) 2014-06-30 2021-07-19 엘지디스플레이 주식회사 자기치유 중합체 및 이를 포함하는 플렉서블 표시장치
JP6497876B2 (ja) * 2014-09-01 2019-04-10 三菱電機株式会社 液晶表示パネル、及びその製造方法
CN107003569A (zh) * 2014-11-20 2017-08-01 夏普株式会社 液晶显示装置以及其制造方法
KR101757675B1 (ko) * 2014-12-31 2017-07-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
CN104460093A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104656332B (zh) * 2015-01-28 2018-11-06 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
KR102263876B1 (ko) * 2015-05-29 2021-06-14 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 그 제조방법
KR102392683B1 (ko) 2015-11-30 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치
KR102484885B1 (ko) * 2015-12-07 2023-01-05 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 일체형 표시장치 및 그 제조방법
CN108710446B (zh) * 2016-01-29 2021-05-14 上海中航光电子有限公司 触控显示面板
CN105870133A (zh) * 2016-04-29 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN105759526A (zh) * 2016-05-20 2016-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型液晶显示面板
CN107507845A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 群创光电股份有限公司 显示装置
CN106549023B (zh) * 2017-01-13 2019-08-27 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US10871670B2 (en) * 2017-02-15 2020-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with position input function
US10747378B2 (en) * 2017-05-16 2020-08-18 Japan Display Inc. Display device and sensor device
JP2019066718A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 シャープ株式会社 表示パネル
CN109935580A (zh) 2017-12-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法、电子装置
JP6804603B2 (ja) * 2018-09-19 2020-12-23 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置の製造方法
CN110196521A (zh) * 2019-05-30 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101231437A (zh) * 2007-01-25 2008-07-30 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN101354513A (zh) * 2007-07-26 2009-01-28 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN101750821A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06140631A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 電界効果型薄膜トランジスタおよびその製造方法
TW575775B (en) 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
TWI237860B (en) * 2004-02-13 2005-08-11 Advanced Semiconductor Eng Integrated chip structure for wire bonding and flip chip assembly package and fabrication process thereof
KR20060042425A (ko) * 2004-11-09 2006-05-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100719926B1 (ko) * 2005-08-04 2007-05-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 터치 스크린 일체형 액정표시장치
US7323369B2 (en) * 2005-12-30 2008-01-29 Au Optronics Corporation Fabrication method for thin film transistor array substrate
JP4797740B2 (ja) 2006-03-27 2011-10-19 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP2009122376A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101243824B1 (ko) * 2008-09-24 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8804056B2 (en) * 2010-12-22 2014-08-12 Apple Inc. Integrated touch screens

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101231437A (zh) * 2007-01-25 2008-07-30 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN101354513A (zh) * 2007-07-26 2009-01-28 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN101750821A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
US9252164B2 (en) 2016-02-02
KR101295536B1 (ko) 2013-08-12
CN105242467A (zh) 2016-01-13
CN103365007A (zh) 2013-10-23
US20130249820A1 (en) 2013-09-26
CN103365007B (zh) 2016-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105242467B (zh) 显示器件及其制造方法
CN102566185B (zh) 液晶面板、液晶显示装置及其制造方法
KR101484022B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
US10599241B2 (en) Touch panel and method for manufacturing the same, display apparatus
TWI512582B (zh) 觸控面板與觸控顯示面板
TWI441198B (zh) 面板及其製法
JP6513197B2 (ja) タッチパネル付き表示装置及びタッチパネル付き表示装置の製造方法
CN105159515A (zh) 触控结构及其制作方法、触控基板和显示装置
JP6521534B2 (ja) 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置
US9490271B2 (en) Array substrate having jump wire connecting first and second wirings
CN103579220A (zh) 阵列基板及其制造方法和包括其的显示装置的制造方法
CN106575063B (zh) 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法
JP2012003266A (ja) マザーボード及びアレイ基板の製造方法
KR20130069731A (ko) 박막 트랜지스터 기판
US20210064185A1 (en) Touch substrate, method for manufacturing same, and touch device
JP2014149482A (ja) 液晶表示装置
JP2010210713A (ja) アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、表示パネル及び液晶表示装置
JP2013190816A (ja) 液晶表示装置
TW200528812A (en) Interconnect structure for TFT-array substrate and method for fabricating the same
KR102080481B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
TWI467673B (zh) 配線裝置與顯示器
JP6621188B2 (ja) アレイ基板及びその製作方法
JP2011100357A (ja) タッチパネル及びタッチパネルの製造方法
KR102172898B1 (ko) 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
CN105633097B (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant