JP6513197B2 - タッチパネル付き表示装置及びタッチパネル付き表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 456
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 189
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 149
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 142
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 142
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ITO Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
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Description
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
図10は、変形例1の構成におけるタッチパネル付き表示装置10Aであって、TFTを含む位置におけるアクティブマトリクス基板1の断面図である。変形例1の構成では、図10に示すように、コンタクトホールCH1を介してTFT42のドレイン電極42dと画素電極31とが接続されている部分において、画素電極31と第2絶縁膜46との間に、信号線22を構成する金属膜と同じ材料からなる金属膜101が設けられている。すなわち、コンタクトホールCH1が設けられている部分において、画素電極31の上には、信号線22を構成する金属膜と同じ金属膜101が設けられている。これにより、例えば対向電極21の形成工程におけるエッチングによって画素電極31がダメージを受けるのを防ぐことができる。
図11は、変形例2の構成におけるタッチパネル付き表示装置10Bであって、TFTを含む位置におけるアクティブマトリクス基板1の断面図である。変形例2の構成では、図11に示すように、信号線22Aの線幅が図4に示す信号線22の線幅と比べて細い。
図12は、変形例3の構成におけるタッチパネル付き表示装置10Cであって、TFTを含む位置におけるアクティブマトリクス基板1の断面図である。変形例3の構成では、TFT42の半導体膜42bの上であって、ソース電極42cとドレイン電極42dの間にエッチストッパ層121が設けられている。エッチストッパ層121が設けられることにより、ソース電極42cやドレイン電極42dの形成時のエッチングにより、半導体膜42bがダメージを受けるのを防ぐことができる。
図13は、変形例4の構成におけるタッチパネル付き表示装置10Dであって、アクティブマトリクス基板1と接続されているコントローラ20の端子部の断面図である。変形例4の構成では、コントローラ20の端子部において、第1透明電極膜53と、第2透明電極膜54との間に、信号線22を構成する金属膜と同じ材料の金属膜131が設けられている。
Claims (11)
- アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
前記信号線と前記第1絶縁膜との間に設けられ、前記画素電極と同じ材料からなる導電膜と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されている、タッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されており、
前記表示制御素子は薄膜トランジスタであって、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を少なくとも備えており、
前記画素電極が前記ドレイン電極と接触している位置において、前記画素電極と前記第2絶縁膜との間に設けられた金属膜をさらに備える、タッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されており、
前記信号線の前記対向電極側の面のうち、前記対向電極と接触している領域の片側のみにおいて、前記信号線は前記第2絶縁膜と接触している、タッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
前記アクティブマトリクス基板上に配置され、第1方向に延びるゲート配線と、
前記アクティブマトリクス基板上に配置され、前記第1方向とは異なる第2方向に延びるソース配線と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されており、
前記制御部は、前記アクティブマトリクス基板上に設けられ、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されており、
前記制御部が前記アクティブマトリクス基板に接続される端子部において、前記アクティブマトリクス基板上には、前記ゲート配線と同じ材料からなる第1金属膜、前記ソース配線と同じ材料からなる第2金属膜、前記画素電極と同じ材料からなる第1透明電極膜、及び前記対向電極と同じ材料からなる第2透明電極膜が順に積層されている、タッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
前記アクティブマトリクス基板上に配置され、第1方向に延びるゲート配線と、
前記アクティブマトリクス基板上に配置され、前記第1方向とは異なる第2方向に延びるソース配線と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されており、
前記制御部は、前記アクティブマトリクス基板上に設けられ、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されており、
前記制御部が前記アクティブマトリクス基板に接続される端子部において、前記アクティブマトリクス基板上には、前記ゲート配線と同じ材料からなる第1金属膜、前記ソース配線と同じ材料からなる第2金属膜、前記画素電極と同じ材料からなる第1透明電極膜、前記信号線と同じ材料からなる金属膜、及び対向電極と同じ材料からなる第2透明電極膜が順に積層されている、タッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層と、
前記アクティブマトリクス基板上に形成された表示制御素子と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記表示制御素子より前記液晶層側に形成された第1絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜より前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記複数の画素電極より前記液晶層側に形成された第2絶縁膜と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第2絶縁膜より前記液晶層側に形成され、前記複数の画素電極との間で静電容量を形成する複数の対向電極と、
前記アクティブマトリクス基板に設けられ、前記複数の対向電極にタッチ駆動信号を供給することによって、タッチ位置を検出する制御部と、
前記制御部と前記対向電極とを接続し、前記制御部から前記対向電極に前記タッチ駆動信号を供給するための信号線と、
前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記複数の画素電極との間に配置された平坦化膜と、
を備え、
前記信号線は、前記アクティブマトリクス基板上であって、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に形成されており、
前記平坦化膜の表面は、プラズマ処理が施されている、タッチパネル付き表示装置。 - 前記信号線は、前記ゲート配線と同じ材料からなる第1金属膜、前記ソース配線と同じ材料からなる第2金属膜、及び前記画素電極と同じ材料からなる第1透明電極膜が順に積層されている接続部において、前記第1透明電極膜の上に積層されており、
前記信号線は、前記第1金属膜または前記第2金属膜を介して前記制御部と電気的に接続されている、請求項4または5に記載のタッチパネル付き表示装置。 - アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に挟まれた液晶層とを備え、タッチ位置の検出機能を有するタッチパネル付き表示装置の製造方法であって、
前記アクティブマトリクス基板上に表示制御素子を形成するステップと、
前記表示制御素子の形成後に、前記表示制御素子を覆うように第1絶縁膜を形成するステップと、
前記第1絶縁膜の形成後に、前記第1絶縁膜を覆うように平坦化膜を形成するステップと、
前記平坦化膜の形成後の露出している表面にプラズマ処理を行うステップと、
前記プラズマ処理を行った後に、画素電極を形成するための透明電極膜を成膜するステップと、
前記透明電極膜の成膜後に、タッチ駆動信号を供給するための信号線を形成するための金属膜を成膜するステップと、
前記金属膜の成膜後に、第2絶縁膜を形成するステップと、
前記第2絶縁膜の形成後に、前記信号線と電気的に接続される対向電極を形成するステップと、
を有するタッチパネル付き表示装置の製造方法。 - 前記透明電極膜は、少なくとも前記画素電極を形成するための領域、及び前記信号線を形成するための領域に成膜し、
前記信号線は、前記信号線を形成するための領域に成膜された前記透明電極膜の上に前記金属膜を成膜することにより形成する、請求項8に記載のタッチパネル付き表示装置の製造方法。 - 前記透明電極膜を成膜するステップでは、前記画素電極を形成するための領域以外の領域にも前記透明電極膜を成膜し、
前記金属膜を成膜するステップでは、前記透明電極膜の上に、前記信号線を形成するための領域以外の領域にも前記金属膜を成膜し、
前記タッチパネル付き表示装置の製造方法は、
前記画素電極を形成するための領域、及び、前記信号線を形成するための領域に第1マスクを形成するステップと、
前記第1マスクの形成後に、前記第1マスクで覆われていない前記透明電極膜及び前記金属膜をエッチングにより除去するステップと、
前記透明電極膜及び前記金属膜の除去後に、前記第1マスクを除去するステップと、
前記第1マスクの除去後に、前記信号線を形成するための領域に第2マスクを形成するステップと、
前記第2マスクの形成後に、前記第2マスクで覆われていない前記金属膜をエッチングにより除去するステップと、
前記金属膜の除去後に、前記第2マスクを除去するステップと、
をさらに有することにより、前記画素電極を形成するための領域に前記画素電極を形成し、前記信号線を形成するための領域に前記信号線を形成する、請求項8または9に記載のタッチパネル付き表示装置の製造方法。 - 前記表示制御素子は薄膜トランジスタであって、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を少なくとも備えており、
前記タッチパネル付き表示装置の製造方法は、
前記平坦化膜にホールを形成するステップと、
前記平坦化膜のホールを形成した位置において、前記第1絶縁膜にホールを形成するステップと、
をさらに有し、
前記画素電極を形成するための透明電極膜を成膜するステップでは、前記平坦化膜のホール及び前記第1絶縁膜のホールを形成した位置において、形成後の前記画素電極が前記ドレイン電極と接触するように前記透明電極膜を成膜する、請求項8から10のいずれか一項に記載のタッチパネル付き表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015145097 | 2015-07-22 | ||
JP2015145097 | 2015-07-22 | ||
PCT/JP2016/071344 WO2017014252A1 (ja) | 2015-07-22 | 2016-07-21 | タッチパネル付き表示装置及びタッチパネル付き表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017014252A1 JPWO2017014252A1 (ja) | 2018-05-31 |
JP6513197B2 true JP6513197B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=57834327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529915A Active JP6513197B2 (ja) | 2015-07-22 | 2016-07-21 | タッチパネル付き表示装置及びタッチパネル付き表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10386950B2 (ja) |
JP (1) | JP6513197B2 (ja) |
CN (1) | CN107850963B (ja) |
WO (1) | WO2017014252A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6807683B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2021-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力パネル |
KR102555392B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2023-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10825843B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method for producing same |
JP2019184864A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US10795197B2 (en) | 2018-08-24 | 2020-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel |
JP7229789B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2023-02-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び、表示装置を組み込んだ電子機器 |
US10928691B2 (en) * | 2019-02-15 | 2021-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate comprising a first contact hole that overlaps with a counter electrode control line and passes through a flattening film and liquid crystal display with the same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6517546B2 (en) * | 2001-03-13 | 2003-02-11 | Gregory R. Whittaker | Method and apparatus for fixing a graft in a bone tunnel |
AU2003253590A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-11-10 | Board Of Regents For The Oklahoma Agricultural And Mechanical Colleges, Acting For And On Behalf Of Oklahoma State University | Implantable biosensor from stratified nanostructured membranes |
US7187367B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-03-06 | Meng-Ju Chuang | Touch panel |
JP4791267B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査システム |
JP2008129314A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
JP4950673B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
JP4816668B2 (ja) | 2008-03-28 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | タッチセンサ付き表示装置 |
JP4900421B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2012-03-21 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 |
KR101278353B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2013-06-25 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판 및 표시패널 |
WO2012063788A1 (ja) | 2010-11-10 | 2012-05-18 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2012073942A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2012118038A1 (ja) | 2011-03-03 | 2012-09-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP5141794B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2013-02-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 有機el用透明導電膜およびこの透明導電膜を用いた有機el素子 |
JP5836671B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および画像表示システム |
KR101524449B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2015-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP5532075B2 (ja) * | 2012-04-18 | 2014-06-25 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
US9235285B2 (en) * | 2013-05-13 | 2016-01-12 | Himax Technologies Limited | Pixel matrix, touch display device and drving method thereof |
KR102082265B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2020-02-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 일체형 표시장치 |
CN104391606A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-03-04 | 东莞通华液晶有限公司 | 一种嵌入液晶区域的触摸传感结构及其控制方法 |
US9703439B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-07-11 | Lg Display Co., Ltd. | Touch sensor integrated type display device |
-
2016
- 2016-07-21 WO PCT/JP2016/071344 patent/WO2017014252A1/ja active Application Filing
- 2016-07-21 JP JP2017529915A patent/JP6513197B2/ja active Active
- 2016-07-21 CN CN201680042801.1A patent/CN107850963B/zh active Active
- 2016-07-21 US US15/746,561 patent/US10386950B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190004647A1 (en) | 2019-01-03 |
WO2017014252A1 (ja) | 2017-01-26 |
US10386950B2 (en) | 2019-08-20 |
CN107850963B (zh) | 2020-11-17 |
CN107850963A (zh) | 2018-03-27 |
JPWO2017014252A1 (ja) | 2018-05-31 |
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