JP2004044968A - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004044968A JP2004044968A JP2002205532A JP2002205532A JP2004044968A JP 2004044968 A JP2004044968 A JP 2004044968A JP 2002205532 A JP2002205532 A JP 2002205532A JP 2002205532 A JP2002205532 A JP 2002205532A JP 2004044968 A JP2004044968 A JP 2004044968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- collection container
- filter cloth
- silica powder
- exhaust gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Incineration Of Waste (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Abstract
【課題】構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減する。
【解決手段】被処理ガスを燃焼する燃焼器9から排出される排ガスをタンク室11に導き複数のバグフィルタ13を介して後流側に排出するガス処理装置1であって、この各バグフィルタは、排ガス中のシリカ粉を捕集する濾布23と、排出側からこのバグフィルタに気体を流す逆洗手段25、26と、濾布23を振動させる振動手段とをそれぞれ備え、逆洗手段25、26と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることにより、濾布23からシリカ粉を剥離するとともに剥離したシリカ粉を気体に乗せてタンク室11に送ることができるので、シリカ粉を濾布23から剥離させるために逆洗する気体の圧力を上げることなく、構成も簡易にすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】被処理ガスを燃焼する燃焼器9から排出される排ガスをタンク室11に導き複数のバグフィルタ13を介して後流側に排出するガス処理装置1であって、この各バグフィルタは、排ガス中のシリカ粉を捕集する濾布23と、排出側からこのバグフィルタに気体を流す逆洗手段25、26と、濾布23を振動させる振動手段とをそれぞれ備え、逆洗手段25、26と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることにより、濾布23からシリカ粉を剥離するとともに剥離したシリカ粉を気体に乗せてタンク室11に送ることができるので、シリカ粉を濾布23から剥離させるために逆洗する気体の圧力を上げることなく、構成も簡易にすることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、燃焼器を備えたガス処理装置の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガス処理装置は、酸化により固体粒子状の酸化物を生成するガス、例えば、半導体の製造プロセスで排出されるシラン系ガス(例えば、SiH4、Si2H6など)、を燃焼し、安定したシリカ粉(SiO2)としてから捕集して除害処理するものである。このガス処理装置は、シラン系ガスが導かれる燃焼器と、燃焼器の排ガスが導かれる捕集容器と、捕集容器から排出される排ガス中のシリカ粉を捕集する捕集手段であるバグフィルタとを備えて形成され、このバグフィルタに捕集されたシリカ粉は、ホッパ状の捕集容器に一旦滞留した後外部に排出されるようになっている。なお、シラン系ガスの酸化反応式を以下の(1)、(2)式に示す。
SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O ………(1)
Si2H6 + 3・1/2O2 = 2SiO2 + 3H2O ………(2)
このように気相のシランガスから析出するシリカ粉の粒体は、微細な(例えば、粒径nm以下、嵩比重0.05g/cc)ため捕集が困難であり、例えば、スクラバなどの湿式方式を用いたものでは50%程度の捕集率である。そこで、バグフィルタには、編み目が比較的小さく、かつ、編んだ布を幾重にも重ね合わせた濾布が用いられている。
【0003】
このような濾布の目詰まりを防止するため、ガス処理装置は、例えば、排ガスの流れの下流側から濾布方向に例えば気体などの逆洗媒体を流す低圧逆洗式、排ガスの流れの下流側から濾布方向に比較的高圧の気体を瞬間的に噴射する高圧パルス逆洗式、あるいは濾布を振動させる加振式や打撃式などの払い落とし装置を備えている。
【0004】
このような払い落とし装置を備えたガス処理装置は、通常、1つの捕集容器に複数の濾布を備え、それぞれの濾布の払い落とし装置を順番に作動させることで、ガス処理装置を連続的に運転させつつシリカ粉の払い落としができるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、低圧逆洗式の払い落とし装置は、濾布の裏面、すなわち、捕集物を捕集する面の裏面から気体を通流させ、濾布を通過する気体に乗せて捕集物を払い落とすものである。しかし、粒径が小さいシリカ粉は、濾布表面に密に堆積して層を形成してしまい、低圧逆洗式の払い落とし装置から逆流する気体が濾布を通過できず、払い落とすことができないという問題がある。
【0006】
これに対して、逆流する気体の流量を増加させて圧力を上げれば濾布を通過させることができるが、逆流する気体が上流側の装置または機器類に圧力変動などの悪影響を与える場合があり好ましくない。
【0007】
一方、高圧パルス逆洗式の払い落とし装置は、捕集物を捕集する面の裏面から比較的高圧の気体を瞬間的に(例えば、0.2秒間)噴射して、濾布に付着した捕集物を濾布から剥離させて吹き飛ばすものである。しかし、シリカ粉は非常に微細であるとともに、各濾布には捕集容器から常時排ガスが流れ込んでいるため、一旦剥離したシリカ粉が再び捕集されてしまい払い落とすことができないという問題がある。さらに、瞬間的であっても高圧の気体を逆流させることで上流側の装置または機器類に圧力変動などの悪影響を与える場合があり好ましくない。
【0008】
他方、加振式及び打撃式の払い落とし装置は、振動または衝撃により捕集物を濾布から剥離させ、その捕集物の自重で落下させて払い落とすというものである。しかし、シリカ粉は微細であるため自重による落下には時間がかかり、高圧パルス逆洗式と同様に、一旦剥離したシリカ粉が再び捕集されてしまい払い落とすことができないという問題がある。
【0009】
これに対して、複数の捕集容器を設け、それぞれの捕集容器ごとに払い落としを行い、かつ、その払い落とし運転中の捕集容器に排ガスを流入させないように制御することで濾布からシリカ粉を払い落とすことができる。しかし、このような複数の捕集容器を設ける構成では、設備や設備を設置するスペースが増大し、さらに、それぞれの捕集容器への排ガスの流入・停止を切り替えなければならず制御が煩雑になるため好ましくない。このため、簡易な構成で、かつ、払い落としによる圧力の変動を抑えた払い落とし装置が望まれている。
【0010】
そこで、本発明は、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス処理装置は、被処理ガスを燃焼する燃焼器と、この燃焼器から排出される排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、排ガスの流れの逆方向に捕集手段に気体を流す逆洗手段と、捕集手段を振動させる振動手段とを備え、逆洗手段と振動手段を同期させて作動させることにより上記課題を解決する。
【0012】
具体的にガス処理装置は、被処理ガスを燃焼する燃焼器から排出される排ガスを捕集容器に導き、この捕集容器内の排ガスを複数のガス流路を介して排出するガス処理装置であって、この各ガス流路は、排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、排ガスの排出側からこの捕集手段に気体を流す逆洗手段と、濾布を振動させる振動手段とをそれぞれ備え、逆洗手段と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることを特徴とする。
【0013】
このような構成とすることにより、濾布を振動させて濾布からシリカ粉を剥離するとともに、濾布から剥離したシリカ粉を排ガスの流れ方向の逆方向に気体に乗せて捕集容器内に送ることができる。これにより、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することができる。
【0014】
この場合において、振動手段による振動とは、打撃(ノッカ)の衝撃による振動や加振(バイブレータ、シェイキング)による振動のことをいう。ここで、逆洗手段により逆流する気体の圧力は、通常の低圧逆洗時における気体圧力と同程度の圧力とし、燃焼器から排出される排ガスの圧力以上に設定する。
【0015】
また、本発明のガス処理装置では、複数のガス流路は、捕集容器の上面に立設され下端が捕集容器内に連通する複数の筒体で形成され、捕集手段は、この筒体内に配置され下側が開口した袋状の濾布を備えて形成され、かつ、この濾布の開口の外縁を筒体の内面に連結する構成とすることができる。これにより、一方の濾布から払い落とされたシリカ粉が、他方の濾布に捕集されることを抑制することができる。
【0016】
ところで、濾布で捕集したシリカ粉は、通常、払い落とし後、下部のホッパ状の捕集容器に滞留し、そのまま窒素などにより気流搬送で排出またはバキュームで抜出される。しかし、シリカ粉が完全反応したものでなく、未反応のままの状態(通常SinOmと表す:n、mは係数)であると、発熱反応を起こす場合がある。例えばSiOであれば、次の(3)式のように完全反応に移ろうとする。
SiO + O = SiO2 + heat ………(3)
このように、未反応のシリカ粉を貯め、周囲に酸素が存在すれば酸化反応が起こり、捕集容器内で発熱、温度上昇し燃焼する場合、または、捕集容器及びバグフィルタのメンテナンス時に点検口を開け、空気と触れたときに急激に酸化反応が進み燃焼する場合がある。
【0017】
そこで、本発明のガス処理装置では、捕集容器の底部に水を滞留させる構成とすることを特徴とする。これにより、濾布から捕集容器に落ちたシリカ粉を捕集容器内の水に分散させることができ、安全に系外へ排出することができる。この場合において、捕集容器の天井から垂下し、下端が水面より上に位置する仕切り板を備え、仕切り板を各ガス流路が捕集容器に連通する部分をそれぞれ画成するように配置することで、一方の濾布から払い落とされたシリカ粉が、他方の濾布に捕集されることをより抑制することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のガス処理装置の一実施の形態について、図1〜図6を用いて説明する。図1は、本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態のバグフィルタの概略構成を示した図である。図2は、本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態の概略構成を示した図である。図3は、本発明を適用してなるガス処理装置のシラン処理装置の概略構成を示した斜視図である。図4は、シラン処理装置の変形例の概略構成を示した斜視図である。図5は、シラン処理装置の払い落とし時の状態を示した断面図である。図6は、シラン処理装置の変形例の概略構成を示した一部断面図である。
【0019】
本実施形態のガス処理装置1は、図2に示すように、シラン系ガス(例えば、SiH4、Si2H6など)を処理するシラン処理装置3を備え、さらに、シラン処理装置3の排出側にはPFCガス(PerFluorCompound、例えば、CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6など)を分解するPFC分解炉5と、HF(フッ化水素)を吸収するHF吸収塔7とを順次備えて形成されている。
【0020】
シラン処理装置3は、燃焼器9と、捕集容器であるタンク室11と、2つのバグフィルタ13とを備えて構成されている。燃焼器9は下端が開口した筒型の容器10で形成され、上端には、図示していない半導体製造プロセス(例えば、CVD装置など)から排出されるシラン系ガスやPFCガスが含まれた被処理ガスを燃焼器9内に導く被処理ガス入口15と、パイロットバーナ16が設けられている。容器10の下端は、箱型に形成されたタンク室11の上面に連結され、燃焼器9内とタンク室11内とを連通している。また、燃焼器9の筒型の容器の側部には、冷却水通流口17が設けられ、冷却水通流口17を介して燃焼器9内を冷却水が通流できるようになっている。
【0021】
バグフィルタ13は、下端が開口した筒型の容器19を備え、容器19の上端には、容器19内の雰囲気をPFC分解炉5に導くガス管路21が連結されている。容器19の下端は、箱型に形成されたタンク室11の上面に連結され、バグフィルタ13内とタンク室11内とを連通することで、タンク室11内のガスを後流側に導くガス流路を形成している。また、図1に示すように、容器19内には、袋状の濾布23が袋の開口を下にした格好で配置され、濾布23が配置されている位置に相当する容器19の側部には、逆洗用の気体を容器19内に導く逆洗ガス管路25が連結され、逆洗ガス管路25にはバルブ26がそれぞれ設けられている。また、濾布23の袋の縁周は容器19の内周面に連結され、タンク室11内の排ガスが袋内に導かれるように形成されている。タンク室11の下部には水が滞留されており、この水は、排水ポンプ27により、循環あるいは系外に排出されるようになっている。
【0022】
バグフィルタ13内の雰囲気を導くガス管路21は、PFC分解炉5の流路切替機29に接続されている。流路切替機29は、冷却器30、蓄熱器31及びバーナ32を順次備えてPFC燃焼炉34に連通する流路33、もしくは、冷却器40、蓄熱器41及びバーナ42を順次備えてPFC燃焼炉34に連通する流路43のいずれか一方にガス管路21を連結し、他方の流路はガス管路45に連結する。また、PFC燃焼炉34は、ヒートアップバーナ36を備えて構成されている。ガス管路45は、HF吸収塔7に連結されHF吸収塔7内の吸収部47を介して大気中に排出され、HF吸収塔の底部に溜まった排水は排出されるようになっている。
【0023】
次に、本実施形態の特徴点である逆洗手段及び振動手段について説明する。図1に示すように、バグフィルタ13には、逆洗ガス管路25を介して容器19と濾布23との間に逆洗用気体を流入させ、符号50の矢印方向に逆洗用気体を流す逆洗手段と、濾布23を叩いて符号51の方向に振動させる図示していないノッカとが設けられている。また、バルブ26と、ノッカとの動作を制御する図示していない制御装置を備えて形成されている。
【0024】
このような構成のガス処理装置1の動作について説明する。まず、通常の運転時、燃焼器9は、パイロットバーナ16で容器10内を300℃以上、望ましくは400℃以上に予熱後に、図示していないCVD装置から被処理ガス入口15を介して被処理ガスが供給される。これにより、被処理ガス中に含まれるシラン系ガスが燃焼しシリカ粉が生成される。ここで、燃焼器9は、パイロットバーナ16を介して全体の空気比で2.0[−]以上になるように十分に空気を供給することで、完全に酸化させた親水性の白いシリカ粉を生成することができる。また、空気比を1.0〜2.0[−]でも親水性のシリカ粉が生成できるが、カップリングされているか、あるいは、未反応である茶色がかったシリカ粉であるため好ましくない。
【0025】
このように生成されたシリカ粉を含んだ排ガスは、燃焼器9の下部からタンク室11内へ流入する。排ガス中のシリカ粉の一部はタンク室11内の水に分散し、排水ポンプ27により水と一緒に外部に排出される。残りのシリカ粉は排ガスとともにバグフィルタ13へ導かれ、濾布23の袋内に流れ込み袋の内面側に捕集される。シリカ粉が捕集された排ガスは、濾布23と容器19との間を通流し、ガス管路21に導かれ、図示していない燃焼用空気が混入され、ほぼ常温となり流路切換機29に送られる。
【0026】
流路切替機29に導かれた排ガスは、流路33もしくは流路43のいずれかに流入する。例えば、流路33に導かれた場合、排ガスは蓄熱器31へ入り約800℃まで予熱され、さらに主バーナ32により助燃量(LPG、H2、都市ガスなど)が投入されPFC燃焼炉34内を1000℃以上の雰囲気(難燃性のPFCがあるため1200℃が望ましい)にし、PFCを燃焼・加水分解し除去する。分解されたガスは片方の主バーナ42、蓄熱器41を通り、蓄熱器41で廃熱回収が行われる。その後、冷却管40で排ガス温度を約200℃以下とし、再度流路切換機29へ入り、分解後の排ガスは吸収塔7でPFC分解後の副生成物HFを除去し大気へ排出される。ここで、流路切換機29は、蓄熱器41に十分熱を貯えられる時間(約30〜120秒)間隔で切換え動作を行う。切り換わると処理排ガスの流れは順に、蓄熱器41、主バーナ42、PFC燃焼炉34、主バーナ32、蓄熱器31、冷却管30、流路切換機29となる。この繰り返しにより、シランとPFCの一括連続分解処理を行う。
【0027】
次に、本実施形態の特徴部であるバグフィルタにおける払い落し運転時の制御装置の動作について説明する。まず、払い落し運転が開始されると、制御装置はいずれか一方のバグフィルタ13のバルブ26及びノッカを作動させ、他方のバグフィルタ13のバルブ26及び振動手段は停止させた状態を維持する。これにより、濾布23の袋の内面側に付着したシリカ粉を剥離するとともに、濾布23から剥離したシリカ粉を排ガスの流れ方向の逆方向に気体に乗せてタンク室11内に送ることができる。この結果、簡易な構成でバグフィルタ13内の濾布23に付着したシリカ粉を払い落とすことができる。また、本実施の形態では、比較的圧力の高い高圧パルス逆洗式の払い落とし装置を用いないので、燃焼器9側の圧力変動を抑制することができる。
