CN109999849A - 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 - Google Patents
一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109999849A CN109999849A CN201910329955.4A CN201910329955A CN109999849A CN 109999849 A CN109999849 A CN 109999849A CN 201910329955 A CN201910329955 A CN 201910329955A CN 109999849 A CN109999849 A CN 109999849A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- source
- temperature
- gas
- silver foil
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- -1 reacts 10-20 minutes Substances 0.000 claims description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/057—Selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/0573—Selenium; Compounds thereof
-
- B01J35/39—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/08—Heat treatment
Abstract
本发明公开了一种正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ‑Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS异质结。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，所制备的正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结有望应用于光催化材料领域。
Description
技术领域
本发明属于低维光催化材料领域，具体地，本发明涉及一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及利用低压化学气相沉积法的制备方法。
背景技术
二维（2D）材料是由单层或少数层原子或者分子层组成，层内由较强的共价键或离子键连接，而层间则由作用力较弱的范德瓦尔斯力结合。它们因独特的2D结构而具有奇特的特性与功能。通过将具有不同电学及光学性质的二维原子晶体材料堆叠在一起，可人工调控组合成呈现新性质的材料。目前研究人员通过转移或者CVD生长的方式已成功制备出石墨烯/氮化硼、石墨烯/过渡金属硫化物、过渡金属硫化物/过渡金属硫化物等原子晶体的异质结，并在微纳电子和光电器件方面展现出良好的前景。
以二维原子晶体材料的异质结将是未来研发的重要方向，应结合材料研究和表征的优势，深入探索异质结构输运性质并开发在微纳电子和光电子的实际应用，继续加强各种二维原子晶体材料及其异质结的研发与应用，有望为后摩尔时代逻辑运算与存储器件的发展开辟新的途径。二维Ⅲ-Ⅵ族化合物异质结因为其在光催化方面的优异性质，引起了科研工作者广泛的兴趣。然而目前正交相二维Ⅲ-Ⅵ族化合物异质结的制备方法仍未达到妥善高效。如何实现正交相二维Ⅲ-Ⅵ族化合物异质结的大规模，有效化的制备是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法。本发明的所用的制备方式是一种在银箔基底上，利用低压化学气相沉积的合成方法，可获得高质量的正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物异质结。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料的化学气相沉积方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2-4混合放置于双温区高温管式炉A中；将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2-5混合放置于双温区高温管式炉B中，将预处理后的银箔基底放置于单温区高温管式炉C中；
(2)将反应腔的真空度抽至6.65KPa，打开阀门，通入氢气和氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；
(3)同时加热两个双温区高温管式炉至反应源气相状态，在银箔基底区域同时升温至650-670℃，旋转阀门连通A和C，持续通入载气，反应10-20分钟，反应生成物沉积于银箔基底上，旋转阀门连通B和C，持续通入惰性气体，保持10-20分钟；
(4)自然冷却至室温后同时关闭氢气和氩气，即可在基底上得到异质结薄层样品。
步骤（1）所述预处理银箔基底的方法为：将银箔基底放入0.1mol/L 的NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗；将清洗完毕的基底置于800℃的高温退火炉中进行高温预退火处理2h。
步骤（1）所述的反应源中，S源为S粉，Se源为Se粉，In源是粉体In2O3，Ga源为三乙基镓。
步骤（2）所述载气为流速50-60sccm的氩气和10-20sccm的氢气。
步骤（3）所述的S源的加热温度为180-210℃；所述的Se源的加热温度为250-280℃；所述的In源的加热温度为620-650℃；所述的Ga源的加热温度为70-100℃，所述银箔基底区域加热温度650-700℃。
步骤（3）所述反应时间为10-20min。
所述方法主要包括:将S/Se粉，粉体In2O3和银箔基底根据气流方向依次分别放置在双温区管式炉中。
所述方法主要包括: 将液体三乙基镓，S/Se粉和银箔基底根据气流方向依次分别放置在双温区管式炉中。
进一步地，将上述制备方法应用于制备正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料中，所述异质结光催化材料包括InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS中的任意一种。
本发明的有益效果在于：用化学气相沉积法制备的正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料，相比较于其他制备方法，制备工艺简单，易于规模化。与传统的六方相Ⅲ-Ⅵ族异质结材料相比，除了常规的广电性质，所具备的各向异性的特殊性质，使其在光电领域，特别是光催化领域具有了更广阔的应用前景。
附图说明
图1为InSe/GaSe的化学气相沉积制备流程图；
图2为实施例1所得InSe/GaSe的XRD图；
图3为实施例1所得InSe/GaSe的SEM图；
图4为实施例1所得InSe/GaSe的光吸收系数图；
图5为实施例2-4所得材料的XRD图。
具体实施方式
以下列举具体的实施例对本发明进一步解释，但本发明不仅仅局限于这些实施例。
实施例1
一种化学气相沉积制备正交相InSe/GaSe的方法，制备流程图如图1所示，具体步骤如下：
(1)将银箔基底放置在去离子水和氢氧化钠（0.1mol/L）溶液中超声清洗5分钟，随后用惰性气体吹干。将清洗后的银箔在800℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为2小时；
(2)将1g的硒粉，2g的氧化铟按气流方向放置于双温区高温管式炉A中，将2g的三乙基镓，1g的硒粉按照气流方向放置于双温区高温管式炉B中，将10片银箔基底分别放置于单温区管式炉C中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6.65KPa，以50sccm和15sccm的流速同时通入氩气和氢气，清洗反应腔；
(4)持续通入气体，在20min内同时加热三个温区管式炉的温度，其中A和B的温度分别为270℃，640℃以及80℃和270℃，C的温度为650℃，旋转阀门连通A和C，保持15min，反应生成物InSe沉积于银箔基底上，然后旋转阀门连通B和C在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氢气，获得InSe/GaSe。
