JP2020507102A - Iii−vコアおよびii−vi合金の外殻をもつ量子ドット - Google Patents
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Abstract
Description
CdSeのコアおよびCdSのシェルを含む量子ドットは、すでにダウンコンバージョンのために使用されてきた。かかる量子ドットの主な不利益は、Cdが数か国において使用制限をもつ有毒な重金属であることである。
文献US2013/273247 A1は、InAsのコア、CdSeの第一層、およびCdZnSの外殻を有する量子ドットを開示する。
文献WO2013/148057 A1は、InPのコア、ZnSeSの第一層、およびZnSの外殻を有する量子ドットを開示する。
文献US2013/115455 A1は、InPのコア、ZnSeSの第一層、およびCdSの外殻を有する量子ドットを開示する。
● 二元、三元または四元III−V材料のコアで以下:
〇 In、GaおよびAlからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、および
〇 PおよびAsからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される前記コア;
● 二元または三元II−VI材料の第一層で以下:
〇 Zn、および
〇 SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される前記層;
● 三元または四元II−VI材料の外殻で以下:
〇 Zn、
〇 Cd、および
〇 SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素で構成される前記殻、
を含む、前記量子ドットを提供する。
低い自己吸収は、別の利点を有する:低い量の量子ドットは、高いダウンコンバージョンを得るのに十分である。
外殻は、量子ドットの第二層として考えられ得る。
それらの組成物は、量子ドットの集合体において、EDX(Energy-dispersive X-ray spectroscopy)測定により決定され得る。Cdの原子数とCdの原子数およびZnの原子数の合計との間の比率についての上限の0.2は、それが508nmの大きなバンドギャップと一致するため、特に興味深い。
本発明のある態様において、コアはInPから作られ、および第一層はZnSeから作られる。
好ましくは、量子ドットにおいて、Seの原子数とZnの原子数の間の比率は、0.5と1.5の間であり、より好ましくは0.9と1.1の間、さらにより好ましくはおよそ1である。この比率は、量子ドットの集合体において、EDX(Energy-dispersive X-ray spectroscopy)測定により決定され得る。
好ましくは、量子ドットにおいて、Sの原子数とZnの原子数の間の比率は、0.5と1.5の間であり、より好ましくは0.9と1.1の間であり、さらにより好ましくはおよそ1である。この比率は、量子ドットの集合体において、EDX(Energy-dispersive X-ray spectroscopy)測定により決定され得る。
第一層は、CdSeのInPコアにおける成長を防ぐ。この効果を得、およびダウンコンバージョンのために良好な光学的性質を有するための第一層の最適な厚さは、この範囲内である。外殻は、好ましくは1と10nmの間に含まれる厚さを有する。外殻の体積とコアの体積の間の比率は、好ましくは10と50の間、より好ましくは20である。
好ましくは、配位子の層は、外殻を囲う。
本発明者らは、チオール分子を含む配位子の層が固体層中と同様に溶液中で量子ドットに光安定性を提供することを示した。この光安定性は、本発明による量子ドットを包含するデバイスに対して長い寿命を与える。
この範囲内である平均直径を有する量子ドットは、ポンプ光に対応する波長での吸収係数が量子ドット放出に対応する波長での吸収係数を強く超過するため、ダウンコンバージョンのために良好な光学的性質を提供することができる。シェルの体積が増大する場合、およびしたがって量子ドットの体積、量子ドット当たりの吸収も同様に増大する。
本発明者らは、本発明による量子ドットが固体層であるポリマーフィルムにおいて埋め込まれるとき、それらの有利な性質を保つことを示した。
本書面の枠内で、発光性のダウンコンバータは、より高い周波数をもつ光からより低い周波数をもつ光へ変換することができるデバイスである。本発明による量子ドットの性質は、特にダウンコンバージョンのために有利である。
(a)
● In、GaおよびAlからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
および
● PおよびAsからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される二元、三元、または四元III−V材料であるコアナノクリスタルを製造する;
● Zn、および
● SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される二元または三元II−VI材料である第一層をコアナノクリスタル上に形成する;
および
(c)
● Zn、
● Cd、および
● SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される三元または四元II−VI材料である外殻を第一層上に形成する、
経時的なステップを含む、量子ドットを製造するための方法を提供する。
ステップ(a)は、任意の既知の方法により、または本書面において開示される模範的な方法の1つにより、実行され得る。
ステップ(a)および(b)は、InPのコアおよび記載される組成物の1つをもつシェルをもつ量子ドットを製造する、既知の方法により実行され得る。
本発明のある態様において、ステップ(a)は、InPコアのナノクリスタルを製造すること、およびステップ(b)は、InPコアナノクリスタルの周辺に、ZnSeまたはZnSの第一層を形成することである。
本発明のある態様において、外殻は、表記「(Cd,Zn)Se」により指し示されるZn、CdおよびSeの合金から作られ、およびステップ(c)は、Cdを包含する化合物、Znを包含する化合物およびSeを包含する化合物を、ステップ(b)で製造される溶液に添加することを含む。
● Cdを包含する化合物およびZnを包含する化合物を、添加されるCdと、添加されるZnを加えた添加されるCdとの間の原子比率が0.001と1.0の間、好ましくは0.02と0.2の間、より好ましくは、0.025と0.133の間で、ステップ(b)で製造される溶液に添加すること、および
● Seを包含する化合物を添加すること、
を、この順番において含む。
本発明のある態様において、方法は、ステップ(c)から結果として得られる溶液にチオール化合物を添加するステップ(d)をさらに含む。
言い換えると、本発明は、発光性のダウンコンバージョンのための光安定性のInPベースの量子ドットのシェルにより高められる吸収を提供することができる。
● In、GaおよびAlからなる群から選択される1つまたは数個のIII族元素、またはPおよびAsからなる群から選択される1つまたは数個のV族元素で構成される、二元、三元、または四元III−V材料のコア、
● ZnであるII族元素、ならびにSおよびSeからなる群から選択される1つまたは数個のVI族元素で構成される、二元または三元II−VI材料の第一層、および
● ZnおよびCdからなる群から選択される1つまたは数個のII族元素、ならびにSおよびSeからなる群から選択される1つまたは数個のVI族元素で構成される、三元または四元II−VI材料の外殻を含む。
(a)In、Ga、およびAlからなる群から選択される1つまたは数個のIII族元素、ならびにPおよびAsからなる群から選択される1つまたは数個のV族元素で構成される、二元、三元、または四元III−V材料のコアナノクリスタルを製造する、
(c)ZnおよびCdからなる群から選択される1つまたは数個のII族元素、ならびにSおよびSeからなる群から選択されるまたは数個のVI族元素で構成される、三元または四元II−VI材料である外殻を第一層上に形成する、
ステップを含む。
本発明は、特定の態様に関して、およびある図面に関して記載されるものであるが、しかし本発明はそれらに限定されない。記載される図面は、図式的なものにすぎず、および非限定的である。図面において、いくつかの元素のサイズは、強調されてもよく、実例的な目的についての縮尺で描かれなくてもよい。
さらにより、多様な態様が「好ましい」と言及されるものの、本発明の範囲を限定するものとしてよりも、むしろそれにおいて本発明が実行されてもよい例示的なやり方として解されるべきである。
本書面の枠内で、「内在的な光輝性の量子収率」(内在的なPLQY、またはIQE)は、量子ドットにより放出される光子の数と吸収される光子の数の間の比率である。
本書の枠内で「外部の光輝性の量子収率」(外部のPLQY、またはEQE)は、外部から回収され得る光子の数と量子ドットにより吸収される光子の数の間の比率である。
本書面の枠内で、三元化合物ともまた称され得る、「三元材料」は、3つの異なる元素で構成される材料である。
本書面の枠内で、四元化合物ともまた称され得る、「四元材料」は、4つの異なる元素で構成される材料である。
コア2のIII−V材料は、少なくとも1つのIII族元素で、および少なくとも1つのV族元素で構成される。より具体的に、コア2のIII−V材料は、In、Ga、Alまたはその混合物で、およびP、Asまたはその混合物で構成される。
量子ドット1は、ZnS、ZnSeからまたはZn、SおよびSeの合金から作られる第一層3を含むこともまた可能である。Zn、SおよびSeの合金は、Zn(S,Se)と書かれ得る。
コア2のIII−V材料は、少なくとも1つのIII族元素で、および少なくとも1つのV族元素で構成される。より具体的に、コア2のIII−V材料は、In、Ga、Alまたはその混合物で、およびP、Asまたはその混合物で構成される。
外殻4のII−VI材料は、少なくとも1つのII族元素および少なくとも1つのVI族元素で構成される。より具体的に、外殻4のII−VI材料は、Zn、Cdまたはその混合物で、およびS、Seまたはその混合物で構成される。好ましくは、外殻4のII−VI材料がZnおよびCdの混合物で、およびS、Seまたはその混合物で構成される。
本発明の第一の態様の量子ドット1と第二の態様の量子ドット1の間における相違点は、ZnSeまたはZnSの第一層3の存在である。第一層3は、量子ドットの製造の間有益であるが、しかしそれは、外殻4およびコア2の間の電荷担体のトンネル効果により、速い移動を得るのに十分に薄いバリアを創り出すため、量子ドットの光学的性質において、有意な効果を有すると予測されない。
本発明による量子ドット1は、好ましくはコロイドの量子ドットとして合成される。
本発明のある態様において、量子ドットは、5と30nmの間、好ましくは10と20nmの間、より好ましくは14と15nmの間または13と14nmの間の平均直径を有する。外殻4は、好ましくは1と10nmの間に含まれる厚さ41を有する。
2.8nmに等しいコア直径をもつフォトルミネッセンス曲線は、42として参照される。3nmに等しいコア直径をもつフォトルミネッセンス曲線は、43として参照される。3.2nmに等しいコア直径をもつフォトルミネッセンス曲線は、44として参照される。フォトルミネッセンスは、コアのサイズの増大に伴って、より高い波長へ向かう遷移を示す。
図7は、0.9mgのInP/Cd0.06Zn0.94Se量子ドット91を埋め込んでいる層、および3.4mgのInP/ZnSe量子ドット92を埋め込んでいる層の実験的な発光スペクトルである。それは、層の励起のために使用された青色LED93の発光スペクトルもまた示す。PLQYにおける最初の差−60%対45%にもかかわらず、InP/Cd0.06Zn0.94Se量子ドットは、InP/ZnSe量子ドットのような類似の色変換を提供することができるとみられる。
図8bは、青色LED光照射下における、オレイルアミンの配位子の層をもつInP/Cd0.06Zn0.94Se量子ドット103およびドデカンチオールの配位子の層をもつInP/Cd0.06Zn0.94Se量子ドット104についての、実際のEQEとt=0におけるEQEの間の比率の、時間の関数としての実験プロットである。
そのうえ本発明者らは、本書面において下に説明される方法により、量子ドットが固体層に埋め込まれるとき、チオール化合物の結果として安定性における改善が存在することを示した。
(a)量子ドット1のコア2になるものであるInPコアナノクリスタルを製造する、および
(b)InPのコアナノクリスタル上に、Zn、CdおよびSeの合金から作られるシェル4を形成する、
3つのステップを含むプロセスにより製造され得る。
(a)量子ドット1のコア2になるものであるInPナノコアクリスタルを製造する、
(b)InPコアナノクリスタル上にZnSeの第一層3を形成する、および
(c)第一層3の上にZn、CdおよびSeの合金から作られるシェル4を形成する、
3つのステップを含むプロセスにより製造され得る。
ステップ(a)および(b)は、InPのコアおよびZnSeのシェルをもつ量子ドットを製造する、任意の既知の方法により実行され得る。
(a)インジウムの原材料として80mg(0.225mol)の臭化インジウム(III)、および亜鉛の原材料として150mg(1.1mmol)の塩化亜鉛(II)を、2.5mL(7.6mmol)の配位子溶媒である低純度オレイルアミン(OLA)の中で混合する。反応混合物を、120℃で1時間の間、攪拌および脱気し、次いで不活性雰囲気下で180℃に急速に加熱する。180℃に到達すると、体積0.26mL(0.95mmol)のトリス(ジエチルアミノ)ホスフィン(亜リン酸:インジウム=4.2:1)を、急速に上記の混合物に注入する。亜リン酸前駆物質の注入後、InPコアナノクリスタルの合成を続行する。
(c)140分において、8mLのオクタデセン(ODE)と2mLのOLAとともに混合される0.08g(0.3mmol)の(酢酸)2Cd二水和物および1.71g(2.71mmol)の(ステアリン酸)2Znの混合物(Cd対Cd+Znの分率=7.3%)を注入する。次いで、温度を180℃から320℃まで上げ、および1.4mLのTOP−Seを温度上昇の間、1滴ずつ注入する。
240分において、反応を止めおよび温度を冷却する。
本書面において記載されるすべての製造方法において、脱気することは、任意である。
本書面において記載されるすべての製造方法において、塩化亜鉛(II)は、臭化亜鉛(II)またはヨウ化亜鉛(II)により置き換えられ得る。
本書面において記載されるすべての製造方法において、ステアリン酸亜鉛を、酢酸亜鉛、オレイン酸亜鉛・・・により交換し得る。
本書面において記載されるすべての製造方法において、オクタデセンを、エイコサン、ドコサン・・・により、交換し得る。
図9bは、2.5%近くのCd/(Cd+Zn)の原子比率をもつ量子ドット1のTEM画像である。
図9cは、5%近くのCd/(Cd+Zn)の原子比率をもつ量子ドット1のTEM画像である。
図9dは、13.3%近くのCd/(Cd+Zn)の原子比率をもつ量子ドット1のTEM画像である。
この実施要綱は、コア形成の後のおよびシェル成長段階の前の中間のZnSeシェルの成長を導く。
● InPのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● GaAsのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● GaAsのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● GaAsのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● GaAsのコア2、Zn(Se,S)の第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● GaAsのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSの外殻4、
● InPのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● InPのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● InPのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● InPのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● InPのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● In(As,P)のコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● In(As,P)のコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● In(As,P)のコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● In(As,P)のコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● In(As,P)のコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● GaAsのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● GaAsのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● GaAsのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● GaAsのコア2、Zn(Se,S)の第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● GaAsのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeの外殻4、
● InPのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeSSの外殻4、
● InPのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● InPのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● InPのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● InPのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Ga)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● (In,Al)Pのコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、Zn(S,Se)の第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● In(As,P)のコア2、(Al,Ga)Pの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● GaAsのコア2、ZnSeの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● GaAsのコア2、ZnSの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● GaAsのコア2、GaPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● GaAsのコア2、AlPの第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
● GaAsのコア2、Zn(Se,S)の第一層3、およびZnCdSeSの外殻4、
を有し得る。
本発明は、特定の態様に関して上記に記載したものの、また他の態様も可能であることが、容易に理解されるだろう。
Claims (16)
- 量子ドット(1)であって、以下:
● 二元、三元、または四元III−V材料のコア(2)で以下:
〇 In、GaおよびAlからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、および
〇 PおよびAsからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、前記コア;
● 二元または三元II−VI材料の第一層(3)で以下:
〇 Zn、および
〇 SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、前記層;
および
● 三元または四元II−VI材料の外殻(4)で以下:
〇 Zn、
〇 Cd、および
〇 SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、前記殻;
を含む、前記量子ドット(1)。 - 外殻(4)におけるZnとCdの間の均衡が、外殻(4)の伝導帯がコア(2)の伝導帯よりも高いエネルギーであるようである、請求項1に記載の量子ドット(1)。
- Cdの原子数とZnの原子数およびCdの原子数の合計との比率が、0.001と1.0の間、好ましくは0.02と0.2の間、より好ましくは0.025と0.133の間である、請求項1または2に記載の量子ドット(1)。
- 外殻(4)が、Zn、CdおよびSeの合金から作られる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の量子ドット(1)。
- コア(2)が、InPから作られ、および第一層(3)が、ZnSeから作られる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の量子ドット(1)。
- コア(2)が、InPから作られ、および第一層(3)が、ZnSから作られる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の量子ドット(1)。
- 第一層(3)が、好ましくは0.2と0.8nmの間に含まれる、0.8nmまでの厚さを有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の量子ドット(1)。
- チオール分子を含む配位子の層をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の量子ドット(1)。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の量子ドット(1)を含む、ポリマーフィルム。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の量子ドット(1)または請求項9に記載のポリマーフィルムを含む、ダウンライト周波数を転換するための発光性のダウンコンバータ。
- 量子ドット(1)を製造するための方法であって、以下:
(a)
● In、GaおよびAlからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、および
● PおよびAsからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、二元、三元または四元III−V材料のコアナノクリスタルを製造する;
(b)
● Zn、および
● SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、二元または三元II−VI材料である第一層(3)をコアナノクリスタル上に形成する;
(c)
● Zn、
● Cd、および
● SおよびSeからなる群から選択される、少なくとも1つの元素、
で構成される、三元または四元II−VI材料である外殻(4)を第一層(3)上に形成する、
ステップを含む、前記方法。 - ステップ(a)が、InPコアナノクリスタルを製造し、およびステップ(b)が、InPコアナノクリスタル周辺にZnSeまたはZnSの第一層(3)を形成する、請求項11に記載の量子ドット(1)を製造するための方法。
- ステップ(a)が、Znを包含する化合物とInを包含する化合物およびPを包含する化合物を混合し、第一の混合物を生成することを含み、およびステップ(b)が、前記第一の混合物とSeまたはSを包含する化合物とを混合し、第二の混合物を生成することを含む、請求項12または13に記載の量子ドット(1)を製造するための方法。
- 外殻(4)が、Zn、CdおよびSeの合金から作られ、およびステップ(c)が、Cdを包含する化合物、Znを包含する化合物およびSeを包含する化合物を、ステップ(b)で製造される溶液に添加することを含む、請求項11〜13のいずれか一項に記載の量子ドット(1)を製造するための方法。
- 請求項11〜14のいずれか一項に記載の量子ドット(1)を製造するための方法であって、ここでステップ(c)が、以下:
● Cdを包含する化合物およびZnを包含する化合物を、添加されるCdと添加されるZnを加えた添加されるCdとの間の原子比率を0.001と1.0の間、好ましくは0.02と0.2の間、より好ましくは0.025と0.133の間で、ステップ(b)で製造される溶液に添加すること、および
● Seを包含する化合物を添加すること、
を、この順番において含む、前記方法。 - ステップ(c)から、結果として得られる得られる溶液にチオール化合物を添加するステップ(d)をさらに含む、請求項11〜15のいずれか一項に記載の量子ドット(1)を製造するための方法。
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