【0028】
また、本実施の形態では、濾布23を振動させる手段としてノッカを用いたが、これに限らず、濾布に衝撃や振動を与えるものであれば、例えば、加振式のバイブレータやシェイキングなど周知の払い落とし装置を用いることができる。
【0029】
また、本実施の形態のシラン処理装置3は、図3に示すように、燃焼器9の横に2つのバグフィルタ13を並べて配置したが、これに代えて、図4に示すように、燃焼器9を2つのバグフィルタ13で挟むような配置にすることもできる。なお、図3及び図4に示すタンク室11には、タンク室11の天井から垂下し、下端が水面より上に位置する仕切り板53を備え、仕切り板53がバグフィルタ13がタンク室11に連結された部分をそれぞれ画成するように配置することで、図5に示すように、一方のバグフィルタから払い落とされたシリカ粉が、他方のバグフィルタに捕集されることを抑制することができる。なお、符号54はシリカ粉の固体粒子を代表してしめしたものである。
【0030】
また、本実施の形態では、各バグフィルタ13ごとに容器19を設けた構成としたが、図6に示すように、容器55内を2つの部屋に分割して各部屋にそれぞれ濾布23を配置する構成とすることもできる。また、本実施の形態では、バグフィルタ13を2つ備えた構成としたが、これに限らず、いくつ設けた構成としてもよい。
【0031】
また、本実施の形態では、半導体製造プロセスで発生するシラン系ガスを処理する例を挙げて説明したが、シリカ粉の製造および光ファイバ製造プロセスなどシラン系ガスが発生する場合であれば本発明を適用することができる。
【0032】
このように、本実施形態によれば、被処理ガスを燃焼する燃焼器9から排出される排ガスをタンク室11に導き、このタンク室11内の排ガスを複数の筒状の容器19を介して排出する場合において、逆洗手段と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることで、捕集したシリカ粉を低圧逆洗と同時に衝撃により安定に払い落とし、下部のタンク室11へ落下させるとともに、圧力変動も少なくすることができる。さらに、払い落とされたシリカ粉を安全に排出するためには、タンク室11に入れた水とともに排出することができ安全に系外へ排出できる。また、本実施形態では、逆洗手段の逆洗媒体に気体を用いたがこれに限らず周知の逆洗媒体を用いることができる。
【0033】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態のバグフィルタの概略構成を示した図である。
【図2】本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態の概略構成を示した図である。
【図3】本発明を適用してなるガス処理装置のシラン処理装置の概略構成を示した斜視図である。
【図4】シラン処理装置の変形例の概略構成を示した斜視図である。
【図5】シラン処理装置の払い落とし時を示した断面図である。
【図6】シラン処理装置の変形例の概略構成を示した一部断面図である。
【符号の説明】
1 ガス処理装置
9 燃焼器
11 タンク室
13 バグフィルタ
23 濾布
25、26 逆洗手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、燃焼器を備えたガス処理装置の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガス処理装置は、酸化により固体粒子状の酸化物を生成するガス、例えば、半導体の製造プロセスで排出されるシラン系ガス(例えば、SiH4、Si2H6など)、を燃焼し、安定したシリカ粉(SiO2)としてから捕集して除害処理するものである。このガス処理装置は、シラン系ガスが導かれる燃焼器と、燃焼器の排ガスが導かれる捕集容器と、捕集容器から排出される排ガス中のシリカ粉を捕集する捕集手段であるバグフィルタとを備えて形成され、このバグフィルタに捕集されたシリカ粉は、ホッパ状の捕集容器に一旦滞留した後外部に排出されるようになっている。なお、シラン系ガスの酸化反応式を以下の(1)、(2)式に示す。
SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O ………(1)
Si2H6 + 3・1/2O2 = 2SiO2 + 3H2O ………(2)
このように気相のシランガスから析出するシリカ粉の粒体は、微細な(例えば、粒径nm以下、嵩比重0.05g/cc)ため捕集が困難であり、例えば、スクラバなどの湿式方式を用いたものでは50%程度の捕集率である。そこで、バグフィルタには、編み目が比較的小さく、かつ、編んだ布を幾重にも重ね合わせた濾布が用いられている。
【0003】
このような濾布の目詰まりを防止するため、ガス処理装置は、例えば、排ガスの流れの下流側から濾布方向に例えば気体などの逆洗媒体を流す低圧逆洗式、排ガスの流れの下流側から濾布方向に比較的高圧の気体を瞬間的に噴射する高圧パルス逆洗式、あるいは濾布を振動させる加振式や打撃式などの払い落とし装置を備えている。
【0004】
このような払い落とし装置を備えたガス処理装置は、通常、1つの捕集容器に複数の濾布を備え、それぞれの濾布の払い落とし装置を順番に作動させることで、ガス処理装置を連続的に運転させつつシリカ粉の払い落としができるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、低圧逆洗式の払い落とし装置は、濾布の裏面、すなわち、捕集物を捕集する面の裏面から気体を通流させ、濾布を通過する気体に乗せて捕集物を払い落とすものである。しかし、粒径が小さいシリカ粉は、濾布表面に密に堆積して層を形成してしまい、低圧逆洗式の払い落とし装置から逆流する気体が濾布を通過できず、払い落とすことができないという問題がある。
【0006】