该实施例所得到的InSE/GaSe的XRD图如图2所示，存在着明显的衍射峰。所得到SEM图像如图3所示，其形貌结构呈薄片状。所得到的光吸收系数图如图4所示，除了具备其他光催化材料所具有的常规光学性能外，还具有着各向异性的特殊性质。
实施例2
一种化学气相沉积制备正交相GaSe/GaS的方法，具体步骤如下：
(1)将银箔基底放置在去离子水和氢氧化钠（0.1mol/ L）溶液中超声清洗5分钟，随后用惰性气体吹干。将清洗后的银箔在800℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为2小时；
(2)将2g的三乙基镓，1g的硒粉按气流方向放置于双温区高温管式炉A中，将5g的三乙基镓，1g的硫粉按照气流方向放置于双温区高温管式炉B中，将10片银箔基底分别放置于单温区管式炉C中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6.65KPa，以50sccm和15sccm的流速同时通入氩气和氢气，清洗反应腔；
(4)持续通入气体，在20min内同时加热三个温区管式炉的温度，其中A和B的温度分别为90℃，260℃以及70℃和210℃，C的温度为670℃，旋转阀门连通A和C，保持15min，反应生成物InSe沉积于银箔基底上，然后旋转阀门连通B和C在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氢气，获得GaSe/GaS。
实施例3
一种化学气相沉积制备正交相制备InSe/InS的方法，具体步骤如下：
(1)将银箔基底放置在去离子水和氢氧化钠（0.1mol/ L）溶液中超声清洗5分钟，随后用惰性气体吹干。将清洗后的银箔在800℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为2小时；
(2)将1g的硒粉，2g的氧化铟按气流方向放置于双温区高温管式炉A中，将1g的硫粉，4g的氧化铟按照气流方向放置于双温区高温管式炉B中，将10片银箔基底分别放置于单温区管式炉C中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6.65KPa，以50sccm和15sccm的流速同时通入氩气和氢气，清洗反应腔；
(4)持续通入气体，在20min内同时加热三个温区管式炉的温度，其中A和B的温度分别为280℃，650℃以及280℃和630℃，C的温度为660℃，旋转阀门连通A和C，保持15min，反应生成物InSe沉积于银箔基底上，然后旋转阀门连通B和C在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氢气，获得InSe/InS。
实施例4
一种化学气相沉积制备正交相制备InS/GaSe的方法，具体步骤如下：
(1)将银箔基底放置在去离子水和氢氧化钠（0.1mol/ L）溶液中超声清洗5分钟，随后用惰性气体吹干。将清洗后的银箔在800℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为2小时；
(2)将1g的硫粉，4g的氧化铟按气流方向放置于双温区高温管式炉A中，将2g的三乙基镓，1g的硒粉按照气流方向放置于双温区高温管式炉B中，将10片银箔基底分别放置于单温区管式炉C中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6.65KPa，以50sccm和15sccm的流速同时通入氩气和氢气，清洗反应腔；
(4)持续通入气体，在20min内同时加热三个温区管式炉的温度，其中A和B的温度分别为190℃，650℃以及80℃和260℃，C的温度为650℃，旋转阀门连通A和C，保持15min，反应生成物InSe沉积于银箔基底上，然后旋转阀门连通B和C在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氢气，获得InS/GaSe。
实施例2-4所得材料的XRD图见图5。
Claims (9)
1.一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料的化学气相沉积方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
(1) 将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2-4混合放置于双温区高温管式炉A中；将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2-5混合放置于双温区高温管式炉B中，将预处理后的银箔基底放置于单温区高温管式炉C中；
(2) 将反应腔的真空度抽至6.65KPa，打开阀门，通入氢气和氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；
(3) 同时加热两个双温区高温管式炉至反应源气相状态，在银箔基底区域同时升温至650-670℃，旋转阀门连通A和C，持续通入载气，反应10-20分钟，反应生成物沉积于银箔基底上，旋转阀门连通B和C，持续通入惰性气体，保持10-20分钟；
(4) 自然冷却至室温后同时关闭氢气和氩气，即可在基底上得到异质结薄层样品。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述预处理银箔基底的方法为：将银箔基底放入0.1mol/L 的NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗；将清洗完毕的基底置于800℃的高温退火炉中进行高温预退火处理2h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的反应源中，S源为S粉，Se源为Se粉，In源是粉体In2O3，Ga源为三乙基镓。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述载气为流速50-60sccm的氩气和10-20sccm的氢气。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述的S源的加热温度为180-210℃；所述的Se源的加热温度为250-280℃；所述的In源的加热温度为620-650℃；所述的Ga源的加热温度为70-100℃，所述银箔基底区域加热温度650-700℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述反应时间为10-20min。
7.根据权利要求1-6所述的制备方法，其特征在于，所述方法主要包括:将S/Se粉，粉体In2O3和银箔基底根据气流方向依次分别放置在双温区管式炉中。
8.根据权利要求1-6所述的制备方法，其特征在于，所述方法主要包括: 将液体三乙基镓，S/Se粉和银箔基底根据气流方向依次分别放置在双温区管式炉中。
9.利用权利要求1所述的制备方法制备得到的正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料，所述异质结光催化材料包括InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS中的任意一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910329955.4A CN109999849A (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910329955.4A CN109999849A (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109999849A true CN109999849A (zh) | 2019-07-12 |
Family
ID=67173768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910329955.4A Pending CN109999849A (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109999849A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112226743A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-15 | 西北大学 | 一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 |
| CN112226744A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-15 | 西北大学 | 一种ReS2-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101194372A (zh) * | 2005-06-15 | 2008-06-04 | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司 | Ⅲ-ⅴ半导体核-异质壳纳米晶体 |
| CN105887045A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 炬力奈米科技有限公司 | 二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备 |
| CN108325540A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-07-27 | 国家纳米科学中心 | 二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片 |
-
2019
- 2019-04-23 CN CN201910329955.4A patent/CN109999849A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101194372A (zh) * | 2005-06-15 | 2008-06-04 | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司 | Ⅲ-ⅴ半导体核-异质壳纳米晶体 |
| CN105887045A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 炬力奈米科技有限公司 | 二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备 |
| CN108325540A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-07-27 | 国家纳米科学中心 | 二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JIANHUI CHEN ET AL.,: "III–VI van der Waals heterostructures for sustainable energy related applications", 《NANOSCALE》 * |
| NILANTHY BALAKRISHNAN ET AL.,: ""Room Temperature Electroluminescence from Mechanically Formed van der Waals III–VI Homojunctions and Heterojunctions"", 《ADV. OPTICAL MATER.》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112226743A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-15 | 西北大学 | 一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 |
| CN112226744A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-15 | 西北大学 | 一种ReS2-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 |
| CN112226744B (zh) * | 2020-08-31 | 2021-07-16 | 西北大学 | 一种ReS2-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108342716B (zh) | 等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法 | |
| CN100575539C (zh) | 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法 | |
| CN106929827A (zh) | 一种少层MoS2薄膜的制备方法 | |
| CN105244416B (zh) | 一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺 | |
| CN109999849A (zh) | 一种正交相ⅲ-ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法 | |
| CN106783541B (zh) | 一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102020263A (zh) | 一种合成石墨烯薄膜材料的方法 | |
| CN102849733A (zh) | 双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉 | |
| Yan et al. | Growth of Cu2ZnSnS4 thin films on transparent conducting glass substrates by the solvothermal method | |
| CN106335897B (zh) | 一种大单晶双层石墨烯及其制备方法 | |
| CN111020487B (zh) | 一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法 | |
| CN105483824A (zh) | 制备单晶双层石墨烯的方法 | |
| CN101164893A (zh) | 一种四针状纳米硫化锌的制备方法 | |
| CN101397149A (zh) | 一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdS纳米棒的方法 | |
| CN110607515B (zh) | 一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物 | |
| Peng et al. | Comparison of the electro-optical performance of ZnO: Al and ZnO: B thin films derived by sol-gel method | |
| CN109999850A (zh) | 一种正交相第ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法 | |
| CN110344022B (zh) | p型戴维南星形MoS2单层二维材料、制备方法及电子器件 | |
| CN110344025B (zh) | 一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法 | |
| CN205188486U (zh) | 二维纳米薄膜制备装置 | |
| CN107915496A (zh) | 一种大面积二维有机‑无机钙钛矿薄膜的制备方法 | |
| CN105645462B (zh) | 一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法 | |
| CN111945227A (zh) | 一种单晶GeSe三角形纳米片阵列材料的制备方法及其应用 | |
| CN102557110B (zh) | 低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法 | |
| CN110724931A (zh) | 一种原子层沉积制备二硫化铼薄膜的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190712 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |