JP2008304471A - 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 - Google Patents
膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008304471A JP2008304471A JP2008189108A JP2008189108A JP2008304471A JP 2008304471 A JP2008304471 A JP 2008304471A JP 2008189108 A JP2008189108 A JP 2008189108A JP 2008189108 A JP2008189108 A JP 2008189108A JP 2008304471 A JP2008304471 A JP 2008304471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- eddy current
- film thickness
- conductive film
- measurement
- current loss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
- G01B7/10—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using magnetic means, e.g. by measuring change of reluctance
- G01B7/105—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using magnetic means, e.g. by measuring change of reluctance for measuring thickness of coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
- G01B7/08—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
- G01B7/085—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means for measuring thickness of coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
【解決手段】高周波磁界を励磁して導電性膜9に渦電流を励起させるコイルと、渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた高周波電流を出力するコイルとを有する渦電流損失測定センサ20と、コイルが出力する高周波電流から渦電流損失測定センサ20のインピーダンスの変化、高周波電流の電流値の変化または高周波電流の位相の変化を測定して渦電流損失量を測定するインピーダンスアナライザ48と、導電性膜9と渦電流損失測定センサとの距離を測定する光学式変位センサ32と、インピーダンスアナライザ48と光学式変位センサ32の各測定結果に基づいて導電性膜9の膜厚を算出する膜厚演算部54を含む制御コンピュータ42と、を備える膜厚測定装置1。
【選択図】図4
Description
高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともに、上記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた上記高周波電流を出力する渦電流損失測定センサと、この渦電流損失測定センサから出力された上記高周波電流を検知し、上記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、上記高周波電流の電流値の変化または上記高周波電流の位相の変化を測定して上記渦電流損失の大きさを示すデータとして出力する渦電流損失測定手段と、上記導電性膜と上記渦電流損失測定センサとの距離を測定する距離測定手段と、上記渦電流損失測定手段の測定結果と上記距離測定手段の測定結果に基づいて上記導電性膜の膜厚を算出する膜厚演算手段と、を備える膜厚測定装置が提供される。
高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともにこの渦電流に起因する渦電流損失を検知する渦電流損失測定センサと距離測定手段とを備える膜厚測定装置を用いた膜厚測定方法であって、上記距離測定手段により上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の距離を測定する距離測定工程と、上記渦電流損失測定センサに高周波電流を供給し、上記高周波磁界を励磁して上記導電性膜に渦電流を励起し、上記渦電流損失測定センサから出力される上記高周波電流から上記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、上記高周波電流の電流値の変化、または上記高周波電流の位相の変化を測定する渦電流損失測定工程と、上記インピーダンスの変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離、または、上記高周波電流の上記電流値の変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離、または、上記高周波電流の位相の変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離に基づいて、上記導電性膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を備える膜厚測定方法が提供される。
高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともにこの渦電流に起因する渦電流損失を検知する渦電流損失測定センサと、距離測定手段と、コンピュータと、を備える膜厚測定装置に用いられ、上記距離測定手段により上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の距離を測定する距離測定手順と、上記渦電流損失測定センサに高周波電流を供給し、上記高周波磁界を励磁して上記導電性膜に渦電流を励起する渦電流励起手順と、上記渦電流損失測定センサから出力される上記高周波電流から上記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、上記高周波電流の電流値の変化、または上記高周波電流の位相の変化を測定する渦電流損失測定手順と、上記インピーダンスの変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離、または、上記高周波電流の上記電流値の変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離、または、上記高周波電流の位相の変化と上記渦電流損失測定センサおよび上記導電性膜間の上記距離に基づいて、上記導電性膜の膜厚を算出する膜厚算出手順と、を含む膜厚測定方法を上記コンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体が提供される。
なお、以下の各図において同一の部分には同一の参照番号を付してその説明を適宜省略する。
まず、本発明にかかる渦電流損失測定センサの実施の形態のいくつかについて説明する。
図1(a)は、本発明にかかる渦電流損失測定センサの第1の実施の形態を示す略示断面図であり、また、同図(b)は、その底面図である。
次に、本発明にかかる渦電流損失測定センサの第2の実施の形態について図3を参照しながら説明する。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の実施の形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。
図4は、本発明にかかる膜厚測定装置の第1の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の膜厚測定装置1は、X−Y−Zステージ36と、前述した渦電流損失測定センサ20と、Zステージ34と、ステージ駆動部38と、光学式変位センサ32と、光学式変位センサコントローラ46と、高周波電源44と、インピーダンスアナライザ48と、装置全体を制御する制御コンピュータ42と、を備える。
さらに、第3の測定方法では、プレスキャンにより得られた距離測定結果に対して測定範囲における膜厚測定点の変位を近似的に算出する処理を含む。
ここで、導電性膜9の抵抗率ρは、成膜しようとする導電性膜9の材質から予め与えられる。
即ち、X−Y−Zステージ36がレシピファイルに予め設定された手順に従って連続的に移動し、これにより、ウェーハ8の表面が渦電流損失測定センサ20によって走査される。制御コンピュータ42は、膜厚演算部54が算出した膜厚tの値をウェーハ8の(X,Y)座標と対応づけて出力する。
図11は、本発明にかかる膜厚測定装置の第2の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。同図に示す膜厚測定装置2は、前述した図1に示す励起受信一体型の渦電流損失測定センサ10を備える。本実施形態においてインピーダンスアナライザ49は、高周波電源をも兼用し、高周波電流を励起受信一体型コイル12(図1参照)に供給する。その他の構成は、図4に示す膜厚測定装置1と略同一である。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第3の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第4の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第5の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態の膜厚測定装置4の特徴は、複数の渦電流損失測定センサ10を備え、これによりセンサの走査手順を大幅に簡略化させながら導電成膜9の膜厚分布を一括して高速に測定する点にある。膜厚測定装置4のその他の構成は、図11に示す膜厚測定装置2と実質的に同一である。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第6の実施形態について図15〜図17を参照しながら説明する。本実施形態の特徴は、渦電流損失測定センサをなす励起受信一体型コイルの中心軸と同軸上にレーザ変位センサを配置し、渦電流損失の測定と、渦電流損失測定センサと導電性膜の表面との距離の測定と、を同時に実現する点にある。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第7の実施形態について図18を参照しながら説明する。本実施形態は、図15に示す膜厚測定装置5において、渦電流損失測定センサユニット60を導電性膜9の裏面側に配置した形態である。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第8の実施の形態について図19および図20を参照しながら説明する。本実施形態の特徴は、上述した光学式変位センサまたはレーザ変位センサに代えて静電容量式変位センサを備え、これによりセンサユニット−導電性膜間の距離を測定する点にある。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第9の実施の形態について図21を参照しながら説明する。本実施形態の膜厚測定装置6’の特徴は、渦電流損失測定センサユニット70’が備える静電容量式変位センサ電極74の形状にある。膜厚測定装置6’のその他の構成は、図20に示す膜厚測定装置6と同一であるので、以下では相異点のみを説明する。
次に、本発明にかかる膜厚測定装置の第10の実施形態について図22を参照しながら説明する。
また、膜厚測定装置6’’は、図13に示す第4の実施形態と同様に、X−Y−Zステージ36に代えて半導体ウェーハ8をその周辺部から支持するX−Y−Zステージ37を備える。膜厚測定装置6’’のその他の構成は、図19に示す膜厚測定装置5と実質的に同一である。また、膜厚測定装置6’’の具体的な測定方法は、第9の実施形態において前述した測定方法と実質的に同一である。
上述した一連の測定手順は、第1〜第3の測定方法を含め、コンピュータに実行させるプログラムとしてフロッピーディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納し、コンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、変位センサと汎用の制御コンピュータとを備える膜厚測定装置を用いて上述した膜厚測定方法を実現することができる。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。また、上述した膜厚測定方法の一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線(無線通信を含む)を介して頒布しても良い。さらに、上述した膜厚測定方法の一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布しても良い。
8 半導体ウェーハ(基板)
9 導電性膜
10,20,30,120 渦電流損失測定センサ
12 励起受信一体型コイル
14 フェライト(透磁性部材)
15 磁性材料メッキ
16 開口部
19 下地回路パターンまたは下地導電性膜
22 受信コイル
24 渦電流励起コイル
32 光学式変位センサ
34,35 Zステージ
36 X−Y−Zステージ
38 ステージ駆動部
42 制御コンピュータ
44 高周波電源
46 光学式変位センサコントローラ
48,49 インピーダンスアナライザ
52 メモリ
54 膜厚演算部
58 レーザ変位センサコントローラ
60,70,70’ 渦電流損失測定センサユニット
63 レーザ変位センサ
68 励起受信一体型コイル(空芯コイル)
72,74 静電容量式変位センサ電極
88 静電容量式変位センサ
Claims (45)
- 高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともに、前記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた前記高周波電流を出力する渦電流損失測定センサと、
前記渦電流損失測定センサから出力された前記高周波電流を検知し、前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化または前記高周波電流の位相の変化を測定して前記渦電流損失の大きさを示すデータとして出力する渦電流損失測定手段と、
前記導電性膜と前記渦電流損失測定センサとの距離を測定する距離測定手段と、
前記渦電流損失測定手段の測定結果と前記距離測定手段の測定結果に基づいて前記導電性膜の膜厚を算出する膜厚演算手段と、
を備える膜厚測定装置。 - 前記渦電流損失測定センサと前記導電性膜との前記距離、前記高周波電流の周波数、前記導電性膜の膜厚および前記導電性膜の抵抗率と、前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化との相互関係、または、前記距離、前記周波数、前記膜厚および前記抵抗率と、前記高周波電流の電流値の変化との相互関係、または、前記距離、前記周波数、前記膜厚および前記抵抗率と、前記高周波電流の位相の変化との相互関係を表わす測定用データを格納する記憶手段をさらに備え、
前記膜厚演算手段は、測定された前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化を前記測定用データと照合することにより前記導電性膜の膜厚を算出することを特徴とする請求項7に記載の膜厚測定装置。 - 前記導電性膜が表面に成膜される基板を支持するステージと、
前記距離測定手段の測定結果に基づいて前記ステージと渦電流損失測定センサとの相対的位置関係を制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の膜厚測定装置。 - 前記制御手段は、前記導電性膜への渦電流の励起に先立って、前記渦電流の影響を免れる領域に前記渦電流損失測定センサを移動させ、
前記渦電流損失測定手段は、前記渦電流の影響を免れる領域で測定した前記渦電流損失測定センサのインピーダンス、前記高周波電流の電流値または前記高周波電流の位相を測定基準値として測定し、
前記膜厚演算手段は、算出した膜厚値を前記測定基準値に基づいて補正することを特徴とする請求項3に記載の膜厚測定装置。 - 前記渦電流の影響を免れる領域には、測定の基準となる基準導電性膜が所定の膜厚で予め準備され、
前記制御手段は、前記測定対象である導電性膜への渦電流の励起に先立って、前記基準導電性膜が準備された領域に前記渦電流損失測定センサを移動させ、
前記渦電流損失測定手段は、前記基準導電性膜が成膜された領域で測定した前記渦電流損失測定センサのインピーダンス、前記高周波電流の電流値、または前記高周波電流の位相を測定基準値として測定することを特徴とする請求項4に記載の膜厚測定装置。 - 前記基準導電性膜は、互いに異なる導電率を有する導電材料から互いに異なる膜厚で成膜された複数の基準導電性膜であり、
前記渦電流損失測定手段は、複数の測定基準値を測定し、
前記膜厚演算手段は、算出した膜厚を前記複数の測定基準値に基づいて補正することを特徴とする請求項5に記載の膜厚測定装置。 - 前記ステージを移動させるステージ移動手段と、
前記渦電流損失測定センサを移動させるセンサ移動手段とをさらに備え、
前記制御手段は、前記導電性膜の成膜工程、エッチング工程または研磨工程に並行して前記渦電流損失測定センサが略一定の相互間距離を保持しつつ前記導電性膜上を走査するように、前記ステージ移動手段および前記センサ移動手段を制御することを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記ステージを移動させるステージ移動手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記導電性膜の成膜工程、エッチング工程または研磨工程に並行して前記渦電流損失測定センサが前記導電性膜上を走査するように、前記ステージ移動手段を制御し、
前記膜厚演算手段は、前記距離測定手段の測定結果を受けて、算出した前記膜厚値を補正することを特徴とする請求3乃至6のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記ステージは、絶縁材料または前記高周波磁界を受けて測定上無視できる程度の渦電流のみが発生するような導電率を有する材料で形成されることを特徴とする請求項3乃至8に記載の膜厚測定装置。
- 前記高周波電流が前記導電性膜の膜厚に応じた周波数となるように、前記高周波電流の周波数を制御する周波数制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記導電性膜は、導電性材料を含む回路パターンまたは下地導電性膜の上方に成膜され、
前記膜厚演算手段は、前記回路パターンまたは前記下地導電性膜の膜厚値を下層膜厚値として予め算出し、成膜した前記導電性膜について算出した膜厚値から前記下層膜厚値を減算することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記渦電流損失測定センサは、
前記高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起するとともに、前記渦電流により発生する磁界と前記高周波磁界との合成磁界を受信して前記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた前記高周波電流を出力する励起受信一体型コイルと、
第1の透磁性材料で形成され、前記励起受信一体型コイル内に挿設されてコアをなす第1の透磁性部材と、
第2の透磁性材料で形成され、前記第1の透磁性部材および前記励起受信一体型コイルを包むように設けられた第2の透磁性部材と、
を有することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記渦電流損失測定センサは、
前記高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起する渦電流励起コイルと、
前記渦電流励起コイル内で前記渦電流励起コイルにより周回されるように設けられ、前記渦電流により発生する磁界と前記高周波磁界との合成磁界を受信して前記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた前記高周波電流を出力する受信コイルと、
第1の透磁性材料で形成され、前記受信コイル内に挿設されてコアをなす第1の透磁性部材と、
第2の透磁性材料で形成され、前記第1の透磁性部材、前記受信コイルおよび前記渦電流励起コイルを包むように設けられた第2の透磁性部材と、
を有することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記第2の透磁性部材は、
前記導電性膜との対向面において、前記励起受信一体型コイルまたは前記受信コイルの少なくとも一部の領域が露出するように開口が形成されたことを特徴とする請求項12または13に記載の膜厚測定装置。 - 前記開口の表面部または前記開口の表面部および前記開口近傍領域の表面部は、前記第2の透磁性材料よりも透磁率が高い第3の透磁性材料を用いて形成されることを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記渦電流損失測定センサは、前記高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起するとともに、前記渦電流により発生する磁界と前記高周波磁界との合成磁界を受信して前記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた前記高周波電流を出力する励起受信一体型の空芯コイルを含み、
前記距離測定手段は、前記空芯コイルの上方に設けられ、レーザ光を射出して前記空芯コイルの空芯を経由して前記導電性膜の表面に入射させ、前記空芯を経由して前記導電性膜の表面からの反射光を受け取るレーザ変位センサを含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記渦電流損失測定センサは、前記高周波電流を受けて高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起する渦電流励起コイルと、前記渦電流励起コイル内で前記渦電流励起コイルにより周回されるように設けられ、前記渦電流により発生する磁界と前記高周波磁界との合成磁界を受信して前記渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた前記高周波電流を出力する空芯の受信コイルと、を含み、
前記距離測定手段は、前記受信コイルの上方に設けられ、レーザ光を射出して前記受信コイルの空芯を経由して前記導電性膜の表面に入射させ、前記空芯を経由して前記導電性膜の表面からの反射光を受け取るレーザ変位センサを含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記導電性膜の膜厚測定に先立って前記レーザ変位センサを駆動して前記距離を測定し、この測定結果に対して測定誤差を補正する距離測定誤差補正手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記渦電流損失測定センサが略一定の相互間距離を保持しつつ前記導電性膜上を走査するように、前記距離測定誤差補正手段により補正された測定距離に基づいて前記ステージ移動手段および前記センサ移動手段を制御することを特徴とする請求項16または17のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記導電性膜の膜厚測定に先立って前記レーザ変位センサを駆動して前記距離を測定し、この測定結果に対して測定誤差を補正する距離測定誤差補正手段をさらに備え、
前記膜厚演算手段は、算出した前記膜厚値を前記距離測定誤差補正手段により補正された測定距離に基づいて補正することを特徴とする請求項16または17に記載の膜厚測定装置。 - 前記距離測定手段は、
前記渦電流損失測定センサに近接して設けられた電極を有し、この電極と前記導電性膜との間の静電容量に基づいて前記距離を測定する静電容量式変位センサを含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の膜厚測定装置。 - 前記電極は、その底面が前記渦電流損失測定センサの底面と実質的に同一の平面内に位置するように配設されることを特徴とする請求項20に記載の膜厚測定装置。
- 前記電極は、高抵抗材料で形成されることを特徴とする請求項20または21に記載の膜厚測定装置。
- 前記電極は、前記渦電流損失測定センサを周回するリング形状を有することを特徴とする請求項20乃至22のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記電極の外径は、前記渦電流損失測定センサにより前記導電性膜に励起された渦電流により渦電流損失が発生する領域の直径と実質的に同一であることを特徴とする請求項23に記載の膜厚測定装置。
- 前記電極の内径は、前記渦電流損失測定センサにより前記電極内に励起される渦電流が測定上無視できる程度に小さく、かつ、前記電極と前記導電性膜との間の前記静電容量が測定できる程度の表面積を前記電極に与えるように選択されることを特徴とする請求項23または24に記載の膜厚測定装置。
- 前記電極は、薄膜電極であることを特徴とする請求項20乃至25のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記電極は、複数の電極片で構成されることを特徴とする請求項21乃至26のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 複数の前記渦電流損失測定センサを備えることを特徴とする請求項1乃至27のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 前記渦電流損失測定センサは、前記測定の対象となる前記導電性膜が成膜される面、エッチングされる面、または研磨される面に対向して設けられる場合と、前記測定の対象となる前記導電性膜が成膜される面とは反対側の基板面に対向して設けられる場合と、前記測定の対象となる前記導電性膜が成膜される面と前記測定対象である導電性膜が成膜される面とは反対側の基板面のいずれにも対向して設けられる場合と、を含むことを特徴とする請求項1乃至28のいずれかに記載の膜厚測定装置。
- 高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともにこの渦電流に起因する渦電流損失を検知する渦電流損失測定センサと距離測定手段とを備える膜厚測定装置を用いた膜厚測定方法であって、
前記距離測定手段により前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の距離を測定する距離測定工程と、
前記渦電流損失測定センサに高周波電流を供給し、前記高周波磁界を励磁して前記導電性膜に渦電流を励起し、前記渦電流損失測定センサから出力される前記高周波電流から前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化を測定する渦電流損失測定工程と、
前記インピーダンスの変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離、または、前記高周波電流の前記電流値の変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離、または、前記高周波電流の位相の変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離に基づいて、前記導電性膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を備える膜厚測定方法。 - 前記距離測定手段は、光学式変位センサを含み、
