JP2008544013A - Iii−v族半導体コア−ヘテロシェルナノクリスタル - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
(ii)優れた発光スペクトルをももたらす狭い粒子分布を示す。
(iii)例外的な安定性を提供する。
(iv)環境に優しく、よって、人体についてあるいは人体に関連する病気治療または診断の方法に使用され得る。
(v)種々の用途、例えば、生物学的な蛍光タグ付け、また、光ファイブ電気通信で要求される装置のような電気光学装置の中で実施され得る。
(ii)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された可溶のカチオンまたは可溶のアニオンの第1の溶液を含有する溶液とコアを接触させて、カチオンあるいはアニオンをコア上で反応させるステップ、
(iii)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された、ステップ(ii)の第1の可溶のカチオンあるいは可溶のアニオンの対イオンを含有する溶液と上記コアを接触させて、対イオンを反応させ、かつ、コア/シェル1構造を提供するステップ、
(iv)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された可溶のカチオンまたは可溶のアニオンの第2の溶液を含有する溶液とコア/シェル1構造を接触させて、上記カチオンあるいはアニオンをコア/シェル1構造のシェル1の上で反応させるステップ、
(v)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された、ステップ(iv)の第2の可溶のカチオンあるいは可溶のアニオンの対イオンを含有する溶液とコア/シェル1構造を接触させて、反応させ、且つ、コア/シェル1/シェル2構造を提供するステップ、及び、
(vi)オプションとして、ステップ(ii)〜(v)を繰り返して、より高次のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを形成するステップ。
時間分解測定のために、サンプルは、Nd:YAGレーザー(コンテニュアム社Miniliteシリーズ)の第2高調波(532nm)の5nsパルスによって10Hzの周波数で励起された。フォトルミネセンス信号は、検波モノクロメーターによる分散の後に、PMT(Photo Multiplier Tube、光電子増倍管)によって測定され、ディジタルオシロスコープで平均された。約600のパルスを、1つの減衰曲線を得るために使用した。システム応答時間(FWHM)は、散乱されたレーザー光の検出により測定されて、10nsであった。
TEM(透過型電子顕微鏡法)写真を、100kVで作動する顕微鏡を使用して撮った。TEM用のサンプルは、非晶質の炭素薄膜で覆われた、400メッシュの銅グリッド上に少量のサンプルトルエン溶液を滴下し、続いて、メタノールで洗浄して超過の有機残留物を除去することにより準備した。XRD(X線回折、X-Ray Diffraction)測定は、Cu Kα放射を用いて、40kV及び30mAで作動するX線回折装置上で行なった。サンプルは、低バックグラウンド散乱の石英基板上に薄層として形成した。X線光電子分光法測定は解析的なXPS装置を利用して実施した。その測定は、Auコーティングされた基板にヘキサンジチオールによってリンクされた単分子層の厚さのナノクリスタル膜上で行われた。
InAsコアの合成は、以前報告された物質の合成(例えばBaninら(Applied Physics Letters、1998年、第69号、頁1432、及びJournal of the American Chemical Society、2000年、第122巻、頁9692)を参照)と同様に達成された。
InPコアの合成は、以前に公表された方法(Guzelianら、Journal of Physical Chemistry、1996年、第100巻、頁7212)に従う。
400mgのポリビニルブチラール(粒子)は、トルエン(3ODまで)中に溶解された2gのヘテロ構造及び磁気撹拌機を含んだ20mlのガラス瓶に加えられた。その後、混合物は、4時間力強く攪拌された。攪拌中に、ポリマーは完全にトルエンに溶解する。次に、攪拌は止められ、溶液は乾燥するために3日間置かれた。乾燥する期間中に、トルエンは蒸発し、また、ヘテロ構造はポリマーチェーンの内部にトラップされた。製品は、粒子を含んだ透明な個別の光るポリマーであった。埋め込みプロセスの成功は次の三つの観点から見られた:(1)ナノクリスタルの存在に起因する複合材の色、(2)ナノクリスタルの吸収スペクトルを示す複合材の吸収スペクトル、及び(3)発光スペクトルが本発明のナノクリスタルの発光スペクトルであること。
Claims (35)
- コア/多重シェル半導体ナノクリスタルであって、
III/V族化合物からなるコア物質及び少なくとも2つのシェル物質を含み、
第1のシェル物質が前記コア物質をコーティングし、第2のシェル物質が前記第1のシェル物質をコーティングし、後続のシェル物質が順にそれぞれ前のシェル物質をコーティングし、各シェル物質がII/VI族、III/V族、或いはIII/VI族の化合物より独立に選択され、
前記コア物質が前記第1のシェル物質と異なり、且つ、各シェル物質がその隣接するシェルのシェル物質と異なり、
前記ナノクリスタルが、タイプ−Iのバンドオフセット、及び波長が400nm〜1600nmのルミネセンスを示すコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。 - (i)前記コア物質のバンドギャップが、前記第1及び後続のシェル物質のバンドギャップ未満であり、
(ii)前記第1のシェル物質のバンドギャップが、前記コア物質のバンドギャップより大きく、後続のシェル物質のバンドギャップより小さく、
(iii)前記第2或いは後続のシェル物質のバンドギャップが、前記第1或いはその前のシェル物質のバンドギャップより大きく、後続のシェル物質のバンドギャップより小さい請求項1に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。 - 1つのコア物質及び2〜7つのシェル物質を含む請求項1又は請求項2に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- ドープされていないナノクリスタルである、請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- コア/シェル1/シェル2半導体ナノクリスタルであって、
III/V族化合物からなるコア物質、並びに、各々独立にII/VI族、III/V族、或いはIII/VI族の化合物から選択された異なる化合物からなるシェル1物質及びシェル2物質を含み、
前記シェル1物質が前記コア物質をコーティングし、前記シェル2物質が前記第1のシェル1物質をコーティングし、
前記ナノクリスタルが、NIR分光測光器によって測定されるように波長が400nm〜1600nmのルミネセンスを示すコア/シェル1/シェル2半導体ナノクリスタル。 - コア/シェル1/シェル2半導体ナノクリスタルであって、
III/V族化合物からなるコア物質、並びに、各々独立にII/VI族、III/V族、或いはIII/VI族の化合物から選択された異なる化合物からなるシェル1物質及びシェル2物質を含み、
前記シェル1物質が前記コア物質をコーティングし、前記シェル2物質が前記第1のシェル1物質をコーティングし、
(i)前記コア物質のバンドギャップが、前記シェル1物質のバンドギャップ未満であり、
