JPH10202520A - ウェーハの厚み加工量測定装置 - Google Patents
ウェーハの厚み加工量測定装置Info
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- JPH10202520A JPH10202520A JP767697A JP767697A JPH10202520A JP H10202520 A JPH10202520 A JP H10202520A JP 767697 A JP767697 A JP 767697A JP 767697 A JP767697 A JP 767697A JP H10202520 A JPH10202520 A JP H10202520A
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- wafer
- polishing
- distance
- sensor
- hole
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェーハの表面を研磨する研磨機において加工
中のウェーハの厚み加工量を直接的にインラインで測定
することができるウェーハの厚み加工量測定装置を提供
する。 【解決手段】ウェーハテーブル18の下面外周部にリン
グ状の導体(裏面測定基準部材)74を固着し、ウェー
ハ50の裏面50Bと一定の距離に裏面測定基準を設け
る。そして、研磨定盤10にウェーハ50の研磨面50
Aと裏面測定基準部材74を臨む穴66、76を設け、
これらの穴66、76にそれぞれウェーハ50の研磨面
50Aまでの距離を測定する容量センサ60と渦電流セ
ンサ62を設ける。ウェーハ50の研磨時にこれらの容
量センサ60と渦電流センサ62によって、ウェーハの
研磨面50Aまでの距離と、裏面測定基準までの距離を
測定し、これらの測定した距離の差分の変化量を検出す
ることにより、インラインでウェーハの厚み加工量を測
定することができる。
中のウェーハの厚み加工量を直接的にインラインで測定
することができるウェーハの厚み加工量測定装置を提供
する。 【解決手段】ウェーハテーブル18の下面外周部にリン
グ状の導体(裏面測定基準部材)74を固着し、ウェー
ハ50の裏面50Bと一定の距離に裏面測定基準を設け
る。そして、研磨定盤10にウェーハ50の研磨面50
Aと裏面測定基準部材74を臨む穴66、76を設け、
これらの穴66、76にそれぞれウェーハ50の研磨面
50Aまでの距離を測定する容量センサ60と渦電流セ
ンサ62を設ける。ウェーハ50の研磨時にこれらの容
量センサ60と渦電流センサ62によって、ウェーハの
研磨面50Aまでの距離と、裏面測定基準までの距離を
測定し、これらの測定した距離の差分の変化量を検出す
ることにより、インラインでウェーハの厚み加工量を測
定することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの厚み加工
量測定装置に係り、特にCMP等の研磨装置において、
ウェーハの厚み加工量等をインラインで測定するウェー
ハの厚み加工量測定装置に関する。
量測定装置に係り、特にCMP等の研磨装置において、
ウェーハの厚み加工量等をインラインで測定するウェー
ハの厚み加工量測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハ等のウェーハ表面を加工
する研磨・研削装置において、加工中のウェーハの厚み
加工量の測定は、ウェーハの加工終点を検出するための
測定に使用され、ウェーハの品質と装置のクローズルー
プ制御のために重要な役割を有している。
する研磨・研削装置において、加工中のウェーハの厚み
加工量の測定は、ウェーハの加工終点を検出するための
測定に使用され、ウェーハの品質と装置のクローズルー
プ制御のために重要な役割を有している。
【0003】従来、CMP装置等の研磨加工装置におい
ては、ウェーハの厚み加工量を直接測定するのが困難な
ため、研磨定盤又はウェーハ固定スピンドルに使用され
るモータの電流変化からこの加工量を検出している(モ
ータ電流検出法)。
ては、ウェーハの厚み加工量を直接測定するのが困難な
ため、研磨定盤又はウェーハ固定スピンドルに使用され
るモータの電流変化からこの加工量を検出している(モ
ータ電流検出法)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
モータ電流検出法のようにモータの電流変化から加工量
を測定する場合、間接的な測定となるため、測定精度が
悪いという欠点がある。本発明はこのような事情に鑑み
てなされたもので、ウェーハの表面を研磨する研磨機に
おいて加工中のウェーハの厚み加工量を直接的にインラ
インで測定することができるウェーハの厚み加工量測定
装置を提供することを目的とする。
モータ電流検出法のようにモータの電流変化から加工量
を測定する場合、間接的な測定となるため、測定精度が
悪いという欠点がある。本発明はこのような事情に鑑み
てなされたもので、ウェーハの表面を研磨する研磨機に
おいて加工中のウェーハの厚み加工量を直接的にインラ
インで測定することができるウェーハの厚み加工量測定
装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ウェーハの裏面をウェーハテーブルで保持
した状態で研磨定盤に取り付けられた研磨布に前記ウェ
ーハの表面を押し付けながら前記ウェーハテーブルと前
記研磨定盤を相対的に回転させて前記ウェーハの表面を
研磨する研磨機において、前記研磨定盤に設けられた前
記ウェーハの表面を臨む第1の穴と、前記研磨定盤に設
けられた前記ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面
を臨む第2の穴と、前記第1の穴に設置され、前記ウェ
ーハの表面までの距離を非接触で測定する第1の測長手
段と、前記第2の穴に設置され、前記ウェーハの裏面と
一定の距離にある前記基準面までの距離を非接触で測定
する第2の測長手段と、から成り、前記ウェーハの表面
までの距離と前記ウェーハの裏面までの距離の差の変化
量から前記ウェーハの厚み加工量を測定することを特徴
としている。
するために、ウェーハの裏面をウェーハテーブルで保持
した状態で研磨定盤に取り付けられた研磨布に前記ウェ
ーハの表面を押し付けながら前記ウェーハテーブルと前
記研磨定盤を相対的に回転させて前記ウェーハの表面を
研磨する研磨機において、前記研磨定盤に設けられた前
記ウェーハの表面を臨む第1の穴と、前記研磨定盤に設
けられた前記ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面
を臨む第2の穴と、前記第1の穴に設置され、前記ウェ
ーハの表面までの距離を非接触で測定する第1の測長手
段と、前記第2の穴に設置され、前記ウェーハの裏面と
一定の距離にある前記基準面までの距離を非接触で測定
する第2の測長手段と、から成り、前記ウェーハの表面
までの距離と前記ウェーハの裏面までの距離の差の変化
量から前記ウェーハの厚み加工量を測定することを特徴
としている。
【0006】本発明によれば、第1の測長手段によって
ウェーハの表面(研磨面)までの距離を研磨定盤に設け
られた第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段に
よってウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの
距離を研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定
する。そして、これらの距離の差分の変化量からウェー
ハの厚み加工量を測定する。これにより、ウェーハの研
磨加工中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定す
ることができる。また、研磨定盤を静止させてウェーハ
テーブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周
方向の厚み分布を測定することができる。
ウェーハの表面(研磨面)までの距離を研磨定盤に設け
られた第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段に
よってウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの
距離を研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定
する。そして、これらの距離の差分の変化量からウェー
ハの厚み加工量を測定する。これにより、ウェーハの研
磨加工中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定す
ることができる。また、研磨定盤を静止させてウェーハ
テーブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周
方向の厚み分布を測定することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハの厚み加工量測定装置の好ましい実施の形態
について詳説する。図1は、本発明に係るウェーハの厚
み加工量測定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部
構造図である。図1に示すようにウェーハ研磨装置は、
研磨定盤10と、ウェーハテーブル18とを備え、ウェ
ーハテーブル18の下面にウェーハ50が研磨面(表
面)50Aを下方に向けてウェーハ50の裏面50Bが
吸着保持される。
るウェーハの厚み加工量測定装置の好ましい実施の形態
について詳説する。図1は、本発明に係るウェーハの厚
み加工量測定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部
構造図である。図1に示すようにウェーハ研磨装置は、
研磨定盤10と、ウェーハテーブル18とを備え、ウェ
ーハテーブル18の下面にウェーハ50が研磨面(表
面)50Aを下方に向けてウェーハ50の裏面50Bが
吸着保持される。
【0008】前記研磨定盤10は、円盤状に形成され、
その上部にセラミック盤12が設けられる。セラミック
盤12の上面にはウェーハ50を研磨するための研磨布
14が取り付けられる。また、研磨定盤10の下面には
スピンドル16が固着され、このスピンドル16は図示
しないモータの回転軸に連結される。従って、モータを
駆動することにより研磨定盤10が回転し、研磨布14
が回転する。
その上部にセラミック盤12が設けられる。セラミック
盤12の上面にはウェーハ50を研磨するための研磨布
14が取り付けられる。また、研磨定盤10の下面には
スピンドル16が固着され、このスピンドル16は図示
しないモータの回転軸に連結される。従って、モータを
駆動することにより研磨定盤10が回転し、研磨布14
が回転する。
【0009】前記ウェーハテーブル18は、上面にスピ
ンドル20が固着され、このスピンドル20は図示しな
いモータの回転軸に連結される。従って、モータを駆動
することによりウェーハテーブル18が回転し、ウェー
ハテーブル18に吸着保持されたウェーハ50が回転す
る。また、ウェーハテーブル18は図示しない駆動機構
によって上下方向に移動するようになっている。これに
よりウェーハテーブル18に吸着されたウェーハ50は
研磨定盤に向けて下降し研磨布14の表面に押し付けら
れるとともに、ウェーハ50の研磨が進行するにしたが
ってウェーハ50が下降する。
ンドル20が固着され、このスピンドル20は図示しな
いモータの回転軸に連結される。従って、モータを駆動
することによりウェーハテーブル18が回転し、ウェー
ハテーブル18に吸着保持されたウェーハ50が回転す
る。また、ウェーハテーブル18は図示しない駆動機構
によって上下方向に移動するようになっている。これに
よりウェーハテーブル18に吸着されたウェーハ50は
研磨定盤に向けて下降し研磨布14の表面に押し付けら
れるとともに、ウェーハ50の研磨が進行するにしたが
ってウェーハ50が下降する。
【0010】以上の構成により、ウェーハ50と研磨布
14が回転するとともに、ウェーハ50が研磨布14に
所定圧力で押し付けられて、ウェーハ50の研磨が行わ
れる。尚、ウェーハ50と研磨布14の間にはスラリ
(研削液)が供給される。ところで、研磨定盤10に
は、ウェーハ50の厚み加工量を測定するための容量セ
ンサ60と渦電流センサ62が配設される。これらの容
量センサ60、渦電流センサ62は、研磨定盤10から
研磨布14まで貫通する穴64に設置され、研磨定盤1
0の所定の回転状態において、容量センサ60はウェー
ハ50の下方に、渦電流センサ62は、ウェーハテーブ
ル18の周辺部に取り付けられたリング状の導体(裏面
測定基準部材)74の下方に配設される。
14が回転するとともに、ウェーハ50が研磨布14に
所定圧力で押し付けられて、ウェーハ50の研磨が行わ
れる。尚、ウェーハ50と研磨布14の間にはスラリ
(研削液)が供給される。ところで、研磨定盤10に
は、ウェーハ50の厚み加工量を測定するための容量セ
ンサ60と渦電流センサ62が配設される。これらの容
量センサ60、渦電流センサ62は、研磨定盤10から
研磨布14まで貫通する穴64に設置され、研磨定盤1
0の所定の回転状態において、容量センサ60はウェー
ハ50の下方に、渦電流センサ62は、ウェーハテーブ
ル18の周辺部に取り付けられたリング状の導体(裏面
測定基準部材)74の下方に配設される。
【0011】ここで、ウェーハの厚み加工量の測定原理
を説明する。図2は、ウェーハの厚み加工量の測定原理
を示した図である。同図に示すように、研磨定盤10の
所定の位置を基準位置として、Aで示す位置において基
準位置からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測
定し、Bで示す位置において基準位置からウェーハ50
の裏面50Bまでの距離を測定する。原理的にはこれら
の距離の差分の変化量がウェーハの厚み加工量を示す。
実際には、ウェーハ50の裏面50Bから一定距離にあ
る裏面測定基準を設定し、基準位置からウェーハ50の
裏面50Bまでの距離の代わりに、基準位置から裏面測
定基準までの距離を測定する。この場合も、基準位置か
らウェーハ50の研磨面50Aまでの距離との差分の変
化量がウェーハの厚み加工量を示す。
を説明する。図2は、ウェーハの厚み加工量の測定原理
を示した図である。同図に示すように、研磨定盤10の
所定の位置を基準位置として、Aで示す位置において基
準位置からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測
定し、Bで示す位置において基準位置からウェーハ50
の裏面50Bまでの距離を測定する。原理的にはこれら
の距離の差分の変化量がウェーハの厚み加工量を示す。
実際には、ウェーハ50の裏面50Bから一定距離にあ
る裏面測定基準を設定し、基準位置からウェーハ50の
裏面50Bまでの距離の代わりに、基準位置から裏面測
定基準までの距離を測定する。この場合も、基準位置か
らウェーハ50の研磨面50Aまでの距離との差分の変
化量がウェーハの厚み加工量を示す。
【0012】上述の図1に示した容量センサ60は、こ
の容量センサ60の検出面の位置を基準位置として、こ
の検出面からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を
測定する。また、上述の裏面測定基準部材74はその表
面によって裏面測定基準を設定し、渦電流センサ62
は、この渦電流センサ62の検出面から裏面測定基準部
材74までの距離を測定する。尚、容量センサ60の検
出面と渦電流センサ62の検出面の位置の差分(距離)
と、ウェーハ50の裏面50Bと裏面測定基準部材74
の位置の差分(距離)を予め測定しておけば、これらの
差分値に基づいて、容量センサ60及び渦電流センサ6
2による上記測定値の差分からウェーハ50の厚さを測
定することもできる。
の容量センサ60の検出面の位置を基準位置として、こ
の検出面からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を
測定する。また、上述の裏面測定基準部材74はその表
面によって裏面測定基準を設定し、渦電流センサ62
は、この渦電流センサ62の検出面から裏面測定基準部
材74までの距離を測定する。尚、容量センサ60の検
出面と渦電流センサ62の検出面の位置の差分(距離)
と、ウェーハ50の裏面50Bと裏面測定基準部材74
の位置の差分(距離)を予め測定しておけば、これらの
差分値に基づいて、容量センサ60及び渦電流センサ6
2による上記測定値の差分からウェーハ50の厚さを測
定することもできる。
【0013】図3は、図1に示したウェーハの厚み加工
量測定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。
同図に示すように研磨定盤10の所定回転状態において
ウェーハ50の研磨面50Aの下方に位置する研磨定盤
10、セラミック盤12及び研磨布14の一部に穴66
が穿設され、この穴66に容量センサ60を保持するセ
ンサホルダ68が嵌入される。センサホルダ68は、2
重に構成された円筒管68A、68Bと、これらの円筒
管68A、68Bの底部を被覆する基底部68Cとから
なり、これらの円筒管68A、68B、基底部68Cは
一体形成される。また、図には示さないが、このセンサ
ホルダ68には微動装置が装着される。センサホルダ6
8はこの微動装置によって穴66に対して昇降移動する
ことができ、容量センサ60が所望の高さに位置決めさ
れる。
量測定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。
同図に示すように研磨定盤10の所定回転状態において
ウェーハ50の研磨面50Aの下方に位置する研磨定盤
10、セラミック盤12及び研磨布14の一部に穴66
が穿設され、この穴66に容量センサ60を保持するセ
ンサホルダ68が嵌入される。センサホルダ68は、2
重に構成された円筒管68A、68Bと、これらの円筒
管68A、68Bの底部を被覆する基底部68Cとから
なり、これらの円筒管68A、68B、基底部68Cは
一体形成される。また、図には示さないが、このセンサ
ホルダ68には微動装置が装着される。センサホルダ6
8はこの微動装置によって穴66に対して昇降移動する
ことができ、容量センサ60が所望の高さに位置決めさ
れる。
【0014】容量センサ60は、このセンサホルダ68
の基底部68Cに穿設された穴に挿通され、容量センサ
60の先端の検出面がセンサホルダ68の先端と略一致
する位置に設置される。この容量センサ60は、静電容
量により容量センサ70の検出面から対象物(ウェーハ
表面)までの空間の距離を測定するものであり、検出面
からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定す
る。即ち、この検出面の位置を基準位置とするウェーハ
50の研磨面50Aの位置を検出する。
の基底部68Cに穿設された穴に挿通され、容量センサ
60の先端の検出面がセンサホルダ68の先端と略一致
する位置に設置される。この容量センサ60は、静電容
量により容量センサ70の検出面から対象物(ウェーハ
表面)までの空間の距離を測定するものであり、検出面
からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定す
る。即ち、この検出面の位置を基準位置とするウェーハ
50の研磨面50Aの位置を検出する。
【0015】また、容量センサ60が挿通されたセンサ
ホルダ68内側の円筒管68Aには、エアー注入管70
が連結され、図示しないエアーポンプからエアー注入管
70にエアーが送られ、エアー注入管70を介して円筒
管68A内にエアーが供給される。尚、以下、この円筒
管68Aをエアー円筒管68Aと称する。このエアー円
筒管68Aは、エアー注入管70からエアーが供給され
ると、容量センサ60の検出面上に高圧の空気層を生成
する。
ホルダ68内側の円筒管68Aには、エアー注入管70
が連結され、図示しないエアーポンプからエアー注入管
70にエアーが送られ、エアー注入管70を介して円筒
管68A内にエアーが供給される。尚、以下、この円筒
管68Aをエアー円筒管68Aと称する。このエアー円
筒管68Aは、エアー注入管70からエアーが供給され
ると、容量センサ60の検出面上に高圧の空気層を生成
する。
【0016】即ち、エアー円筒管68Aの上縁端は、ウ
ェーハ50の研磨面50Aに対して容量センサ60の測
定レンジ範囲内まで近接する。このため、ウェーハ50
が蓋のようにエアー円筒管68Aの上方縁を覆い、エア