前記導電性膜の膜厚測定に先立って前記光学式変位センサを駆動して前記距離を測定し、この測定結果に対して測定誤差を補正する距離測定誤差補正工程をさらに備え、
前記膜厚算出工程は、算出した前記膜厚値を前記距離測定誤差補正工程により補正された測定距離に基づいて補正する工程を含むことを特徴とする請求項30に記載の膜厚測定方法。 - 前記渦電流測定センサは、空芯コイルを含み、
前記距離測定手段は、前記空芯コイルの上方に設けられ、レーザ光を射出して前記空芯コイルの空芯を経由して前記導電性膜の表面に入射させ、前記空芯を経由して前記導電性膜の表面からの反射光を受け取るレーザ変位センサを含み、
前記距離測定工程と、前記渦電流損失測定工程とは、並行して同時に実行されることを特徴とする請求項30に記載の膜厚測定方法。 - 前記距離測定手段は、
前記渦電流損失測定センサに近接して設けられた電極を有し、この電極と前記導電性膜との間の静電容量に基づいて前記距離を測定する静電容量式変位センサを含み、
前記距離測定工程と、前記渦電流損失測定工程とは、並行して同時に実行されることを特徴とする請求項30に記載の膜厚測定方法。 - 前記渦電流損失測定工程に先立って、前記渦電流損失の影響を免れる領域で前記渦電流損失測定センサに前記高周波電流を供給し、前記渦電流損失測定センサから出力された前記高周波電流から前記渦電流損失測定センサのインピーダンス、前記高周波電流の電流値、または前記高周波電流の位相を測定基準値として測定する基準値測定工程をさらに備え、
前記膜厚算出工程は、前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化に基づいて前記導電性膜の膜厚を算出する第1の算出工程と、算出された膜厚の値を前記測定基準値に基づいて補正する第1の補正工程とを含むことを特徴とする請求項30乃至33のいずれかに記載の膜厚測定方法。 - 前記渦電流の影響を免れる領域には、測定の基準となる基準導電性膜が所定の膜厚で予め準備され、
前記基準値測定工程は、前記基準導電性膜が成膜された領域で測定した前記渦電流損失測定センサのインピーダンス、前記高周波電流の電流値または前記高周波電流の位相を前記測定基準値として測定する工程であることを特徴とする請求項34に記載の膜厚測定方法。 - 前記基準導電性膜は、互いに異なる導電率を有する導電材料から互いに異なる膜厚で成膜された複数の基準導電性膜であり、
前記基準値測定工程は、複数の前記測定基準値を測定する工程であることを特徴とする請求項35に記載の膜厚測定方法。 - 前記膜厚測定装置は、前記導電性膜が表面に成膜される基板を支持するステージをさらに備え、
前記渦電流損失測定工程は、前記距離測定工程の測定結果に基づいて、前記距離がほぼ一定となるように、前記ステージと前記渦電流損失測定センサとの相対的位置関係を制御する工程を含むことを特徴とする請求項30乃至36のいずれかに記載の膜厚測定方法。 - 前記膜厚算出工程は、
前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化に基づいて前記導電性膜の膜厚を算出する第1の算出工程と、
前記距離と前記インピーダンスとの関係、または前記距離と前記高周波電流の電流値との関係、または前記距離と前記高周波電流の位相との関係に基づいて前記第1の算出工程で得られた膜厚値を補正する第2の補正工程と、
を含むことを特徴とする請求項30乃至36のいずれかに記載の膜厚測定方法。 - 前記膜厚測定装置は、前記導電性膜の成膜工程、エッチング工程または研磨工程において用いられ、
前記膜厚測定方法は、前記成膜工程、エッチング工程または研磨工程と並行して実行されることを特徴とする請求項30乃至38のいずれかに記載の膜厚測定方法。 - 前記膜厚測定方法は、前記高周波電流の周波数を制御する工程をさらに含むことを特徴とする請求項30乃至39のいずれかに記載の膜厚測定方法。
- 前記導電性膜は、導電性材料を含む回路パターンまたは下地導電性膜の上方に成膜され、
前記膜厚測定方法は、前記回路パターンまたは前記下地導電性膜の膜厚値を下層膜厚値として予め算出する工程と、上記導電性膜の成膜中または成膜後に前記下層膜厚値と前記導電性膜の膜厚値との合計膜厚値を算出する工程と、算出した前記合計膜厚値から前記下層膜厚値を減算する工程とを含むことを特徴とする請求項30乃至40のいずれかに記載の膜厚測定方法。 - 高周波磁界を励磁して測定対象である導電性膜に渦電流を励起させるとともにこの渦電流に起因する渦電流損失を検知する渦電流損失測定センサと、距離測定手段と、コンピュータと、を備える膜厚測定装置に用いられ、
前記距離測定手段により前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の距離を測定する距離測定手順と、
前記渦電流損失測定センサに高周波電流を供給し、前記高周波磁界を励磁して前記導電性膜に渦電流を励起する渦電流励起手順と、
前記渦電流損失測定センサから出力される前記高周波電流から前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化を測定する渦電流損失測定手順と、
前記インピーダンスの変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離、または、前記高周波電流の前記電流値の変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離、または、前記高周波電流の位相の変化と前記渦電流損失測定センサおよび前記導電性膜間の前記距離に基づいて、前記導電性膜の膜厚を算出する膜厚算出手順と、を含む膜厚測定方法を前記コンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体。 - 前記膜厚測定方法は、前記導電性膜の膜厚測定に先立って前記距離を測定し、この測定結果に対して測定誤差を補正する距離測定誤差補正手順をさらに備え、 前記膜厚算出手順は、算出した前記膜厚値を前記距離測定誤差補正手順により補正された測定距離に基づいて補正する手順を含むことを特徴とする請求項42に記載の記録媒体。
- 前記距離測定手順と、前記渦電流損失測定手順とは、並行して同時に実行されることを特徴とする請求項42に記載の記録媒体。
- 前記膜厚算出手順は、
前記渦電流損失測定センサのインピーダンスの変化、前記高周波電流の電流値の変化、または前記高周波電流の位相の変化に基づいて前記導電性膜の膜厚を算出する第1の算出手順と、
前記距離と前記インピーダンスとの関係、または前記距離と前記高周波電流の電流値との関係、または前記距離と前記高周波電流の位相との関係に基づいて前記第1の算出手順で得られた膜厚値を補正する第2の補正手順と、
を含むことを特徴とする請求項42乃至44のいずれかに記載の記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008189108A JP5259287B2 (ja) | 2000-03-28 | 2008-07-22 | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000089356 | 2000-03-28 | ||
JP2000089356 | 2000-03-28 | ||
JP2008189108A JP5259287B2 (ja) | 2000-03-28 | 2008-07-22 | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001028187A Division JP4874465B2 (ja) | 2000-03-28 | 2001-02-05 | 渦電流損失測定センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008304471A true JP2008304471A (ja) | 2008-12-18 |
JP5259287B2 JP5259287B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=37013941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008189108A Expired - Lifetime JP5259287B2 (ja) | 2000-03-28 | 2008-07-22 | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5259287B2 (ja) |
KR (1) | KR100416900B1 (ja) |
TW (1) | TWI241398B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101036808B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2011-05-25 | 주식회사 동성중공업 | 부재접합부 이격거리 측정장치 |
JP2013036881A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨監視方法および研磨装置 |
WO2013114564A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 株式会社電子応用 | 渦電流センサ及びそれを用いたターボチャージャ回転検出装置 |
JP2013533952A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-08-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 探知機 |
KR20140008997A (ko) * | 2010-05-31 | 2014-01-22 | 아르셀로미탈 인베스티가시온 와이 데사롤로 에스엘 | 주행 스트립 상의 코팅 층의 두께를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
CN106841805A (zh) * | 2017-03-18 | 2017-06-13 | 山东辰宇稀有材料科技有限公司 | 一种便携式半导体非接触电阻率测试仪探头及使用方法 |
JP2019534455A (ja) * | 2016-10-21 | 2019-11-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | インシトゥ電磁誘導モニタシステムのコア構成 |
JP2021152486A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 一般財団法人発電設備技術検査協会 | 電磁気測定による厚さ測定用マスターカーブの作成方法とその使用方法 |
CN114473844A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 华海清科股份有限公司 | 一种膜厚测量装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7128803B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Integration of sensor based metrology into semiconductor processing tools |
JP4451111B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
KR20100006607A (ko) * | 2008-07-10 | 2010-01-21 | (주)노바마그네틱스 | 비파괴 센서용 단일 박막의 제조방법 |
TWI480510B (zh) * | 2011-05-09 | 2015-04-11 | 晶片邊緣膜厚測量方法 | |
CN104359440A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-02-18 | 成都卓微科技有限公司 | 一种改进的雪层厚度检测仪 |
KR101630798B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2016-06-15 | 한국표준과학연구원 | 코팅 두께 측정 장치 및 방법 |
KR20160133887A (ko) | 2015-05-13 | 2016-11-23 | 에디웍스(주) | 베어링 궤도 검사용 와전류 센서 |
JP2018083267A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
KR102004518B1 (ko) * | 2017-08-21 | 2019-07-26 | 김태윤 | 물체 접근 감지 장치 및 이를 이용한 충돌방지 안전시스템 |
JP7153490B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-10-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置およびキャリブレーション方法 |
KR102490977B1 (ko) | 2020-11-03 | 2023-01-26 | 창원대학교 산학협력단 | 초전도 코일의 교류 손실 측정 방법 및 그 장치 |
KR102437196B1 (ko) * | 2022-02-10 | 2022-08-29 | (주)아텍엘티에스 | 비접촉식 면저항 측정 장치 |
Citations (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3358225A (en) * | 1964-03-27 | 1967-12-12 | Richard S Peugeot | Lift-off compensation for eddy current testers |
JPS5344077A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Nippon Kokan Kk | Method of compensating sensitivity of probe type eddy current flaw detector |
JPS5644803A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Bridgestone Corp | System measuring for thickness of nonmetallic sheet like object |
US4290017A (en) * | 1978-12-26 | 1981-09-15 | Rockwell International Corporation | Apparatus and method for nondestructive evaluation of surface flaws in conductive materials |
JPS5753604A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Thickness gauge |
US4383218A (en) * | 1978-12-29 | 1983-05-10 | The Boeing Company | Eddy current flow detection including compensation for system variables such as lift-off |
JPS599552A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-18 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電磁誘導試験装置 |
JPS5967405A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ライナ厚測定方法 |
JPS60179803U (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-29 | 株式会社サンエテック | 磁気検出器 |
JPS6166104A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Anelva Corp | 金属薄膜膜厚測定方法 |
JPS6191502A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | ヘルム−ト・フイツシヤ−・ゲ−エムベ−ハ−・ウント・コンパニ・インステイテユ−ト・フユア・エレクトロニク・ウント・メステクニク | 電磁式測定プロ−ブ |
JPS627012U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | ||
JPS6271801A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | ジルコニウム基合金部材の酸化層厚さ測定用標準試料 |
JPS62144002A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Anelva Corp | 金属薄膜の膜厚測定装置 |
US4727322A (en) * | 1984-12-19 | 1988-02-23 | Societe Nationale D'etude Et De Construction De Moteurs D'aviation "S.N.E.C.M.A." | Method and apparatus for measuring thickness of a test part by an eddy current sensor, without contact and with lift-off compensation |
JPS63139202A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁誘導形肉厚測定方法および測定装置 |
JPH0158110U (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-11 | ||
JPH01136009A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 非接触式膜厚測定器 |
US4849694A (en) * | 1986-10-27 | 1989-07-18 | Nanometrics, Incorporated | Thickness measurements of thin conductive films |
JPH01189511A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Meisan Kk | 非磁性体シート厚さ測定装置 |
JPH02105522A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | スパッタ装置 |
US4922201A (en) * | 1989-01-09 | 1990-05-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Eddy current method for measuring electrical resistivity and device for providing accurate phase detection |
JPH02150645U (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-27 | ||
JPH032501A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 寸法測定方法 |
JPH0316004U (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-18 | ||
JPH03189503A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-19 | General Electric Co <Ge> | 被覆の厚さを測定する装置と方法 |
JPH03295409A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Nippon Steel Corp | 金属管表面塗膜の非接触式厚み測定方法 |
JPH04357453A (ja) * | 1990-02-05 | 1992-12-10 | Inst Dr F Foerster Pruefgeraet Gmbh | 渦電流検査器 |
JPH05505029A (ja) * | 1990-04-11 | 1993-07-29 | マイクロ―エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 厚さ測定装置を校正する方法及び層、テープ、ホイル等の厚さを測定又はモニターするための装置 |
JPH0648185B2 (ja) * | 1988-10-12 | 1994-06-22 | 明産株式会社 | シート厚さ測定装置 |
JPH06229709A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Mazda Motor Corp | 膜厚計測装置 |
JPH0771905A (ja) * | 1993-05-12 | 1995-03-17 | General Electric Co <Ge> | 核燃料棒に析出した強磁性物質の厚みを決定する方法 |
JPH0791948A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 非接触式膜厚測定器 |
JPH0798299A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-04-11 | Prometrix Corp | 渦電流試験方法および装置 |
JPH07167838A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-07-04 | Micro Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg | 金属対象物の表面層物性を調べるためのセンサ配置及び方法 |
JPH0861949A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Speedfam Co Ltd | 定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置 |
US5541510A (en) * | 1995-04-06 | 1996-07-30 | Kaman Instrumentation Corporation | Multi-Parameter eddy current measuring system with parameter compensation technical field |
JPH08285514A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フィルム厚の変化のその場での監視方法 |
JPH08297006A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Kyoto Jushi Seiko Kk | 移動中の金属板上に形成された絶縁性被膜の厚さ測定装置、およびその測定方法 |
JPH0933237A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Nikon Corp | 測定プローブ |
JPH09501492A (ja) * | 1993-06-25 | 1997-02-10 | エー/エス ブリュエル アンド キアル | 物体の変位を測定する方法と装置および電気信号の線型化装置 |
JPH09178823A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 非接触電気測定用センサ |
JPH1078336A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-03-24 | Kaman Instrumentation Corp | パラメータ補償付き複数パラメータうず電流計測システム |
JPH10202520A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
JPH10202514A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Speedfam Co Ltd | 自動定寸装置 |
JPH10206394A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | ジルコニウム合金部材の非破壊検査方法および装置 |
JP2000502189A (ja) * | 1995-12-22 | 2000-02-22 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 導電性被膜の厚さ決定方法及び装置 |
-
2001
- 2001-03-02 TW TW090104919A patent/TWI241398B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-22 KR KR10-2001-0014817A patent/KR100416900B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-22 JP JP2008189108A patent/JP5259287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3358225A (en) * | 1964-03-27 | 1967-12-12 | Richard S Peugeot | Lift-off compensation for eddy current testers |
JPS5344077A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Nippon Kokan Kk | Method of compensating sensitivity of probe type eddy current flaw detector |
US4290017A (en) * | 1978-12-26 | 1981-09-15 | Rockwell International Corporation | Apparatus and method for nondestructive evaluation of surface flaws in conductive materials |
US4383218A (en) * | 1978-12-29 | 1983-05-10 | The Boeing Company | Eddy current flow detection including compensation for system variables such as lift-off |
JPS5644803A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Bridgestone Corp | System measuring for thickness of nonmetallic sheet like object |
