JP2009014993A - 回折光学素子および光ビーム検出手段および光走査装置および画像形成装置 - Google Patents

回折光学素子および光ビーム検出手段および光走査装置および画像形成装置 Download PDF

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Abstract

【課題】大きな分離角で光ビームを分離でき、且つ、任意の偏光状態に有効に適応できる新規な回折光学素子を実現する。
【解決手段】1次元の周期構造を持つ回折面を備えた光学素子10であって、回折面10Aにおける1次元の周期構造の周期:P、使用する光ビームの波長:λ、回折面による回折次数:m、回折次数:mに対するp偏光およびs偏光の透過回折効率:Tp(m)およびTs(m)が、条件:
(1) 0.5λ<P<1.5λ
(2) |{Tp(m)−Ts(m)}/{Tp(m)+Ts(m)}|<0.1
を満たす。
【選択図】図1

Description

この発明は、回折光学素子および光ビーム検出手段および光走査装置および画像形成装置に関する。この発明は、デジタル複写機、プリンタ、ファクシミリ装置、プロッタ、デジタル複合機(複写機能、ファクシミリ機能、プリンタ機能、プロッタ機能、スキャナ機能等の複合機能を持つ装置)、計測器等に利用可能である。
回折光学素子は、回折現象により光ビームを分離する光学素子として知られ、種々の光学装置に用いられている。一般に、光ビームを分離する場合には、分離したビーム相互が大きな分離角をなすことが求められる。周知の如く、周期構造を持つ回折面では、周期構造の周期が小さくなると回折角が大きくなるので、周期構造の周期を調整することにより、光ビームを「大きな分離角」をなして分離することができる。しかし、周期構造の周期が小さくなりすぎると「構造複屈折による偏光依存性」が現れる。
即ち、「回折により分離すべき光ビームの波長と同程度の周期」の周期構造を持つ回折光学素子では、大きな分離角を実現できるが構造複屈折による偏光依存性も現れ始める。
回折光学素子に入射する光ビームは一般に偏光状態が様々であり、回折光学素子に「構造複屈折による偏光依存性」があると、入射する光ビームと分離されたビームの偏光状態が一般に異なるものになる。入射する光ビームが直線偏光状態であったとしても、偏光方向が周期構造の周期方向に平行もしくは直交する場合以外は、構造複屈折の影響で、分離されたビームは一般に「楕円偏光状態」となる。
また、入射する光ビームが楕円偏光状態である場合、分離された各ビームの偏光状態は「入射ビームの楕円偏光状態とは異なった楕円偏光状態」になる。
回折光学素子は「偏光状態に拘わり無く光ビームの分離を行える」ものであることが好ましい。
例えば、回折光学素子を、後述する実施の形態におけるように「半導体レーザから放射された光ビームを光偏向手段によって偏向し、被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置において、走査位置の調整のために光ビームの検出を行う」ために使用するような場合「半導体レーザから射出した光ビームの偏光状態が、偏向走査面(光偏向器により偏向される光ビームが掃引する仮想的な平面)に平行もしくは垂直な直線偏光とならない光走査装置」や「偏向走査面外に、光ビームを反射する折り返しミラーなどを備える光走査装置」では光ビームの偏光状態が反射により次第に変化し、光ビームが検出される状態では一般に楕円偏光となる。
また、偏向される光ビームが「光路上で直線偏光状態を保つ」ように設計された光走査装置であっても、実際には、半導体レーザの製造ばらつきや光走査装置への取り付け誤差、光偏向手段や光学素子の取り付け誤差によって楕円偏光となってしまう場合が多い。さらには、折り返しミラーや「楕円偏光が入射する光学素子」に取り付け誤差が発生すれば、その誤差に応じて楕円偏光の状態が変化してしまう。
従って、光偏向手段によって偏向されて被走査面を走査する光ビームを入射される回折光学素子は「任意の偏光状態に適応できるもの」であることが求められる。
また、そのような回折光学素子であれば、光ビームの偏光状態に拘わらず使用でき、種々の光学装置に対して共通化が可能となるので、低コスト化の観点からも望ましい。
なお、光走査装置において被走査面を走査する光ビームを検出する検出方式は、特許文献1〜4等により種々のものが知られている。
特開平7−72399号公報 特開2005−37575 特開2005−62597 特許第3191232号公報
この発明は、上述したところに鑑み、大きな分離角で光ビームを分離でき、且つ、任意の偏光状態に有効に適応できる新規な回折光学素子の実現を課題とする。
この発明はまた、光ビームを偏向させて被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置において、光ビームを検出する新たな光ビーム検出手段を、この発明の回折光学素子を用いて実現すること、さらには、かかる光ビーム検出手段を用いた新たな光走査装置、画像形成装置の実現を課題とする。
この発明の光学素子は「1次元の周期構造を持つ回折面を備えた光学素子」であって、以下の点を特徴とする(請求項1)。
即ち、回折面における1次元の周期構造の周期:P、使用する光ビームの波長:λ、回折面による回折次数:m、回折次数:mに対するp偏光およびs偏光の透過回折効率:Tp(m)およびTs(m)が、条件:
(1) 0.5λ<P<1.5λ
(2) |{Tp(m)−Ts(m)}/{Tp(m)+Ts(m)}|<0.1
を満たす。
説明を補足すると回折面が「1次元の周期構造」を持つとは、回折面の周期構造において「構造が1方向に周期的に変化」することをいう。所謂1次元の回折格子はこの場合の1例である。構造の変化は、例えば、回折面を構成する面の表面形状の変化や、屈折率の変化等である。1次元の周期構造では、構造の周期は1方向に繰り返されるから、この方向を「周期方向」と呼ぶ。
回折面において「周期方向に直交する方向」においては「構造の断面形態」は一様である。例えば「断面形状が矩形波状である凹凸」による1次元の周期構造の場合であれば、矩形波状の凹凸の凸部は「その長さ方向が周期方向に直交」し、周期方向を含んで回折面に直交する仮想的な断面に直交する方向においては「凹凸の断面形状は不変」である。
なお、説明の混乱を避けるため、以下の説明において、回折光学素子に入射する光に対し「光ビーム」なる用語を用い、回折光学素子により回折された回折光については「ビーム」なる用語を用いる。即ち、回折光学素子に入射する光ビームが、回折により複数のビームに分離されるのである。
条件(1)は、周期方向における周期構造の周期:Pが、使用波長(入射される光ビームの波長)の0.5〜1.5倍の範囲であること、即ち「使用波長の程度」であることを示す。このように周期構造の周期:Pが使用波長:λの程度であるので、請求項1記載の回折光学素子は大きな分離角をもって光ビームを分離できる。
条件(2)は、任意の回折次数:m(m=0、1、2・・)で分離されたビームが「入射ビームにおける偏光状態の影響」を実質的に受けないことを表している。
請求項1記載の回折光学素子は、回折次数:m=0およびm=−1を用いて、光ビームを2つのビームに分離するものであることができる(請求項2)。また、請求項2記載の回折光学素子は、入射ビームが、条件:
(3) sinθ=λ/2P
を満たす角:θに近い入射角で入射されることが好ましい(請求項3)。
請求項1〜3の任意の1に記載の回折光学素子は、回折次数:mのビームに対するp偏光およびs偏光の透過回折効率:Tp(m)およびTs(m)により、次式:
T(m)={Tp(m)+Ts(m)}/2
で定義されるT(m)が、条件:
(4) |{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|<0.1
を満足することが好ましい(請求項4)。
条件(4)は、入射する光ビームの偏光状態に拘わらず、光ビームが、互いに「略等しい光強度」の2本のビーム(回折次数:m=0のビームと回折次数:m=−1のビーム)に分離される条件である。
回折面における1次元の周期構造は「1方向に配列した凹凸」であることができる。凹凸の「周期方向における断面形状」は種々のものが許容され、少なくとも前記条件(1)、(2)を満足するかぎりにおいて任意の断面形状が可能であるが、周期構造形成の容易さの点で「略矩形波状の断面形状」が好適である(請求項5)。このような形状の周期構造は、電子ビーム描画リソグラフィやフォトリソグラフィなどの微細加工技術を用いることにより容易且つ的確に形成することができる。1次元の周期構造は、形状的な構造に限らず、屈折率の周期的変化による構造であってもよい。
この発明の光ビーム検出手段は「光ビームを偏向させて被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置において、光ビームを検出する光ビーム検出手段」であって、回折光学素子と、光検出手段とを有する。
「回折光学素子」は、偏向された光ビームの通過位置に設けられて、光ビームを「回折により副走査方向に複数のビームに分離する」ものであり、上記請求項1〜5の任意の1に記載の回折光学素子が用いられる。
「光検出手段」は、複数の受光部が副走査方向に配置され、回折光学素子により分離した複数のビームを個別に検出する。即ち、回折光学素子により分離された各ビームは、1ビームずつ「光検出手段における対応する受光部」に入射して検出される。回折光学素子は、光ビームを副走査方向に「大きな分離角」を持って分離するので、光検出手段における受光部相互の間隔を大きく取り、なおかつ、光検出手段を回折光学素子に近づけて配置することができ、光検出手段をコンパクトに構成できる。
請求項6記載の光ビーム検出手段は、光検出手段における複数の受光部の少なくとも1つが「受光するビームの副走査方向への入射位置変動により出力が変化しないもの」であり、受光部の他の少なくとも1つが「受光するビームの副走査方向への入射位置変動により出力が時間的に変化するもの」であることができる(請求項7)。
請求項7記載の光ビーム検出手段を用いると、被走査面を走査する光ビームの「副走査方向の位置やその変動」を検出できる。また、請求項6、7記載の光ビーム検出手段を用いることにより、光ビームを書込開始側で検出して「書込開始位置の制御」を行うことができる。
この発明の光走査装置は「光ビームを偏向させて被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置」であって、光ビームによる被走査面の走査の、少なくとも開始側において光ビームを検出する光ビーム検出手段として請求項6または7に記載の光ビーム検出手段を用いたことを特徴とする(請求項8)。
この発明の画像形成装置は、請求項8記載の光走査装置を用いて画像形成を行う画像形成装置である(請求項9)。
以上に説明したように、この発明によれば新規な回折光学素子、この回折光学素子を用いる光ビーム検出手段、光走査装置、画像形成装置を実現できる。
この発明の回折光学素子は、大きな分離角で光ビームを分離でき、且つ、任意の偏光状態に有効に適応できる。従って、種々の光学装置(光走査装置や画像形成装置)に対して共通化が可能となり、これら光学装置の低コスト化が可能となる。
以下、実施の形態を説明する。
図1は回折光学素子の実施の1形態を説明する図である。
図1(a)において符号10は回折光学素子である。回折光学素子10は、使用波長の光に対して透明な平行平板状で、片面に「1次元の周期構造」を持つ回折面10Aを有している。1次元の周期構造は「矩形波状の断面形状を持つ凹凸を、図の上下方向を周期方向として、周期:Pで形成したもの」である。
回折面10Aに、図の如く、波長:λの光ビームLBを「図面に平行な面内で入射」させる。光ビームLBは例えば「半導体レーザから放出されるレーザ光」であり、説明の簡単のために平行光束であるとする。
光ビームLBの入射角を「θ」とする。回折面10Aで回折されたビームのうち、回折次数:mのビームを考え、その回折角を「θd(m)」とすると、回折の式:
sinθ+mλ/P=Nsinθd(m) (11)
が成り立つ。右辺の「N」は回折光学素子をなす材料の屈折率である。
回折された各光ビームは、回折光学素子10の他方の平面(回折面10Aが形成されている面と逆の面)で屈折されて回折光学素子10から射出する。この射出の際の屈折角を「θt(m)」とすると、スネルの法則により、
Nsinθd(m)=sinθt(m) (12)
が成り立つので、(11)、(12)式を合わせれば、回折光学素子10に入射角:θで入射し、回折されて射出する回折次数:mのビームについて、
sinθ+mλ/P=Nsinθd(m)=sinθt(m) (13)
が得られる。
回折光学素子10を透過した各ビームの透過率はそれぞれ「回折面10Aでの透過回折効率と射出面でのフレネル透過率の積」で表される。
回折面10Aで回折された回折次数:mのビームについて「回折光学素子10を透過したときの透過率」をT(m)とする。回折光学素子10へ入射する光ビームLBの偏光方向によって「回折面10Aでの透過回折効率・フレネル透過率」は異なるので、p偏光(紙面に平行な方向)とs偏光(紙面に垂直な方向)に対する透過率をそれぞれTp(m)、Ts(m)とする。これらTp(m)、Ts(m)を用いれば、上記T(m)は、
T(m)={Tp(m)+Ts(m)}/2
で与えられる。即ち、T(m)は「Tp(m)、Ts(m)に対する平均的な透過率」である。
ここで、説明の具体性のために、回折光学素子10で回折次数:m=0(0次光)とm=−1(−1次光)の回折のみが生じ、光ビームLBの入射角:θが所謂ブラッグ条件:
sinθ=λ/2P
を満たす角θである場合を説明する。即ち、入射角:θ=θである。
この条件では、回折次数:m=−2の回折は生じないから、
sinθ−2λ/P=sinθt(−2)
を満たす角:θt(−2)は存在しない。
従って、
sinθ−2λ/P=λ/2P−2λ/P=−3λ/2P<−1
となり、これから、
P<3λ/2 (14)
が得られる。
同様に、回折次数:m=+1の回折が生じないから、
sinθ+λ/P=sinθt(+1)
を満たす角:θt(+1)は存在しない。
従って、
sinθ+λ/P=λ/2P+λ/P=3λ/2P>1
となり、これから、
P<3λ/2 (15)
が得られる。
一方、回折次数:m=−1の回折が生じるから、
sinθ−λ/P=λ/2P−λ/P=−λ/2P=sinθt(−1)>−1
となり、これから、
P>λ/2 (16)
が得られる。
式(14)〜(16)により、入射角:θが「θ」である場合、m=0とm=−1の回折次数のみの回折が発生するための「1次元の周期構造の周期:P」は、光ビームの波長:λに対して、
0.5λ<P<1.5λ (17)
の範囲であり、このように周期:Pを「波長程度とする」ことにより、大きな回折角が得られ、光ビームを効果的に分離できる。また、周期:Pを調整することにより、分離した2ビームの間の角度(分離角)を変更できるので、光学系のレイアウトに応じた分離角で分離する2ビームを得ることができる。
上の説明では「ブラック条件」を用いて(17)式を導出したが、光ビームの入射角:θは「ブラッグ条件を満足する角:θ」に限られるものではなく、周期:Pを波長程度に取ることにより、従来の「周期構造の周期:Pが、数μmから数100μm程度の回折光学素子」に比べて大きな回折角が得られるものである。従って、請求項1の回折光学素子への入射角:θは角:θに限定されるものではない。
入射角:θが「一般的な角度(θ≠0度)」である場合について、上記と同様に回折次数:m=0とm=−1の回折のみが生じる場合を考えると、
m=−2の回折が生じないから、
sinθ−2λ/P=sinθt(m)<−1 (18)
であり、m=+1の回折が生じないから、
sinθ+λ/P>1 (19)
である。
ここで、説明の便宜上、複数の実数:A1,A2,A3・・・のうちから「最も小さい実数」を選択する関数を、
min{A1,A2,A3,・・・}
=A1(A1≦A2,A3,・・・のとき)
=A2(A1>A2,A2≦A3,・・のとき)
・・
=Ai(Ai≦A1、A2、・・Ai−1,Ai+1・のとき)
・・
と定義すると、(18)、(19)を満足するPの範囲は、
P<min{2λ/(sinθ+1),λ/(1−sinθ)} (20)
である。
さらに、−1次の回折が生じ、角度:θt(−1)は存在するから、
0>sinθ−λ/P>−1 (21)
であり、従って、
λ/(1+sinθ)<P<λ/sinθ (22)
が成り立つ。
また、
2λ/(sinθ+1)<λ/sinθ (23)
成り立つから、入射角:θに対して、回折次数:m=0、m=−1の回折のみを生じさせるためには、周期:Pを「光ビームの波長:λに対して以下の範囲に設定する」ことが必要である。
λ/(1+sinθ)<P<min{2λ/(sinθ+1),λ/(1−sinθ)} 。
例えば、θ=30度のときは,
2λ/3<P<4/3λ
即ち、
0.67λ<P<1.33λ
であり、
θ=60度のときは,
2λ/(2+√3)<P<4λ/(2+√3)
即ち、
0.54λ<P<1.07λ
となる。
入射角:θが、ブラッグ条件:
(3) sinθ=λ/2P
を満足する角:θに近いほど、(1)式の範囲内で、周期:Pに許容される範囲が大きい。
前述したように、周期:Pが「使用波長程度」に小さい回折面(周期構造が波長以下であるサブ波長領域や、波長オーダーである共鳴領域と呼ばれる)では、回折面が偏光依存性を有するが、周期構造の形状(例えば、図1(a)に示す「矩形波状の断面形状」であれば、図に示す凹凸における凸部の、幅:Wや高さ:H)を適切に設定することにより、偏光依存性を十分に軽減させることができる。
前述の透過率:Tp(m)、Ts(m)は「透過回折効率とフレネル透過率との積」で表せるから周期構造の形状(上記のWやH)を(2)式、即ち、
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}<0.1
が満足されるように設定することにより、実用上偏光依存性のない、即ち「任意の偏光状態に適用できる回折光学素子」を実現できる。
具体的な例に即して計算結果を示す。
「計算例1」
使用波長:λ=0.655μmとした。
回折光学素子として、屈折率:N=1.46の平行平面基板を用い、回折面の1次元的な周期構造の周期:P=λ=0.655μmとした。1次元的な周期構造は、図1(a)に示すような「矩形波状の断面形状の凹凸」とし、矩形状の凹凸の幅:Wと高さ:Hをパラメータとして変化させた。なお、高さ:Hは使用波長:λ(=0.655μm)を単位として「H=hλ」とし、パラメータ値として「h」を用いる。
入射角:θはブラッグ条件を満たすものとしてθ=θ=30度とし、計算アルゴリズムは一般に知られたRCWAを用いた。
以下、計算結果をグラフ化したものを示す。グラフにおいて縦軸の「m次の透過率」はm次の回折光の透過率であり、横軸の「高さh」は上記パラメータ:hである。
図2は「p波(図中で「p-wave」)」に対する、回折次数:m=−1、m=0の透過率:Tp(m)を示し、図3は「s波(図中で「s-wave」)」に対する、回折次数:m=−1、m=0の透過率:Ts(m)を示す。
透過率:Tp(m)、Ts(m)は「回折面での透過回折効率と平面(射出側の面)でのフレネル透過率との積」であり、図2、図3に示す例では、平面側のフレネル透過率はp波に対し0.978、s波に対し0.949である。
図2において、曲線2m10は「m=−1、W=0.7P」に関するもの、曲線2m00は「m=0、W=0.7P」に関するものであり、曲線2m11は「m=−1、W=0.3P」に関するもの、曲線2m01は「m=0、W=0.3P」に関するものである。
図3において、曲線2s10は「m=−1、W=0.7P」に関するもの、曲線2s00は「m=0、W=0.7P」に関するものであり、曲線2s11は「m=−1、W=0.3P」に関するもの、曲線2s01は「m=0、W=0.3P」に関するものである。
図2、図3を参照して、W=0.3Pの場合(曲線2m01、2m11、曲線2s01、2s11)、を見ると、透過率は、高さ:hの変化に対してp波とs波とで大きく異なり偏光依存性が大きいことが分かる。一方、W=0.7Pの場合(曲線2m00、2m10、曲線2s00、2s10)には、Tp(m)、Ts(m)は、m=0、m=−1の場合とも比較的似通っている。
即ち、1次元の周期構造における矩形波状の凹凸の「凸部の幅:W」が0.7Pである場合には、高さ:hの広い範囲(図において0<h<3.0)において、Tp(m)、Ts(m)が「互いに近い値」となっている。従って、この場合「偏光依存性を小さく抑えられる」ことが分かる。
図2、図3に示した結果を用いて、前記(2)式のパラメータ:
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値を求めてグラフ化したものを図4に示す。このパラメータが大きいほど「p波とs波の透過率差」が大きい。図において、曲線400は「m=0、W=0.7P」、曲線410は「m=−1、W=0.7P」の場合であり、曲線401は「m=0、W=0.3P」、曲線411は「m=−1、W=0.3P」の場合である。
図5に、図4における「1<h<2の領域」を拡大して示す。
図5から明らかなように、幅:W=0.7Pで、高さ:H=hλが1.25<h<1.6程度に設定された周期構造の場合には、回折次数:m=−1及びm=0で分離した2つのビーム(曲線400、曲線410)について、(2)式のパラメータ:
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値が0.1以下に抑えられており、従って、このような回折光学素子は実質的な偏光依存性がなく、実用上「任意の偏光状態の光ビームの分離」に適用できる。
上には、回折次数:m=0と−1で回折されたビームの場合を説明したが、回折光学素子が、m=0、m=−1以外の回折次数で光ビームを分離するようにすることもできる。しかしながら「高い透過率で分離するビーム」を得るには、不要な回折次数の回折光の発生による「回折したビームのパワーロス」を生じないことが好ましく、回折光学系に求められる最小数の分離数であることが好ましい。従って、請求項2のように、斜め入射(入射角:θ≠0)時に発生する回折次数:m=0及びm=−1を採用するのが良い。
また、図6に示すように、回折光学素子10の回折面10Aに光ビームLBを、ブラッグ条件を満たす入射角:θで入射させる(請求項3)と、回折次数:m=0で回折したビームB0と、回折次数:m=−1で回折したビームB1のみが発生し、これらのビームB0、B1の分離角は図の如く「2θ」となる。そして、ビームB0、B1が「回折光学素子10の射出面の法線」に対して対称になるので、分離したビームを検出する検出器等のレイアウトが容易な構成となる。
以下に、条件(4)、即ち、
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|<0.1
のパラメータ:
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|
について説明する。
条件(4)が満足される場合、回折により分離した回折次数:m=0のビームと、回折次数:m=−1のビームとは、実質的に「透過率の差」が無い。即ち、条件(4)を満足する回折光学素子により入射光ビームを、回折により実用上「等価なパワー」を持つ2つのビームに分離することができる。
図7に、上に説明した「W=0.7Pの場合」について求めた平均的な透過率:T(m)を示す(実線はm=−1に対するもの、破線はm=0に対するものである。)。
平均的な透過率:T(m)は、以下に示すように「凹凸構造の高さ:H=hλの変化」により変化させることができる。従って、周期構造の形状を条件(4)が満足されるように設定することで、回折により分離した2ビームを「実用上、等価なパワーを持つビーム」として扱うことができる。
図7に基づき、W=0.7Pの場合について、パラメータ:
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|
を求めた結果を図8に示す。図8における縦軸の値が大きいほど「0次のビームと−1次のビームのパワー偏差」が大きい。
図8における「1<h<2」の領域の部分を拡大して図9に示す。
図9から明らかなように、周期構造の凹凸における凸部の幅:W=0.7Pで、高さ:H=hλが「1.22<h<1.38程度」に設定された場合には、回折次数:m=−1及び0に対する2つの分離光ビームに対して、
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|
の値が0.1以下に抑えられ、入射ビームを「等価なパワーを持つ2ビームに分離」できる。特に、h=1.3近傍に設定された周期構造では、偏光依存性もなく(図の例では、(2)式が満足されている。)、等価なパワーを持つ2つのビームに分離可能である。
以下に、他の計算例を示す。
「計算例2」
