JP2009010347A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、第１の微結晶半導体膜、及び第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を連続的に積層し、
   前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、チャネル形成領域として機能する第２の微結晶半導体膜、及び第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
   前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極を形成し、
   前記ソース電極、及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングしてソース領域、及びドレイン領域として機能する第３の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
   前記ソース電極またはドレイン電極上に画素電極を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜は、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置で形成され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 基板上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、及び第１の微結晶半導体膜を連続的に積層し、
   前記第１の微結晶半導体膜上にチャネル保護膜を形成し、
   前記第１の微結晶半導体膜、及び前記チャネル保護膜上に第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
   前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、チャネル形成領域として機能する第２の微結晶半導体膜、及び第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
   前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極を形成し、
   前記ソース電極、及び前記ドレイン電極をマスクとして前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、ソース領域、及びドレイン領域として機能する第３の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
   前記ソース電極またはドレイン電極上に画素電極を形成し、
   前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜は、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置で形成され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波は、導波管を経て、前記複数の誘電体に伝播され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の処理室に放出されることを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に配置された前記基板と、前記誘電体との間に第１のガス管、及び第２のガス管が交差して配置され、
   前記第１のガス管から非原料ガスが供給され、
   前記第２のガス管から原料ガスが供給され、
   前記第１のガス管の吹き出し口は前記誘電体側に設けられ、
   前記第２のガス管の吹き出し口は前記基板側に設けられることを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置は発光装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。