ー円筒管68A内の空気に抵抗を与える。従って、この
ときにエアー円筒管68Aにエアー注入管70からエア
ーを注入すると、エアー円筒管68A内部に圧力を貯め
ながら、ゆっくりとエアーがエアー円筒管68Aの上方
縁から溢れるようになる。このようにして容量センサ7
0の検出面上方の隙間に圧力の高いエアー気団が形成さ
れる。このエアー気団を以下「エアーパック」と呼ぶ。
ェーハ50の研磨面50Aに対して容量センサ60の測
定レンジ範囲内まで近接する。このため、ウェーハ50
が蓋のようにエアー円筒管68Aの上方縁を覆い、エア
ー円筒管68A内の空気に抵抗を与える。従って、この
ときにエアー円筒管68Aにエアー注入管70からエア
ーを注入すると、エアー円筒管68A内部に圧力を貯め
ながら、ゆっくりとエアーがエアー円筒管68Aの上方
縁から溢れるようになる。このようにして容量センサ7
0の検出面上方の隙間に圧力の高いエアー気団が形成さ
れる。このエアー気団を以下「エアーパック」と呼ぶ。
【0017】このエアーパックは、ウェーハ50の測定
表面を洗浄するとともに、容量センサ70の検出面に汚
れが付着するのを防止する。図4に示すように、ウェー
ハ表面に付着されている微粒子(汚れ)は、ウェーハ5
0と共に高速運動(例えば、1.256m/s)し、一
方、エアーパックは研磨定盤10とともに逆方向Cで高
速で移動している。ウェーハ50の表面に付着されてい
る微粒子がエアーパックと衝突すると、同図に示すよう
にエアーパックの圧力によりこの微粒子は横に流され、
容量センサ60の検出面に対向する位置のウェーハ50
の研磨面50Aは常に洗浄された状態になる(この洗浄
方法を「エアーパック方式」と呼ぶ)。
表面を洗浄するとともに、容量センサ70の検出面に汚
れが付着するのを防止する。図4に示すように、ウェー
ハ表面に付着されている微粒子(汚れ)は、ウェーハ5
0と共に高速運動(例えば、1.256m/s)し、一
方、エアーパックは研磨定盤10とともに逆方向Cで高
速で移動している。ウェーハ50の表面に付着されてい
る微粒子がエアーパックと衝突すると、同図に示すよう
にエアーパックの圧力によりこの微粒子は横に流され、
容量センサ60の検出面に対向する位置のウェーハ50
の研磨面50Aは常に洗浄された状態になる(この洗浄
方法を「エアーパック方式」と呼ぶ)。
【0018】また、センサホルダ68の外側の円筒管6
8Bには排水パイプ72が連結され、排水パイプ72は
図示しない排水ポンプに連結される。従って、センサホ
ルダ68を挿通する研磨定盤10の穴66に流れ込んだ
スラリや汚れ等はこの円筒管68Bに通して排水パイプ
72から外部に排出される。一方、上述したようにウェ
ーハテーブル18の下面外周部にリング状の導体である
裏面測定基準部材74が固着される。そして、研磨定盤
10の所定回転状態においてこの裏面測定基準部材74
の下方の研磨定盤10、セラミック盤12及び研磨布1
4の一部に穴76が穿設され、この穴76に、渦電流セ
ンサ62が装着される。
8Bには排水パイプ72が連結され、排水パイプ72は
図示しない排水ポンプに連結される。従って、センサホ
ルダ68を挿通する研磨定盤10の穴66に流れ込んだ
スラリや汚れ等はこの円筒管68Bに通して排水パイプ
72から外部に排出される。一方、上述したようにウェ
ーハテーブル18の下面外周部にリング状の導体である
裏面測定基準部材74が固着される。そして、研磨定盤
10の所定回転状態においてこの裏面測定基準部材74
の下方の研磨定盤10、セラミック盤12及び研磨布1
4の一部に穴76が穿設され、この穴76に、渦電流セ
ンサ62が装着される。
【0019】渦電流センサ62は、裏面測定基準部材7
4に渦電流を発生させて渦電流センサ62の検出面から
裏面測定基準部材74までの距離を測定する。即ち、こ
の検出面の位置を基準とする裏面測定部材74の位置を
測定する。以上の構成により、容量センサ60の検出面
からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離と、渦電流
センサ62の検出面からウェーハテーブル18に固定さ
れた裏面測定基準部材74までの距離とが測定される。
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚
さ加工量が検出される。
4に渦電流を発生させて渦電流センサ62の検出面から
裏面測定基準部材74までの距離を測定する。即ち、こ
の検出面の位置を基準とする裏面測定部材74の位置を
測定する。以上の構成により、容量センサ60の検出面
からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離と、渦電流
センサ62の検出面からウェーハテーブル18に固定さ
れた裏面測定基準部材74までの距離とが測定される。
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚
さ加工量が検出される。
【0020】次に、上記容量センサ60及び渦電流セン
サ62の設置位置について説明する。図5は、研磨定盤
10にウェーハテーブル18の位置関係を示し、容量セ
ンサ60と渦電流センサ62の設置位置を示した図であ
る。同図に示す1の位置に容量センサ60と渦電流セン
サを設置した場合、研磨定盤10とウェーハテーブル1
8が回転している状態では、図6(a)に示すように、
容量センサ60はウェーハ50の破線で示す位置を通過
し、渦電流センサ62は裏面測定基準部材74の破線で
示す位置を通過する。従って、容量センサ60と渦電流
センサ62がこれらの破線上を通過する時に測定を行え
ば、上述したようにウェーハ50の研磨面50Aまでの
距離と裏面測定基準部材74までの距離を測定すること
ができる。
サ62の設置位置について説明する。図5は、研磨定盤
10にウェーハテーブル18の位置関係を示し、容量セ
ンサ60と渦電流センサ62の設置位置を示した図であ
る。同図に示す1の位置に容量センサ60と渦電流セン
サを設置した場合、研磨定盤10とウェーハテーブル1
8が回転している状態では、図6(a)に示すように、
容量センサ60はウェーハ50の破線で示す位置を通過
し、渦電流センサ62は裏面測定基準部材74の破線で
示す位置を通過する。従って、容量センサ60と渦電流
センサ62がこれらの破線上を通過する時に測定を行え
ば、上述したようにウェーハ50の研磨面50Aまでの
距離と裏面測定基準部材74までの距離を測定すること
ができる。
【0021】また、上記説明では、裏面測定基準部材7
4までの距離を渦電流センサ62で測定するようにした
が、渦電流センサ62の代わりに容量センサを使用する
こともできる。また、1つの容量センサ60で、ウェー
ハ50の研磨面50Aまでの距離と、裏面測定基準部材
74までの距離の両方距離を測定することができる。例
えば、図5に示す2の位置に容量センサ60を設置した
場合、研磨定盤10とウェーハテーブル18が回転して
いる状態では、図6(b)に示すように、容量センサ6