これに対して、逆流する気体の流量を増加させて圧力を上げれば濾布を通過させることができるが、逆流する気体が上流側の装置または機器類に圧力変動などの悪影響を与える場合があり好ましくない。
【0007】
一方、高圧パルス逆洗式の払い落とし装置は、捕集物を捕集する面の裏面から比較的高圧の気体を瞬間的に(例えば、0.2秒間)噴射して、濾布に付着した捕集物を濾布から剥離させて吹き飛ばすものである。しかし、シリカ粉は非常に微細であるとともに、各濾布には捕集容器から常時排ガスが流れ込んでいるため、一旦剥離したシリカ粉が再び捕集されてしまい払い落とすことができないという問題がある。さらに、瞬間的であっても高圧の気体を逆流させることで上流側の装置または機器類に圧力変動などの悪影響を与える場合があり好ましくない。
【0008】
他方、加振式及び打撃式の払い落とし装置は、振動または衝撃により捕集物を濾布から剥離させ、その捕集物の自重で落下させて払い落とすというものである。しかし、シリカ粉は微細であるため自重による落下には時間がかかり、高圧パルス逆洗式と同様に、一旦剥離したシリカ粉が再び捕集されてしまい払い落とすことができないという問題がある。
【0009】
これに対して、複数の捕集容器を設け、それぞれの捕集容器ごとに払い落としを行い、かつ、その払い落とし運転中の捕集容器に排ガスを流入させないように制御することで濾布からシリカ粉を払い落とすことができる。しかし、このような複数の捕集容器を設ける構成では、設備や設備を設置するスペースが増大し、さらに、それぞれの捕集容器への排ガスの流入・停止を切り替えなければならず制御が煩雑になるため好ましくない。このため、簡易な構成で、かつ、払い落としによる圧力の変動を抑えた払い落とし装置が望まれている。
【0010】
そこで、本発明は、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス処理装置は、被処理ガスを燃焼する燃焼器と、この燃焼器から排出される排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、排ガスの流れの逆方向に捕集手段に気体を流す逆洗手段と、捕集手段を振動させる振動手段とを備え、逆洗手段と振動手段を同期させて作動させることにより上記課題を解決する。
【0012】
具体的にガス処理装置は、被処理ガスを燃焼する燃焼器から排出される排ガスを捕集容器に導き、この捕集容器内の排ガスを複数のガス流路を介して排出するガス処理装置であって、この各ガス流路は、排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、排ガスの排出側からこの捕集手段に気体を流す逆洗手段と、濾布を振動させる振動手段とをそれぞれ備え、逆洗手段と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることを特徴とする。
【0013】
このような構成とすることにより、濾布を振動させて濾布からシリカ粉を剥離するとともに、濾布から剥離したシリカ粉を排ガスの流れ方向の逆方向に気体に乗せて捕集容器内に送ることができる。これにより、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することができる。
【0014】
この場合において、振動手段による振動とは、打撃(ノッカ)の衝撃による振動や加振(バイブレータ、シェイキング)による振動のことをいう。ここで、逆洗手段により逆流する気体の圧力は、通常の低圧逆洗時における気体圧力と同程度の圧力とし、燃焼器から排出される排ガスの圧力以上に設定する。
【0015】
また、本発明のガス処理装置では、複数のガス流路は、捕集容器の上面に立設され下端が捕集容器内に連通する複数の筒体で形成され、捕集手段は、この筒体内に配置され下側が開口した袋状の濾布を備えて形成され、かつ、この濾布の開口の外縁を筒体の内面に連結する構成とすることができる。これにより、一方の濾布から払い落とされたシリカ粉が、他方の濾布に捕集されることを抑制することができる。
【0016】
ところで、濾布で捕集したシリカ粉は、通常、払い落とし後、下部のホッパ状の捕集容器に滞留し、そのまま窒素などにより気流搬送で排出またはバキュームで抜出される。しかし、シリカ粉が完全反応したものでなく、未反応のままの状態(通常SinOmと表す:n、mは係数)であると、発熱反応を起こす場合がある。例えばSiOであれば、次の(3)式のように完全反応に移ろうとする。
SiO + O = SiO2 + heat ………(3)
このように、未反応のシリカ粉を貯め、周囲に酸素が存在すれば酸化反応が起こり、捕集容器内で発熱、温度上昇し燃焼する場合、または、捕集容器及びバグフィルタのメンテナンス時に点検口を開け、空気と触れたときに急激に酸化反応が進み燃焼する場合がある。
【0017】
そこで、本発明のガス処理装置では、捕集容器の底部に水を滞留させる構成とすることを特徴とする。これにより、濾布から捕集容器に落ちたシリカ粉を捕集容器内の水に分散させることができ、安全に系外へ排出することができる。この場合において、捕集容器の天井から垂下し、下端が水面より上に位置する仕切り板を備え、仕切り板を各ガス流路が捕集容器に連通する部分をそれぞれ画成するように配置することで、一方の濾布から払い落とされたシリカ粉が、他方の濾布に捕集されることをより抑制することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のガス処理装置の一実施の形態について、図1〜図6を用いて説明する。図1は、本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態のバグフィルタの概略構成を示した図である。図2は、本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態の概略構成を示した図である。図3は、本発明を適用してなるガス処理装置のシラン処理装置の概略構成を示した斜視図である。図4は、シラン処理装置の変形例の概略構成を示した斜視図である。図5は、シラン処理装置の払い落とし時の状態を示した断面図である。図6は、シラン処理装置の変形例の概略構成を示した一部断面図である。
【0019】
本実施形態のガス処理装置1は、図2に示すように、シラン系ガス(例えば、SiH4、Si2H6など)を処理するシラン処理装置3を備え、さらに、シラン処理装置3の排出側にはPFCガス(PerFluorCompound、例えば、CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6など)を分解するPFC分解炉5と、HF(フッ化水素)を吸収するHF吸収塔7とを順次備えて形成されている。
【0020】
シラン処理装置3は、燃焼器9と、捕集容器であるタンク室11と、2つのバグフィルタ13とを備えて構成されている。燃焼器9は下端が開口した筒型の容器10で形成され、上端には、図示していない半導体製造プロセス(例えば、CVD装置など)から排出されるシラン系ガスやPFCガスが含まれた被処理ガスを燃焼器9内に導く被処理ガス入口15と、パイロットバーナ16が設けられている。容器10の下端は、箱型に形成されたタンク室11の上面に連結され、燃焼器9内とタンク室11内とを連通している。また、燃焼器9の筒型の容器の側部には、冷却水通流口17が設けられ、冷却水通流口17を介して燃焼器9内を冷却水が通流できるようになっている。
【0021】
バグフィルタ13は、下端が開口した筒型の容器19を備え、容器19の上端には、容器19内の雰囲気をPFC分解炉5に導くガス管路21が連結されている。容器19の下端は、箱型に形成されたタンク室11の上面に連結され、バグフィルタ13内とタンク室11内とを連通することで、タンク室11内のガスを後流側に導くガス流路を形成している。また、図1に示すように、容器19内には、袋状の濾布23が袋の開口を下にした格好で配置され、濾布23が配置されている位置に相当する容器19の側部には、逆洗用の気体を容器19内に導く逆洗ガス管路25が連結され、逆洗ガス管路25にはバルブ26がそれぞれ設けられている。また、濾布23の袋の縁周は容器19の内周面に連結され、タンク室11内の排ガスが袋内に導かれるように形成されている。タンク室11の下部には水が滞留されており、この水は、排水ポンプ27により、循環あるいは系外に排出されるようになっている。
【0022】
バグフィルタ13内の雰囲気を導くガス管路21は、PFC分解炉5の流路切替機29に接続されている。流路切替機29は、冷却器30、蓄熱器31及びバーナ32を順次備えてPFC燃焼炉34に連通する流路33、もしくは、冷却器40、蓄熱器41及びバーナ42を順次備えてPFC燃焼炉34に連通する流路43のいずれか一方にガス管路21を連結し、他方の流路はガス管路45に連結する。また、PFC燃焼炉34は、ヒートアップバーナ36を備えて構成されている。ガス管路45は、HF吸収塔7に連結されHF吸収塔7内の吸収部47を介して大気中に排出され、HF吸収塔の底部に溜まった排水は排出されるようになっている。
【0023】
次に、本実施形態の特徴点である逆洗手段及び振動手段について説明する。図1に示すように、バグフィルタ13には、逆洗ガス管路25を介して容器19と濾布23との間に逆洗用気体を流入させ、符号50の矢印方向に逆洗用気体を流す逆洗手段と、濾布23を叩いて符号51の方向に振動させる図示していないノッカとが設けられている。また、バルブ26と、ノッカとの動作を制御する図示していない制御装置を備えて形成されている。
【0024】
このような構成のガス処理装置1の動作について説明する。まず、通常の運転時、燃焼器9は、パイロットバーナ16で容器10内を300℃以上、望ましくは400℃以上に予熱後に、図示していないCVD装置から被処理ガス入口15を介して被処理ガスが供給される。これにより、被処理ガス中に含まれるシラン系ガスが燃焼しシリカ粉が生成される。ここで、燃焼器9は、パイロットバーナ16を介して全体の空気比で2.0[−]以上になるように十分に空気を供給することで、完全に酸化させた親水性の白いシリカ粉を生成することができる。また、空気比を1.0〜2.0[−]でも親水性のシリカ粉が生成できるが、カップリングされているか、あるいは、未反応である茶色がかったシリカ粉であるため好ましくない。
【0025】
このように生成されたシリカ粉を含んだ排ガスは、燃焼器9の下部からタンク室11内へ流入する。排ガス中のシリカ粉の一部はタンク室11内の水に分散し、排水ポンプ27により水と一緒に外部に排出される。残りのシリカ粉は排ガスとともにバグフィルタ13へ導かれ、濾布23の袋内に流れ込み袋の内面側に捕集される。シリカ粉が捕集された排ガスは、濾布23と容器19との間を通流し、ガス管路21に導かれ、図示していない燃焼用空気が混入され、ほぼ常温となり流路切換機29に送られる。
【0026】
流路切替機29に導かれた排ガスは、流路33もしくは流路43のいずれかに流入する。例えば、流路33に導かれた場合、排ガスは蓄熱器31へ入り約800℃まで予熱され、さらに主バーナ32により助燃量(LPG、H2、都市ガスなど)が投入されPFC燃焼炉34内を1000℃以上の雰囲気(難燃性のPFCがあるため1200℃が望ましい)にし、PFCを燃焼・加水分解し除去する。分解されたガスは片方の主バーナ42、蓄熱器41を通り、蓄熱器41で廃熱回収が行われる。その後、冷却管40で排ガス温度を約200℃以下とし、再度流路切換機29へ入り、分解後の排ガスは吸収塔7でPFC分解後の副生成物HFを除去し大気へ排出される。ここで、流路切換機29は、蓄熱器41に十分熱を貯えられる時間(約30〜120秒)間隔で切換え動作を行う。切り換わると処理排ガスの流れは順に、蓄熱器41、主バーナ42、PFC燃焼炉34、主バーナ32、蓄熱器31、冷却管30、流路切換機29となる。この繰り返しにより、シランとPFCの一括連続分解処理を行う。
【0027】
次に、本実施形態の特徴部であるバグフィルタにおける払い落し運転時の制御装置の動作について説明する。まず、払い落し運転が開始されると、制御装置はいずれか一方のバグフィルタ13のバルブ26及びノッカを作動させ、他方のバグフィルタ13のバルブ26及び振動手段は停止させた状態を維持する。これにより、濾布23の袋の内面側に付着したシリカ粉を剥離するとともに、濾布23から剥離したシリカ粉を排ガスの流れ方向の逆方向に気体に乗せてタンク室11内に送ることができる。この結果、簡易な構成でバグフィルタ13内の濾布23に付着したシリカ粉を払い落とすことができる。また、本実施の形態では、比較的圧力の高い高圧パルス逆洗式の払い落とし装置を用いないので、燃焼器9側の圧力変動を抑制することができる。
【0028】
また、本実施の形態では、濾布23を振動させる手段としてノッカを用いたが、これに限らず、濾布に衝撃や振動を与えるものであれば、例えば、加振式のバイブレータやシェイキングなど周知の払い落とし装置を用いることができる。
【0029】
また、本実施の形態のシラン処理装置3は、図3に示すように、燃焼器9の横に2つのバグフィルタ13を並べて配置したが、これに代えて、図4に示すように、燃焼器9を2つのバグフィルタ13で挟むような配置にすることもできる。なお、図3及び図4に示すタンク室11には、タンク室11の天井から垂下し、下端が水面より上に位置する仕切り板53を備え、仕切り板53がバグフィルタ13がタンク室11に連結された部分をそれぞれ画成するように配置することで、図5に示すように、一方のバグフィルタから払い落とされたシリカ粉が、他方のバグフィルタに捕集されることを抑制することができる。なお、符号54はシリカ粉の固体粒子を代表してしめしたものである。
【0030】
また、本実施の形態では、各バグフィルタ13ごとに容器19を設けた構成としたが、図6に示すように、容器55内を2つの部屋に分割して各部屋にそれぞれ濾布23を配置する構成とすることもできる。また、本実施の形態では、バグフィルタ13を2つ備えた構成としたが、これに限らず、いくつ設けた構成としてもよい。
【0031】
また、本実施の形態では、半導体製造プロセスで発生するシラン系ガスを処理する例を挙げて説明したが、シリカ粉の製造および光ファイバ製造プロセスなどシラン系ガスが発生する場合であれば本発明を適用することができる。
【0032】
このように、本実施形態によれば、被処理ガスを燃焼する燃焼器9から排出される排ガスをタンク室11に導き、このタンク室11内の排ガスを複数の筒状の容器19を介して排出する場合において、逆洗手段と振動手段を各ガス流路ごとに同期させて作動させることで、捕集したシリカ粉を低圧逆洗と同時に衝撃により安定に払い落とし、下部のタンク室11へ落下させるとともに、圧力変動も少なくすることができる。さらに、払い落とされたシリカ粉を安全に排出するためには、タンク室11に入れた水とともに排出することができ安全に系外へ排出できる。また、本実施形態では、逆洗手段の逆洗媒体に気体を用いたがこれに限らず周知の逆洗媒体を用いることができる。
【0033】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、構成を簡易にするとともに、払い落としによる圧力の変動を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態のバグフィルタの概略構成を示した図である。
【図2】本発明を適用してなるガス処理装置の一実施形態の概略構成を示した図である。
【図3】本発明を適用してなるガス処理装置のシラン処理装置の概略構成を示した斜視図である。
【図4】シラン処理装置の変形例の概略構成を示した斜視図である。
【図5】シラン処理装置の払い落とし時を示した断面図である。
【図6】シラン処理装置の変形例の概略構成を示した一部断面図である。
【符号の説明】
1 ガス処理装置
9 燃焼器
11 タンク室
13 バグフィルタ
23 濾布
25、26 逆洗手段
Claims (5)
- 被処理ガスを燃焼する燃焼器と、該燃焼器から排出される排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、前記排ガスの流れの逆方向に前記捕集手段に逆洗媒体を流す逆洗手段と、前記捕集手段を振動させる振動手段とを備え、前記逆洗手段と前記振動手段を同期させて作動させるガス処理装置。
- 被処理ガスを燃焼する燃焼器から排出される排ガスを捕集容器に導き、該捕集容器内の前記排ガスを複数のガス流路を介して排出するガス処理装置であって、
該各ガス流路は、前記排ガス中の固体粒子を捕集する捕集手段と、前記排ガスの排出側から該捕集手段に逆洗媒体を流す逆洗手段と、前記濾布を振動させる振動手段とをそれぞれ備え、
前記逆洗手段と前記振動手段を前記各ガス流路ごとに同期させて作動させることを特徴とするガス処理装置。 - 前記複数のガス流路は、前記捕集容器の上面に立設され下端が前記捕集容器内に連通する複数の筒体で形成され、
前記捕集手段は、該筒体内に配置され下側が開口した袋状の濾布を備えて形成され、かつ、該濾布の開口の外縁を前記筒体の内面に連結してなることを特徴とする請求項2に記載のガス処理装置。 - 前記捕集容器は、底部に水が滞留することを特徴とする請求項2または3に記載のガス処理装置。
- 前記捕集容器の天井から垂下し、下端が前記水面より上に位置する仕切り板を備え、
前記仕切り板は、前記各ガス流路が前記捕集容器に連通する部分をそれぞれ画成することを特徴とする請求項4に記載のガス処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002205532A JP2004044968A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002205532A JP2004044968A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | ガス処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004044968A true JP2004044968A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=31710817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002205532A Pending JP2004044968A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004044968A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009202103A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Amano Corp | 集塵機用防爆型フィルタ及び防爆型集塵機 |
JP2009273995A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | アスベスト粉塵の除塵方法および除塵装置 |
CN104056794A (zh) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | 永进艾恩迪有限公司 | 用于洗涤器的副产物去除装置和包括该装置的等离子洗涤器 |
JP2016131932A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 住友化学株式会社 | 排気ガス処理装置及び基板処理装置 |
CN111408214A (zh) * | 2020-04-18 | 2020-07-14 | 程业春 | 一种工业烟气净化处理方法 |
-
2002
- 2002-07-15 JP JP2002205532A patent/JP2004044968A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009202103A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Amano Corp | 集塵機用防爆型フィルタ及び防爆型集塵機 |
JP2009273995A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | アスベスト粉塵の除塵方法および除塵装置 |
CN104056794A (zh) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | 永进艾恩迪有限公司 | 用于洗涤器的副产物去除装置和包括该装置的等离子洗涤器 |
JP2016131932A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 住友化学株式会社 | 排気ガス処理装置及び基板処理装置 |
WO2016117253A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 住友化学株式会社 | 排気ガス処理装置及び基板処理装置 |
CN111408214A (zh) * | 2020-04-18 | 2020-07-14 | 程业春 | 一种工业烟气净化处理方法 |
CN111408214B (zh) * | 2020-04-18 | 2020-10-30 | 江苏世清环保科技有限公司 | 一种工业烟气净化处理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5895521A (en) | Dust removing apparatus and dust removing method | |
US6887291B2 (en) | Filter devices and methods for carbon nanomaterial collection | |
JP4095737B2 (ja) | 洗浄集塵装置及び排ガス処理設備 | |
JP3111080B2 (ja) | 廃ガス浄化装置 | |
US5288299A (en) | Exhaust gas treating apparatus | |
US6174349B1 (en) | Continuous effluent gas scrubber system and method | |
WO2007102288A1 (ja) | Hcdガスの除害方法とその装置 | |
JP2004044968A (ja) | ガス処理装置 | |
JP3027303B2 (ja) | 原料ガスとしてテトラエトキシシランを使用する化学蒸着装置から排出される排ガスの無害化処理方法及びその装置 | |
TWI413543B (zh) | 整合式乾洗滌系統 | |
JP4772223B2 (ja) | 排ガス除害装置及び方法 | |
JP3861047B2 (ja) | 排ガス清浄装置 | |
JPH04363116A (ja) | 排ガス処理装置 | |
GB2137897A (en) | Filter for purifying gases | |
JP7364328B2 (ja) | ガス浄化装置及びこれを備えた船舶並びにガス浄化方法 | |
JPH11300163A (ja) | バッグフイルタ式集塵装置およびその方法 | |
JP2004349442A (ja) | 排ガスの除害方法及び排ガスの除害装置 | |
JP2001314720A (ja) | 高速ろ過バグフィルタ装置 | |
JPH05217A (ja) | 排ガス処理装置及び排ガス処理方法 | |
JPH08192019A (ja) | 逆洗機構付濾過装置 | |
JPH09234324A (ja) | 除塵装置 | |
JP2004351323A (ja) | バグ式集塵機のクリーニング制御方法 | |
JPH0698268B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
JPH06126114A (ja) | プレコート式バグフィルタ装置における薬剤供給装置 | |
WO2005067679A9 (en) | Combined chemical agent and dynamic oxidation treatment of hazardous gas |