図10〜図13は、使用波長:λ=0.655μm、回折光学素子(平行平面基板)の材料の屈折率:N=1.46、周期構造(断面形状矩形波状)の周期:P=λ=0.655μm、凹凸の凸部の幅:W=0.4PとW=0.6Pの場合であり、
図10 Tp(m)のグラフ (曲線1004はm=0、W=0.4P、曲線1014はm=−1、W=0.4P、曲線1006はm=0、W=0.6P、曲線1016はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図11 Ts(m)のグラフ (曲線1104はm=0、W=0.4P、曲線1114はm=−1、W=0.4P、曲線1106はm=0、W=0.6P、曲線1116はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図12 条件(2)のパラメータの「0<h<1.75の領域」の図 (曲線1204はm=0、W=0.4P、曲線1214はm=−1、W=0.4P、曲線1206はm=0、W=0.6P、曲線1216はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図13 条件(4)のパラメータの「W=0.6Pでの0<h<1.75の領域」の図である。
図12から明らかなように、周期構造の形状を規定する幅:W、高さ:Hについて、幅:W=0.6Pで、高さ:H=hλが「0.25<h<1.25の範囲」内に設定された周期構造を持つ回折光学素子は、回折次数:m=−1及びm=0に対する2つのビームについて、
条件(2)のパラメータ:
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値が0.1以下に抑えられて、条件(2)を満足し、実質的に偏光依存性がなく、任意の偏光状態に適用できる。
さらに、図13から明らかなように「W=0.6Pで、hが1<h<1.15程度に設定」された回折光学素子は、回折次数:m=−1及びm=0に対する2つのビームについて、条件(4)のパラメータ:
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|
の値が0.1以下に抑えられて条件(4)を満足するから、実質的に等価なパワーを持つ2ビームに分離可能である。
「計算例3」
図14〜図17は、使用波長:λ=0.655μm、回折光学素子の材料の屈折率:N=1.46、周期構造(断面形状矩形波状)の周期:P=0.6λ=0.393μm、凹凸の凸部の幅:W=0.4PとW=0.6Pの場合であり、
図14 Tp(m)のグラフ (曲線1404はm=0、W=0.4P、曲線1414はm=−1、W=0.4P、曲線1406はm=0、W=0.6P、曲線1416はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図15 Ts(m)のグラフ (曲線1504はm=0、W=0.4P、曲線1514はm=−1、W=0.4P、曲線1506はm=0、W=0.6P、曲線1516はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図16 条件(2)のパラメータの「2<h<3の領域」の図 (曲線1604はm=0、W=0.4P、曲線1614はm=−1、W=0.4P、曲線1606はm=0、W=0.6P、曲線1616はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図18 条件(4)のパラメータの「W=0.6Pでの2<h<3の領域」の図
である。
図16から明らかなように、凹凸の凸部の幅:W=0.6Pで、高さ:H=hλが2.23<h<2.4程度の範囲に設定された周期構造を持つ回折光学素子では、回折次数:m=−1及びm=0で分離した2つの光ビームについて、条件(2)のパラメータ:
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値が0.1以下に抑えられて条件(2)を満足し、任意の偏光状態に適用できる。また、図17に示すように、hの値が上記範囲内において2.23<h<2.25程度の範囲では、条件(4)のパラメータ:
|{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|
の値が0.1より小さく、条件(4)を満足し、実質的に等価なパワーを持つ2ビームに分離可能である。
しかし、hが2.23<h<2.25程度の範囲から外れると、条件(4)のパラメータは0.1より大きくなって条件(4)が満足されず、実質的に等価なパワーを持つ2ビームに分離できない。
「計算例4」
図18〜図21は、使用波長:λ=0.655μm、回折光学素子の材料の屈折率:N=1.46、周期構造(断面形状矩形波状)の周期:P=1.4λ=0.917μm、凹凸の凸部の幅:W=0.3PとW=0.7Pの場合であり、
図18 Tp(m)のグラフ (曲線1803はm=0、W=0.3P、曲線1813はm=−1、W=0.3P、曲線1807はm=0、W=0.7P、曲線1817はm=−1、W=0.6Pに関するものである。)
図19 Ts(m)のグラフ (曲線1903はm=0、W=0.3P、曲線1913はm=−1、W=0.3P、曲線1907はm=0、W=0.7P、曲線1917はm=−1、W=0.7Pに関するものである。)
図20 (2)式のパラメータの「1.5<h<2.5の領域」の図 (曲線2003はm=0、W=0.3P、曲線2013はm=−1、W=0.3P、曲線2007はm=0、W=0.7P、曲線2017はm=−1、W=0.7Pに関するものである。)
図21 条件(4)のパラメータの「W=0.7Pでの1.5<h<2.5の領域」の図
である。
図20から明らかなように、凹凸の凸部の幅:W=0.7P、高さ:H=hλが1.82<h<2.03の範囲に設定された周期構造を持つ回折光学素子では、回折次数:m=−1及びm=0で分離した2ビームについて、条件(2)のパラメータ:
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値が0.1以下に抑えられて条件(2)を満足し、任意の偏光状態に適用できる。
また、幅:W=0.3Pの場合には、高さ:H≒1.80λに設定されたときのみ条件(2)が満足され、任意の偏光状態に適用できることが分かる。
図21に示す如く、W=0.7Pで上記「1.82<h<2.03の範囲」では、条件(4)式のパラメータの値は0.1より大きく、従って条件(4)は満足されず、回折により等価なパワーを持つ2ビームに分離することはできない。
即ち、条件(2)と条件(4)とを両立させることができない。
「計算例5」
図22〜図24は、使用波長:λ=0.655μm、回折光学素子の材料の屈折率:N=1.46、周期構造(断面形状矩形波状)の周期:P=0.8λ=0.524μm、凹凸の凸部の幅:W=0.3PとW=0.7Pの場合であり、
図22 Tp(m)のグラフ (曲線2203はm=0、W=0.3P、曲線2213はm=−1、W=0.3P、曲線2207はm=0、W=0.7P、曲線2217はm=−1、W=0.7Pに関するものである。)
図23 Ts(m)のグラフ (曲線2303はm=0、W=0.3P、曲線2313はm=−1、W=0.3P、曲線2307はm=0、W=0.7P、曲線2317はm=−1、W=0.7Pに関するものである。)
図24 条件(2)のパラメータの「0<h<1の領域」の図 (曲線2403はm=0、W=0.3P、曲線2407はm=0、W=0.7P、曲線2417はm=−1、W=0.7Pに関するものである。)
である。
図24に示すように、幅:W=0.7Pの場合、高さ:H=hλが0.38<h<0.43、および、0.74<h<0.87に渡って設定された周期構造の場合には,m=−1及び0に対する2つの分離光ビームの
{|Tp(m)−Ts(m)|}/{|Tp(m)+Ts(m)|}
の値が0.1以下に抑えられており、任意の偏光状態に適用できる。W=0.3Pの場合には「条件(2)を満たすh」は存在しない。
上には、回折面の周期構造として「断面形状が矩形波状の凹凸形状」の場合を説明したが、1次元の周期構造は、これに限らないことは先に述べたとおりであり、例えば、図1(b)に示すように、回折光学素子10における回折面10Bとして「媒質の屈折率が周期:Pをもって図の上下方向へ周期的に繰り返すように変化する」構造を持ったものでもよい。この場合にも図1(a)の回折光学素子と同様、周期:Pによって回折角を制御でき、その周期構造の形状を適切に設定することにより「任意の偏光状態に適用できる回折光学素子」を実現できる。
以下、画像形成装置の実施の形態を説明する。
図25は、画像形成装置の実施の1形態である「レーザプリンタ」の概略構成を示す図である。
レーザプリンタ100は、光走査装置900、走査対象物としての感光体ドラム901、帯電チャージャ902、現像ローラ903、トナーカートリッジ904、クリーニングブレード905、給紙トレイ906、給紙コロ907、レジストローラ対908、転写チャージャ911、定着ローラ909、排紙ローラ912、及び排紙トレイ910などを備えている。
帯電チャージャ902、現像ローラ903、転写チャージャ911及びクリーニングブレード905は、それぞれ感光体ドラム901を囲繞するように配設され、感光体ドラム901の時計回りの回転方向に従い、帯電チャージャ902、現像ローラ903、転写チャージャ911、クリーニングブレード905の順に配置されている。
感光体ドラム901の周面は光導電性感光層となっている。感光体ドラム901は、図25における面内で時計回り(矢印方向)に回転する。
帯電チャージャ902は、感光体ドラム901の表面を均一に帯電させる。
光走査装置900は、帯電チャージャ902で均一帯電された感光体ドラム901の表面に、上位装置(例えばパソコン)からの画像情報に基づいて変調された光ビームを走査して光書込みを行う。
この光書込みに関して、感光体ドラム901の長手方向(回転軸に沿った方向)は「主走査方向」、感光体ドラム901の回転方向は「副走査方向」と呼ばれる。感光体ドラム901における走査開始位置から走査終了位置までの主走査方向の走査領域のうち、潜像が形成される領域を「有効画像形成領域」という。
光ビームの走査により、感光体ドラム901表面の「光照射された部分」で電荷が消失し、画像情報に対応した潜像が感光体ドラム901に形成される。形成された潜像は、感光体ドラム901の回転に伴って現像ローラ903の位置へ移動する。
トナーカートリッジ904にはトナーが格納され、トナーは現像ローラ903に供給される。トナーカートリッジ904内のトナー量は、電源投入時や印刷終了時などにチェックされ、残量が少ないときには不図示の表示部に「カートリッジ交換を促すメッセージ」が表示される。
現像ローラ903は、回転に伴って表面にトナーカートリッジ904から供給されたトナーが帯電されて薄く均一に付着される。また、現像ローラ903には、感光体ドラム901における帯電している部分(光が照射されなかった部分)と帯電していない部分(光が照射された部分)とで互いに逆方向の電界が生じるようなバイアス電圧が印加される。このバイアス電圧により、現像ローラ903表面に保持されているトナーは、感光体ドラム901表面の「露光された部分」に付着する。すなわち、現像ローラ903は、感光体ドラム901の表面に形成された潜像にトナーを付着させ、画像情報を「トナー像」として顕像化させる。トナー像は、感光体ドラム901の回転に伴って転写チャージャ911側へ向かって移動する。
給紙トレイ906には「トナー画像を転写される記録媒体」としての記録紙913が格納され、給紙トレイ906の排出部に配設された給紙コロ907により、記録紙913が給紙トレイ906から1枚づつレジストローラ対908に向けて給送される。レジストローラ対908は、転写ローラ911の近傍に配置され、給紙コロ907によって給送された記録紙913を一旦保持し、感光体ドラム901の回転に合わせて感光体ドラム901と転写チャージャ911との間隙に向けて送り出す。
転写チャージャ911には、感光体ドラム901上のトナー像を電気的に記録紙913に引きつけるために、トナーと逆極性の転写電圧が印加され、感光体ドラム901の表面のトナー像が記録紙913に転写される。トナー像を転写された記録紙913は、定着ローラ909により熱と圧力との作用でトナー像を定着される。トナー像を定着された記録紙913は、排紙ローラ912を介して排紙トレイ910に送られ、排紙トレイ910上に順次スタックされる。
クリーニングブレード905は、感光体ドラム901表面の残留トナーを除去する。除去された残留トナーは再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム901の表面は、再度帯電チャージャ902の位置に戻る。
図26は、図25に符号900で示した光走査装置の光学配置を説明図的に示す図である。光走査装置は、光源手段20と、整形光学系24と、光偏向手段25と、走査結像光学系28と、光ビーム検出手段31を有する。
整形光学系24は、カップリングレンズ21、アパーチャ22、シリンドリカルレンズ23を有し、走査結像光学系28は2枚の走査結像レンズ26、27により構成される。光ビーム検出手段31は分離光学系29と光検出器30とを有する。また、図示されない処理装置等が備えられている。
光源手段20としては「シングルビーム光源として半導体レーザ」を用いることができ、マルチビーム光源としては、例えば「複数の半導体レーザを近接して実装した半導体レーザアレイや、面発光レーザアレイ(VCSELアレイ)など」を用いることができる。
カップリングレンズ21は、光源手段20から放射された光を略平行光束に整形する機能を有している。弱い収束性の光束あるいは弱い発散性の光束に整形する機能でもよい。カップリングレンズ21からの光ビームは、アパーチャ22により光ビームの一部が遮光され、シリンドリカルレンズ23によって副走査方向に収束され、光偏向手段25の偏向反射面近傍に主走査方向に長い線像として結像する。
光偏向手段25が矢印方向へ回転駆動されると光ビームは偏向走査され、2枚の走査結像レンズ26、27によって被走査面上に光スポットが形成される。
走査結像光学系28を介して、主走査方向における走査開始側の有効画像形成領域外に向かう光ビームは光ビーム検出手段31に入射し、光ビームの副走査方向位置が検出される。光ビーム検出手段31はまた、主走査方向の光ビームの位置を検出して、主走査方向の書込開始位置までのタイミングを調整する所謂同期検知を行っている。
図26には図示されていないが「光ビームを感光体ドラムの所望の位置に導くために折り返しミラー」が光路中に配置される。折り返しミラーの配置場所は様々であるが、光偏向手段と走査結像レンズの間、走査結像レンズ間、走査結像レンズと感光ドラムの間であることができ、一般に光偏向手段の後方である。従って、光ビームは折り返しミラーによる反射により偏光状態が変化し、光ビーム検出手段31に入射する時点における光ビームの偏光状態は「一般に楕円偏光」となっている。
光ビーム検出手段31の分離光学系29は、入射する光ビームを2つのビームに分離する。分離光学系29は、上に説明した回折光学素子が用いられる。
図27は光ビーム検出手段31の構成を説明するための図である。走査結像光学系28を介して有効画像形成領域外に配置された光ビーム検出手段31に向かう光ビームは、分離光学系をなす回折光学素子33に入射し、回折により副走査方向(図の上下方向)に2ビームC1、C2に分離される。分離したビームC1、C2は、受光部を副走査方向に配置された2つの光検出器34−1、34−2によって各々検出される。図27の図面に直交する方向が主走査方向である。
図28は、図26における受光手段30を構成する光検出器34−1、34−2の配置と構成を示す図である。光検出器34−1、34−2は副走査方向(図の上下方向)に配置され、光検出器34−1、34−2は、光ビームを受光して光電変換を行う受光部35−1、35−2を備えている。2つの光検出器34−1、34−2は「同一形状・同一構造のもの」であり、受光部35−1.35−2は長方形形状であり、光検出器34−2の受光部35−2は長手方向が副走査方向に平行となっており、光検出器34−2は受光部35−2の長手方向が副走査方向に対して傾けられた配置となっている。
偏向走査される光ビームは、回折光学素子33によって2つの副走査方向に2ビームC1、C2に分離され、図28に矢印で示す方向に受光部35−1、35−2を走査し、各々検出される。
図29は、光検出器34−1、34−2の出力信号のタイミングチャート、即ち、ビームC1、C2が各々受光部35−1、35−2を通過するとき光検出器34−1、34−2が出力する出力信号を示すタイミングチャートである。
光検出器34−1の出力信号は、ビームC1が受光部35−1の走査開始側の縁部(図28の受光部35−1の左側縁部)を通過することによりHighからLowに立ち下がり(時刻:Td1)、受光部35−1上を通過したビームC1が受光部35−1の走査終了側の縁部(図28の受光部35−1の右側の縁部)を通過することによりLowからHighに立ち上がる(時刻:Tu1)。受光部35−1は「光ビームを検出する縁部」が副走査方向に平行であるので、ビームC1の通過位置が副走査方向にずれても時刻:Td1、Tu1は変化しない。
光検出器34−2は、図28に示すように、受光部35−2の長手方向が副走査方向に対して傾けて配置されているので、受光部35−2上を走査する分離光ビームC2の通過位置が副走査方向に変化すると、光検出器34−2の出力信号の「立ち下がりのタイミング(時刻:Td2)と立ち上がりのタイミング(時刻:Tu2)」が変化する。
図30は、光ビーム検出手段31の回折光学素子33に入射する光ビームの位置が「副走査方向にずれたことを検出する検出方法」を説明するための図である。基準となる光ビームの副走査方向の位置を0とする。
すなわち、光ビームの入射位置が副走査方向における基準位置にあるとき、分離光学系29である回折光学素子33に入射した光ビームは2つのビームC10、C20に分離される。回折光学素子33は、入射する光ビームを回折次数:m=0と−1の2本のビームに分離するものであり、少なくとも条件(1)、(2)を満足し、好ましくは、さらに条件(3)、(4)を満足するものである。ビームC20は回折次数:m=0のビームであり、ビームC10は回折次数:m=−1のビームである。
分離されたビームC10、C20は、光検出面(受光部35−1、35−2の配置されている面)上において、副走査方向に間隔:S0を持ち、ビームC20の副走査方向の位置が「0」に等しいとすれば、ビームC10の副走査方向の位置はS0となる(図30に実線で示す)。
光ビームの入射位置が副走査方向にずれたことに伴い、分離光学系29である回折光学素子33に入射した光ビームは2つのビームC1、C2に分離される。ビームC1は「ビームC10が回折角の変化により変化したビーム」であり、ビームC2は「ビームC20が回折角の変化により変化したビーム」である。
図31は制御回路を示す図である。
光検出器34−1、34−2にビームC1、C2が入射する時刻:Td1、Td2は上記の如くとTd1≠Td2であるが、ビームC10、C20は「基準となる光ビーム」により定まるから、これらの時間Td1、Td2に応じて、遅延回路1、2の遅延時間を、遅延後におけるこれらの時間がTd1=Td2となるように調整する。
図31の制御回路では、光検出器34−1、34−2からの出力信号は各々AMP1、
AMP2で増幅された後、Td1=Td2となるように各々の遅延回路の遅延時間を設定される。その後、CMP(コンパレータ)により、入力される2つの信号の立ち下がり信号の時刻:Td1、Td2の差分を測定する。光検出器34−1、34−2の「立ち下がり時間」は立ち上がり時間より早いので、検出精度を高めるためにTd1、Td2を用いるのである。即ち、光検出器30の受光部35−1、35−2がビームC1、C2を検出する側の縁部としては、走査開始側の縁部(図28における左側の縁部)が用いられる。
基準となる光ビームの副走査方向の位置:0に対して、Td1=Td2となるように光ビーム検出手段は調整されので、経時変化や環境変化などの要因により光ビームの副走査方向の位置が「ΔP」だけ変化した場合を考える。回折光学素子33により分離されたビームC1、C2は、光検出面上において、各々の副走査方向の位置が、図30に示すようにビームC2が基準の位置:0からΔPだけずれ、ビームC1はS0の位置から「S+ΔP」の位置にずれる。
「S=S0+ΔS」であり、ビームC1は基準の位置:S0(ビームC10が通過する位置)からΔS+ΔPだけ副走査方向へずれる。「ΔS」は回折光学素子33の特性に応じて一義的に定まる。説明中の例では、光ビームが回折光学素子33に入射する入射角が変化したことに応じて、ビームC1、C2が副走査方向へずれるが、このずれ量は、回折光学系33の有する特性(入射角の変化と分離されたビームC1、C2の回折角の変化)として定まり、予め「線形的な関数関係:ΔS=F(ΔP)」として決定でき、このように決定した関係を記憶しておく。
偏向する光ビームが副走査方向に位置ずれ:ΔPを発生したとき、各光検出器34−1、34−2から得られる出力信号の「立ち下がりのタイミング」を見ると、光検出器34−1の出力は変化しないのでTd1は変化しない。光検出器34−2は、受光部35−2が副走査方向に対して傾いているので、ビームC2の位置が副走査方向にずれると、出力信号の立ち下がりタイミングは時刻:Td2’へ変化する。
このとき、時間差:ΔT=Td2’−Td2は、光検出面上におけるビームC2の副走査方向の位置変化:ΔPに対応する値であり、ΔP=F(ΔS)の関係により位置変化:ΔPを検出できる。
図27ないし図31に即して説明した例では、入射する光ビームを2つのビームに分離するので、分離後のビームの最大光量は光ビームの光量の1/2である。このように、光量を大きくするためには、回折光学素子33により分離するビームの数は2であることが好ましく、このように光量を大きくすることは、光検出器におけるS/N比などの面から有利である。
図27ないし図31に示す例では、図27に示したように、偏向された光ビームを、副走査方向に2つの光ビームC1、C2に分離する回折光学素子33と受光部が副走査方向に配置された2つの光検出器34−1、34−2とからなる光ビーム検出手段31を用い、2つの光検出器34−1、34−2の配置形態が異なっていることを利用して、図30に示す検出方法に従って「光ビーム検出手段31に入射した光ビームの副走査方向の位置を検出」している。
図27に示すように、回折光学素子33により分離されたビームC1、C2のうち、ビームC2を光検出器34−2に入射させ、ビームC1を光検出器34−1に入射させている。これらビームC1、C2における回折の次数:mは、ビームC1ではm=−1でありビームC2ではm=0である。即ち、ビームC2は「0次光」である。
上の実施の形態におけるように、光源として、半導体レーザや半導体レーザアレイを用いると、放射されるレーザ光の波長は光源温度によって変化するし、また波長飛びの現象によりランダムな波長変化が発生してしまう。回折光学素子33に入射する光ビームの波長:λが変化すると、m=−1の回折次数のビームC1は回折角が変化してしまう。
光ビームの波長変化が生じた場合、回折光学素子33に入射する光ビームの副走査方向の位置は変化していないにも拘わらず、ビームC1の回折角が変化して、光検出器34−1に入射する入射位置が副走査方向に変化してしまう。
しかし、m=−1の回折次数のビームC1が入射する光検出器34−1における受光部35−1は「副走査方向に長い矩形状」で、その主走査方向両側縁は副走査方向に平行になっているので、ビームCの入射位置が副走査方向にずれても光検出器34−1の出力は変動しない。一方、光検出器34−2に入射するビームC2は「0次光」であって、波長変化の影響を受けない。従って、上に説明した実施の形態では、検出するべき光ビームの波長変化の影響を受けずに光ビーム検出を行うことができる。
なお、光ビーム検出手段31による「主走査方向の書込開始位置までのタイミングを調整する同期検知」は、光検出器34−1の出力時間:Td1を基準として、主走査方向の書込開始位置までのタイミングを調整することにより行うことができる。
図32は、光走査装置の実施の別形態を示す図である。繁雑をさけるため、混同の虞がないと思われるものについては図26におけると同一の符号を付して、図26に関する説明を援用する。
図32に示す実施の形態は、図26に示した実施の形態に対して「光ビームの副走査方向の位置を補正」する位置補正手段50を付加した形態である。
位置補正手段50は、光偏向手段25と走査結像光学系28との間に設けられ、光ビーム検出手段31により検出される「光ビームの副走査方向の位置」に基づき、有効画像形成領域へ導かれる光ビームの副走査方向の位置を補正する機能を有している。位置補正手段50の配置位置は、図32の位置に限定されるものではなく、光源手段20から被走査面に至る任意の位置に配置することができる。
図33は、位置補正手段50の具体例としての液晶偏向素子51を示す図である。
液晶偏向素子51は、液晶の光学効果により光ビームを偏向させる素子であり、入射する光ビームLBを副走査方向(図の上下方向)に偏向させることができる。
液晶偏向素子51は、対向して互いに平行に配置された1対の透明基板52と、これらの対向する面に配置された1対の透明電極53と、透明電極53の相対向する面に一体に配置された1対の配向膜54と、配向膜54間を所定の間隔に保つスペーサ55と、配向膜54とスペーサ55とにより密閉される隙間に充填されて保持される液晶層56とを有し、駆動回路57から1対の透明電極53間に印加される電圧の調整により偏向角;ξを調整できる。
光ビーム検出手段31により検出された光ビームの「副走査方向の位置」に基づき、駆動回路57に与える印加電圧を制御することにより、光ビームを所望の副走査方向位置へ補正できる。
図34は、複数の光ビームを発生する光走査装置の例を示す図である。
図34の光走査装置は、光源手段20が2つの半導体レーザを備え、各半導体レーザから出射された光ビームを対応する2個のカップリングレンズ21を有している。そして、カップリングされた各光ビームはアパーチャ22によって光ビームの一部を遮光された後、間隔補正手段62を介して、シリンドリカルレンズ23によって副走査方向に収束され、光偏向手段25の偏向反射面近傍に主走査方向に長い線像として結像される。
光偏向手段25の等速回転により2つの光ビームは偏向走査され、走査結像光学系28を構成する2枚の走査結像レンズ26、27によって被走査面上に2個の光スポットを形成する。走査結像光学系28を介して主走査方向の有効画像形成領域外に向かう光ビームは光ビーム検出手段31に入射し光ビームの位置が検出される。
間隔補正手段62の配置は、この位置に限定されるものではなく、光源手段と光偏向手段25との間の任意の位置に設定できる。
図35は、間隔補正手段62の1例を示す図である。間隔補正手段62は楔形状のプリズム63を有する。プリズム63は断面楔状(台形形状)で台座64に保持されている。符号OAをカップリングレンズ21の光軸とすると、光軸OAの回りにγ方向へプリズム63を回動することにより、入射する光ビームを最大偏向角度:φの範囲で偏向することができ被走査面上の光スポットの位置を副走査方向に補正できる。
即ち、光ビーム検出手段31により検出された「2つの光ビームの副走査方向の間隔」に基づき、楔形状プリズム63を図示されない回動手段によって回転制御することにより、光ビームの位置を補正して2つの光ビームの副走査方向の間隔を補正できる。
光ビーム検出手段31に入射する光ビームには、図26、図34に示すように、走査結像光学系28を通過した光ビームを用いることもできるし、走査結像光学系28を透過することなく、光偏向手段25によって偏向走査された光ビームを直接入射させるようにすることもできる。しかしながら、後者では光ビームの「走査結像光学系28に起因する位置変化」が検出されない。また、走査結像光学系28を介していないので、光偏向手段25で偏向走査された光ビームを光検出器に導くために「ある程度の結像機能」を分離光学系に持たせる必要が生じてしまう。従って、光ビーム検出手段31には、走査結像光学系28を介した光ビームを入射させるのが好ましい。
光ビーム検出手段31は、図26に示すように有効画像形成領域外の光ビームを入射させるようにすることもできるが、有効画像形成領域内の光ビームを用いることもできる。しかしながら、後者の場合には、有効画像形成領域を走査するのを止め、光ビーム検出手段31を「有効画像形成領域を走査する光ビームを検出できる位置」に移動させる必要があり移動機構が複雑となる。一方、有効画像形成領域外の光ビームであれば、有効画像形成領域内の光走査時に、その領域外の光ビームを用いることで、光書込みを行いつつリアルタイムで光ビーム位置を検出できる。
また、前述したように、光ビーム検出手段31に入射する光ビームに対して、光検出器
30に入射する2本のビームの光量は小さく、最大でも光ビームの光量の1/2となるが、有効画像形成領域外で光ビーム検出を行う場合は、光ビーム検出手段で光ビームを検出する時のみ、光ビームの発光出力を「光検出器の受光特性や感度に合わせて調整」することが可能となり、検出精度を向上させることができる。光ビーム検出手段31は、主走査方向の書込開始位置を定める同期検知手段としても用いることができることは言うまでも無い。
図36は、図26の実施の形態の変形例で、偏向走査する光ビームの「被走査面の走査の開始側と終了側と」に、同一構成の光ビーム検出手段31を1対設けた例である。図36では、2つの光ビーム検出手段31は「有効画像形成領域外の両端」に設けた例であるが、2つの光ビーム検出手段31を有効画像形成領域内に設けることも可能である。このように、光ビーム検出手段を主走査方向に2個設けることにより、走査線傾きや走査線曲がりといった走査線に関する特性を検出することができ高精度な光走査が可能となる。
また、タンデム式のカラー画像形成装置で、各色に対応して有効画像形成領域の両端側での時刻差を検出する場合には、各色毎の有効画像領域幅が同一になるように、光源装置からの光ビームの駆動クロック周波数を調整することが可能である。
上述した例では、画像形成装置としてレーザプリンタ100の場合を説明したが、画像形成装置は、レーザプリンタに限定されるものではなく、デジタル複写機、ファクシミリ装置、プロッタ、デジタル複合機(複写機能機能、ファクシミリ機能、プリンタ機能、プロッタ機能、スキャナ機能等の複合機能を持つ装置)等として実施可能である。
この発明の画像形成装置は、カラー画像を形成するカラー画像形成装置としても実施可能であり、具体的には、カラー画像に対応し画像情報毎に感光体ドラムを備えるタンデムカラー画像形成装置であっても良い。
図37は、図34に示した「2つの光ビームによる光走査を行う光走査装置を、光偏向手段25を共通にして回転対称的に配置することにより、計4つの光ビームがY(イエロー)、M(マゼンタ)、C(シアン)、K(黒)の各色毎に設けられた感光ドラムを走査できるタンデムカラー機用の光走査装置を示している。なお、実際の画像形成装置内では、走査結像レンズ26または27と被走査面との間に折り返しミラーが挿入され、各光ビームを対応する感光体ドラムへ導いているが、図37では折り返しミラーの図示を省略している。
また、図37の光走査装置は、図34の光走査装置において光源手段20をマルチビーム光源に置き換えたものであり、この場合も図34の場合と同様、4つの光ビームがY、M、C、Kの各色毎に設けられた感光ドラム上をマルチビーム走査できるタンデムカラー機用の光走査装置として構成されている。
図38は、図34の例に対して「2個の光ビーム検出手段31を有効画像形成領域外の両端側に設けた例」である。
図37の光走査装置においても、各シングルビーム光源に代えて、2つの発光点をもつマルチビーム光源を用いることにより、計8本の光ビームを光偏向手段25に向けて出射させ、各色の感光体ドラムに2本ずつ走査させることができる。また、4つの発光点を持つレーザアレイ光源を用いることにより、計16本の光ビームを光偏向手段25に向けて出射させ、各色の感光体ドラムを4本ずつ走査させることができる。これにより、更に高速な画像形成装置を実現することができる。
上記の実施の形態では、複数の光検出器を「すべて同一形状・構造のもの」とすることで、各光検出器の特性を同じにできることから、検出精度や制御回路を構築する上での取り扱いが容易であり、安定した検出が可能となる。
光ビーム検出手段における光検出器の個数は2であり、副走査方向の位置を検出するために最小数の検出器とすることができる。また分離されたビームは2で良く、光量を確保できる。
また、上記光走査装置の実施の形態において、光走査装置が、光ビーム検出手段によって検出された複数の光ビームの間隔に基づき、複数の光ビームの間隔を補正する間隔補正手段を備えている場合、間隔補正手段でフィードバックをかけることにより、特に走査線ピッチを補正することができ、高精細化・高速化に適応する画像形成装置のための光走査が可能となる。
上記光走査装置において、間隔補正手段が、光源手段から光偏向手段に至る光路中に配置された少なくとも1つの光学部材と、光学部材の位置的変化または物理的変化を制御する制御機構とを備えている場合、パッシブな光学部材の位置的変化や、アクティブな光学部材の物理的変化を制御する制御機構を設けることにより、光ビームの位置を補正することが可能となる。また、間隔補正手段を光偏向手段の前に配置することで、間隔補正手段に小型な光学部材を用いることが可能となる。
また、本発明の光走査装置において、光ビーム検出手段に「走査結像光学系を介した光ビーム」が入射するようになっている場合には、走査結像光学系に起因する光ビームの位置変化まで含めて、実際に有効画像形成領域内で発生している光ビームの位置を検出することが可能となる。また走査結像光学系を介することで、光ビーム検出手段の分離光学系にはビーム分離効果を持たせればよく、構成を容易にすることができる。
また、光ビーム検出手段に「有効画像形成領域外の光ビームが入射する」ようになっている場合には、光ビーム検出手段に入射する光ビームは、有効画像形成領域外の光ビームであることにより、リアルタイムでの光ビームの位置検出が可能になり、より高精度なフィードバック制御が可能となる。また、検出に必要な画像形成装置のダウンタイムが不必要となる。上記光走査装置では、光ビーム検出手段で光ビームを検出する時のみ、光ビームの出力を調整することができ、この場合、有効画像形成領域に影響を与えることなく、光ビームの発光出力を、光検出器の入射エネルギー特性や感度に合わせて調整することが可能となり、検出精度を向上させることができる。
光ビーム検出手段が、主走査方向に2個設けられている場合、走査線傾きや走査線曲がりといった走査線に関する特性を検出でき、より高精度な光走査が可能である。また補正手段を備えれば、フィードバック制御により「より高精細な画像形成装置」を実現でき、カラー画像形成の際に、各色毎の有効画像領域幅が同一になるように、光源装置からの光ビームの駆動クロック周波数を調整することによる全幅倍率誤差を低減することが可能となる。
また、光ビーム検出手段に主走査方向の書込み開始位置を定める同期検知手段の機能も持たせることで検出手段を一体化でき、光走査装置の小型化・低コスト化を実現できる。
回折光学素子を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 回折次数:m=0と−1のビームに分離する回折光学素子を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例1を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例2を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例2を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例2を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例2を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例3を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例3を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例3を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例3を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例4を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例4を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例4を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例4を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例5を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例5を説明するための図である。 具体的な回折光学素子に関する計算例5を説明するための図である。 画像形成装置の実施の1形態を説明するための図である。 光走査装置の光学配置の1例を説明するための図である。 光ビーム検出手段の実施の1形態を説明するための図である。 図27の光ビーム検出手段の光検出手段を説明するための図である。 上記光ビーム検出手段による光ビーム検出を説明するための図である。 上記光ビーム検出手段による光ビーム検出を説明するための図である。 上記光ビーム検出手段による光ビーム検出を説明するための図である。 光走査装置の光学配置の別例を説明するための図である。 図32の光走査装置における位置補正手段を説明するための図である。 光走査装置の光学配置の他の例を説明するための図である。 図34の光走査装置における間隔補正手段を説明するための図である。 光走査装置の光学配置のさらに他の例を説明するための図である。 光走査装置の光学配置のさらに他の例を説明するための図である。 光走査装置の光学配置のさらに他の例を説明するための図である。
符号の説明
10 回折光学素子
10A 回折面

Claims (9)

  1. 1次元の周期構造を持つ回折面を備えた光学素子であって、
    回折面における1次元の周期構造の周期:P、使用する光ビームの波長:λ、回折面による回折次数:m、回折次数:mに対するp偏光およびs偏光の透過回折効率:Tp(m)およびTs(m)が、条件:
    (1) 0.5λ<P<1.5λ
    (2) |{Tp(m)−Ts(m)}/{Tp(m)+Ts(m)}|<0.1
    を満たすことを特徴とする回折光学素子。
  2. 請求項1記載の回折光学素子において、
    入射する光ビームを、回折次数:m=0およびm=−1を用いて2つのビームに分離することを特徴とする回折光学素子。
  3. 請求項2記載の回折光学素子において、
    入射する光ビームが、条件:
    (3) sinθ=λ/2P
    を満たす角:θに近い入射角で入射されることを特徴とする回折光学素子。
  4. 請求項2または3記載の回折光学素子において、
    回折次数:mのビームに対するp偏光およびs偏光の透過回折効率:Tp(m)およびTs(m)により、次式:
    T(m)={Tp(m)+Ts(m)}/2
    で定義されるT(m)が、条件:
    (4) |{T(0)−T(−1)}/{T(0)+T(−1)}|<0.1
    を満足することを特徴とする回折光学素子。
  5. 請求項1〜4の任意の1に記載の回折光学素子において、
    回折面における1次元の周期構造が、略矩形波状の断面形状を持つことを特徴とする回折光学素子。
  6. 光ビームを偏向させて被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置において、光ビームを検出する光ビーム検出手段であって、
    偏向された光ビームの通過位置に設けられて、上記光ビームを、回折により副走査方向に複数のビームに分離する回折光学素子と、複数の受光部が副走査方向に配置され、上記回折光学素子により分離した複数のビームを個別に検出する光検出手段とを有し、
    上記回折光学素子として請求項1〜5の任意の1に記載の回折光学素子が用いられたことを特徴とする光ビーム検出手段。
  7. 請求項6記載の光ビーム検出手段において、
    光検出手段における複数の受光部の少なくとも1つは、受光するビームの副走査方向への入射位置変動により出力が変化しないものであり、受光部の他の少なくとも1つは、受光するビームの副走査方向への入射位置変動により出力が時間的に変化するものであることを特徴とする光ビーム検出手段。
  8. 光ビームを偏向させて被走査面を走査して光書込みを行う光走査装置であって、
    光ビームによる被走査面の走査の、少なくとも開始側において光ビームを検出する光ビーム検出手段として、請求項6または7に記載の光ビーム検出手段を用いたことを特徴とする光走査装置。
  9. 請求項8記載の光走査装置を用いて画像形成を行う画像形成装置。
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