0はウェーハ50の破線で示す位置と、裏面測定基準部
材74の破線で示す位置を通過する。従って、容量セン
サ60がこれらの破線上を通過する時に測定を行えば、
上述したようにウェーハの研磨面までの距離と裏面測定
基準部材74までの距離を1つの容量センサで測定する
ことができる。
4までの距離を渦電流センサ62で測定するようにした
が、渦電流センサ62の代わりに容量センサを使用する
こともできる。また、1つの容量センサ60で、ウェー
ハ50の研磨面50Aまでの距離と、裏面測定基準部材
74までの距離の両方距離を測定することができる。例
えば、図5に示す2の位置に容量センサ60を設置した
場合、研磨定盤10とウェーハテーブル18が回転して
いる状態では、図6(b)に示すように、容量センサ6
0はウェーハ50の破線で示す位置と、裏面測定基準部
材74の破線で示す位置を通過する。従って、容量セン
サ60がこれらの破線上を通過する時に測定を行えば、
上述したようにウェーハの研磨面までの距離と裏面測定
基準部材74までの距離を1つの容量センサで測定する
ことができる。
【0022】また、当然、図5に示す1、2以外の場所
でも例えば図5の3乃至5に示す位置等にセンサを設置
することは可能であり、また、複数のセンサを使用する
場合にそれぞれのセンサを任意の位置に設置することも
可能である。次に上記ウェーハの厚み加工量測定装置の
作用について説明する。図7は、ウェーハの厚み加工量
測定装置のシステム構成図であり、図8は、この厚み加
工装置の作用を示したフローチャートである。
でも例えば図5の3乃至5に示す位置等にセンサを設置
することは可能であり、また、複数のセンサを使用する
場合にそれぞれのセンサを任意の位置に設置することも
可能である。次に上記ウェーハの厚み加工量測定装置の
作用について説明する。図7は、ウェーハの厚み加工量
測定装置のシステム構成図であり、図8は、この厚み加
工装置の作用を示したフローチャートである。
【0023】図7に示すように、厚み加工量測定装置に
はこの測定システム専用の末端検出用パソコン100が
使用され、この末端検出用パソコン100は、ウェーハ
研磨装置を制御するホストコンピュータ200との交信
により、制御指令をホストコンピュータ200から受信
し、又は、測定データをホストコンピュータ200に送
信して、測定装置全体を制御する。
はこの測定システム専用の末端検出用パソコン100が
使用され、この末端検出用パソコン100は、ウェーハ
研磨装置を制御するホストコンピュータ200との交信
により、制御指令をホストコンピュータ200から受信
し、又は、測定データをホストコンピュータ200に送
信して、測定装置全体を制御する。
【0024】また、同図に示すように、エアーポンプ1
02、排水ポンプ104、微動装置106は末端検出用
パソコン100から出力される制御信号により作動す
る。尚、エアーポンプ102は、図3に示したようにエ
アーをエアー注入管70からセンサホルダ68のエアー
円筒管68Aに供給し、容量センサ60の検出面上にエ
アーパックを形成させ、排水ポンプ104は、センサホ
ルダ68の円筒管68Bに流れ込んだスラリを排水パイ
プ72を介して吸引し、排水タンク107に排水するも
のである。また、微動装置106は、センサホルダ68
を昇降移動させ、容量センサ60をウェーハの研磨面に
対して適切な位置に設置する装置である。
02、排水ポンプ104、微動装置106は末端検出用
パソコン100から出力される制御信号により作動す
る。尚、エアーポンプ102は、図3に示したようにエ
アーをエアー注入管70からセンサホルダ68のエアー
円筒管68Aに供給し、容量センサ60の検出面上にエ
アーパックを形成させ、排水ポンプ104は、センサホ
ルダ68の円筒管68Bに流れ込んだスラリを排水パイ
プ72を介して吸引し、排水タンク107に排水するも
のである。また、微動装置106は、センサホルダ68
を昇降移動させ、容量センサ60をウェーハの研磨面に
対して適切な位置に設置する装置である。
【0025】また、図7に示す測定センサ108は、ウ
ェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定基準
部材74)までの距離を測定するセンサであり、上述し
たように、容量センサ60と渦電流センサ62とを用い
てこれらの距離を測定する場合には、これらの容量セン
サ60と渦電流センサ62を示し、また、容量センサ6
0のみを用いて測定する場合には、この容量センサ60
を示す。
ェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定基準
部材74)までの距離を測定するセンサであり、上述し
たように、容量センサ60と渦電流センサ62とを用い
てこれらの距離を測定する場合には、これらの容量セン
サ60と渦電流センサ62を示し、また、容量センサ6
0のみを用いて測定する場合には、この容量センサ60
を示す。
【0026】また、図7に示す距離センサ110は、測
定センサ108の補助として使用されるセンサであり、
例えば渦電流センサ等が使用される。測定センサ108
の測定レンジは狭いため、測定センサ108より測定レ
ンジの広い距離センサ110により、ウェーハ50まで
の距離を測定して測定センサ108の測定位置の調整を
行う。
定センサ108の補助として使用されるセンサであり、
例えば渦電流センサ等が使用される。測定センサ108
の測定レンジは狭いため、測定センサ108より測定レ
ンジの広い距離センサ110により、ウェーハ50まで
の距離を測定して測定センサ108の測定位置の調整を
行う。
【0027】図8のフローチャートを用いて測定手順を
説明すると、まず、ホストコンピュータ200により研
磨定盤を測定位置まで回転させる(ステップS10)。
そして、ウェーハテーブル18にウェーハ50をロード
し、ウェーハ50にかける圧力を正常の研磨圧力に調整
する(ステップS12)。次に、末端検出用パソコン1
00は距離センサ110によりウェーハ50の位置を判
断する(ステップS14)。そして、距離センサ110
により得られたデータに基づいて微動装置106を制御
し、測定センサ108を自動的に測定位置に調整する
(ステップS16)。
説明すると、まず、ホストコンピュータ200により研
磨定盤を測定位置まで回転させる(ステップS10)。
そして、ウェーハテーブル18にウェーハ50をロード
し、ウェーハ50にかける圧力を正常の研磨圧力に調整
する(ステップS12)。次に、末端検出用パソコン1
00は距離センサ110によりウェーハ50の位置を判
断する(ステップS14)。そして、距離センサ110
により得られたデータに基づいて微動装置106を制御
し、測定センサ108を自動的に測定位置に調整する
(ステップS16)。
【0028】この状態において、測定センサ108によ
りウェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定
基準)までの初期距離D01、D02を測定する(ステップ
S18)。尚、これらの値は前後10個のデータの平均
値とする。次に、洗浄装置と排水装置を作動させる(ス
テップS20)。即ち、エアーポンプ102と排水ポン
プ104を作動させる。そして、この状態で再度ウェー
ハ50の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D11、D
12を測定し(ステップS22)、先に測定した初期距離
D01、D02と比較して異常の有無を検出する(ステップ
S24)。正常の場合にはホストコンピュータ200に
正常信号を発信し、異常の場合にはホストコンピュータ
200に異常信号を発信する。
りウェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定
基準)までの初期距離D01、D02を測定する(ステップ
S18)。尚、これらの値は前後10個のデータの平均
値とする。次に、洗浄装置と排水装置を作動させる(ス
テップS20)。即ち、エアーポンプ102と排水ポン
プ104を作動させる。そして、この状態で再度ウェー
ハ50の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D11、D
12を測定し(ステップS22)、先に測定した初期距離
D01、D02と比較して異常の有無を検出する(ステップ
S24)。正常の場合にはホストコンピュータ200に
正常信号を発信し、異常の場合にはホストコンピュータ
200に異常信号を発信する。
【0029】正常の場合、次にホストコンピュータ20
0は、研磨定盤10とウェーハテーブル18を回転さ
せ、ウェーハ50の研磨状態に入る(ステップS2
6)。このとき、末端検出用パソコン100はエンコー
ダ112からデータを入力し、研磨定盤10とウェーハ
テーブル18の回転位置を把握し、測定センサ108の
回転位置を正しく制御する(ステップS28)。
0は、研磨定盤10とウェーハテーブル18を回転さ
せ、ウェーハ50の研磨状態に入る(ステップS2
6)。このとき、末端検出用パソコン100はエンコー
ダ112からデータを入力し、研磨定盤10とウェーハ
テーブル18の回転位置を把握し、測定センサ108の
回転位置を正しく制御する(ステップS28)。
【0030】研磨定盤10が3から5回転して回転が安
定となった時、予め算出された周期によりウェーハ50
の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D21、D22を測
定する(ステップS30)。そして、先に測定した距離
D11、D12の値と比較し、異常の有無を判断する(ステ
ップS32)。以下、同様にしてウェーハ50の研磨面
50Aと裏面50Bまでの距離Di1、Di2を繰り返し測
定する(ステップS34)。ただし、距離Di1、Di2は
測定タイミングの前後の10データにより算出した平均
値である。
定となった時、予め算出された周期によりウェーハ50
の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D21、D22を測
定する(ステップS30)。そして、先に測定した距離
D11、D12の値と比較し、異常の有無を判断する(ステ
ップS32)。以下、同様にしてウェーハ50の研磨面
50Aと裏面50Bまでの距離Di1、Di2を繰り返し測
定する(ステップS34)。ただし、距離Di1、Di2は
測定タイミングの前後の10データにより算出した平均
値である。
【0031】このようして得られたウェーハ50の研磨
面50Aと裏面50Bまでの距離D i1、Di2のデータを
解析しウェーハ50の厚み加工量を算出し(ステップS
36)、予め設定した厚み加工限界値と比較する(ステ
ップS38)。そしてその結果をホストコンピュータに
送信する。特に異常が発生した場合、警告アラーム11
4を鳴らす。
面50Aと裏面50Bまでの距離D i1、Di2のデータを
解析しウェーハ50の厚み加工量を算出し(ステップS
36)、予め設定した厚み加工限界値と比較する(ステ
ップS38)。そしてその結果をホストコンピュータに
送信する。特に異常が発生した場合、警告アラーム11
4を鳴らす。
【0032】厚み加工量が加工限界値となった場合に
は、ホストコンピュータ200は研磨定盤10を測定位
置に静止させ、ウェーハテーブル18を数周回転させ
る。末端検出用パソコン100は、この状態でウェーハ
50の研磨面50Aまでの距離をを測定し、ウェーハ5
0の厚みの円周分布を測定する(ステップS40)。そ
して、研磨が終了すると、最後にウェーハ50の研磨面
50Aまでの距離Di1のデータを解析し、研磨布14の
磨耗量を算出する(ステップS42)。
は、ホストコンピュータ200は研磨定盤10を測定位
置に静止させ、ウェーハテーブル18を数周回転させ
る。末端検出用パソコン100は、この状態でウェーハ
50の研磨面50Aまでの距離をを測定し、ウェーハ5
0の厚みの円周分布を測定する(ステップS40)。そ
して、研磨が終了すると、最後にウェーハ50の研磨面
50Aまでの距離Di1のデータを解析し、研磨布14の
磨耗量を算出する(ステップS42)。
【0033】尚、上述のように、研磨定盤10を静止さ
せた状態でウェーハテーブル18のみを回転させ、容量
センサ60によりウェーハ50の研磨面50Aまでの距
離を測定することによりウェーハ50の厚みの円周分布
を測定することができる。
せた状態でウェーハテーブル18のみを回転させ、容量
センサ60によりウェーハ50の研磨面50Aまでの距
離を測定することによりウェーハ50の厚みの円周分布
を測定することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハの厚み加工量測定装置によれば、第1の測長手段によ
ってウェーハの表面までの距離を研磨定盤に設けられた
第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段によって
ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの距離を
研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定する。
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚
み加工量を測定する。これにより、ウェーハの研磨加工
中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定すること
ができる。従って、加工終了点を正確に制御することが
できる。
ハの厚み加工量測定装置によれば、第1の測長手段によ
ってウェーハの表面までの距離を研磨定盤に設けられた
第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段によって
ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの距離を
研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定する。
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚
み加工量を測定する。これにより、ウェーハの研磨加工
中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定すること
ができる。従って、加工終了点を正確に制御することが
できる。
【0035】また、研磨定盤を静止させてウェーハテー
ブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周方向
の厚み分布を測定することができ、品質管理に利用する
ことができる。さらに、測定装置の構成が簡単であると
ともに、装置の取り付けとメンテナンスが容易であるた
め、イニシャルコストとランニングコストを削減するこ
とができる。
ブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周方向
の厚み分布を測定することができ、品質管理に利用する
ことができる。さらに、測定装置の構成が簡単であると
ともに、装置の取り付けとメンテナンスが容易であるた
め、イニシャルコストとランニングコストを削減するこ
とができる。
【図1】図1は、本発明に係るウェーハの厚み加工量測
定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部構造図であ
る。
定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部構造図であ
る。
【図2】図2は、ウェーハの厚み加工量の測定原理を示
した図である。
した図である。
【図3】図3は、図1に示したウェーハの厚み加工量測
定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。
定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。
【図4】図4は、エアーパックによるウェーハ表面の洗
浄作用を示した図である。
浄作用を示した図である。
【図5】図5は、研磨定盤10にウェーハテーブル18
の位置関係を示し、容量センサ60と渦電流センサ62
の設置位置を示した図である。
の位置関係を示し、容量センサ60と渦電流センサ62
の設置位置を示した図である。
【図6】図6は、ウェーハ及び裏面測定基準部材におけ
るセンサの軌跡をセンサの設置位置に応じて示した図で
ある。
るセンサの軌跡をセンサの設置位置に応じて示した図で
ある。
【図7】図7は、ウェーハの厚み加工量測定装置のシス
テム構成図である。
テム構成図である。
【図8】図8は、ウェーハの厚み加工装置の作用を示し
たフローチャートである。
たフローチャートである。
10…研磨定盤 14…研磨布 18…ウェーハテーブル 60…容量センサ 62…渦電流センサ 68…センサホルダ 68A…エアー円筒管 70…エアー注入管 72…排水パイプ
Claims (4)
- 【請求項1】 ウェーハの裏面をウェーハテーブルで保
持した状態で研磨定盤に取り付けられた研磨布に前記ウ
ェーハの表面を押し付けながら前記ウェーハテーブルと
前記研磨定盤を相対的に回転させて前記ウェーハの表面
を研磨する研磨機において、 前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの表面を臨む第
1の穴と、 前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの裏面と一定の
距離にある基準面を臨む第2の穴と、 前記第1の穴に設置され、前記ウェーハの表面までの距
離を非接触で測定する第1の測長手段と、 前記第2の穴に設置され、前記ウェーハの裏面と一定の
距離にある前記基準面までの距離を非接触で測定する第
2の測長手段と、 から成り、前記ウェーハの表面までの距離と前記ウェー
ハの裏面までの距離の差の変化量から前記ウェーハの厚
み加工量を測定することを特徴とするウェーハの厚み加
工量測定装置。 - 【請求項2】 前記第1の測長手段及び第2の測長手段
は容量センサであることを特徴とする請求項1のウェー
ハの厚み加工量測定装置。 - 【請求項3】 前記第1の測長手段は容量センサであ
り、前記第2の測長手段は渦電流センサであることを特
徴とする請求項1のウェーハの厚み加工量測定装置。 - 【請求項4】 前記第2の穴は前記第1の穴と同一の穴
であり、前記第1の測長手段が前記第2の測長手段を兼
ねることを特徴とする請求項1のウェーハの厚み加工量
測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP767697A JP3303963B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP767697A JP3303963B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10202520A true JPH10202520A (ja) | 1998-08-04 |
JP3303963B2 JP3303963B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=11672405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP767697A Expired - Fee Related JP3303963B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3303963B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001179617A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Nikon Corp | 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス |
WO2002043128A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Dispositif de polissage et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur |
JP2003089056A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-25 | Hamai Co Ltd | 被加工物厚み計測方法 |
JP2003534649A (ja) * | 2000-05-19 | 2003-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨のための現場終点検出及びプロセス監視の方法並びに装置 |
JP2005517290A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 渦電流モニタリングシステムを備えた化学機械的研磨の為の方法及び装置 |
JP2007208282A (ja) * | 2000-10-11 | 2007-08-16 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2008263096A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの研削方法 |
JP2008304471A (ja) * | 2000-03-28 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 |
US7850509B2 (en) | 2000-10-11 | 2010-12-14 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus |
JP2011164110A (ja) * | 1999-12-23 | 2011-08-25 | Kla-Tencor Corp | 渦電流測定あるいは光学測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法 |
CN106466807A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | K.C.科技股份有限公司 | 化学机械抛光装置及方法 |
KR20170043220A (ko) * | 2015-10-13 | 2017-04-21 | 주식회사 케이씨텍 | 베어 웨이퍼의 연마 장치 |
KR20210007175A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 조중훈 | 웨이퍼용 cmp 시스템 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101684842B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2016-12-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP767697A patent/JP3303963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011164110A (ja) * | 1999-12-23 | 2011-08-25 | Kla-Tencor Corp | 渦電流測定あるいは光学測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法 |
JP2001179617A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Nikon Corp | 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス |
WO2001048801A1 (fr) * | 1999-12-27 | 2001-07-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de surveillance du stade de polissage, tete de polissage, plaquette a traiter, et dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe |
JP2008304471A (ja) * | 2000-03-28 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体 |
JP2003534649A (ja) * | 2000-05-19 | 2003-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨のための現場終点検出及びプロセス監視の方法並びに装置 |
JP2014208401A (ja) * | 2000-05-19 | 2014-11-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 渦電流監視用研磨パッド |
JP2007208282A (ja) * | 2000-10-11 | 2007-08-16 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
US7850509B2 (en) | 2000-10-11 | 2010-12-14 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus |
JP4620072B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2011-01-26 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
WO2002043128A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Dispositif de polissage et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur |
JP2003089056A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-25 | Hamai Co Ltd | 被加工物厚み計測方法 |
JP2005517290A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 渦電流モニタリングシステムを備えた化学機械的研磨の為の方法及び装置 |
JP2008263096A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの研削方法 |
CN106466807A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | K.C.科技股份有限公司 | 化学机械抛光装置及方法 |
CN106466807B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-04-26 | 凯斯科技股份有限公司 | 化学机械抛光装置及方法 |
KR20170043220A (ko) * | 2015-10-13 | 2017-04-21 | 주식회사 케이씨텍 | 베어 웨이퍼의 연마 장치 |
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