JP2008519959A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 半導体製造加工の汚染物質削減中に使用するための装置であり、
   この装置は熱反応ユニットを含み、熱反応ユニットは、
   中央チャンバを規定し、少なくとも２つの積層された多孔性セクションから成る多孔性内壁と、
   中央チャンバと流体連通し、中央チャンバへと排ガス流を導入するように用いられる少なくとも１つの排ガス注入口と、
   排ガスを中央チャンバ内で分解する際に使用する燃料を導入するための、中央チャンバと流体連通した少なくとも１つの燃料注入口と、
   排ガスを中央チャンバ内で分解する際に使用する酸化剤を導入するための、中央チャンバと流体連通した少なくとも１つの酸化剤注入口と、
   中央チャンバ内に配置され、中央チャンバ内で排ガス流を分解するように用いられ、これにより反応生成物が形成される熱的機構と、
   中央チャンバの多孔性内壁の内表面上での反応生成物の堆積を軽減するに充分な力でもって多孔性内壁を通して中央チャンバへと流体を供給するように用いられる流体供給システムとを含む装置。
2. 隣接する多孔性セクションを連結するために、積層された多孔性セクションが相補的に接合されている請求項１記載の装置。
3. 積層された多孔性セクションの各々が多孔性セラミック体を含む請求項１記載の装置。
4. 積層された多孔性セクションの各々が、アルミナ材料、酸化マグネシウム、高融点金属酸化物、炭化ケイ素、窒化ケイ素、イットリアドープアルミナ材料から成る群から選択された材料を含む請求項１記載の装置。
5. 多孔性内壁を取り囲む第１外壁を更に含み、第１外壁が第１外壁を通して多孔性内壁へと流体を通過させるための複数の穿孔を有する請求項１記載の装置。
6. 第１外壁と多孔性内壁とを取り囲み、かつ第１外壁との間に内部空間を規定する第２外壁を更に含み、
   流体供給システムが、流体を第２外壁と第１外壁との間の内部空間に供給することで多孔性内壁を通して中央チャンバへと流体を供給するように用いられる請求項５記載の装置。
7. 熱反応ユニットに連結された第２チャンバを更に含み、第２チャンバが、
   中央チャンバと流体連通したガス流チャンバであり、排ガス流と反応生成物をガス流チャンバに流すための注入口と排出口とを有するガス流チャンバと、
   ガス流チャンバの内表面上に流れる液膜を作り出すことでガス流チャンバの内表面上での粒状固形物の堆積と蓄積を軽減するように用いられる水供給システムを含む請求項１記載の装置。
8. 第１外壁と多孔性内壁との間に配置された繊維性材料を更に含む請求項５記載の装置。
9. 繊維性材料が、スピネル繊維、ガラスウール及びケイ酸アルミニウムから成る群から選択された材料を含む請求項８記載の装置。
10. 熱反応ユニットが、中央チャンバの内壁又はその内部に配置された多孔性セラミックプレートを更に含み、多孔性セラミックプレートが中央チャンバの一端を閉鎖する請求項１記載の装置。
11. 多孔性セラミックプレートを通して流体を指向して粒状物質のセラミックプレート上への堆積及び蓄積を低減するための第２流体供給システムを更に含む請求項１０記載の装置。
12. 中央チャンバと流体連通した中央噴射口を更に含み、中央噴射口が少なくとも１つの排ガス注入口と少なくとも１つの燃料注入口に近接しており、排ガスを分解する際に中央噴射口を通して中央チャンバに高速流体を導入することで中央噴射口に近接した中央チャンバの内壁と多孔性セラミックプレート上への粒状物質の堆積と蓄積が阻害される請求項１０記載の装置。
13. 半導体製造加工の汚染物質削減中に使用するための装置であり、この装置は上部反応チャンバを含み、上部反応チャンバは、
    中央チャンバを規定し、積層された交換可能な複数の多孔性セクションから成る多孔性内壁と、
    多孔性内壁の積層された多孔性セクションを取り囲み支持し、多孔性内壁へと流体を通過させることが可能な複数の穿孔を含む第１外壁と、
    第１外壁と多孔性内壁とを取り囲み、第１外壁との間に内部空間を規定する第２外壁と、
    中央チャンバと流体連通し、中央チャンバへと排ガス流を導入するように用いられる少なくとも１つの排ガス注入口と、
    中央チャンバと流体連通し、中央チャンバへと燃料を導入するように用いられる少なくとも１つの燃料注入口と、
    中央チャンバ内に配置され、中央チャンバ内で排ガス流を分解するように用いられ、これにより反応生成物が形成される熱的機構と、
    中央チャンバの多孔性内壁の内表面上での反応生成物の堆積を軽減するに充分な力でもって多孔性内壁を通して中央チャンバへと流体を供給するように用いられる流体供給システムとを含み、
    装置は上部反応チャンバに連結された下部反応チャンバとを含み、下部反応チャンバは、
    中央チャンバと流体連通したガス流チャンバであり、排ガス流と反応生成物をガス流チャンバに流すための注入口と排出口とを有するガス流チャンバと、
    ガス流チャンバの内表面上に流れる液膜を作り出すことでガス流チャンバの内表面上での粒状固形物の堆積と蓄積を軽減するように用いられる水供給システムを有する装置。
14. 排ガス流及び反応生成物が上部反応チャンバから下部反応チャンバへと移動するにつれ排ガス流と反応生成物に流体を導入するように用いられる少なくとも１つの注入口を更に含む請求項１３記載のシステム。
15. 削減システムで使用するための交換部品であり、
    積層可能かつ交換可能な多孔性チャンバセクションを含み、チャンバセクションが、他の多孔性チャンバセクションと積み重ねられることで半導体製造加工からの排ガスを分解する際に使用する中央チャンバを規定する多孔性壁を形成することを可能にする複数の構成を有し、多孔性チャンバセクションが、中央チャンバ内での分解処理の際に多孔性チャンバセクション外部からの多孔性チャンバセクションを通した中央チャンバ内への流体の移動を可能にするに充分な多孔性を有することで多孔性チャンバセクションの内表面に向かう反応生成物の移動が軽減される交換部品。
16. 急冷ユニットと、半導体製造加工からの排ガスの分解の際に使用するための中央チャンバを規定する多孔性壁との間に配置され、
    急冷ユニットの稼動中における中央チャンバの多孔性壁の濡れを防止するよう構成されたシールドを含む削減システムで使用するための交換部品。