(ii)前記シェル1物質のバンドギャップが、前記コア物質のバンドギャップより大きく、前記シェル2物質のバンドギャップより小さいコア/シェル1/シェル2半導体ナノクリスタル。 - III/V族の化合物からなる前記コア物質が、InAs、InP、GaAs、GaP、GaSb、InSb、AlAs、AlP、AlSb、InGaAs、GaAsP及びInAsPから選択される請求項1〜請求項6の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 前記コア物質がInAs、InP、あるいはGaAsである請求項7に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 少なくとも2つの前記シェル物質が、II/VI族の化合物から選択される請求項1〜請求項8の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 少なくとも2つの前記シェル物質が、III/V族の化合物から選択される請求項1〜請求項9の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 少なくとも2つの前記シェル物質が、III/VI族の化合物から選択される請求項1〜請求項10の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 前記II/VI族の化合物が、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、CdSSe及びZnSSeより選択される請求項9に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 前記III/V族の化合物が、InAs、GaAs、GaP、GaSb、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、InGaAs、GaAsP、及びInAsPより選択される請求項10に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 前記III/VI族の化合物が、InS、In2S3、InSe、In2Se3、In4Se3、In2Se3、InTe、In2Se3、GaS、Ga2Se3、GaSe、Ga2Se3、GaTe、Ga2Te3、In2Se3−xTex、GaTeSe、及び(GaxIn1−x)Se3(ここでは、Xは0又は1である)より選択される請求項11に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- InAs/CdSe/ZnS、InAs/CdSe/CdS、InAs/InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InP/CdS/ZnSe、InP/CdS/ZnSe、GaAs/CdSe/ZnS、及びGaAs/CdS/ZnSより選択される、請求項1〜請求項14の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- InAs/CdSe/ZnSeあるいはInP/ZnSe/ZnSである、請求項1〜請求項15の何れか一項に記載のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
- 少なくとも2つのシェルを有するコア/多重シェル半導体ナノクリスタルの製造方法であって、
(i)コアを提供するステップ、
(ii)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された可溶のカチオンまたは可溶のアニオンの第1の溶液と前記コアを接触させて、前記カチオンあるいはアニオンを前記コア上で反応させるステップ、
(iii)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された、前記ステップ(ii)の前記第1の可溶のカチオンあるいは可溶のアニオンの溶液の対イオンと前記コアを接触させて、前記対イオンを反応させて、コア/シェル1構造を提供するステップ、
(iv)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された可溶のカチオンまたは可溶のアニオンの第2の溶液と前記コア/シェル1構造を接触させて、前記カチオンあるいはアニオンを前記コア/シェル1構造のシェル1の上で反応させるステップ、
(v)IIIa、IIa、Va或いはVIa族のイオンのグループから選択された、前記ステップ(iv)の第2の可溶のカチオンあるいは可溶のアニオンの溶液の対イオンと前記コア/シェル1構造を接触させて、且つ、反応させてコア/シェル1/シェル2構造を提供するステップ、及び、
(vi)オプション的に、前記ステップ(ii)〜前記ステップ(v)を繰り返して、より高次のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを形成するステップを含み、
前記コア/多重シェルが、ドープされておらず、400nm〜1600nmの波長のルミネセンスを示すコア/多重シェル半導体ナノクリスタルの製造方法。 - 前記コア/多重シェルが、タイプ−Iのバンドオフセットを示す請求項17に記載の方法。
- 前記コア/シェル1及び前記コア/シェル1/シェル2構造を分離するステップをさらに含む請求項17に記載の方法。
- 前記第1の可溶のカチオン溶液が、Cd及びZnより選択される請求項17に記載の方法。
- 前記第1の可溶のアニオン溶液が、S、Se及びPより選択される請求項17に記載の方法。
- 前記第2の可溶のカチオン溶液が、Zn及びCdより選択される請求項17に記載の方法。
- 前記第2の可溶のアニオン溶液が、S及びSeより選択される請求項17に記載の方法。
- データ伝送光信号を増幅する広帯域の光増幅器であって、
請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル、及びポンピングを含み、
前記コア/多重シェルナノクリスタルの各々が、特定の光学バンドに対応するコア寸法を有し、且つ、光伝送媒質内の所定のポイントに位置し、
前記ポンピングが、可干渉光ソースを前記光伝送媒質へ接続し、前記光伝送媒質内で受信した前記データ伝送光信号を前記特定の光学バンド内で増幅するのに必要な光エネルギーで個々の前記ナノクリスタルを励起させる広帯域の光増幅器。 - 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを含む発光ダイオード。
- 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを含む生物学的なラベリング剤。
- 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを含む光電デバイス。
- 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを含むレーザーデバイス。
- 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを含む光データ通信システム。
- 請求項1〜請求項16の何れか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタルを包含するホスト物質。
- ポリマーである請求項30に係るホスト物質。
- 前記ポリマーが、フッ素化ポリマー、ポリアクリルアミドのポリマー、ポリアクリル酸のポリマー、ポリアクリロニトリルのポリマー、ポリアニリンのポリマー、ポリベンゾフェノンのポリマー、ポリ塩化ビニル(メタクリル酸メチル)のポリマー、シリコーンポリマー、アルミニウムポリマー、ポリビスフェノールのポリマー、ポリブタジエンのポリマー、ポリジメチルシロキサンのポリマー、ポリエチレンのポリマー、ポリイソブチレンのポリマー、ポリプロピレンのポリマー、ポリスチレンのポリマー、及びポリビニルのポリマーより選択される請求項31に記載のホスト物質。
- 前記ポリマーが、ポリビニル及びフッ素化ポリマーより選択される請求項32に記載のホスト物質。
- 前記ポリマーが、ポリビニルブチラール、またはペルフルオロシクロブチルである請求項33に記載のホスト物質。
- 400〜1600nmの波長のルミネセンスを有する、請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載の、複数のコア/多重シェル半導体ナノクリスタル。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010106119A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
JP2010155872A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
JP2011194562A (ja) * | 2010-03-22 | 2011-10-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドットの製造方法 |
JP2012087220A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
EP2530048A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor Nanoparticle Production Method, Semiconductor Nanoparticle, and Phosphor Using the Same |
JP5169222B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2013-03-27 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッド |
JP2014195073A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Dow Global Technologies Llc | マルチヘテロ接合ナノ粒子、その製造方法および同ナノ粒子を含む物品 |
JP2015529698A (ja) * | 2012-07-02 | 2015-10-08 | ナノシス・インク. | 高輝度ナノ構造体およびそれを製造する方法 |
JP2016040842A (ja) * | 2015-11-04 | 2016-03-24 | Nsマテリアルズ株式会社 | Led素子、その製造方法、及びled素子の色調補正方法 |
WO2016185932A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
WO2016185933A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
WO2017038487A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 半導体ナノ粒子、分散液、フィルムおよび半導体ナノ粒子の製造方法 |
JP2017523472A (ja) * | 2014-07-28 | 2017-08-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 向上された量子効率を持つシリカ被覆量子ドット |
WO2017204193A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
JP2020507102A (ja) * | 2016-12-23 | 2020-03-05 | ユニベルシテイト ゲントUniversiteit Gent | Iii−vコアおよびii−vi合金の外殻をもつ量子ドット |
Families Citing this family (120)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0409877D0 (en) | 2004-04-30 | 2004-06-09 | Univ Manchester | Preparation of nanoparticle materials |
KR101374512B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2014-03-14 | 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. | Ⅲ족-ⅴ족 반도체 코어-헤테로쉘 나노결정 |
GB2472541B (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
GB0522027D0 (en) | 2005-10-28 | 2005-12-07 | Nanoco Technologies Ltd | Controlled preparation of nanoparticle materials |
KR101290251B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자 |
JP4318710B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法 |
WO2008133660A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
WO2008063658A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063652A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
US7534638B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-05-19 | Philips Lumiled Lighting Co., Llc | III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain |
US8563348B2 (en) | 2007-04-18 | 2013-10-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Fabrication of electrically active films based on multiple layers |
US20080264479A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Nanoco Technologies Limited | Hybrid Photovoltaic Cells and Related Methods |
US8784701B2 (en) | 2007-11-30 | 2014-07-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Preparation of nanoparticle material |
AU2009219983A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Nanoco Technologies Limited | Semiconductor nanoparticle capping agents |
JP5192854B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-05-08 | 日本放送協会 | 蛍光体及びこれを用いた表示パネル |
KR101995371B1 (ko) | 2008-04-03 | 2019-07-02 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
FR2930786B1 (fr) * | 2008-05-05 | 2010-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de nanocristaux luminescents, nanocristaux ainsi obtenus et leurs utilisations |
US20110291049A1 (en) * | 2008-06-10 | 2011-12-01 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Indium arsenide nanocrystals and methods of making the same |
GB0813273D0 (en) | 2008-07-19 | 2008-08-27 | Nanoco Technologies Ltd | Method for producing aqueous compatible nanoparticles |
GB0814458D0 (en) | 2008-08-07 | 2008-09-10 | Nanoco Technologies Ltd | Surface functionalised nanoparticles |
CN102264630B (zh) * | 2008-10-24 | 2016-10-19 | 生命科技公司 | 稳定的纳米粒子以及制造和使用这种粒子的方法 |
GB0820101D0 (en) | 2008-11-04 | 2008-12-10 | Nanoco Technologies Ltd | Surface functionalised nanoparticles |
GB0821122D0 (en) | 2008-11-19 | 2008-12-24 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods |
KR101462658B1 (ko) | 2008-12-19 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법 |
EP2399160B1 (en) | 2009-02-23 | 2020-06-17 | Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. | Optical display device using nanostructures and method thereof |
US8030624B2 (en) * | 2009-03-03 | 2011-10-04 | GM Global Technology Operations LLC | Photoluminescent coating for vehicles |
GB0916699D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
WO2011038111A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-31 | Crystalplex Corporation | Passivated nanoparticles |
GB0916700D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
US20110108102A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Honeywell International Inc. | Solar cell with enhanced efficiency |
WO2011100023A1 (en) | 2010-02-10 | 2011-08-18 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and methods of preparation |
US9548157B2 (en) * | 2010-03-30 | 2017-01-17 | Tdk Corporation | Sintered magnet, motor, automobile, and method for producing sintered magnet |
GB201005601D0 (en) | 2010-04-01 | 2010-05-19 | Nanoco Technologies Ltd | Ecapsulated nanoparticles |
US9382474B2 (en) * | 2010-04-06 | 2016-07-05 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Photovoltaic devices with depleted heterojunctions and shell-passivated nanoparticles |
WO2011141917A2 (en) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem, Ltd. | Nanoparticle-coated mesoporous surfaces and uses thereof |
KR101738551B1 (ko) | 2010-06-24 | 2017-05-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노 결정 |
US20120031490A1 (en) * | 2010-08-03 | 2012-02-09 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cells and methods for manufacturing such solar cells |
EP2616522B1 (en) | 2010-09-16 | 2019-02-27 | Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. | Anistropic semiconductor nanoparticles |
WO2012059931A1 (en) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. | Polarizing lighting systems |
WO2012099653A2 (en) | 2010-12-08 | 2012-07-26 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and methods of preparation |
EP2669350B1 (en) * | 2011-01-28 | 2018-11-07 | Showa Denko K.K. | Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin |
WO2012111009A2 (en) | 2011-02-14 | 2012-08-23 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. | Heavily doped semiconductor nanoparticles |
JP5490042B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2014-05-14 | トヨタ自動車株式会社 | 水分解用光触媒及びそれを含む水分解用光電極 |
WO2012158832A2 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Qd Vision, Inc. | Method for preparing semiconductor nanocrystals |
KR101320549B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2013-10-28 | 주식회사 큐디솔루션 | 코어-다중쉘 구조의 양자점 및 이의 제조방법 |
WO2013028253A1 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and methods |
KR101278257B1 (ko) * | 2011-08-25 | 2013-06-24 | 한국기계연구원 | 양자점 및 그 제조 방법 |
US20130112942A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Juanita Kurtin | Composite having semiconductor structures embedded in a matrix |
US20130112941A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Juanita Kurtin | Semiconductor structure having nanocrystalline core and nanocrystalline shell with insulator coating |
US10008631B2 (en) | 2011-11-22 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coated semiconductor nanocrystals and products including same |
WO2013078249A1 (en) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision Inc. | Method of making quantum dots |
WO2013078247A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Methods of coating semiconductor nanocrystals, semiconductor nanocrystals, and products including same |
KR101355120B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2014-01-27 | 아주대학교산학협력단 | InP/GaP/ZnS 양자점과 이를 이용한 백색 LED |
CN104205368B (zh) | 2012-02-05 | 2018-08-07 | 三星电子株式会社 | 半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品 |
DE102012203036A1 (de) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Lumineszierende, cadmiumfreie Kern-Multischalen-Quantenpunkte auf Basis von Indiumphosphid |
WO2013173409A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and methods of preparation |
US9425365B2 (en) * | 2012-08-20 | 2016-08-23 | Pacific Light Technologies Corp. | Lighting device having highly luminescent quantum dots |
WO2014039472A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid-state cloaking for electrical charge carrier mobility control |
US20140117311A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Juanita N. Kurtin | Semiconductor structure having nanocrystalline core and nanocrystalline shell pairing with compositional transition layer |
US8937294B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Multi-heterojunction nanoparticles, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US9617472B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystals, a method for coating semiconductor nanocrystals, and products including same |
US9123638B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-01 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Multi-heterojunction nanoparticles, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
CN103361066A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-23 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一步法合成CdSe/CdS核壳结构量子点的制备方法 |
KR102164628B1 (ko) | 2013-08-05 | 2020-10-13 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정 합성 방법 |
EP2853578B1 (en) | 2013-09-26 | 2017-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd | Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same |
US11746290B2 (en) | 2013-09-26 | 2023-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same |
EP3971262B1 (en) | 2014-05-29 | 2024-04-24 | Tectus Corporation | Dispersion system for quantum dots |
KR101549357B1 (ko) | 2014-12-29 | 2015-09-01 | 한화토탈 주식회사 | 이방성 금속 나노입자를 이용하는 고효율 전계발광소자 |
JP6764230B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2020-09-30 | スタンレー電気株式会社 | 半導体ナノ粒子の製造方法 |
WO2016185930A1 (ja) | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | マルチコアシェル粒子、ナノ粒子分散液およびフィルム |
WO2016189531A1 (en) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Qlight Nanotech Ltd. | Seeded nanoparticles, their preparation and use |
WO2017019789A1 (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | The Regents Of The University Of California | Co-doped core/shell nanocrystals for visible light emission |
CN108475694B (zh) * | 2015-07-30 | 2021-10-29 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 低镉纳米晶体量子点异质结构 |
CN105153811B (zh) | 2015-08-14 | 2019-12-10 | 广州华睿光电材料有限公司 | 一种用于印刷电子的油墨 |
EP3347432B1 (de) | 2015-09-10 | 2019-11-27 | Merck Patent GmbH | Lichtkonvertierendes material |
WO2017082116A1 (ja) | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
CN108291103B (zh) | 2015-11-12 | 2021-12-07 | 广州华睿光电材料有限公司 | 印刷组合物、包含其的电子器件及功能材料薄膜的制备方法 |
CN105405941B (zh) * | 2016-01-06 | 2019-03-01 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法 |
CA3024847A1 (en) | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Crystalplex Corporation | Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them |
KR101797366B1 (ko) | 2016-06-16 | 2017-11-13 | 아주대학교산학협력단 | 양자점의 제조 방법 |
KR102608507B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
CN106479481B (zh) * | 2016-09-20 | 2019-04-30 | 纳晶科技股份有限公司 | ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法 |
CN109996762A (zh) * | 2016-11-15 | 2019-07-09 | 富士胶片株式会社 | 核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜 |
CN109982967B (zh) * | 2016-11-15 | 2020-02-18 | 富士胶片株式会社 | 核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜 |
WO2018095381A1 (zh) | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 广州华睿光电材料有限公司 | 印刷油墨组合物及其制备方法和用途 |
CN106784349B (zh) * | 2016-12-21 | 2020-02-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法 |
KR102374025B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2022-03-14 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 발광 소자 및 그것을 이용한 화상 표시 소자 |
CN106601886B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-03-19 | Tcl集团股份有限公司 | 具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件 |
US20190382656A1 (en) | 2017-02-10 | 2019-12-19 | Merck Patent Gmbh | Semiconductor nanosized material |
WO2018146120A1 (en) | 2017-02-10 | 2018-08-16 | Merck Patent Gmbh | Semiconductor nanosized material |
WO2018193445A1 (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd | Semiconductor nanostructures and applications |
WO2019002328A1 (en) | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Merck Patent Gmbh | WAVE LENGTH CONVERTING COMPONENT |
US10768485B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-09-08 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot architectures for color filter applications |
CN107502335B (zh) * | 2017-07-10 | 2020-04-17 | 南京大学 | 高荧光效率核壳结构无镉量子点及其制备方法和用途 |
US20190044034A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-07 | Sabic Global Technologies B.V. | Stable quantum dot extrusion film |
WO2019072881A1 (en) | 2017-10-13 | 2019-04-18 | Merck Patent Gmbh | METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC DEVICE |
CN107747107B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-05-24 | 首都师范大学 | 磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料及其制备方法 |
WO2019082120A1 (en) | 2017-10-25 | 2019-05-02 | Sabic Global Technologies B.V. | QUANTIC POINTS ARRANGED IN A THIN LAYER FOR PORTABLE DEVICE |
WO2019101838A1 (en) | 2017-11-24 | 2019-05-31 | Merck Patent Gmbh | A semiconductor light emitting material |
EP3729520A1 (de) | 2017-12-18 | 2020-10-28 | LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH | Lichtkonvertierendes material |
US11365348B2 (en) | 2018-01-11 | 2022-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same |
EP3511394B1 (en) * | 2018-01-11 | 2021-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same |
KR20200123445A (ko) | 2018-02-22 | 2020-10-29 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | 안정화된 양자점을 갖는 상 분리된 양자점 층 |
US11011720B2 (en) * | 2018-03-09 | 2021-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystal particles, production methods thereof, and devices including the same |
JP7265892B2 (ja) | 2018-03-09 | 2023-04-27 | 三星電子株式会社 | 量子ドット及びこれを含む電界発光素子 |
CN110246987A (zh) | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 三星电子株式会社 | 量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备 |
US20210024824A1 (en) | 2018-03-20 | 2021-01-28 | LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH | Mn-activated oxidohalides as conversion luminescent materials for led-based solid state light sources |
CN112074586B (zh) * | 2018-04-04 | 2023-07-25 | 新加坡国立大学 | 发光纳米颗粒和含有其的发光太阳能集中器 |
CN108485650A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-04 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种复合结构量子点及其制备方法和用途 |
EP3802729A1 (en) * | 2018-06-04 | 2021-04-14 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd | Nanoparticle architectures and methods of preparation thereof |
CN108929691B (zh) * | 2018-08-31 | 2021-09-07 | 宁波纳鼎新材料科技有限公司 | 一种量子点及其合成方法与应用 |
TW202024305A (zh) | 2018-09-14 | 2020-07-01 | 德商馬克專利公司 | 發射藍光之磷光體化合物 |
EP3656833A1 (en) | 2018-11-23 | 2020-05-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Quantum dots, compositions and composites including the same, and electronic device including the same |
KR102200585B1 (ko) * | 2019-03-22 | 2021-01-11 | 재단법인대구경북과학기술원 | 고발광성 단파 적외선 나노입자 및 이의 제조방법 |
CN109999849A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-12 | 福州大学 | 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 |
US11557686B2 (en) * | 2019-08-26 | 2023-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Quantum dot structure having a barrier region and a trap region, radiation conversion element and light-emitting device |
KR20210110232A (ko) | 2020-02-28 | 2021-09-07 | 삼성전자주식회사 | 양자점 및 이를 포함하는 전자 소자 및 전자 장치 |
US11753589B2 (en) | 2020-07-23 | 2023-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, quantum dot-polymer composite, and electronic device including the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004509475A (ja) * | 2000-09-14 | 2004-03-25 | イースム、リサーチ、デベロプメント、カンパニー、オブ、ザ、ヘブライ、ユニバーシティー、オブ、イエルサレム | 半導体ナノ結晶材料及びそれらの用途 |
US20050002635A1 (en) * | 2001-10-29 | 2005-01-06 | Uri Banin | Near infra-red composite polymer-nanocrystal materials and electro-optical devices produced therefrom |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251303B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-06-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Water-soluble fluorescent nanocrystals |
US20020004246A1 (en) * | 2000-02-07 | 2002-01-10 | Daniels Robert H. | Immunochromatographic methods for detecting an analyte in a sample which employ semiconductor nanocrystals as detectable labels |
ATE512115T1 (de) | 2003-01-22 | 2011-06-15 | Univ Arkansas | Monodisperse nanokristalle mit kern/schale und anderen komplexen strukturen sowie herstellungsverfahren dafür |
US8134175B2 (en) * | 2005-01-11 | 2012-03-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocrystals including III-V semiconductors |
KR101374512B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2014-03-14 | 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. | Ⅲ족-ⅴ족 반도체 코어-헤테로쉘 나노결정 |
-
2006
- 2006-06-15 KR KR1020087001156A patent/KR101374512B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-15 CN CNB2006800202685A patent/CN100570912C/zh active Active
- 2006-06-15 JP JP2008516503A patent/JP5137825B2/ja active Active
- 2006-06-15 AT AT06756221T patent/ATE520156T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-06-15 EP EP06756221A patent/EP1891686B1/en active Active
- 2006-06-15 US US11/922,008 patent/US7964278B2/en active Active
- 2006-06-15 WO PCT/IL2006/000695 patent/WO2006134599A1/en active Application Filing
-
2011
- 2011-05-11 US US13/105,132 patent/US8343576B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004509475A (ja) * | 2000-09-14 | 2004-03-25 | イースム、リサーチ、デベロプメント、カンパニー、オブ、ザ、ヘブライ、ユニバーシティー、オブ、イエルサレム | 半導体ナノ結晶材料及びそれらの用途 |
US20050002635A1 (en) * | 2001-10-29 | 2005-01-06 | Uri Banin | Near infra-red composite polymer-nanocrystal materials and electro-optical devices produced therefrom |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012025033; J.Am. Chem. Soc. 122, pp.9692-9702, 2000 * |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5169222B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2013-03-27 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッド |
JP2010106119A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
JP2010155872A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
JP2011194562A (ja) * | 2010-03-22 | 2011-10-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドットの製造方法 |
JP2012087220A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
EP2530048A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor Nanoparticle Production Method, Semiconductor Nanoparticle, and Phosphor Using the Same |
JP2015529698A (ja) * | 2012-07-02 | 2015-10-08 | ナノシス・インク. | 高輝度ナノ構造体およびそれを製造する方法 |
JP2014195073A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Dow Global Technologies Llc | マルチヘテロ接合ナノ粒子、その製造方法および同ナノ粒子を含む物品 |
JP2017523472A (ja) * | 2014-07-28 | 2017-08-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 向上された量子効率を持つシリカ被覆量子ドット |
US10266764B2 (en) | 2015-05-15 | 2019-04-23 | Fujifilm Corporation | Core shell particle, method of producing core shell particle, and film |
WO2016185933A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
US11136498B2 (en) | 2015-05-15 | 2021-10-05 | Fujifilm Corporation | Core shell particle, method of producing core shell particle, and film |
JPWO2016185933A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2018-03-01 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
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WO2016185932A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
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JPWO2017038487A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2018-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 半導体ナノ粒子、分散液、フィルムおよび半導体ナノ粒子の製造方法 |
US10640703B2 (en) | 2015-08-31 | 2020-05-05 | Fujifilm Corporation | Semiconductor nanoparticle, dispersion liquid, film, and method of producing semiconductor nanoparticle |
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