JPS5753604A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Thickness gauge |
JPS599552A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-18 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電磁誘導試験装置 |
JPS5967405A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ライナ厚測定方法 |
JPS60179803U (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-29 | 株式会社サンエテック | 磁気検出器 |
JPS6166104A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Anelva Corp | 金属薄膜膜厚測定方法 |
JPS6191502A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | ヘルム−ト・フイツシヤ−・ゲ−エムベ−ハ−・ウント・コンパニ・インステイテユ−ト・フユア・エレクトロニク・ウント・メステクニク | 電磁式測定プロ−ブ |
US4727322A (en) * | 1984-12-19 | 1988-02-23 | Societe Nationale D'etude Et De Construction De Moteurs D'aviation "S.N.E.C.M.A." | Method and apparatus for measuring thickness of a test part by an eddy current sensor, without contact and with lift-off compensation |
JPS627012U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | ||
JPS6271801A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | ジルコニウム基合金部材の酸化層厚さ測定用標準試料 |
JPS62144002A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Anelva Corp | 金属薄膜の膜厚測定装置 |
US4849694A (en) * | 1986-10-27 | 1989-07-18 | Nanometrics, Incorporated | Thickness measurements of thin conductive films |
JPS63139202A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁誘導形肉厚測定方法および測定装置 |
JPH0158110U (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-11 | ||
JPH01136009A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 非接触式膜厚測定器 |
JPH01189511A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Meisan Kk | 非磁性体シート厚さ測定装置 |
JPH0648185B2 (ja) * | 1988-10-12 | 1994-06-22 | 明産株式会社 | シート厚さ測定装置 |
JPH02105522A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | スパッタ装置 |
US4922201A (en) * | 1989-01-09 | 1990-05-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Eddy current method for measuring electrical resistivity and device for providing accurate phase detection |
JPH02150645U (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-27 | ||
JPH032501A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 寸法測定方法 |
JPH0316004U (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-18 | ||
JPH03189503A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-19 | General Electric Co <Ge> | 被覆の厚さを測定する装置と方法 |
JPH04357453A (ja) * | 1990-02-05 | 1992-12-10 | Inst Dr F Foerster Pruefgeraet Gmbh | 渦電流検査器 |
JPH05505029A (ja) * | 1990-04-11 | 1993-07-29 | マイクロ―エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 厚さ測定装置を校正する方法及び層、テープ、ホイル等の厚さを測定又はモニターするための装置 |
JPH03295409A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Nippon Steel Corp | 金属管表面塗膜の非接触式厚み測定方法 |
JPH06229709A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Mazda Motor Corp | 膜厚計測装置 |
JPH0771905A (ja) * | 1993-05-12 | 1995-03-17 | General Electric Co <Ge> | 核燃料棒に析出した強磁性物質の厚みを決定する方法 |
JPH09501492A (ja) * | 1993-06-25 | 1997-02-10 | エー/エス ブリュエル アンド キアル | 物体の変位を測定する方法と装置および電気信号の線型化装置 |
JPH0798299A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-04-11 | Prometrix Corp | 渦電流試験方法および装置 |
JPH07167838A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-07-04 | Micro Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg | 金属対象物の表面層物性を調べるためのセンサ配置及び方法 |
JPH0791948A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 非接触式膜厚測定器 |
JPH0861949A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Speedfam Co Ltd | 定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置 |
US5541510A (en) * | 1995-04-06 | 1996-07-30 | Kaman Instrumentation Corporation | Multi-Parameter eddy current measuring system with parameter compensation technical field |
JPH08285514A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フィルム厚の変化のその場での監視方法 |
JPH08297006A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Kyoto Jushi Seiko Kk | 移動中の金属板上に形成された絶縁性被膜の厚さ測定装置、およびその測定方法 |
JPH0933237A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Nikon Corp | 測定プローブ |
JP2000502189A (ja) * | 1995-12-22 | 2000-02-22 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 導電性被膜の厚さ決定方法及び装置 |
JPH09178823A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 非接触電気測定用センサ |
JPH1078336A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-03-24 | Kaman Instrumentation Corp | パラメータ補償付き複数パラメータうず電流計測システム |
JPH10202520A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
JPH10202514A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Speedfam Co Ltd | 自動定寸装置 |
JPH10206394A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | ジルコニウム合金部材の非破壊検査方法および装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101036808B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2011-05-25 | 주식회사 동성중공업 | 부재접합부 이격거리 측정장치 |
JP2013533952A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-08-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 探知機 |
US10203194B2 (en) | 2010-05-31 | 2019-02-12 | Arcelormittal Investigacion Y Desarrollo, S.L. | Method and device for measuring the thickness of a coating layer on a running strip |
KR20140008997A (ko) * | 2010-05-31 | 2014-01-22 | 아르셀로미탈 인베스티가시온 와이 데사롤로 에스엘 | 주행 스트립 상의 코팅 층의 두께를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
KR101890439B1 (ko) * | 2010-05-31 | 2018-08-21 | 아르셀로미탈 인베스티가시온 와이 데사롤로 에스엘 | 주행 스트립 상의 코팅 층의 두께를 측정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2013036881A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨監視方法および研磨装置 |
JPWO2013114564A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2015-05-11 | 株式会社電子応用 | 渦電流センサ及びそれを用いたターボチャージャ回転検出装置 |
WO2013114564A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 株式会社電子応用 | 渦電流センサ及びそれを用いたターボチャージャ回転検出装置 |
JP7140760B2 (ja) | 2016-10-21 | 2022-09-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | インシトゥ電磁誘導モニタシステムのコア構成 |
JP2019534455A (ja) * | 2016-10-21 | 2019-11-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | インシトゥ電磁誘導モニタシステムのコア構成 |
US11638982B2 (en) | 2016-10-21 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Core configuration for in-situ electromagnetic induction monitoring system |
CN106841805A (zh) * | 2017-03-18 | 2017-06-13 | 山东辰宇稀有材料科技有限公司 | 一种便携式半导体非接触电阻率测试仪探头及使用方法 |
JP2021152486A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 一般財団法人発電設備技術検査協会 | 電磁気測定による厚さ測定用マスターカーブの作成方法とその使用方法 |
JP7374032B2 (ja) | 2020-03-24 | 2023-11-06 | 一般財団法人発電設備技術検査協会 | 電磁気測定による厚さ測定用マスターカーブの作成方法とその使用方法 |
CN114473844A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 华海清科股份有限公司 | 一种膜厚测量装置 |
CN114473844B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-09-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种膜厚测量装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI241398B (en) | 2005-10-11 |
KR100416900B1 (ko) | 2004-02-05 |
KR20010093678A (ko) | 2001-10-29 |
JP5259287B2 (ja) | 2013-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5259287B2 (ja) | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 | |
JP4874465B2 (ja) | 渦電流損失測定センサ | |
JP5615831B2 (ja) | 縁部分解能強化渦電流センサ | |
US20040138838A1 (en) | Method and system for thickness measurements of thin conductive layers | |
US7640138B2 (en) | Interconnection pattern inspection method, manufacturing method of semiconductor device and inspection apparatus | |
JP4213527B2 (ja) | 立体形状計測装置 | |
JP2011243957A (ja) | 電子線描画装置及びデバイス製造方法 | |
US6794886B1 (en) | Tank probe for measuring surface conductance | |
JP4727777B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡による測長方法 | |
JP2008269762A (ja) | 磁気ヘッドスライダ検査装置および磁気ヘッドスライダ検査方法 | |
JP2006287015A (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
JP5464932B2 (ja) | 形状測定方法及び形状測定装置 | |
US7525089B2 (en) | Method of measuring a critical dimension of a semiconductor device and a related apparatus | |
JP2015070030A (ja) | リソグラフィ装置、面位置の計測方法、及びデバイスの製造方法 | |
JP2006010466A (ja) | 板材の平坦度測定方法および装置 | |
JP2002116003A (ja) | 被覆電線用偏心度測定装置 | |
JPH11281721A (ja) | 電磁場測定方法 | |
JP2697867B2 (ja) | ケーブルの偏肉測定方法及び偏肉測定装置 | |
US10276455B2 (en) | System and method for measurement of semiconductor device fabrication tool implement | |
US7485859B2 (en) | Charged beam apparatus and method that provide charged beam aerial dimensional map | |
JP2002333722A (ja) | 光学素子加工方法、基材の描画方法、その方法によって形成された基材並びに光学素子、及び描画装置 | |
JP2008151797A (ja) | 走査形電子顕微鏡による測長方法 | |
JP2004071954A (ja) | ホールの検査方法 | |
TW202405749A (zh) | 使用與偵測器總成耦合之相機提高導航準確度 | |
JP2004093722A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130424 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5259287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |